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      無支架led封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

      文檔序號(hào):6789580閱讀:200來源:國知局
      專利名稱:無支架led封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
      無支架LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是指一種無支架LED (發(fā)光二極管)封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。
      背景技術(shù)
      LED(light emitting diode),即發(fā)光二極管,作為新型高效固體光源,具有長壽命、節(jié)能、綠色環(huán)保等顯著優(yōu)點(diǎn),是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一次飛躍,被認(rèn)為是第3代的照明新技術(shù),其經(jīng)濟(jì)和社會(huì)意義巨大。
      隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,LED科技發(fā)展迅速,LED在發(fā)光強(qiáng)度、峰值波長、半波帶寬等參數(shù)性能上有很大提高。與傳統(tǒng)光源一樣,半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)在工作期間也會(huì)產(chǎn)生熱量,其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復(fù)合發(fā)生電致發(fā)光,在PN結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過芯片(chip)本身的半導(dǎo)體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達(dá)外界(空氣)。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、芯片外部光取出效率等,最終大概只有30-40%的輸入電能轉(zhuǎn)化為光能,其余60-70%的能量主要以非輻射復(fù)合發(fā)生的點(diǎn)陣振動(dòng)的形式轉(zhuǎn)化熱能。LED的散熱現(xiàn)在越來越為人們所重視,這是因?yàn)長ED的光衰或其壽命是直接和其結(jié)溫有關(guān),散熱不好結(jié)溫就高,結(jié)溫不但影響長時(shí)間壽命,也還直接影響短時(shí)間的發(fā)光效率。依照阿雷紐斯法則溫度每降低10°C壽命會(huì)延長2倍,LED芯片的特點(diǎn)是在極小的體積內(nèi)產(chǎn)生極高的熱量,而LED本身的熱容量很小,所以必須以最快的速度把這些熱量傳導(dǎo)出去,否則就會(huì)產(chǎn)生很高的結(jié)溫。為了盡可能地把熱量引出到芯片外面,目前的封裝形式都是將LED芯片用銀膠粘接在銅支架上,然后將銅支架底部涂上導(dǎo)熱硅脂再焊接到布有電路的鋁基散熱板上,最后將鋁基散熱板通過導(dǎo)熱硅脂固定到散熱器上,LED芯片產(chǎn)生的熱量從LED芯片自身到最終的散熱器,中間需要經(jīng)過5層介質(zhì)層,這就增加了串聯(lián)熱阻,導(dǎo)致LED封裝后的總熱阻無法降低。為了降低LED封裝后的總熱阻,也有將LED芯片用銀膠粘接直接封裝在布有電路的鋁基散熱板上,然后將鋁基散熱板通過導(dǎo)熱硅脂固定到散熱器上,這樣LED芯片產(chǎn)生的熱量從LED芯片自身到最終的散熱器,中間還需要經(jīng)過4層介質(zhì)層,LED封裝后的總熱阻還是很高。
      最好的方法就是將LED芯片通過焊料直接焊接在散熱器上,LED芯片產(chǎn)生的熱量從LED芯片自身只需經(jīng)過一層介質(zhì)層(焊料層)就能到達(dá)最終的散熱器,這樣串聯(lián)熱阻最小,散熱效果最好,但是散熱器體積較大,表面不容易進(jìn)行電路加工,使這種方法實(shí)現(xiàn)起來非常困難。發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于,提供一種無支架的LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,通過該封裝方法得到的無支架的LED封裝結(jié)構(gòu),可以使LED芯片底部直接接觸散熱器表面,省掉傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的中間環(huán)節(jié),熱阻明顯下降,亮度和可靠性得到提高,整體制作成本下降,提高了產(chǎn)品一致性。
