包括切割載體的制造組件的方法【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及包括切割載體的制造組件的方法。公開(kāi)了一種制造組件的方法。該方法的實(shí)施例包括：將載體切塊為多個(gè)組件，而載體部署在支撐載體上；在切塊之后，將連接層放置在載體上；以及從支撐載體去除組件。【專(zhuān)利說(shuō)明】包括切割載體的制造組件的方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明一般地涉及組件制作，且更特別地涉及一種切割載體的方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]芯片由包括晶圓切割步驟的多個(gè)處理步驟制造。制造和切割工藝可能造成或引起切單片的芯片中的碎裂(chipping)或管芯裂紋?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0003]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種用于制造組件的方法包括:將載體切塊為多個(gè)組件，而載體部署在支撐載體上；在切塊之后，將連接層放置在載體上；以及從支撐載體去除組件。[0004]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括:放置晶圓，使得晶圓的正面在切塊箔材上；將晶圓分離為芯片，而芯片以間隔分離；將焊接膠、粘合導(dǎo)電膠或納米膠放置在晶圓上。所述方法進(jìn)一步包括:拉伸切塊箔材；以及從切塊箔材拾取芯片。[0005]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造芯片的方法包括:將晶圓放置在切塊箔材上，其中，晶圓包括正面和背面，并且其中放置晶圓，使得正面在切塊箔材上；以及將晶圓切塊，從而形成間隙和芯片。所述方法進(jìn)一步包括:在晶圓上形成光刻膠；使光刻膠圖案化，使得光刻膠保留在間隙上；以及在晶圓上形成焊接層。所述方法最后包括:去除剩余的光刻膠；以及從切塊箔材拾取半導(dǎo)體器件。[0006]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造封裝組件的方法包括:將晶圓放置在切塊箔材上；將晶圓分離為組件，所述組件以間隔分離；以及在分離之后，將電接觸層放置在晶圓上。所述方法進(jìn)一步包括:從切塊箔材拾取組件；將組件放置在組件載體上；將組件的第一接觸焊盤(pán)接合到第一組件載體接觸焊盤(pán)；以及灌封組件?！緦?zhuān)利附圖】【附圖說(shuō)明】[0007]為了更完全的理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在參照連同附圖一起采用的下面的描述，在其中:圖1示出了用于制造封裝組件的方法的實(shí)施例的流程圖；圖2a_2c示出了制造工藝中數(shù)個(gè)階段的實(shí)施例；圖3示出了用于制造封裝組件的方法的實(shí)施例的流程圖；并且圖4a_4c示出了制造工藝中數(shù)個(gè)階段的實(shí)施例?！揪唧w實(shí)施方式】[0008]在下面詳細(xì)地討論當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的進(jìn)行和使用。然而，應(yīng)該領(lǐng)會(huì)的是，本發(fā)明提供了可以體現(xiàn)在各種各樣的具體上下文中的許多可應(yīng)用的發(fā)明概念。討論的具體實(shí)施例僅僅是說(shuō)明進(jìn)行和使用本發(fā)明的具體方法的，但不限制本發(fā)明的范圍。[0009]將參照具體上下文(即制造半導(dǎo)體芯片的方法)中的實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明的實(shí)施例還可以適用于制造組件的其它方法。[0010]鋸切具有約100μm或者更小的襯底厚度的晶圓以及部署在其上的焊接材料的問(wèn)題是:鋸切工藝可以導(dǎo)致焊接材料和/或芯片襯底的裂紋和崩落(breakout)。[0011]本發(fā)明的實(shí)施例包括在將載體切塊之后在載體上形成連接層。連接層可以是導(dǎo)電層或絕緣層。例如，連接層可以是組件附接膠或焊接層。在一個(gè)實(shí)施例中，在切塊載體上對(duì)組件附接膠進(jìn)行預(yù)先固化。