專利名稱：納米結(jié)構(gòu)led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED。具體而言本發(fā)明涉及納米結(jié)構(gòu)LED。
背景技術(shù)：
基于納米線的LED (發(fā)光二極管)包含生長在例如硅或GaN的襯底上的半導體納米線或半導體納米線的陣列。典型地，在這種襯底上首先生長平面緩沖層且隨后在緩沖層的表面上生長納米線的陣列。緩沖層被用作用于生長納米線的基底層。附加地，它可以用于電流傳輸。緩沖層對于由LED發(fā)射的光通常是透明的。 每個納米線從緩沖層突出并且包含在納米線核心周圍或沿著納米線軸形成p-1-n結(jié)的多個材料區(qū)域。當電荷載流子被注入到相應(yīng)的P和η區(qū)域中時，它們在i區(qū)中復合，且該復合生成光。光在每個納米線內(nèi)部隨機地產(chǎn)生并在所有方向上發(fā)射。這種結(jié)構(gòu)的一個問題在于，所產(chǎn)生的光的相當大的部分被浪費，因為只有一部分被沿期望方向引導。與基于納米線的LED關(guān)聯(lián)的另一個問題為，這種結(jié)構(gòu)依賴于緩沖層的電導率來將電流傳輸?shù)接性磪^(qū)，即P-1-n結(jié)。對于大的器件，接觸與LED內(nèi)納米線之間的距離會是相當大的，導致緩沖層上的電壓降和電阻性損耗。載流子復合和光生成將主要地在η接觸側(cè)的接觸焊盤附近發(fā)生，從而導致電流擁擠和不均勻的亮度。當將LED器件安裝在向該LED器件供應(yīng)電流用以生成光的載體上時，這個問題仍然存在。ρη結(jié)和p-1-n結(jié)之間的差異在于后者具有更寬的有源區(qū)。更寬的有源區(qū)允許更高的在i區(qū)中復合且因而生成光的可能性，不過ρη結(jié)和p-1-n結(jié)都可以用于LED器件中的光生成。

發(fā)明內(nèi)容
就能夠提供具有高效率且適合大規(guī)模生產(chǎn)的納米結(jié)構(gòu)LED而言，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷。本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的至少其中一些缺陷。這是通過如權(quán)利要求1中限定的器件來實現(xiàn)的。根據(jù)本發(fā)明的器件包含一種納米結(jié)構(gòu)LED，該納米結(jié)構(gòu)LED具有至少一個納米線和接觸裝置。每個納米線從襯底上的緩沖層突出且包含ρη結(jié)或p-1-n結(jié)，并且每個納米線的頂部部分或者至少一種納米線選集覆蓋有光反射或透明接觸層。接觸裝置與每個納米線的底部部分電接觸，光反射或透明接觸層經(jīng)由ρη結(jié)或P-1-n結(jié)與接觸裝置電接觸。因而當電壓施加在接觸裝置與光反射或透明接觸層之間時，在納米線中的有源區(qū)內(nèi)產(chǎn)生光。用于倒裝芯片結(jié)合的第一組接觸焊盤在緩沖層的頂部上是分布式的且是分離的以減小平均串聯(lián)電阻。
這種納米結(jié)構(gòu)LED可以安置在具有接觸焊盤的載體上，所述接觸焊盤對應(yīng)于位于納米線LED芯片上的P-接觸焊盤和η-接觸焊盤的位置，并且利用焊接、超聲焊、結(jié)合(bonding)或者通過使用導電膠被附連。載體上的接觸焊盤可以電連接到LED封裝的適當電源引線。本發(fā)明的一個目的是克服與倒裝芯片結(jié)合LED有關(guān)的問題，S卩，增大效率以及減小與緩沖層中串聯(lián)電阻有關(guān)的損耗。本發(fā)明的另一目的是呈現(xiàn)低能耗。本發(fā)明的一個另外目的是提供一種納米線LED，該納米線LED包含可以被排它地且單獨地尋址的一個或多個納米線接觸組。本發(fā)明的實施例在從屬權(quán)利要求中限定。當結(jié)合附圖和權(quán)利要求考慮時，根據(jù)對本發(fā)明實施例的實例的下述詳細描述，本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點和新穎特征將變得清楚。