      本發(fā)明提供一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其包括:
      LED 芯片;
      一支撐電路板,該支撐電路板的中間有一通孔,所述LED芯片位于支撐電路板的通孔內(nèi),所述LED芯片通過金屬引線與支撐電路板電性連接;
      一封膠層,該封膠層將電性連接好的LED芯片固封在支撐電路板的通孔內(nèi);
      該LED芯片的底面與支撐電路板的底面水平,該LED芯片的底面裸露在空氣中。
      本發(fā)明還提供一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,包括以下步驟:
      步驟1:制作一支撐電路板,該支撐電路板上面有通孔;
      步驟2:將支撐電路板的背面粘附在耐高溫的粘性材料上;
      步驟3:將LED芯片的底部固定在支撐電路板的通孔內(nèi)露出的粘性材料上;
      步驟4:用金屬引線將LED芯片與支撐電路板通過金屬引線電性連接;
      步驟5:用封膠層將LED芯片固封在支撐電路板的通孔內(nèi);
      步驟6:將固封后的支撐電路板放入烘箱內(nèi)烘烤,使封膠固化;
      步驟7:將固化后的支撐電路板取出,去掉支撐電路板背面的粘性材料,露出LED芯片的底面,完成無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝。
      本發(fā)明的有益效果是,通過該封裝方法得到的該封裝結(jié)構(gòu)使LED芯片底部可以直接接觸散熱器表面,省掉傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的中間環(huán)節(jié),熱阻明顯下降,亮度和可靠性得到提高,整體制作成本下降,提高了產(chǎn)品一致性。


      為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明,其中:
      圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明的方法流程圖。
      具體實(shí)施方式
      請(qǐng)參閱圖1、圖2所示,本發(fā)明提供一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其包括:
      LED芯片1,所述固定在支撐電路板2通孔21內(nèi)的LED芯片I的數(shù)量大于或等于1,圖1中LED芯片I的數(shù)量為一個(gè),圖2中LED芯片I的數(shù)量為多個(gè),所述LED芯片I是固體半導(dǎo)體芯片,其發(fā)光材料是紅光、藍(lán)光、綠光或紫外光的發(fā)光材料;LED芯片I可以是大功率芯片,中功率芯片,或者小功率芯片;LED芯片I可以是I顆LED芯片,也可以是多顆單一波長LED芯片之間串并聯(lián)組成,也可以是多顆多波長LED芯片之間串并聯(lián)組成;所述的LED芯片I為單波長LED芯片或?yàn)槎嗖ㄩLLED芯片,當(dāng)該LED芯片I的數(shù)量為多個(gè)時(shí),該LED芯片I之間是串聯(lián)或并聯(lián)(參閱圖2);
      一支撐電路板2,該支撐電路板2的中間有一通孔21,所述LED芯片I位于支撐電路板2的通孔21內(nèi),所述LED芯片I通過金屬引線3與支撐電路板2電性連接,該金屬引線3 —般為金線或鋁線,直徑為10-70微米,起到導(dǎo)電連接的作用;該支撐電路板2中間的通孔21的斷面為V型孔、臺(tái)階孔或U形孔,不同的斷面會(huì)得到不同光提取的效果;該通孔21的形狀為圓孔、方孔或不規(guī)則孔,不同的通孔形狀可以得到不同的光場(chǎng)分布;該通孔21的內(nèi)壁鍍有高反射率的金屬層或光學(xué)膜,該金屬層或光學(xué)膜的材料可以是銀,鋁,或者是其他高反射率的材料,厚度為幾十埃到幾百微米,起到減小通孔21的內(nèi)壁對(duì)光的吸收,提高出光效率的作用;該支撐電路板2的材料是PCB板、鋁基板或陶瓷基板,表面做有電路層,起到固定LED芯片1,支撐整個(gè)封裝結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)與外部電路之間電路連接的作用;
      —封膠層4,該封膠層4將電性連接好的LED芯片I固封在支撐電路板2的通孔21內(nèi),該封膠層4的材料為硅膠或樹脂,該硅膠或樹脂內(nèi)混有熒光粉;熒光粉可以是黃色熒光粉,紅色熒光粉,綠色熒光粉等任何可以被LED芯片I激發(fā)的熒光粉,粒徑為幾個(gè)納米到幾十微米,熒光粉與硅膠或樹脂按所需比例混合均勻,LED芯片I發(fā)出的光與熒光粉被LED芯片I激發(fā)發(fā)出的光混合形成整個(gè)LED封裝結(jié)構(gòu)最后得到的光。