[0012]本發(fā)明的實(shí)施例包括使光刻膠在切塊載體上圖案化使得組件之間的間隔被覆蓋、以及在切塊載體上形成金屬層。[0013]這些實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是:當(dāng)切割時(shí)，晶圓/芯片與部署在其上的連接層不開(kāi)裂。又一優(yōu)點(diǎn)是:當(dāng)切割時(shí)，連接層的材料不流動(dòng)或不移動(dòng)到晶圓/芯片的其它部分。[0014]圖1示出了用于制造電組件100的方法的實(shí)施例。在第一步驟102中，載體被切塊為多個(gè)組件。通過(guò)使用諸如切塊鋸或切塊激光器之類(lèi)的切割儀器，載體被切塊為多個(gè)組件。在切塊之前，載體放置在諸如切塊箔材之類(lèi)的支撐載體上。圖2a示出了部署在支撐載體210上的切塊載體220的實(shí)施例。切塊載體220包括多個(gè)組件225。載體220膠合到支撐載體210上，并且由切塊鋸或切塊激光器引起的切割線(xiàn)可能在支撐載體210中部分地切割(未示出)。[0015]切塊載體220包括第一主表面或頂表面226以及第二主表面或底表面227。頂表面226可以是載體220的背面，而底表面可以是載體220的正面。在一個(gè)實(shí)施例中，第二主表面227是主要部署有源區(qū)域的表面，而第一主表面226是沒(méi)有有源區(qū)域或主要是沒(méi)有有源區(qū)域的表面。導(dǎo)電層可以部署在切塊載體220的頂表面226上。例如，導(dǎo)電層可以是粘合層、阻擋層、種子層或下金屬化層(under-metallizationlayer)。導(dǎo)電層可以是包括多個(gè)導(dǎo)電層和/或?qū)щ妼咏M合的層堆疊。[0016]切塊載體220包括襯底。襯底可以是諸如硅或鍺之類(lèi)的半導(dǎo)體襯底，或者可以是諸如SiGe、GaAs、InP,GaN或SiC之類(lèi)的化合物襯底，或者可替換地可以是其它材料。襯底可以是摻雜的或未摻雜的，并且可以包括一個(gè)或多個(gè)井。襯底可以包括約20μm至約60μm之間的厚度。可替換地，襯底可以在約60μπι厚至約ΙΟΟμπι之間厚。半導(dǎo)體襯底可以是單晶硅或絕緣襯底上的硅(SOI)。一個(gè)或多個(gè)互連金屬化層可以布置在襯底上。鈍化層部署在互連金屬化層上，以電絕緣并結(jié)構(gòu)化針對(duì)組件225的接觸焊盤(pán)。[0017]切塊載體220包括多個(gè)組件(例如，芯片或管芯)225。組件225可以包括諸如單個(gè)半導(dǎo)體器件之類(lèi)的分立器件或集成電路(1C)。例如，組件225可以包括諸如MOSFET之類(lèi)的半導(dǎo)體器件或諸如雙極型晶體管、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、功率M0SFET、晶閘管或二極管之類(lèi)的功率半導(dǎo)體器件。可替換地，組件225可以是例如電阻器、保護(hù)器件、電容器、傳感器或檢測(cè)器。組件可以是片上系統(tǒng)(SoC)。在一個(gè)實(shí)施例中，組件225包括諸如晶體管之類(lèi)的單個(gè)器件，其中頂表面226包括源極，而底表面227包括漏極。可替換地，頂表面226包括漏極，而底表面227包括源極。[0018]在下一個(gè)步104中，組件附接膠230被涂到切塊載體220上。例如，組件附接膠230形成在切塊載體220/組件225的背面226上。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將具有在其上部署的組件附接膠230的轉(zhuǎn)移載體(transfercarrier)240放置在切塊載體220上，組件附接膠230放置在載體220上。轉(zhuǎn)移載體240可以是轉(zhuǎn)移箔材?？商鎿Q地，轉(zhuǎn)移載體240可以是聚合物、金屬或陶瓷的箔材或長(zhǎng)條。這在圖2b中示出。[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，組件附接膠230在不使用轉(zhuǎn)移載體240的情況下放置在切塊載體220上。例如,組件附接膠可以通過(guò)散布(dispensing)或通過(guò)打印來(lái)放置在載體上。[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，組件附接膠230為諸如焊接膠之類(lèi)的粘合導(dǎo)電膠。焊接膠可以包括懸浮在焊劑中的粉末金屬焊料。