光電子半導(dǎo)體器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】提出一種光電子半導(dǎo)體器件，具有：至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片（2），所述半導(dǎo)體芯片具有輻射耦合輸出面（22），在半導(dǎo)體芯片（2）中產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分穿過(guò)所述輻射耦合輸出面離開(kāi)半導(dǎo)體芯片（2）；至少一個(gè)至少局部地在半導(dǎo)體芯片（2）的下游設(shè)置在其輻射耦合輸出面（22）上的輻射可穿透的本體（3），所述本體與半導(dǎo)體芯片（2）至少間接地接觸，其中輻射可穿透的本體（3）由至少一種聚合物形成或者包含至少一種聚合物，并且聚合物的每個(gè)單體由至少一種硅氮烷形成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光電子半導(dǎo)體器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 提出一種光電子半導(dǎo)體器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0002]要實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出一種光電子半導(dǎo)體器件，所述光電子半導(dǎo)體器件是老化穩(wěn)定的。
[0003]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有輻射耦合輸出面，在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分穿過(guò)所述輻射耦合輸出面離開(kāi)半導(dǎo)體芯片。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片例如能夠是發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片能夠是照明二極管芯片或激光二極管芯片，所述照明二極管芯片或激光二極管芯片發(fā)射紫外光至紅外光的范圍中的輻射。優(yōu)選地，發(fā)光二極管芯片發(fā)射在電磁輻射的光譜的可見(jiàn)范圍或紫外范圍中的光。
[0004]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)至少局部地在半導(dǎo)體芯片的下游設(shè)置在其輻射耦合輸出面上的輻射可穿透的本體，所述本體與半導(dǎo)體芯片至少間接地接觸。也就是說(shuō)，輻射可穿透的本體設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的下游，使得在半導(dǎo)體芯片的運(yùn)行中產(chǎn)的電磁輻射的至少一部分到達(dá)輻射可穿透的本體中。“輻射可穿透的”在本文中意味著，本體對(duì)于由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片發(fā)射的電磁輻射而言至少直至70%、優(yōu)選直至多于85%是可穿透的?！伴g接地接觸”意味著，在輻射可穿透的本體和半導(dǎo)體芯片、例如其輻射耦合輸出面之間能夠設(shè)置一個(gè)或多個(gè)層。那么，這些層將輻射可穿透的本體與半導(dǎo)體芯片至少局部地間隔開(kāi)。換言之，在該情況下，輻射可穿透的本體與半導(dǎo)體芯片至少局部地僅經(jīng)由這些層進(jìn)行接觸?！爸辽佟苯Y(jié)合“間接地接觸”意味著，輻射可穿透的本體與半導(dǎo)體芯片、例如在輻射耦合輸出面上能夠至少局部地直接地接觸。在該情況下，輻射可穿透的本體和半導(dǎo)體芯片直接地相互鄰接，其中在所述部位上，既不構(gòu)成間隙、也不構(gòu)成中斷。
[0005]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體由至少一種聚合物形成或者包含至少一種聚合物，其中聚合物的單體分別由至少一種硅氮烷形成。也就是說(shuō)，聚合物的至少一個(gè)單體的硅氮烷是化學(xué)基本結(jié)構(gòu)并且不僅是可選的、可取代的化學(xué)附加結(jié)構(gòu)。例如，用于構(gòu)成聚合物的硅氮烷包含在聚合物的每個(gè)單體中。對(duì)聚合物是共聚物的情況而言，聚合物的一定單體類(lèi)型的僅一個(gè)或多個(gè)單體也能夠由至少一種硅氮烷形成。換言之，硅氮烷用于構(gòu)成聚合鏈，所述聚合鏈形成輻射可穿透的本體的材料。
