用于薄膜沉積的掩膜框架組件的制作方法
【專利摘要】一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，包括：具有開口的掩膜框架；和掩膜，該掩膜被構造為被聯接到所述掩膜框架，并包括面對沉積基板的第一表面、與所述第一表面相反的第二表面和具有變化的厚度的防變形部。
【專利說明】用于薄膜沉積的掩膜框架組件
[0001]相關專利申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2012年11月30日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請第10-2012-0138521號的優(yōu)先權和利益，其公開內容通過引用全部合并于此。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明實施例涉及一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，其能夠減少或防止掩膜的變形。
【背景技術】
[0004]通常，包括薄膜晶體管(TFT)的有機發(fā)光顯示設備被用于諸如數字照相機、視頻照相機、便攜式攝像機、個人數字助理(PDA)、智能手機、平板個人計算機(PC)和柔性顯示設備的移動設備或諸如超薄電視(TV)和超薄膝上型計算機的電子和電氣產品。
[0005]有機發(fā)光顯示設備包括形成在基板上的第一電極和第二電極以及形成在第一電極與第二電極之間的有機發(fā)射層。第一電極、第二電極和有機發(fā)射層使用諸如光刻方法或沉積方法的各種方法形成。
[0006]光刻方法為通過將光致抗蝕劑涂覆在基板的預定區(qū)域上來形成期望圖案層的濕法蝕刻方法。然而，在光刻方法中，在移除光致抗蝕劑期間，濕氣可穿入有機發(fā)射層。如此，有機發(fā)光顯示設備的性能和壽命特性久而久之可極大地惡化。
[0007]沉積方法為通過將具有與薄膜層相同圖案的精細金屬掩膜沉積在基板上并通過將用于形成薄膜層的原材料沉積在基板上來形成期望圖案層的方法。
[0008]然而，當掩膜被安裝在掩膜框架上時，由于施加到掩膜的張力，在掩膜上可產生波形皺褶。如果皺褶產生，則掩膜可能不緊密接觸基板，這可由此防止形成精細圖案。

【發(fā)明內容】

[0009]本發(fā)明實施例提供一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，該掩膜框架組件能夠減少或防止在將掩膜安裝在掩膜框架上時產生的皺褶。
[0010]根據本發(fā)明一方面，提供一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，所述掩膜框架組件包括:具有開口的掩膜框架；和掩膜，該掩膜被構造為被聯接到所述掩膜框架，并包括面對沉積基板的第一表面、與所述第一表面相反的第二表面和具有變化的厚度的防變形部。
[0011]所述掩膜進一步包括:沉積區(qū)域，所述沉積區(qū)域中的每個均包括沿著所述掩膜的第一方向彼此隔開的沉積圖案；所述沉積區(qū)域中相鄰的沉積區(qū)域之間的肋；和沿著所述掩膜的與所述第一方向相交的第二方向的在所述沉積區(qū)域的邊緣處的邊界，并且所述防變形部可在所述邊界處。
[0012]所述掩膜可被構造為沿所述第一方向被拉伸，并且所述掩膜的兩個端部分可被構造為被焊接到所述掩膜框架。
[0013]所述掩膜可包括多個拼合掩膜，所述第一方向可為所述拼合掩膜的長度方向，并且所述第二方向可為所述拼合掩膜的寬度方向。
[0014]所述掩膜的寬度可小于所述掩膜的長度，并且所述掩膜可被構造為沿所述掩膜的長度方向被拉伸。
[0015]所述防變形部可在所述邊界處沿著所述掩膜的所述第一方向延伸，并且所述防變形部可包括具有第一厚度的多個第一部分和具有比所述第一厚度小的第二厚度的多個第二部分。
[0016]所述防變形部可包括多個防變形區(qū)域，并且所述防變形區(qū)域可包括沿著所述掩膜的所述第一方向交替布置的所述第一部分和所述第二部分。
