導(dǎo)電薄膜、其制備方法及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的MCdO層及MoO3層，其中，MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。上述導(dǎo)電薄膜通過在MCdO層的表面沉積高功函的MoO3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持MCdO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
【專利說明】導(dǎo)電薄膜、其制備方法及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機電致發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]導(dǎo)電薄膜電極是有機電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個器件的發(fā)光效率。其中，摻鋁的氧化鋅(ΑΖ0)、摻鎵的氧化鋅(GZO)或摻銦的氧化鋅(IZO)是近年來研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高 器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數(shù)一般只有4.3eV,經(jīng)過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到
4.5^5.1eV,與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7~6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙發(fā)光效率的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問題，提供一種功函數(shù)較高的導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機電致發(fā)光器件。
[0004]一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的MCdO層及MoO3層，其中，所述MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
[0005]所述MCdO層的厚度為50nnT300nm,所述MoO3層的厚度為0.5nnT5nm。
[0006]一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0007]將MCdO靶材、MoO3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，，所述MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材；
[0008]在所述襯底表面濺鍍MCdO層，濺鍍所述MCdO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~75CTC ；
[0009]在所述MCdO層表面濺鍍MoO3層，濺鍍所述MoO3層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為10sccnT35sccm，襯底溫度為 250°C "750°C ;及
[0010]剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
[0011 ] 所述MCdO靶材由以下步驟得到:將CdO和M2O3粉體混合均勻，其中，M為Al、Ga或In, M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.5%~?Ο%，將混合均勻的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)制成靶材。
[0012]一種有機電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、MCdO層及MoO3層，其中，所述MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
[0013]MCdO層的厚度為50nm~300nm,所述MoO3層的厚度為0.5nm~5nm。[0014]一種有機電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟:
[0015]將MCdO靶材、MoO3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，所述MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材；
[0016]在所述襯底表面濺鍍MCdO層，濺鍍所述MCdO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~75CTC ；
[0017]在所述MCdO層表面濺鍍MoO3層，濺鍍所述MoO3層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~750°C。
[0018]所述MCdO靶材由以下步驟得到:將CdO和M2O3粉體混合均勻，其中，M為Al、Ga或In, M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.5%~?Ο%，將混合均勻的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)制成靶材。
[0019]一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，所述陽極包括層疊的MCdO層及MoO3層，其中，所述MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
[0020]所述MCdO層的厚度為50nnT300nm,所述MoO3層的厚度為0.5nnT5nm。 [0021]上述導(dǎo)電薄膜通過在MCdO層的表面沉積高功函的MoO3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持MCdO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜在30(T900nm波長范圍可見光透過率85%~95%，方塊電阻范圍15~150 Ω / 口，表面功函數(shù)
5.0-6.5eV;上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)制備MCdO層及沉積在MCdO層表面的MoO3層，工藝較為簡單；使用該導(dǎo)電薄膜作為有機電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級之間差距較小，降低了載流子的注入勢壘，可顯著的提高發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為一實施方式的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的基底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0024]圖3為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為實施例1制備的導(dǎo)電薄膜的透射光譜譜圖；
[0026]圖5為器件實施例的電壓與電流和亮度關(guān)系圖。
【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖和具體實施例對導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機電致發(fā)光器件進一步闡明。