[0006]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)輻射可穿透的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有輻射耦合輸出面，在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分穿過(guò)所述耦合輸出面離開(kāi)半導(dǎo)體芯片。此外，光電子半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)至少局部地在半導(dǎo)體芯片的下游設(shè)置在其輻射耦合輸出面上的輻射可穿透的本體，所述本體與半導(dǎo)體芯片至少間接地接觸。在此，輻射可穿透的本體由至少一種聚合物形成或者包含至少一種聚合物，其中聚合物的單體分別由至少一種硅氮烷形成。
[0007]在此描述的光電子半導(dǎo)體器件在此還基于下述知識(shí):使半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體芯片改型的輻射可穿透的本體例如在半導(dǎo)體器件的短暫的運(yùn)行持續(xù)時(shí)間之后就已經(jīng)能夠具有損壞。尤其地，輻射可穿透的本體能夠在半導(dǎo)體芯片附近通過(guò)在那里出現(xiàn)的熱學(xué)加熱和/或作用到輻射可穿透的本體上的電磁輻射而具有損壞。例如，由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的藍(lán)光引起在這種輻射可穿透的本體中的變色和/或裂紋。在輻射可穿透的本體上的這種損壞不僅能夠引起輻射可穿透的本體本身的使用壽命的縮短，而且能夠引起整個(gè)半導(dǎo)體器件的使用壽命的縮短。換言之，這種半導(dǎo)體器件是不那么老化穩(wěn)定的。
[0008]現(xiàn)在為了提出一種避免在輻射可穿透的本體上的這種損壞進(jìn)而是老化穩(wěn)定的光電子半導(dǎo)體器件，使在此描述的光電子半導(dǎo)體器件此外應(yīng)用下述思想:輻射可穿透的本體由至少一種聚合物形成或者包含至少一種聚合物，其中聚合物的單體分別由至少一種硅氮烷形成。尤其地，硅氮烷不僅具有高的熱學(xué)穩(wěn)定性，而且在電磁輻射的作用下、例如在藍(lán)光的作用下具有高的穩(wěn)定性。換言之，在由這種材料形成的輻射可穿透的本體中，在半導(dǎo)體器件的運(yùn)行時(shí)避免在上文中描述的損壞。這導(dǎo)致具有高的老化穩(wěn)定性的光電子半導(dǎo)體器件。
[0009]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，聚合物由至少一種聚硅氮烷形成或具有至少一種聚硅氮烷。例如，聚合物完全由至少一種聚硅氮烷構(gòu)成。例如，輻射可穿透的本體的由在此描述的聚合物形成的材料能夠特別簡(jiǎn)單地涂覆在半導(dǎo)體芯片的外面上并且隨后例如在室溫下、也就是在大約20°C下硬化成輻射可穿透的本體，所述材料首先為了施加而以液態(tài)的或以粘稠液態(tài)的形式存在。尤其地，輻射可穿透的本體的材料在至少室溫和至多220°C的溫度范圍中就已經(jīng)能夠硬化成輻射可穿透的本體。換言之，能夠放棄對(duì)材料本身和/或半導(dǎo)體芯片的耗費(fèi)的加熱以用于材料的硬化。因此，能夠在如此低的硬化溫度下避免輻射可穿透的本體的和半導(dǎo)體芯片的材料在硬化期間的結(jié)構(gòu)上的損壞。
[0010]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，將至少一種發(fā)光轉(zhuǎn)換材料引入到輻射可穿透的本體中，所述發(fā)光轉(zhuǎn)換材料適合于吸收一定波長(zhǎng)范圍的電磁福射并且適合于將所吸收的電磁福射以與所吸收的輻射相比波長(zhǎng)更大的另外的波長(zhǎng)范圍再發(fā)射。例如，發(fā)光轉(zhuǎn)換材料將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的且射入到輻射可穿透的本體中的藍(lán)光部分地轉(zhuǎn)換成黃光，所述黃光然后能夠與藍(lán)光混合成白光。
[0011]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體具有材料去除的痕跡。也就是說(shuō)，輻射可穿透的本體在施加和隨后的硬化之后例如受到物理和/或機(jī)械的再加工進(jìn)而產(chǎn)生材料去除。換言之，在此描述的輻射可穿透的本體也能夠在完全硬化之后才例如通過(guò)磨削和/或研磨而進(jìn)行機(jī)械再加工，而不會(huì)使例如輻射可穿透的本體的粘性的外面至少難于或者完全阻礙這種類(lèi)型的再加工。這能夠產(chǎn)生極其個(gè)性化且靈活使用的光電子半導(dǎo)體器件，因?yàn)檩椛淇纱┩傅谋倔w也在施加和隨后的硬化之后才能夠匹配用戶(hù)的個(gè)性化的需求。