      該LED芯片I的底面與支撐電路板2的底面水平,該LED芯片I的底面裸露在空氣中,便于LED芯片I的底部與散熱器通過焊料直接焊接在一起,LED芯片I點(diǎn)亮?xí)r產(chǎn)生的熱量從LED芯片I自身只需經(jīng)過一層介質(zhì)層(焊料層)就能到達(dá)最終的散熱器,起到快速散熱,降低LED的結(jié)溫,降低整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的熱阻,提高LED的發(fā)光效率,提高LED可靠性的作用。
      請(qǐng)參閱圖3所示,本發(fā)明還提供一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,包括以下步驟:
      步驟1:制作一支撐電路板2,該支撐電路板2上面有通孔21,該支撐電路板2中間的通孔21的斷面為V型孔、臺(tái)階孔或U形孔,不同的斷面會(huì)得到不同光提取的效果;該通孔21的形狀為圓孔、方孔或不規(guī)則孔,不同的通孔形狀可以得到不同的光場(chǎng)分布;該通孔21的內(nèi)壁鍍有高反射率的金屬層或光學(xué)膜,該金屬層或光學(xué)膜的材料可以是銀,鋁,或者是其他高反射率的材料,厚度為幾十埃到幾百微米,起到減小通孔24的內(nèi)壁對(duì)光的吸收,提高出光效率;該支撐電路板2的材料是PCB板、鋁基板或陶瓷基板,表面做有電路層,起到固定LED芯片1,支撐整個(gè)封裝結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)與外部電路之間電路連接的作用;
      步驟2:將支撐電路板2的背面粘附在耐高溫的粘性材料上,該粘性材料起到暫時(shí)固定LED芯片I的作用;
      步驟3:將LED芯片I的底部固定在支撐電路板2的通孔21內(nèi)露出的粘性材料上,該LED芯片I的數(shù)量大于或等于1,所述LED芯片I是固體半導(dǎo)體芯片,其發(fā)光材料是紅光、藍(lán)光、綠光或紫外光的發(fā)光材料;LED芯片I可以是大功率芯片,中功率芯片,或者小功率芯片,所述的LED芯片I為單波長LED芯片或?yàn)槎嗖ㄩLLED芯片,LED芯片I可以是I顆LED芯片,也可以是多顆單一波長LED芯片之間串并聯(lián)組成,也可以是多顆多波長LED芯片之間串并聯(lián)組成;當(dāng)該LED芯片I的數(shù)量為多個(gè)時(shí),該LED芯片I之間是串聯(lián)或并聯(lián)(參閱圖2);
      步驟4:用金屬引線將LED芯片I與支撐電路板2通過金屬引線3電性連接,該金屬引線3—般為金線或鋁線,直徑為10-70微米,起到導(dǎo)電連接的作用;
      步驟5:用封膠層4將LED芯片I固封在支撐電路板2的通孔21內(nèi),該封膠層4的材料為硅膠或樹脂,該硅膠或樹脂內(nèi)混有熒光粉,熒光粉可以是黃色熒光粉,紅色熒光粉,綠色熒光粉等任何可以被LED芯片I激發(fā)的熒光粉,粒徑為幾個(gè)納米到幾十微米,熒光粉與硅膠或樹脂按所需比例混合均勻,LED芯片I發(fā)出的光與熒光粉被LED芯片I激發(fā)發(fā)出的光混合形成整個(gè)LED封裝結(jié)構(gòu)最后得到的光;
      步驟6:將固封后的支撐電路板2放入烘箱內(nèi)烘烤,使封膠固化,一般烘烤溫度為80-150°C ;
      步驟7:將固化后的支撐電路板2取出,去掉支撐電路板2背面的粘性材料,露出LED芯片I的底面,完成無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝。
      以上所述,僅是本發(fā)明的實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的的限制,凡是依據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案范圍之內(nèi),因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
      權(quán)利要求
      1.一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其包括: LED芯片; 一支撐電路板,該支撐電路板的中間有一通孔,所述LED芯片位于支撐電路板的通孔內(nèi),所述LED芯片通過金屬引線與支撐電路板電性連接; 一封膠層,該封膠層將電性連接好的LED芯片固封在支撐電路板的通孔內(nèi); 該LED芯片的底面與支撐電路板的底面水平,該LED芯片的底面裸露在空氣中。