現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在附圖中
圖1示出納米線LED的示意性結(jié)構(gòu)；
圖2a)示出具有底部接觸和頂部接觸的納米線LED，該頂部接觸嚴格地限定LED的有源區(qū)，以及圖2b)示出可以被排它地且單獨地尋址的具有兩個有源區(qū)的納米線LED ；
圖3說明具有頂部接觸和底部接觸的納米線LED ；
圖4為針對幾個單獨接觸如何設(shè)計納米線LED上的接觸圖案的建議；
圖5為針對幾個單獨接觸如何設(shè)計納米線LED上的接觸圖案的另一建議；
圖6示出利用P接觸和η接觸之間的接觸凸點而結(jié)合在載體上的納米線結(jié)構(gòu)；
圖7示出具有用作冷卻凸緣的位于納米線接觸組之間的區(qū)域的LED器件，其中在該區(qū)域處納米線已經(jīng)被移除；
圖8示出安裝在具有控制電子電路的載體上的倒裝芯片LED ；
圖9示出LED器件如何可以用作車輛中的智能前燈。
具體實施例方式將在下面描述的實施例全部是基于納米結(jié)構(gòu)LED的，且可以在W02008048704中找到其現(xiàn)有技術(shù)型式。在下面的討論中，措詞納米結(jié)構(gòu)或納米元件旨在表示具有至少兩種不大于約Iym的維度的結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本發(fā)明的納米結(jié)構(gòu)LED的一個實施例圖1中，納米線110從襯底突出或者從沉積在襯底上的緩沖層120突出(圖中未示出襯底)，其中襯底或緩沖層120可以是S1、Ge、A1203、SiC、石英、玻璃、GaN或者適合納米線生長以及進一步加工的任何其它材料。緩沖層120可以由與襯底材料不同的材料制成。通常選擇緩沖層120來匹配期望的納米線材料，并因而形成在之后工藝中用于納米線的生長基底。這意味著選擇緩沖層120使得納米線和緩沖層的晶格參數(shù)容許納米線生長。納米線的生長可以通過利用在上面提到的專利申請中描述的方法來實現(xiàn)，其中公知的掩模技術(shù)得到具有ρη結(jié)或p-1-n結(jié)160的納米線。納米線可以是任何半導體材料，不過比如GaN、InP、GaAs、AlInGaN、AlGaN和InGaN等的II1-V半導體對于生產(chǎn)LED而言是有利的。在一些指定區(qū)域中，通過向下蝕刻到緩沖層120隨后除去納米線而得到第一區(qū)域和第二區(qū)域，在該第一區(qū)域，納米線從襯底突出，該第二區(qū)域不含有納米線且與第一區(qū)域中納米線的底部部分145電接觸。在該第二區(qū)域中，金屬或重摻雜半導體布置成形成接觸裝置。在下文中，除非另外指出，措詞P-1-n結(jié)旨在涵蓋ρη結(jié)和p-1-n結(jié)這二者。因而原則上，除了在第一組接觸焊盤190接觸緩沖層或襯底的位置(在此處納米線已被移除)之外，襯底都被覆蓋有納米線。根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)圖2a在納米線110上限定第二組(多個)接觸焊盤180和光反射或透明接觸層130，并且第二組(多個)接觸焊盤180和光反射或透明接觸層130因此嚴格地限定LED器件的發(fā)光有源區(qū)。位于由第二組(多個)接觸焊盤180和光反射或透明層130限定的區(qū)域外部的所有納米線110將成為電學死區(qū)(electrically dead),且在電壓施加于第一組(多個)接觸焊盤190和第二組(多個)接觸焊盤180之間時對光的形成沒有貢獻。沒有電流泄露到位于有源區(qū)外部的納米線。因而，納米線技術(shù)提供了一種獨特的能力以允許利用第二組接觸焊盤來嚴格限定有源區(qū)，這在平面技術(shù)中是不可能的。