[0028]請參閱圖1，一實施方式的導(dǎo)電薄膜100包括層疊的MCdO層10及MoO3層30，其中，MCdO為摻鋁的氧化鎘(AlCdO)、摻鎵的氧化鎘(GaCdO)或摻銦的氧化鎘(InCdO)。
[0029]MCdO 層 10 的厚度為 50nnT300nm，優(yōu)選為 150nm。
[0030]MoO3層30的厚度為0.5nm~5nm,優(yōu)選為2nm。
[0031]上述導(dǎo)電薄膜100通過在MCdO層10的表面沉積高功函的MoO3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持MCdO層10的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜100的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜100在30(T900nm波長范圍可見光透過率85%~95%，方塊電阻范圍15 150 Ω / □,表面功函數(shù) 5.0 6.5eV。
[0032]上述導(dǎo)電薄膜100的制備方法，包括以下步驟:
[0033]SI 10、將MCdO靶材、MoO3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材。
[0034]本實施方式中，所述MCdO靶材由以下步驟得到:將CdO和M2O3粉體混合均勻，其中，M為Al、Ga或In，M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.5%~?Ο%，將混合均勻的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)制成靶材。優(yōu)選的，M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.3%，混合均勻的粉體在1250°C下燒結(jié)制成MZO靶材。
[0035]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0036]本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X10_4Pa。
[0037]步驟S120、在襯底表面濺鍍MCdO層10，濺鍍MCdO層10的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~750°C。 [0038]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為500°C。
[0039]形成的MCdO層10的厚度為50nm~300nm,優(yōu)選為150nm。
[0040]步驟S130、在MCdO層10表面濺鍍MoO3層30，濺鍍MoO3層30的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為25CTC~750°C。
[0041]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為500°C。
[0042]形成的MoO3層30的厚度為0.5nnT5nm,優(yōu)選為2nm。
[0043]步驟S140、剝離襯底，得到導(dǎo)電薄膜100。
[0044]上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)制備MCdO層10及沉積在MCdO層10表面的MoO3層30，工藝較為簡單。
[0045]請參閱圖2，一實施方式的有機電致發(fā)光器件的基底200，包括層疊的襯底201、MCdO層202及MoO3層203，其中，MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
[0046]襯底201為玻璃襯底。襯底201的厚度為0.lmnT3.0mm,優(yōu)選為1mm。
[0047]MCdO 層 202 的厚度為 50nnT300nm，優(yōu)選為 150nm。
[0048]MoO3層203的厚度為0.5nm~5nm,優(yōu)選為2nm。
[0049]上述有機電致發(fā)光器件的基底200通過在MCdO層202的表面沉積MoO3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持MCdO層202的良好的導(dǎo)電性能，又使有機電致發(fā)光器件的基底200的功函數(shù)得到了顯著的提高，有機電致發(fā)光器件的基底200在30(T900nm波長范圍可見光透過率85%~95%，方塊電阻范圍15~150 Ω/ □，表面功函數(shù)5.0~6.5eV。
[0050]上述有機電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，包括以下步驟:
[0051]S210、將MCdO靶材、MoO3靶材及襯底201裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材。
[0052]本實施方式中，MCdO靶材由以下步驟得到:將CdO和M2O3粉體混合均勻，其中，M為AUGa或In，M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.5%~?Ο%，將混合均勻的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)制成靶材。優(yōu)選的，M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.3%，混合均勻的粉體在1250°C下燒結(jié)制成MZO靶材。
[0053]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0054]本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X10_4Pa。
[0055]步驟S220、在襯底表面濺鍍MCdO層202，濺鍍MCdO層202的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~750°C。
[0056]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為25SCCm，襯底溫度為500°C。
[0057]形成的MCdO層202的厚度為50nnT300nm，優(yōu)選為150nm。
[0058]步驟S203、在MCdO層202表面濺鍍MoO3層30，濺鍍MoO3層203的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為 10sccnT35sccm，襯底溫度為 250°C ~750°C。
[0059]優(yōu)選的，基靶間距為60mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為2 5SCCm，襯底溫度為500°C。
[0060]形成的MoO3層203的厚度為0.5nnT5nm,優(yōu)選為2nm。
[0061]上述有機電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)在襯底201上制備MCdO層202及沉積在MCdO層202表面的MoO3層203，工藝較為簡單。
[0062]請參閱圖3，一實施方式的有機電致發(fā)光器件300包括依次層疊的襯底301、陽極302、發(fā)光層303以及陰極304。陽極302由導(dǎo)電薄膜100制成，包括層疊的MCdO層10及MoO3層30，其中，MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材。襯底301為玻璃襯底，可以理解，根據(jù)有機電致發(fā)光器件300具體結(jié)構(gòu)的不同，襯底301可以省略。發(fā)光層303的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4- (二腈甲烯基)-2-異丙基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))或三(2-苯基吡唳)合銥(Ir(ppy)3)。陰極304的材質(zhì)為銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al) JS(Pt)或鎂銀合金。