[0017]所述邊界中的每個均可包括沿著所述掩膜的所述第二方向的多個線條，并且所述防變形區(qū)域中對應的防變形區(qū)域可沿著所述第一方向位于每個線條中。
[0018]所述防變形區(qū)域沿所述第二方向的寬度可小于所述沉積區(qū)域沿所述第一方向的寬度，并可小于所述肋沿所述第一方向的寬度。
[0019]所述防變形區(qū)域中的每個沿所述第一方向的尺寸可對應于所述第一部分或所述
第二部分之一。
[0020]所述第一部分沿所述掩膜的厚度方向可不被蝕刻，并且所述第二部分沿所述掩膜的所述厚度方向可被半蝕刻。
[0021]所述第二部分可包括所述掩膜的從所述第二表面被半蝕刻的區(qū)域，并可具有比所述掩膜的其它部分的厚度小的厚度。
[0022]所述肋中的每個均可在相鄰的沉積區(qū)域之間，并可包括被半蝕刻的第一區(qū)域以及未被半蝕刻的第二區(qū)域。
[0023]所述肋的所述第二區(qū)域可具有至少一個虛擬圖案。
[0024]所述虛擬圖案可包括點形縫隙圖案或長條形縫隙圖案。
[0025]所述肋沿所述第一方向的寬度可小于所述沉積區(qū)域沿所述第一方向的寬度。
[0026]所述掩膜在所述沉積區(qū)域的沿著所述第一方向的外側可進一步包括半區(qū)域、固定區(qū)域和具有虛擬沉積圖案的虛擬沉積區(qū)域。
[0027]所述固定區(qū)域沿所述掩膜的厚度方向可不被蝕刻，并可被構造為被焊接到所述掩膜框架。
[0028]所述掩膜框架組件可進一步包括從所述沉積區(qū)域的外側向所述掩膜的端部按順序布置的第一半區(qū)域、第一固定區(qū)域、第二半區(qū)域、虛擬沉積區(qū)域和第二固定區(qū)域。
[0029]所述沉積圖案可包括點形縫隙圖案或長條形縫隙圖案。
[0030]所述掩膜框架可包括沿著第一方向彼此面對的多個第一框架和沿著第二方向彼此面對的多個第二框架，并且所述多個第一框架可被聯接到所述多個第二框架以限定所述開口。
[0031]所述掩膜可包括多個拼合掩膜，所述多個拼合掩膜沿垂直于所述多個第一框架的方向延伸并沿垂直于所述多個第二框架的方向布置，所述多個拼合掩膜各自具有構造為固定到所述掩膜框架的兩個端部分。
[0032]所述掩膜可包括沿第一方向延伸的至少一個拼合掩膜，以與所述掩膜框架的所述開口相交。【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]本發(fā)明實施例的上述和其它方面通過參照附圖詳細描述其示例性實施例而將變得更加明顯，其中:
[0034]圖1為根據本發(fā)明實施例的用于薄膜沉積的掩膜框架組件的局部透視圖；
[0035]圖2為圖1中例示的實施例的拼合掩膜的俯視圖；
[0036]圖3為圖2中例示的拼合掩膜的部分A的放大俯視圖；
[0037]圖4為沿著圖3中例示的線IV -1V截取的剖視圖；
[0038]圖5為沿著圖3中例示的線V - V截取的剖視圖；
[0039]圖6為圖3中例示的部分C的放大透視圖；
[0040]圖7為圖2中例示的拼合掩膜的部分B的放大俯視圖；
[0041]圖8為沿著圖7中例示的線VD1- VDI截取的剖視圖；
[0042]圖9為沿著圖7中例示的線IX -1X截取的剖視圖；
[0043]圖10為用于比較在使用比較示例和本發(fā)明示例實施例拉伸掩膜時的變形量的圖表;
[0044]圖11為示出根據本發(fā)明實施例的使用圖1中例示的實施例的掩膜框架組件沉積的結構視圖；以及
[0045]圖12為根據本發(fā)明實施例的使用圖1中例示實施例的掩膜框架組件形成的有機發(fā)光顯示設備的剖視圖。
【具體實施方式】
[0046]雖然本發(fā)明示例性實施例容許有各種更改和替代形式，但是具體實施例以示例的方式在附圖中示出，并將在此被詳細描述。然而，應當理解，不旨在將本發(fā)明示例性實施例限制于所公開的特定形式，而是相反，本發(fā)明示例性實施例將覆蓋落入本發(fā)明精神和范圍內的所有更改、等同方案和替代方案。在本發(fā)明的以下詳細描述中，合并于此的已知功能和結構的詳細描述在其可能使本發(fā)明的主題不清楚時將被省略。