粘合焊接膠可以包括共熔Sn-Pb(例如，63%的錫(Sn)和37%的鉛(Pb))或無(wú)鉛焊料?？商鎿Q地，粘合焊接膠包括SAC(例如，錫-銀-銅合金)。在還有另一個(gè)實(shí)施例中，粘合焊料包括例如錫-銻(Sn/Sb)、鋅(Zn)、銦(In)、鉍(Bi)作為主要成分。[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，組件附接膠230是納米膠。納米膠包括具有大小測(cè)量為幾十納米的顆粒的金屬油墨。顆粒可以是銀(Ag)、金(Cu)或銅(Cu)?？商鎿Q地,顆?？梢园ㄆ渌饘?。納米膠可以通過(guò)噴墨打印機(jī)來(lái)涂到切塊載體220上。[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，組件附接膠230是絕緣膠。例如，絕緣膠包括環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸(acryic)或雙馬來(lái)酰亞胺(BT,bismaleimide)、聚酰亞胺、娃基聚合物或其組合。聚合物包括添加劑，并且可以用諸如SiO2、Al2O3或BN之類(lèi)的充填物來(lái)填充。[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，組件附接膠230是雙階段材料(b1-stagematerial)。雙階段材料可以以第一溫度固化，并且以更高的第二溫度連接到組件載體。例如，雙階段材料包括環(huán)氧樹(shù)脂或丙烯酸或雙馬來(lái)酰亞胺(BT)、聚酰亞胺、硅基聚合物或其組合。[0024]組件附接膠230可以包括約3μm至約20μm之間或約20μm至約50μm之間的厚度?？商鎿Q地，組件附接膠230可以包括約50μm至約100μm的厚度。組件附接膠230可以包括與組件225的襯底相同的厚度，或者可以包括大于組件225的襯底的厚度。[0025]在步驟106中，可選地對(duì)組件附接膠230進(jìn)行預(yù)先固化。例如，組件附接膠230在約80C至約150C之間的溫度下被“B穩(wěn)定固化(B-stablecure)”，以便將該組件附接膠230粘合到位于下面的材料(例如，導(dǎo)電層或襯底)上。[0026]在步驟108中，去除轉(zhuǎn)移載體240。例如，從組件附接膠230扯下或剝離轉(zhuǎn)移箔材240。[0027]在步驟110中，支撐載體被拉伸，并且部署在其上的組件被扯開(kāi)。支撐載體被拉伸，從而增加了切割線(xiàn)的寬度。增加的寬度在組件之間提供更多間隔，從而提供了用于拾取組件的空間。當(dāng)支撐載體被拉伸時(shí)，組件附接膠可以被分離。例如，組件附接膠沿著切割線(xiàn)被割斷、分離或撕開(kāi)，使得組件附接膠保留在單獨(dú)的組件的頂部。割斷的組件附接膠可以懸于組件之上。圖2c示出了拉伸或延伸之后的支撐載體210。組件附接膠230保留在組件225的頂表面上，但是在切割線(xiàn)229之上被割斷或基本上去除。[0028]在步驟112中，至少一個(gè)組件放置在組件載體上。單獨(dú)的組件被拾取、翻轉(zhuǎn)并且放置在組件載體的組件附接區(qū)域上。組件載體可以是襯底、引線(xiàn)框或印刷電路板(PCB)。[0029]組件通過(guò)施加壓強(qiáng)和溫度來(lái)連接到組件載體上。例如，組件附接膠可以加熱到約150°C至約300°C、或約220°C至約250°C的溫度。用約IMPa至約50MPa的壓強(qiáng)施加溫度達(dá)I至20分鐘。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)納米膠的燒結(jié)，組件與組件載體之間的接合形成發(fā)生。[0030]在步驟114中，組件的(多個(gè))接合焊盤(pán)接合到(多個(gè))組件載體接觸焊盤(pán)上。組件經(jīng)由導(dǎo)電導(dǎo)線(xiàn)或?qū)щ妸A電連接到組件載體。(多個(gè))組件接觸焊盤(pán)可以通過(guò)應(yīng)用導(dǎo)線(xiàn)接合工藝、球接合工藝或其組合來(lái)接合到組件載體接觸焊盤(pán)。[0031]在步驟116中，組件用灌封材料密封或灌封。灌封材料可以包括模塑化合物、層壓制件或殼體。灌封材料可以部分地灌封組件載體，并且完全灌封組件。灌封材料可以完全或部分地灌封導(dǎo)線(xiàn)和/或?qū)щ妸A。