[0012]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體包含至少一種溶劑和/或至少一種觸變劑。例如，輻射可穿透的本體的材料在其能夠硬化成輻射可穿透的本體本身之前以液態(tài)的或粘稠液態(tài)的形式存在。通過(guò)將溶劑添加到材料中，能夠根據(jù)材料中溶劑的濃度例如可預(yù)設(shè)地對(duì)輻射可穿透的本體的材料的粘度進(jìn)行調(diào)節(jié)。在此，添加溶劑能夠引起材料的粘度的增加，也就是說(shuō)，引起輻射可穿透的本體的材料的液化，而將觸變劑添加給輻射可穿透的本體的材料能夠產(chǎn)生下述材料，所述材料在施加之前是粘稠液態(tài)的形式、例如是膏狀的。
[0013]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體是造型體，所述造型體至少局部地形狀配合地包圍半導(dǎo)體芯片。在該情況下，造型體例如能夠借助于半導(dǎo)體芯片的模塑或澆注來(lái)制造。尤其地，因此，半導(dǎo)體芯片和輻射可穿透的本體直接地相互鄰接。
[0014]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體是小板或膜，其中在輻射可穿透的本體和輻射耦合輸出面之間設(shè)置有至少一個(gè)輻射可穿透的粘附層。如果輻射可穿透的本體是小板，那么所述小板優(yōu)選構(gòu)成為自承的。在該情況下，輻射可穿透的本體例如能夠借助于拾取-貼裝法(Pick-and-Place-Verfahren)而施加在粘附層的背離半導(dǎo)體芯片的外面上。如果輻射可穿透的本體是膜，那么在該情況下，輻射可穿透的本體是柔性的并且例如借助于層壓而施加到粘附層的背離半導(dǎo)體芯片的外面上。粘附層能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片和輻射可穿透的本體之間的機(jī)械固定的連接。換言之，借助于粘附層，輻射可穿透的本體和半導(dǎo)體芯片能夠關(guān)聯(lián)地構(gòu)成并且形成一個(gè)單元。
[0015]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的粘附層由至少一種聚硅氮烷形成、具有至少一種娃氮燒或者由至少一種娃氮燒構(gòu)成。對(duì)于粘附層由至少一種娃氮燒構(gòu)成的情況而言，所述粘附層不具有雜質(zhì)顆粒。“不具有雜質(zhì)顆?！北硎?在制造公差的范圍中，沒(méi)有可預(yù)設(shè)地將雜質(zhì)的顆粒引入到粘附層中。在該情況下，粘附層既不具有在此描述的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料也不具有例如另外的雜質(zhì)顆粒。如已經(jīng)在上文中描述的那樣，通過(guò)粘附層在輻射可穿透的本體和半導(dǎo)體芯片之間構(gòu)成機(jī)械固定的連接。如果現(xiàn)在粘附層由聚硅氮烷形成、具有聚硅氮烷或由聚硅氮烷構(gòu)成，那么所構(gòu)成的機(jī)械連接在光散射和熱學(xué)穩(wěn)定性方面構(gòu)成為特別有利的。例如，通過(guò)將聚硅氮烷用于粘附層和輻射可穿透的本體，應(yīng)用具有相同的折射率的材料，使得半導(dǎo)體芯片的所發(fā)射的光不會(huì)受到不同的折射率。此外，由相同的原材料構(gòu)成的聚合物構(gòu)成熱學(xué)尤其穩(wěn)定的連接。
[0016]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體在無(wú)連接劑的情況下借助于絲網(wǎng)印刷和/或噴射至少施加到半導(dǎo)體芯片的輻射耦合輸出面上?！盁o(wú)連接劑”表示，輻射可穿透的本體不需要任何固定劑、例如附加的粘附層或粘接劑以用于固定在半導(dǎo)體芯片上。例如，除輻射耦合輸出面之外，輻射可穿透的本體還覆蓋半導(dǎo)體芯片的其他的露出的外面。在該情況下，輻射可穿透的本體也能夠用作為用于半導(dǎo)體芯片的封裝裝置。此外能夠考慮的是，除借助于絲網(wǎng)印刷和/或噴射進(jìn)行施加之外，還借助于滾壓或離心涂覆將輻射可穿透的本體施加到半導(dǎo)體芯片上。
[0017]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，輻射可穿透的本體和/或粘附層具有至少為5 μ m并且至多為50 μ m的層厚?！皩雍瘛痹诖耸禽椛淇纱┩傅谋倔w和/或粘附層在垂直于輻射耦合輸出面和/或半導(dǎo)體芯片的其他外面的方向上的厚度。通過(guò)輻射可穿透的本體和/或粘附層的這種厚度范圍，能夠?qū)崿F(xiàn)下述光電子半導(dǎo)體器件，所述光電子半導(dǎo)體器件具有在豎直方向上的、也就是在垂直于光電子半導(dǎo)體器件的主延伸方向的方向上的小的伸展。換言之，這種光電子半導(dǎo)體器件在結(jié)構(gòu)上是扁平且緊湊的。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]在下文中，根據(jù)實(shí)施例和所附的附圖詳細(xì)闡明在此描述的光電子半導(dǎo)體器件。