[0047]將理解的是，雖然術語第一、第二等在此可被用于描述各個元件，但是這些元件不應當被這些術語的狹義解釋限制。這些術語僅用于將一個元件與另一個區(qū)別開。
[0048]在此使用的術語僅為描述特定實施例的目的，并非意欲限制本發(fā)明。如在此使用的，單數形式的“一”、“一個”和“所述”意欲包括復數形式以及單數形式，除非上下文另外明確指出。進一步將理解的是，術語“包含(comprises)”、“包含(comprising) ”、“包括(includes) ”和/或“包括(including) ”在此使用時明確說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或添加。
[0049]在下文中，將通過參照附圖解釋本發(fā)明示例性實施例來詳細描述本發(fā)明實施例。相似的附圖標記在附圖中表示相似的元件，并且其重復描述將被省略。
[0050]圖1為根據本發(fā)明實施例的用于薄膜沉積的掩膜框架組件100的局部透視圖。參見圖1，掩膜框架組件100包括掩膜框架110和具有多個拼合掩膜120的掩膜150。
[0051]開口 115被形成在掩膜框架110中，并且第一至第四框架(例如框架的側部)111至114彼此聯接以便圍繞開口 115。[0052]在第一至第四框架111至114之中，第一和第二框架(例如，第一多個框架)111和112沿著X方向彼此面對并沿著Y方向彼此平行延伸，第三和第四框架(例如，第二多個框架)113和114沿著Y方向彼此面對并沿著X方向彼此平行延伸。第一至第四框架111至114彼此聯接以形成矩形框架110。
[0053]掩膜框架110可由在掩膜150被焊接時具有小的變形的材料形成，例如，具有高剛度的金屬。掩膜150可被結合到掩膜框架110。
[0054]為了形成精確圖案，遮蔽現象(a shadow phenomenon)可通過增加掩膜150與位于掩膜150上的沉積基板160之間的接觸的緊密性(例如，通過減小它們之間的距離)而被減少。因而，掩膜150可被形成為薄板。掩膜150的材料可包括例如不銹鋼、INVAR (INVAR為安普朗合金殷菲聯合股份公司的注冊商標)鎳(Ni)、鈷(Co)、鎳合金或鎳-鈷合金。
[0055]如果顯示設備具有大尺寸，則掩膜150也具有大尺寸。如此，掩膜150由于其自重而向下垂。為了防止或降低該現象的影響，掩膜150包括沿Y方向彼此分離的(例如，布置的)拼合掩膜120。
[0056]雖然根據當前實施例的拼合掩膜120具有長條形狀，但是本發(fā)明不限于此，并且掩膜150不限于任何一種尺寸、形狀或結構，只要掩膜150具有的寬度小于掩膜150的長度，掩膜150的長度為掩膜150被拉伸的方向。
[0057]在本實施例中，拼合掩膜120沿著與掩膜150被拉伸的長度方向(X方向)相交的寬度方向(Y方向)分離。拼合掩膜120沿與第一框架111和第二框架112延伸的方向垂直的方向延伸，并沿與第三框架113和第四框架114垂直的方向連續(xù)排列(例如，并排布置或排列)以覆蓋開口 115，每個拼合掩膜120均具有固定到掩膜框架110的兩個端部分。
[0058]這里，防變形部(例如，圖2中的防變形部130)被形成在拼合掩膜120的至少一個區(qū)域中，以在拼合掩膜120被拉伸時減少或防止波形皺褶。
[0059]現在將提供本發(fā)明實施例的拼合掩膜120的詳細描述。圖2為圖1中例示的拼合掩膜120的俯視圖。參見圖2，拼合掩膜120為長條形金屬板。
[0060]多個沉積區(qū)域121被形成在拼合掩膜120上，并沿著長度方向(X方向)彼此隔開。多個沉積圖案131被形成在每個沉積區(qū)域121中。在一實施方式中，沉積區(qū)域121中的每個均包括沿著掩膜120的長度方向(X方向)彼此隔開的沉積圖案131。
[0061]肋122被形成在相鄰的沉積區(qū)域121之間，以使相鄰的沉積區(qū)域121彼此聯接。肋122的寬度Wl可小于沉積區(qū)域121的寬度W2，以確保用于形成顯示區(qū)的足夠的區(qū)域。用于減小或防止拼合掩膜120變形的圖案層被形成在每個肋122中。