圖2b說明本發(fā)明的實施例，在該實施例中第二組(多個)接觸焊盤180存在兩個接觸焊盤。如上所述，只有位于第二組(多個)接觸焊盤180和光反射或透明層130下面的納米線110在施加電壓產(chǎn)生光時是有源的。圖2中在納米線頂部上分布兩個接觸，這使得有可能排它地且單獨地控制由第二組(多個)接觸焊盤180和光反射或透明層130限定的兩個納米線接觸組。由于沒有電流泄露到有源區(qū)旁邊的納米線，有源區(qū)的分辨率由接觸圖案的分辨率嚴格地確定。因而，具有大量納米線接觸組(所有納米線接觸組可以被排它地且單獨地尋址)的襯底可以用于形成例如顯示器、紅-綠-藍-LED裝置(RGB)、調(diào)光器、車輛前燈
坐寸ο參考圖3可以看出，形成光反射接觸層130的金屬反射器或者鏡層形成于第一區(qū)域中突出的納米線的頂部部分140上。光反射接觸層130可以通過各種方式形成，不過使用PVD (物理汽相沉積)方法和公知的掩模技術(shù)是優(yōu)選的方法。反射器優(yōu)選由鋁或銀制成，但是也可以使用其它金屬或金屬合金。光反射接觸層130的目的是防止光沿著除優(yōu)選方向以外的方向從該結(jié)構(gòu)離開，以及將發(fā)射光聚焦到一個單一方向。附加地，光反射接觸層130通常還用作到納米線的頂部接觸。基于納米線的LED或者是正面發(fā)光或者是背面發(fā)光，即在納米線內(nèi)產(chǎn)生的光從納米線的頂部被發(fā)射，或者分別通過納米線底部、緩沖層和襯底被發(fā)射。像這樣的基于納米線的LED器件通常安裝在載體上，該載體提供機械支撐和電連接。載體不應(yīng)吸收光或者限制從該器件的光發(fā)射。構(gòu)造具有改善的效率的LED的一種方式是制作倒裝芯片器件。在光譜的可見區(qū)域中具有高反射率的金屬層形成于納米線的頂部上。作為該工藝的一部分，其上已經(jīng)生長了納米線的襯底被移除，留下緩沖層120，從而為光通過所述緩沖層120發(fā)射留出余地，該緩沖層已經(jīng)形成用于納米線的基底。被引導朝向納米線的頂部的發(fā)射光隨后在遇到金屬層時被反射，因而形成用于離開該結(jié)構(gòu)的光的明確主導方向，如圖3所示。這種制作該結(jié)構(gòu)的方式為更多份額的發(fā)射光被引導到期望方向上留出余地，提高了 LED的效率。為了能夠?qū)⒃摻Y(jié)構(gòu)附連到載體晶片280 (圖6)或微電子結(jié)構(gòu)，接觸焊盤必須形成于緩沖層120 (也稱為底層)上以及光反射接觸層130 (稱為頂層)上。完成這一點的第一種方式是在緩沖層上形成一個接觸且在鏡層上形成一個接觸，使得該層本身分配流到納米線的電流。這將使得獨立于其余的納米線或納米線組來尋址一個納米線或一組納米線是不可能的，因為一個接觸層的至少其中一個接觸焊盤需要被分配來使得能夠單獨地尋址納米線組。此外，每個接觸層的一個單個接觸將產(chǎn)生例如電阻性損耗的損耗，因為在該層內(nèi)的傳導距離會相對長。形成接觸的第二種優(yōu)選方式是形成幾個接觸焊盤，并且例如通過形成一層接觸焊盤交錯陣列，將它們分配在緩沖層120表面之上以使表面上的電流密度相等。這通過減小源于緩沖層內(nèi)的串聯(lián)電阻的電阻性損耗而改善了 LED器件的效率。隨著層的電阻率增大，電阻性損耗的效應(yīng)變得越來越顯著。對于具有低電阻率的金屬層的情形，增益是小的，但是對于例如半導體緩沖層的具有較高電阻率的層，增益會是明顯的。緩沖層上的第一組接觸焊盤190可以稱為陰極，且光反射接觸層的頂部上的第二組接觸焊盤180可以稱為陽極。納米線接觸組包含至少一個納米線，但是優(yōu)選地每個接觸組包含多個納米線。在一組納米線中具有多個納米線增大了器件的可靠性 ，因為這種情況下納米線組不是強烈地依賴于一個單一納米線的功能。