[0019]圖1A至IC示出在此描述的光電子半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的示意側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]在實(shí)施例和附圖中，相同的或起相同作用的組成部分分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。所示出的元件不能夠視為是按照比例的，更確切地說(shuō)，為了更好的理解能夠夸張大地示出個(gè)別3元件。
[0021]在圖1A中根據(jù)示意側(cè)視圖示出在此描述的光電子半導(dǎo)體器件100。光電子半導(dǎo)體器件100包括發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2，所述半導(dǎo)體芯片具有輻射耦合輸出面22，在半導(dǎo)體芯片2中產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分穿過(guò)所述輻射耦合輸出面離開(kāi)半導(dǎo)體芯片2。此夕卜，光電子半導(dǎo)體器件100具有載體1，所述載體具有安裝面11。載體I能夠?yàn)檩d體框(英語(yǔ)也稱(chēng)作Leadframe,引線框)。載體框因此能夠由兩個(gè)金屬的載體條帶形成,所述載體條帶用作為用于半導(dǎo)體芯片2的電接觸面。在此，半導(dǎo)體芯片2設(shè)置在安裝面11上并且在那里與載體I電接觸。此外，光電子半導(dǎo)體器件100包括輻射可穿透的本體3，所述本體在圖1A中構(gòu)成造型體31。也就是說(shuō)，輻射可穿透的本體3借助于半導(dǎo)體芯片2的澆注施加在載體I和半導(dǎo)體芯片2上。在此，輻射可穿透的本體3與半導(dǎo)體芯片3和載體I直接地接觸。輻射可穿透的本體3因此形狀配合地包圍半導(dǎo)體芯片2并且局部地與載體I的安裝面11直接地接觸。在此，如同樣能夠從圖1A中得出的，輻射可穿透的本體3局部地在半導(dǎo)體芯片2的下游設(shè)置在其輻射耦合輸出面22上并且與輻射耦合輸出面22直接地接觸。
[0022]輻射可穿透的本體3由至少一種聚合物形成或者包含至少一種聚合物，其中聚合物的單體分別由至少一種硅氮烷形成。尤其地，聚合物能夠?yàn)榫酃璧椤４送?，在輻射可穿透的本體3中引入發(fā)光轉(zhuǎn)換材料4，所述發(fā)光轉(zhuǎn)換材料將由半導(dǎo)體芯片2發(fā)射的藍(lán)光至少部分地轉(zhuǎn)換成黃光，其中藍(lán)光和黃光例如能夠在輻射可穿透的本體3的背離載體I的外面36上混合成白光。此外，輻射可穿透的本體3的外面36相對(duì)于半導(dǎo)體芯片2凸形地構(gòu)成。對(duì)此，輻射可穿透的本體3在硬化之后進(jìn)行機(jī)械再加工，其中通過(guò)再加工，外面36具有材料去除的痕跡35。換言之，痕跡35通過(guò)輻射可穿透的本體3的材料的去除、例如材料磨損在其外面36中產(chǎn)生。
[0023]在圖1B中以示意側(cè)視圖示出在此描述的光電子半導(dǎo)體器件100的另一實(shí)施例。不同于在圖1A中示出的實(shí)施例，輻射可穿透的本體3現(xiàn)在為小板32或者為膜33，其中在輻射可穿透的本體3和半導(dǎo)體芯片2的輻射耦合輸出面22之間設(shè)置有輻射可穿透的粘附層5。尤其地，粘附層5能夠由至少一種聚硅氮烷形成、具有聚硅氮烷或者由聚硅氮烷構(gòu)成。在此，輻射可穿透的粘附層5直接地施加到半導(dǎo)體芯片2的輻射耦合輸出面22上進(jìn)而與其直接地接觸。輻射可穿透的本體3例如借助于拾取-貼裝法設(shè)置在輻射可穿透的粘附層5的背離半導(dǎo)體芯片2的外面上。粘附層5能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片2和輻射可穿透的本體3之間的機(jī)械固定的連接。換言之，在根據(jù)圖1B的實(shí)施例中，輻射可穿透的本體3經(jīng)由輻射可穿透的粘附層5與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片2間接地接觸。
[0024]在圖1C中以示意側(cè)視圖示出在此描述的光電子半導(dǎo)體器件100的另一實(shí)施例。在此，不同于圖1B，輻射可穿透的本體3在無(wú)連接劑的情況下施加到半導(dǎo)體芯片2的輻射耦合輸出面22上并且與輻射耦合輸出面22直接地接觸。例如，借助于輻射可穿透的本體3的材料的絲網(wǎng)印刷和/或噴射而進(jìn)行施加到輻射耦合輸出面22上。在此，輻射可穿透的本體3在根據(jù)圖1C的實(shí)施例中具有至少為5μπι且至多為50 μ m的厚度Dl。