[0063]MCdO層的厚度為50nm~300nm,優(yōu)選為150nm。MoO3層的厚度為0.5nm~5nm,優(yōu)選為2nm。
[0064]可以理解，上述有機電致發(fā)光器件300也可根據(jù)使用需求設(shè)置其他功能層。
[0065]上述有機電致發(fā)光器件300，使用導(dǎo)電薄膜100作為有機電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)5.0-6.5eV,與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7~
6.3eV)之間差距較小，降低了載流子的注入勢壘，可提高發(fā)光效率。[0066]下面為具體實施例。
[0067]實施例1
[0068]選用純度為99.9%的粉體，194g的CdO和6g的Al2O3經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的AlCdO陶瓷靶材，150g的MoO3在1100°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa,襯底溫度為500°C，濺射功率為100W。先后濺射AlCdO和MoO3的靶材，分別沉積150和2nm薄膜的薄膜，得到AlCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0069]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻30Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.1eV0
[0070]請參閱圖4，圖4所示為得到的透明導(dǎo)電薄膜的透射光譜，使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為30(T900nm。由圖4可以看出薄膜在可見光47(T790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達到90%。
[0071]選用純度為99.9%的粉體，194g的CdO和6g的Al2O3經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的AlCdO陶瓷靶材，150g的MoO3在1100°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷靶材，并將兩個靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa,襯底溫度為500°C，濺射功率為100W。先后濺射AlCdO和MoO3的靶材，分別沉積150和2nm薄膜的薄膜，得到AlCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜，把AlCdO-MoO3透明導(dǎo)電薄膜作為有機半導(dǎo)體器件的陽極，在上面蒸鍍發(fā)光層Alq3,以及陰極采用Ag，制備得到有機電致發(fā)光器件。
[0072]請參閱圖5，圖5為上述器件實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電壓與電流和亮度關(guān)系圖，在附圖5中曲線I是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出器件從5.0V開始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為118cd/m2，表明器件具有良好的發(fā)光特性。
[0073]實施例2
[0074]選用純度為99.9%的粉體，180g的CdO和20g的Al2O3經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的AlCdO陶瓷靶材，150g的MoO3在800°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C，濺射功率為150W。先后濺射AlCdO和MoO3的靶材，分別沉積50和5nm薄膜的薄膜，得到AlCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0075]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻95Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.9eV。
[0076]實施例3
[0077]選用純度為99.9%的粉體，199g的CdO和Ig的Al2O3經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的AlCdO陶瓷靶材，150g的MoO3在800°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0Pa,襯底溫度為750°C。濺射功率為30W。先后濺射AlCdO和MoO3的靶材，分別沉積300和0.5nm薄膜的薄膜，得到AlCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0078]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻20Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.0eV0
[0079]實施例4
[0080]選用純度為99.9%的粉體，194g的CdO和6g的Ga2O3經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的GaCdO陶瓷祀材，190g的MoO3在1100°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa,襯底溫度為500°C，濺射功率為100W。先后濺射GaCdO和MoO3的靶材，分別沉積150和2nm薄膜的薄膜，得到GaCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0081]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻26Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.9eV。
[0082]實施例5
[0083]選用純度為99.9%的粉體，180g的CdO和20g的Ga2O3經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的GaCdO陶瓷祀材，198g的MoO3在800°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C，濺射功率為150W。先后濺射GaCdO和MoO3的靶材，分別沉積50和5nm薄膜的薄膜，得到GaCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0084]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻70Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.2eV0
[0085]實施例6