然而，在此文本中措詞“組”被限定為涵蓋了這樣的情形納米線接觸組包含僅具有一個納米線的情形。使用分布式接觸焊盤的方法也可應(yīng)用在光反射接觸層130的頂部上的第二區(qū)域上。該層很多時候是金屬層，但是它也可以由具有高的光學反射率和相對高的電導率的化合物材料構(gòu)成。在光反射接觸層130被適當?shù)卣{(diào)適時，分布式接觸焊盤將使得能夠?qū)χ辽僖唤M納米線排它地且單獨地尋址。即使在金屬光反射接觸層130的情形中，使用分布式接觸焊盤的另一基本優(yōu)點在于，當該結(jié)構(gòu)被結(jié)合在載體晶片280上時，增大數(shù)目的接觸點提供了改進的結(jié)構(gòu)支撐。對于第一組接觸焊盤190，可以按許多不同方式以及按許多幾何配置，在原則上利用任何圖案來完成該分布，只要接觸焊盤不使頂層和底層之間短路即可。分布式接觸焊盤的優(yōu)點在于，它們可以使它們所應(yīng)用到的層的電流分布相等，這也可以利用呈不規(guī)則圖案的分布式接觸焊盤來實現(xiàn)。因而，接觸焊盤的幾何布置不是關(guān)鍵的，只要實現(xiàn)電流分布效應(yīng)即可。在本發(fā)明的一個實施例中，接觸焊盤的接觸圖案是使用分別用于頂層和底層的多個陣列來形成的，并且簡單地使用于頂層和底層的接觸焊盤陣列相對于彼此橫向地位移。用于底層的接觸焊盤可以全部通過例如緩沖層被連接，且因而分布在納米線或納米線組之間，只要該接觸層不用于單獨尋址即可。用于頂層的接觸焊盤也是分布式的，但是在該接觸層被用于單獨尋址時，根本不通過光反射接觸層130而相互連接，如圖7和8所示。在另一實施例中，用于頂層和底層的第一組接觸焊盤190和第二組接觸焊盤180形成為在圖4中看到的相互垂直的陣列。如在圖4和5的設(shè)計中所看到的，電絕緣部分250將多個組分離，該電絕緣部分可以是電絕緣材料或者只是不存在導電材料。在圖5中，接觸焊盤形成為具有用于第一和第二區(qū)域的正方形或長方形形狀的矩陣圖案，且隨后相對于彼此橫向地位移。幾何接觸焊盤設(shè)置的組合也是可以的。圖4和5的設(shè)計以及其組合僅僅示出形成器件的導電圖案的幾個可能方式，不過當然存在無限多個解決方案。當LED結(jié)構(gòu)通過焊接而附連到另一晶片時，接觸焊盤也可以在結(jié)合工藝中用作焊接凸點260 (圖6和8)。如果恰當?shù)剡x擇接觸焊盤和晶片中材料的類型，則兩個單元可以相互熱結(jié)合。另一種方式是在結(jié)合之前將焊接凸點安裝在接觸焊盤上。在圖6和8中可以看到使用焊接凸點結(jié)合在載體晶片上的倒裝芯片LED器件。關(guān)于焊接凸點的形狀無論如何也不是旨在示出實際情形中的形狀，而是如此形成從而容易理解附圖。在根據(jù)圖7的本發(fā)明的一個實施例中，納米線具有用于第一組接觸焊盤190的一個公共接觸，例如緩沖層。第二組接觸焊盤180和光反射接觸層130是分布式的且在電學上是分離的，以便納米線組可以獨立于其它納米線組而被排它地且單獨地尋址，使得一組納米線表示例如一個像素。這使得能夠獲得這樣的布置，其中不同的納米線組具有不同的屬性，例如不同的組可以適于表示紅-綠-藍(RGB)裝置中的顏色。在圖中(圖7)，納米線接觸組被蝕刻形成的凹槽分離。然而，對于用于納米線的分布式接觸的情形，不一定如此。納米線接觸組之間的電學死區(qū)也可以是非有源的納米線，因為有源區(qū)，即有源納米線接觸組，是由光反射接觸層和接觸焊盤嚴格限定的，且每個有源納米線組可以被單獨尋址。在LED的平面技術(shù)制作中情況不一定如此，其中在這種技術(shù)中漏電流等將毀壞單個LED?？梢酝ㄟ^若干種方式實現(xiàn)使單獨接觸區(qū)域表示RGB裝置中的不同顏色。一組納米線可以適于對不同電壓電平作出不同響應(yīng)，使得第一電壓電平表示紅色光，第二電壓電平 表示綠色光，以及第三電壓電平表示藍色光。因此，納米線接觸組可以被控制以發(fā)射期望波長且因而是期望顏色的光。