[0032]灌封材料可以包括諸如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚氨酯或聚丙烯酸酯化合物之類(lèi)的熱固材料?？商鎿Q地，灌封材料可以包括諸如聚砜、聚苯硫醚或聚醚酰亞胺之類(lèi)的熱塑材料。在一個(gè)實(shí)施例中，灌封材料可以是諸如半固化片之類(lèi)的層壓制件。[0033]在可選的步驟中，灌封組件從其它灌封組件中分離、切單片或切割。例如，多個(gè)組件放置在引線(xiàn)框上、被接合并且隨后被灌封。用切塊鋸或切塊激光器切割引線(xiàn)框和灌封材料，從而形成單獨(dú)的灌封組件。[0034]圖3示出了用于制造電組件300的方法的實(shí)施例。在第一步驟302中，載體被切塊為多個(gè)組件。通過(guò)使用諸如切塊鋸或切塊激光器之類(lèi)的切割儀器，載體被切塊為多個(gè)組件。在切塊之前，載體放置在諸如切塊箔材之類(lèi)支撐載體上。[0035]切塊載體可以包括具有與關(guān)于圖1描述的相同或類(lèi)似的材料的襯底、互連金屬化層和/或鈍化層。此外，組件可以與圖1的組件相同或類(lèi)似。[0036]在步驟304中，光刻膠形成在切塊載體上。通過(guò)應(yīng)用旋轉(zhuǎn)涂布工藝，沉積光刻膠。使光刻膠圖案化，并且顯影(步驟306)。使光刻膠圖案化，并且顯影，使得光刻膠在組件的頂表面之上被去除，但是保留在切割線(xiàn)上。[0037]圖4a示出了部署在支撐載體410上的切塊載體420的橫截面視圖的實(shí)施例。切塊載體420包括多個(gè)組件425。切塊載體420附接或膠合到支撐載體410，并且由切塊鋸或切塊激光器引起的切割線(xiàn)429可以部分地在支撐載體410中切割(未示出)。[0038]切塊載體420包括第一主表面或頂表面426和第二主表面或底表面427。頂表面426可以是切塊載體420的背面，而底表面可以是切塊載體420的正面。在一個(gè)實(shí)施例中，第二主表面427是主要部署有源區(qū)域的表面，而第一主表面426是無(wú)有源區(qū)域或主要地?zé)o有源區(qū)域的表面。在另一個(gè)實(shí)施例中，第二主表面427是漏極位于的表面,而第一主表面426是源極和柵極位于的表面，或者可替換地，第二主表面427是源極位于的表面，而第一主表面427是漏極和柵極位于的表面。[0039]導(dǎo)電層可以部署在切塊載體420的頂表面426上。例如，導(dǎo)電層可以是粘合層、阻擋層、種子層或下金屬化層。導(dǎo)電層可以是包括多個(gè)導(dǎo)電層和/或?qū)щ妼咏M合的層堆疊。[0040]圖案化的光刻膠430部署在組件425之間的切割線(xiàn)或間隔429上。圖案化的光刻膠430可以位于切割線(xiàn)429和組件425的頂表面426的一小部分之上(例如沿著頂表面426的外周)。例如，光刻膠430可以覆蓋組件425的頂表面426的高達(dá)10%的面積。[0041]在步驟308中，金屬層形成在載體的頂表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬層是焊接層。例如，焊接層包括銀-錫(SnAg)、金-錫(AuSn)或銅-錫(CuSn)。焊接層可以包括共熔Sn-Pb(例如，63%的錫(Sn)和37%的鉛(Pb))或無(wú)鉛焊料?；蛘撸附訉影ɡ鏢AC(例如，錫-銀-銅)合金、或錫-鋪(Sn/Sb)、鋅(Zn)、銦或秘(Bi)作為主要成分。可替換地，金屬層可以包括其它金屬材料。[0042]金屬層可以通過(guò)濺射來(lái)部署?？商鎿Q地，金屬層可以通過(guò)電鍍工藝來(lái)部署。圖4b示出了具有在其上部署的金屬層440的切塊載體420。金屬層440部署在圖案化的光刻膠430之間。金屬層440形成在組件425的暴露頂表面426上。金屬層不部署在組件425之間的切割線(xiàn)429中，因?yàn)閳D案化的光刻膠425防止金屬層的金屬位于切割線(xiàn)429中。[0043]金屬層440可以包括約20μm至約50μm之間或約50μm至約ΙΟΟμπι之間的厚度。金屬層440可以包括與組件425的襯底相同的厚度，或者可以包括大于組件425的襯底的厚度。[0044]在步驟310中，去除光刻膠。例如，在灰化工藝(O2)中去除光刻膠?？商鎿Q地，通過(guò)應(yīng)用水(H2O)或諸如環(huán)戊酮之類(lèi)的有機(jī)溶劑來(lái)溶解光刻膠。[0045]在步驟312中，支撐載體被拉伸，并且部署在其上的組件被扯開(kāi)。支撐載體被拉伸，從而增加了切割線(xiàn)的寬度。組件之間的增加的距離提供了用于拾取組件的間隔。圖4c示出了拉伸或延伸之后的支撐載體410。