[0025]本發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。相反，本發(fā)明包括每個(gè)新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合自身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f(shuō)明時(shí)也如此。[0026]本申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102011100728.1的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參引的方式并入本文。
【權(quán)利要求】
1.一種光電子半導(dǎo)體器件(100)，具有: -至少一個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(2)，所述半導(dǎo)體芯片具有輻射耦合輸出面(22)，在所述半導(dǎo)體芯片(2)中產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分穿過(guò)所述耦合輸出面(22)離開(kāi)所述半導(dǎo)體芯片(2); -至少一個(gè)輻射可穿透的本體(3)，該輻射可穿透的本體(3)至少局部地在所述半導(dǎo)體芯片(2)的下游設(shè)置在半導(dǎo)體芯片(2)的輻射耦合輸出面(22)上，所述輻射可穿透的本體與所述半導(dǎo)體芯片(2)至少間接地接觸，其中 -所述輻射可穿透的本體(3)由至少一種聚合物形成或者包含至少一種聚合物，并且 -所述聚合物的每個(gè)單體由至少一種硅氮烷形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)，其中 -所述輻射可穿透的本體(3)具有物理的和/或機(jī)械的材料去除的痕跡(35)， -所述輻射可穿透的本體(3)是小板(32)或膜(33)， -在所述輻射可穿透的本體(3)和所述輻射耦合輸出面(22)之間設(shè)置有至少一個(gè)輻射可穿透的粘附層(5)，以及 -所述輻射可穿透的粘附層(5)由至少一種聚硅氮烷形成、具有至少一種聚硅氮烷或者由聚硅氮烷構(gòu)成。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述聚合物由至少一種聚硅氮烷形成或者具有至少一種聚硅氮烷。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中將至少一種發(fā)光轉(zhuǎn)換材料(4)引入到所述輻射可穿透的本體(3)中，所述發(fā)光轉(zhuǎn)換材料適合于吸收一定波長(zhǎng)范圍的電磁輻射并且適合于將所述吸收的電磁輻射以與所吸收的輻射相比更大波長(zhǎng)的另外的波長(zhǎng)范圍再發(fā)射。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述輻射可穿透的本體(3)具有材料去除的痕跡(35)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述輻射可穿透的本體(3)包含至少一種溶劑和/或至少一種觸變劑。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述輻射可穿透的本體(3)是造型體(31)，所述造型體至少局部地形狀配合地包圍所述半導(dǎo)體芯片(2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述輻射可穿透的本體(3)是小板(32)或膜(33)，其中在所述輻射可穿透的本體(3)和所述輻射耦合輸出面(22)之間設(shè)置有至少一個(gè)輻射可穿透的粘附層(5)。
9.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述輻射可穿透的粘附層(5)由至少一種聚硅氮烷形成、具有至少一種聚硅氮烷或者由聚娃氮燒構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中所述輻射可穿透的本體(3)在無(wú)連接劑的情況下借助于絲網(wǎng)印刷和/或噴射至少施加到所述半導(dǎo)體芯片(2)的所述輻射耦合輸出面(22)上。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)，其中所述輻射可穿透的本體(3)和/或所述粘附層(5)具有至少為5 μ m并且至多為50μπι 的層 厚(D1)。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK103503181SQ201280022079
【公開(kāi)日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月6日
【發(fā)明者】格特魯?shù)隆た藙谔? 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司