另一種可能的解決方案是使不同的納米線接觸組包含具有不同材料組分的納米線，且因而不同組的納米線對同一電壓電平作出不同響應(yīng)。按照相同方式，納米線接觸組可以適于對所施加的電壓作出響應(yīng)，使得增加的電壓導致增加的強度，因而更高的電壓導致該特定納米線組的更強的發(fā)射。按此方式，例如RGB的彩色發(fā)射的強度可以被逐個顏色地控制。在另一實施例中，大量納米線組布置在襯底上，其中有可能排它地且單獨地尋址每一個組。在施加電壓時納米線組可以全部具有相同的屬性，這里稱之為有源組，不過有源組的數(shù)目可以依賴于所期望的光量而變化。例如當使用LED作為車輛(例如汽車、卡車、火車等)中的前燈時，這會是非常有用的。光(長焦距光束或短焦距光束)的量可以由有源納米線組的數(shù)目來控制。也就是說，更多的有源組意味著更多的發(fā)射光。此外，不同的納米線組可以歸因于不同的照明模式，例如用于公路駕駛的一種模式、用于鄉(xiāng)村駕駛的一種模式以及用于惡劣天氣駕駛的一種模式等，如圖8所示。制作這種器件的一種方式是在襯底上的η摻雜GaN緩沖層的頂部上生長一個或多個納米線陣列。納米線布置成均勻陣列或者具有間隙的子陣列的集合，每個子陣列對應(yīng)于單獨的像素。納米線包括η摻雜GaN核心、有源徑向InGaN層和P摻雜殼層。在后處理期間，納米線首先用金屬疊層涂覆，該金屬疊層形成到殼層的P接觸、金屬反射器以及金屬結(jié)合墊。金屬層被圖案化以形成器件的單獨像素。這些像素相互電學隔離。隨后，緩沖層的公共η接觸形成于顯示器的有源區(qū)外部的區(qū)域內(nèi)。在該區(qū)域，納米線例如通過蝕刻被局部地移除且底下的絕緣掩模層被移除以暴露GaN緩沖層。η接觸被施加到其且接觸焊盤被形成。制作在襯底上的納米線LED管芯被置于基臺(sub-mount)晶片上并利用焊接或超聲焊來附連，其中該基臺芯片具有接觸焊盤，所述接觸焊盤與制作在襯底上的納米線LED管芯上的P和η接觸焊盤的位置對應(yīng)。基臺晶片也可包含用于驅(qū)動LED像素的有源晶體管電流源矩陣。隨后，原始襯底的材料通過研磨、蝕刻、拋磨或者這些方法的組合被移除。最后，顏色轉(zhuǎn)換磷光體層可以施加在光從該結(jié)構(gòu)離開之處的表面，以便由例如藍色光發(fā)射產(chǎn)生白色光。
在本發(fā)明的另一實施例中，位于納米線的頂部上的光反射接觸層130為鋁或銀。在金屬中，銀在光譜的可見光區(qū)域中具有最佳的反射系數(shù)，但是如果不包覆在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，其在正常氣氛中更容易出現(xiàn)腐蝕損害。Si3N4、SiO2, Al2O3或任何其它穩(wěn)定電介質(zhì)可以用作覆層。在沉積之后，該覆層優(yōu)選地被圖案化以允許排它且單獨地電接觸到單獨納米線或納米線組的鏡層。鋁為另一個良好的選擇。它在可見光區(qū)域中的反射率略低于銀，但是在干的大氣環(huán)境中呈現(xiàn)非常良好的抗腐蝕性。為了提高器件可靠性，如上所述的附加電介質(zhì)包覆仍然會是期望的。其它可能的解決方案為非金屬高反射率材料，其在例如集成到工程(engineered)布拉格反射器疊層中時，在特定波長間隔中實際上可以達到比銀更高的反射系數(shù)。這些包括來自例如Si02、Si3N4和Al2O3的化合物的電介質(zhì)多層。這種電介質(zhì)鏡在電學上不導電。因此它們應(yīng)該與在多層電介質(zhì)鏡之前沉積在納米線上的透明導電材料(比如銦錫氧化物(ITO))組合。多層電介質(zhì)鏡隨后必須被圖案化以允許電連接到透明導體并因此電連接到該器件。在本發(fā)明的另一實施例中，光反射接觸層130沉積在納米結(jié)構(gòu)LED的頂部上，使得 光反射接觸層130沿第一區(qū)域的至少一組納米線的外圍納米線的側(cè)壁向下延伸。