金屬層440保留在組件425的頂表面上。[0046]在步驟314中，至少一個(gè)組件放置在組件載體上。單獨(dú)的組件被拾取、翻轉(zhuǎn)并且放置在組件載體的組件附接區(qū)域上。組件載體可以是襯底、引線(xiàn)框或印刷電路板(PCB)。[0047]通過(guò)施加壓強(qiáng)和溫度，組件附接到組件載體。通過(guò)施加約150°C或更高的溫度，組件可以附接到組件載體。例如，組件在約220°C至約300°C的溫度下附接到組件載體。施加的壓強(qiáng)可以是約IOMPa至約50MPa。[0048]在步驟316中，組件的(多個(gè))接合焊盤(pán)接合到(多個(gè))組件載體接觸焊盤(pán)。組件經(jīng)由導(dǎo)電電線(xiàn)或?qū)щ妸A電連接到組件載體。(多個(gè))組件接觸焊盤(pán)可以通過(guò)應(yīng)用導(dǎo)線(xiàn)接合工藝、球接合工藝或其組合來(lái)接合到組件載體接觸焊盤(pán)。[0049]在步驟318中，組件用灌封材料密封或灌封。灌封材料可以包括模塑化合物、層壓制件或殼體。灌封材料可以部分地灌封組件載體，并且完全灌封組件。灌封材料可以完全或部分地灌封導(dǎo)線(xiàn)和/或?qū)щ妸A。[0050]灌封材料可以包括諸如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚氨酯或聚丙烯酸酯化合物之類(lèi)的熱固材料?？商鎿Q地，灌封材料可以包括諸如聚砜、聚苯硫醚或聚醚酰亞胺之類(lèi)的熱塑材料。在一個(gè)實(shí)施例中，灌封材料可以是諸如半固化片之類(lèi)的層壓制件。[0051]在可選的步驟中，灌封組件從其它灌封組件中分離、切單片或切割。例如，多個(gè)組件放置在引線(xiàn)框上、被接合并且隨后被灌封。用切塊鋸或切塊激光器切割引線(xiàn)框和灌封材料，從而形成單獨(dú)的灌封組件。[0052]雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該理解的是，在不離開(kāi)由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在這里可以進(jìn)行各種改變、替換或更改。[0053]此外，本申請(qǐng)的范圍不意圖限于說(shuō)明書(shū)中描述的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、手段、方法和步驟的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的公開(kāi)，將容易地領(lǐng)會(huì):執(zhí)行與在這里描述的相應(yīng)實(shí)施例基本上相同的功能或?qū)崿F(xiàn)基本上相同的結(jié)果的、當(dāng)前存在或之后開(kāi)發(fā)的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、手段、方法或步驟可以根據(jù)本發(fā)明被利用。因此，所附權(quán)利要求意圖在其范圍內(nèi)包括這種工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、手段、方法或步驟?！緳?quán)利要求】1.一種制造組件的方法，所述方法包括:將載體切塊為多個(gè)組件，而載體部署在支撐載體上；在切塊之后，將連接層放置在載體上；以及從支撐載體去除組件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將連接層放置在載體上包括將附接到轉(zhuǎn)移箔材的組件附接膠放置在載體上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，組件附接膠包括粘合導(dǎo)電膠。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)粘合導(dǎo)電膠進(jìn)行預(yù)先固化。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，組件附接膠包括焊接膠。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，組件附接膠包括導(dǎo)電納米膠。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)導(dǎo)電納米膠進(jìn)行預(yù)先固化。