      2.如權(quán)利要求1所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其中固定在支撐電路板通孔內(nèi)的LED芯片的數(shù)量大于或等于1,該支撐電路板中間的通孔的斷面為V型孔、臺(tái)階孔或U形孔;該通孔的形狀為圓孔、方孔或不規(guī)則孔;該通孔的內(nèi)壁鍍有高反射率的金屬層或光學(xué)膜。
      3.如權(quán)利要求2所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其中LED芯片是固體半導(dǎo)體芯片,其發(fā)光材料是紅光、藍(lán)光、綠光或紫外光的發(fā)光材料;所述的LED芯片為單波長LED芯片或?yàn)槎嗖ㄩLLED芯片,該LED芯片之間是串聯(lián)或并聯(lián)。
      4.如權(quán)利要求2所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其中該支撐電路板的材料是PCB板、鋁基板或陶瓷基板。
      5.如權(quán)利要求1所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其中該封膠層的材料為硅膠或樹脂,該硅膠或樹脂內(nèi)混有熒光粉。
      6.一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,包括以下步驟: 步驟1:制作一支撐電路板,該支撐電路板上面有通孔; 步驟2:將支撐電路板的背面粘附在耐高溫的粘性材料上; 步驟3:將LED芯片的底部固定在支撐電路板的通孔內(nèi)露出的粘性材料上; 步驟4:用金屬引線將LED芯片與支撐電路板通過金屬引線電性連接; 步驟5:用封膠層將LED芯片固封在支撐電路板的通孔內(nèi); 步驟6:將固封后的支撐電路板放入烘箱內(nèi)烘烤,使封膠固化; 步驟7:將固化后的支撐電路板取出,去掉支撐電路板背面的粘性材料,露出LED芯片的底面,完成無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝。
      7.如權(quán)利要求6所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其中固定在支撐電路板通孔內(nèi)的LED芯片的數(shù)量大于或等于1,該支撐電路板中間的通孔的斷面為V型孔、臺(tái)階孔或U形孔;該通孔的形狀為圓孔、方孔或不規(guī)則孔;該通孔的內(nèi)壁鍍有高反射率的金屬層或光學(xué)膜。
      8.如權(quán)利要求7所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其中LED芯片是固體半導(dǎo)體芯片,其發(fā)光材料是紅光、藍(lán)光、綠光或紫外光的發(fā)光材料;所述的LED芯片為單波長LED芯片或?yàn)槎嗖ㄩLLED芯片,該LED芯片之間是串聯(lián)或并聯(lián)。
      9.如權(quán)利要求7所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其中該支撐電路板的材料是PCB板、鋁基板或陶瓷基板。
      10.如權(quán)利要求6所述的無支架LED封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法,其中該封膠層的材料為硅膠或樹脂,該娃膠或樹脂內(nèi)混有熒光粉。
      全文摘要
      一種無支架LED封裝結(jié)構(gòu),其包括LED芯片;一支撐電路板,該支撐電路板的中間有一通孔,所述LED芯片位于支撐電路板的通孔內(nèi),所述LED芯片通過金屬引線與支撐電路板電性連接;一封膠層,該封膠層將電性連接好的LED芯片固封在支撐電路板的通孔內(nèi);該LED芯片的底面與支撐電路板的底面水平,該LED芯片的底面裸露在空氣中。本發(fā)明通過該封裝方法得到的該封裝結(jié)構(gòu)使LED芯片底部可以直接接觸散熱器表面,省掉傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)的中間環(huán)節(jié),熱阻明顯下降,亮度和可靠性得到提高,整體制作成本下降,提高了產(chǎn)品一致性。
      文檔編號(hào)H01L33/54GK103151446SQ20131006830
      公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月4日
      發(fā)明者盧鵬志, 楊華, 鄭懷文, 于飛, 薛斌, 伊?xí)匝? 王國宏, 王軍喜, 李晉閩 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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