這進一步提高納米結(jié)構(gòu)LED的效率，因為利用這種布置，所產(chǎn)生的光只沿一個方向離開該結(jié)構(gòu)，且該方向為用戶優(yōu)選和限定的方向。在所有其它方向，光將被反射直至它通過該唯一的開放出口離開為止。在本發(fā)明的另一實施例中，使用具有高的電導率的膠，將納米結(jié)構(gòu)LED膠粘在新的載體晶片280上。優(yōu)選地當新的載體晶片280不包含復雜引線圖案，而僅僅是旨在對LED供電的大接觸區(qū)域時，進行這樣的操作。不過，膠粘技術(shù)也可以用于具有更復雜引線圖案的要求更高的應(yīng)用。用作新的載體晶片280的載體可具有不同形式。它可以是用于進一步加工的新襯底。它可以是微電子結(jié)構(gòu)，其中LED芯片只是為整個器件添加另一重要特征。新的晶片也可以是當組裝在一起時僅供應(yīng)電子引線以饋給LED結(jié)構(gòu)的晶片。在這種意義上，晶片不打算是限制性的且僅包含半導體材料。其也可以是例如玻璃襯底或者提供充分結(jié)構(gòu)支撐的任何其它襯底。在本發(fā)明的另一實施例中，納米結(jié)構(gòu)LED包含至少一個納米線和接觸裝置，其中每個納米線從襯底突出，每個納米線包含ρη結(jié)或p-1-n結(jié)(160)且每個納米線的頂部部分(140)覆蓋有透明接觸層。該接觸裝置與每個納米線的底部部分(145)電接觸并且該透明接觸層經(jīng)由ρη結(jié)或P-1-n結(jié)與接觸裝置電接觸，其中該接觸裝置是分布式的且彼此分離的第一組接觸焊盤(190)。在該實施例中，透明接觸層也優(yōu)選地被分布和布置成接觸焊盤，使得每個接觸焊盤排它地且單獨地電連接到一個納米線或一組納米線。按此方式，該實施例可以按照與在本申請中先前描述的相同的方式被應(yīng)用，區(qū)別在于光通過納米線的頂部部分發(fā)射，而不是在頂部部分被反射以及相反通過底部部分被發(fā)射。因而，在此實施例中納米結(jié)構(gòu)LED無需結(jié)合到例如載體晶片。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，P接觸和η接觸可以互換使用，使得P接觸不限于用作與納米線的頂部接觸的頂部接觸，且η接觸不限于用作與納米線的底部部分接觸的接觸。盡管本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合在目前被認為是最實用和優(yōu)選的實施例予以描述，不過應(yīng)理解本發(fā)明不限于所公開的實施例，相反其旨在涵蓋在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的 各種調(diào)整和等價布置。
權(quán)利要求
1.一種用于形成納米結(jié)構(gòu)LED的方法，包括形成至少一個納米線，其中每個納米線從襯底突出，每個納米線包含pn結(jié)或p-1-n結(jié) (160)，形成接觸裝置，其中將每個納米線的頂部部分(140)或者至少一部分納米線覆蓋有光反射或透明接觸層(130)以形成至少一個納米線接觸組，該接觸裝置與每個納米線的底部部分(145)電接觸,該光反射或透明接觸層(130)經(jīng)由pn結(jié)或p_i_n結(jié)與該接觸裝置電接觸，其特征在于該接觸裝置是分布式的且彼此分離以減小平均串聯(lián)電阻的第一組接觸焊盤 (190)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，該方法還包括形成介于所述襯底和所述至少一個納米線之間的緩沖層(120)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中由所述光反射或透明接觸層(130)限定多個納米線接觸組(110)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3的方法，該方法還包括形成分布在由光反射或透明接觸層 (130 )形成的表面的頂部上的第二組分布式接觸焊盤(180 )。