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，連接層是焊接層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，放置連接層包括:在載體上形成光刻膠、使光刻膠圖案化使得用光刻膠覆蓋載體中的切割線(xiàn)、形成連接層、以及去除圖案化的光刻膠。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將連接層放置在載體上包括在載體上濺射焊接擴(kuò)散層，所述焊接擴(kuò)散層包括金錫(AuSn)JI^M(CuSn)或銀錫(AgSn)。11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括:放置晶圓，使得晶圓的正面在切塊箔材上；將晶圓分離為芯片，而芯片以間隔分離；在分離之后，將焊接膠、粘合導(dǎo)電膠或納米膠放置在晶圓上；拉伸切塊箔材；以及從切塊箔材拾取芯片。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)焊接膠、粘合導(dǎo)電膠或納米膠進(jìn)行預(yù)先固化。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，對(duì)焊接膠、粘合導(dǎo)電膠或納米膠進(jìn)行預(yù)先固化包括用約80°C至約150°C之間的溫度對(duì)焊接膠、粘合導(dǎo)電膠或納米膠進(jìn)行預(yù)先固化。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，將焊接膠、粘合導(dǎo)電膠或納米膠放置在晶圓上包括:使用轉(zhuǎn)移箔材以便將焊接膠、粘合膠或納米膠放置在晶圓上、以及去除轉(zhuǎn)移箔材。15.一種制造芯片的方法，所述方法包括:將晶圓放置在切塊箔材上，其中，晶圓包括正面和背面，并且其中放置晶圓，使得正面在切塊箔材上；將晶圓切塊，從而形成間隙和芯片；在晶圓上形成光刻膠；使光刻膠圖案化，使得光刻膠保留在間隙上；在晶圓上形成焊接層；去除剩余的光刻膠；以及從切塊箔材拾取芯片。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成焊接層包括濺射焊接擴(kuò)散層，所述焊接擴(kuò)散層包括金錫(AuSn)、銅錫(CuSn)或銀錫(AgSn)017.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成焊接層包括電鍍焊接擴(kuò)散層，所述焊接擴(kuò)散層包括金錫(AuSn)、銅錫(CuSn)或銀錫(AgSn)018.—種制造封裝組件的方法，所述方法包括:將晶圓放置在切塊箔材上；將晶圓分離為組件，所述組件以間隔分離；在分離之后，將導(dǎo)電連接層放置在晶圓上；`從切塊箔材拾取組件；將組件放置在組件載體上；將組件的第一接觸焊盤(pán)接合到第一組件載體接觸焊盤(pán)；以及灌封組件。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將導(dǎo)電連接層放置在晶圓上包括:將焊接膠放置在晶圓上、以及對(duì)焊接膠進(jìn)行預(yù)先固化。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將導(dǎo)電連接層放置在晶圓上包括:將粘合導(dǎo)電膠放置在晶圓上、以及對(duì)導(dǎo)電粘合膠進(jìn)行預(yù)先固化。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將導(dǎo)電連接層放置在晶圓上包括:將導(dǎo)電納米膠放置在晶圓上、以及對(duì)導(dǎo)電納米膠進(jìn)行預(yù)先固化。22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將導(dǎo)電連接層放置在晶圓上包括:在晶圓上形成光刻膠、使光刻膠圖案化使得光刻膠保留在間隔上、形成導(dǎo)電連接層、以及去除剩余的光刻膠?！疚臋n編號(hào)】H01L21/78GK103633023SQ201310371451【公開(kāi)日】2014年3月12日申請(qǐng)日期:2013年8月23日優(yōu)先權(quán)日:2012年8月24日【發(fā)明者】T.貝倫斯,J.馬勒,I.尼基廷申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司