[0086]選用純度為99.9%的粉體，199g的CdO和Ig的Ga2O3經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的GaCdO陶瓷靶材，170g的MoO3在800°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0Pa,襯底溫度為750°C。，濺射功率為30W。先后濺射GaCdO和MoO3的靶材，分別沉積300和0.5nm薄膜的薄膜，得到GaCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0087]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻20Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.8eV。
[0088]實施例7
[0089]選用純度為99.9%的粉體，194g的CdO和6g的In2O3經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的InCdO陶瓷祀材，190g的MoO3在1100°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為25sCCm，壓強調(diào)節(jié)為2.0Pa,襯底溫度為500°C，濺射功率為100W。先后濺射InCdO和MoO3的靶材，分別沉積150和2nm薄膜的薄膜，得到InCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0090]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻25Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.0eV0
[0091]實施例8
[0092]選用純度為99.9%的粉體，180g的CdO和20g的In2O3經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的InCdO陶瓷祀材，198g的MoO3在800°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為250°C，濺射功率為150W。先后濺射InCdO和MoO3的靶材，分別沉積50和5nm薄膜的薄膜，得到InCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0093]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻90Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.8eV。
[0094]實施例9
[0095]選用純度為99.9%的粉體，199g的CdO和Ig的In2O3經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的InCdO陶瓷靶材，170g的MoO3在800°C下燒結(jié)成直徑為50mm,厚度為2mm的陶瓷祀材,并將兩個祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后,先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為35sCCm，壓強調(diào)節(jié)為4.0Pa,襯底溫度為750°C。，濺射功率為30W。先后濺射InCdO和MoO3的靶材，分別沉積300和0.5nm薄膜的薄膜，得到InCdO-MoO3雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0096]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻20Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.1eV0
[0097]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于，包括層疊的MCdO層及MoO3層，其中，所述MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述MCdO層的厚度為50nnT300nm，所述MoO3層的厚度為0.5nnT5nm。
3.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將MCdO靶材、MoO3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，所述MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材； 在所述襯底表面濺鍍MCdO層，濺鍍所述MCdO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~75CTC ； 在所述MCdO層表面濺鍍MoO3層，濺鍍所述MoO3層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為10sccnT35sccm，襯底溫度為 250°C "750°C ;及 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述MCdO靶材由以下步驟得到:將CdO和M2O3粉體混合均勻，其中，M為Al、Ga或In，M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.5%~?Ο%，將混合均勻的 粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)制成靶材。
5.—種有機電致發(fā)光器件的基底,其特征在于,包括依次層疊的襯底、MCdO層及MoO3層，其中，所述MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，所述MCdO層的厚度為50nm~300nm,所述MoO3層的厚度為0.5nm~5nm。
7.一種有機電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將MCdO靶材、MoO3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，所述MCdO靶材為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘靶材； 在所述襯底表面濺鍍MCdO層，濺鍍所述MCdO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~75CTC ； 在所述MCdO層表面濺鍍MoO3層，濺鍍所述MoO3層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mnT95mm，濺射功率為30W~150W，磁控濺射工作壓強0.2Pa~4Pa，工作氣體的流量為IOsccm~35sccm,襯底溫度為 25CTC ~750°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述MCdO靶材由以下步驟得到:將CdO和M2O3粉體混合均勻，其中，M為Al、Ga或In，M2O3的質(zhì)量百分數(shù)為0.5%~?Ο%，將混合均勻的粉體在900°C~1300°C下燒結(jié)制成靶材。
9.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述陽極包括層疊的MCdO層及MoO3層，其中，所述MCdO為摻鋁的氧化鎘、摻鎵的氧化鎘或摻銦的氧化鎘。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述MCdO層的厚度為50nm~300nm，所 述MoO3層的厚度為0.5nm~5nm。
【文檔編號】H01L51/52GK103963367SQ201310043277
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月30日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司