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中將所述第二組分布式接觸焊盤(180)中的一個或多個接觸焊盤與至少一個納米線接觸組(110)—個一個單獨地接觸，使得能夠單獨地且獨立于其它納米線組(110)來尋址所述至少一個納米線接觸組(110)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，該方法還包括形成多個這種納米線接觸組，所述納米線接觸組能夠被單獨地且獨立于其它納米線組(I 10)尋址。
7.根據(jù)權(quán)利要求2、3、5和6中的任一項的方法，其中通過所述緩沖層(120)連接所述第一組接觸焊盤(190)的全部接觸焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5和6中的任一項的方法，其中將所述納米線和所述第一組接觸焊盤(190)置于所述襯底的同一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5和6中的任一項的方法，該方法還包括形成載體結(jié)構(gòu)(280)， 該載體結(jié)構(gòu)(280)結(jié)合到所述第一組接觸焊盤(190)和所述第二組分布式接觸焊盤(180)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5和6中的任一項的方法，其中所述第一組接觸焊盤(190)和/或所述第二組分布式接觸焊盤(180)形成陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5和6中的任一項的方法，其中所述光反射接觸層(130)為鋁或銀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5和6中的任一項的方法，其中所述光反射接觸層(130)沿第一區(qū)域的外圍納米線的側(cè)壁向下延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5和6中的任一項或者10的方法，其中所述透明接觸層(130) 為 ZnxCVx 或 InxSnyOhf
14.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5和6中的任一項的方法，其中將所述納米結(jié)構(gòu)LED膠粘在載體結(jié)構(gòu)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及納米結(jié)構(gòu)LED。根據(jù)本發(fā)明的器件包含納米結(jié)構(gòu)LED，該納米結(jié)構(gòu)LED具有從襯底的第一區(qū)域突出的第一組納米線以及在襯底的第二區(qū)域中的接觸裝置。第一組納米線的每個納米線包含p-i-n結(jié)且每個納米線的頂部部分或至少一種納米線選集被覆蓋有光反射接觸層。第二區(qū)域的接觸裝置與納米線的底部部分電接觸，光反射接觸層經(jīng)由p-i-n結(jié)與第二區(qū)域的接觸裝置電接觸。因而當電壓施加在第二區(qū)域的接觸裝置與光反射接觸層之間時，在納米線內(nèi)產(chǎn)生光。用于倒裝芯片結(jié)合的第一組接觸焊盤可以被提供在光反射接觸層的頂部上，其是分布式的并被分離以使跨過該層的電壓相等從而減小平均串聯(lián)電阻。
文檔編號H01L33/38GK103022282SQ20121056954
公開日2013年4月3日 申請日期2009年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月7日
發(fā)明者S.L.康塞克, J.奧爾森, Y.馬特諾夫, P.漢伯格 申請人:格羅有限公司