[0062]沉積區(qū)域121和肋122沿著拼合掩膜120的長度方向(X方向)交替排列。一個沉積區(qū)域121相當于形成在圖1中例示的沉積基板160上的一個顯示區(qū)，沉積基板160用作母基板，沉積區(qū)域121的數量可根據待形成在沉積基板160上的顯示區(qū)的數量而改變。
[0063]沿著拼合掩膜120的與拼合掩膜120的長度方向相交的寬度方向(Y方向),邊界129被形成在沉積區(qū)域121的兩個邊緣(例如，相反的邊緣)處。用于減少拼合掩膜120的皺褶的防變形部130被形成在邊界129處，并通過改變拼合掩膜120的厚度而被形成。
[0064]在拼合掩膜120上，用于防止或減少拼合掩膜120的變形的各種形狀的圖案層被形成在沉積區(qū)域121的外側(例如，在沉積區(qū)域121的沿著長度方向(X方向)的最外側，或者在最外部的沉積區(qū)域121與拼合掩膜120的端部分128之間)。[0065]根據當前實施例，第一半區(qū)域123、第一固定區(qū)域124、第二半區(qū)域125、虛擬沉積區(qū)域126和第二固定區(qū)域127被形成在最外部的沉積區(qū)域121 (例如,位于最外側的沉積區(qū)域121)的外側,并延伸到拼合掩膜120的端部分128。在一實施方式中,掩膜120在沉積區(qū)域121的沿著長度方向(X方向)的外側處包括半區(qū)域、固定區(qū)域和具有虛擬沉積圖案的虛擬沉積區(qū)域。在一實施方式中，固定區(qū)域沿掩膜120的厚度方向不被蝕刻，并被構造為焊接到掩膜框架110。
[0066]焊接區(qū)域被形成在拼合掩膜120的兩個端部分128。根據當前實施例，可在拼合掩膜120的第一固定區(qū)域124處執(zhí)行焊接，并且第一固定區(qū)域124可被焊接到圖1中例示的第一框架111和第二框架112上，同時沿長度方向(X方向)施加張力。如此，拼合掩膜120被固定到掩膜框架110上。
[0067]圖3為圖2中例示的拼合掩膜120的部分A的放大俯視圖。圖4為沿著圖3中例示的線IV-1V截取的剖視圖。圖5為沿著圖3中例示的線V - V截取的剖視圖。圖6為圖3中例示的部分C的放大透視圖。
[0068]圖3例不拼合掩膜120的面對圖1中例不的沉積基板160的前表面,例如,第一表面120a (見圖4)被不出為上表面，圖6不出拼合掩膜120倒置以例不拼合掩膜120的后表面,例如,第二表面120b (見圖4)被示出為上表面。
[0069]參見圖3至圖6，沉積圖案131被形成在每個沉積區(qū)域121中，并包括多個點形縫隙，盡管沉積圖案131不限于點形縫隙，并且可包括例如長條形縫隙(例如，長條形縫隙)。
[0070]當使用蝕刻方法形成沉積圖案131時，可使用光致抗蝕劑將具有與沉積圖案131相同的圖案的抗蝕層形成在薄板上，或者具有圖案的膜被粘附于薄板，隨后通過蝕刻薄板。
[0071]肋122被形成在相鄰的沉積區(qū)域之間，以使相鄰的沉積區(qū)域121彼此聯接。肋122沿拼合掩膜120被拉伸的長度方向(X方向)被形成在沉積區(qū)域121之間。
[0072]用于防止或減少拼合掩膜120的變形的圖案層被形成在每個肋122中。根據當前實施例，每個肋122包括分別與一對沉積區(qū)域121相鄰的第一區(qū)域133和第二區(qū)域134，并且還包括形成在第一區(qū)域133與第二區(qū)域134之間的第三區(qū)域135。
[0073]第一區(qū)域133和第二區(qū)域134為半蝕刻區(qū)域。參見圖4，第一區(qū)域133和第二區(qū)域134的厚度t2為拼合掩膜120的非蝕刻部分的厚度tl的大約1/2。在本實施例中，半蝕刻可從拼合掩膜120的與面對沉積基板160的第一表面120a相反的第二表面120b執(zhí)行至一深度(例如，預定深度)，從而掩膜150與沉積基板160之間的緊密接觸可被改善。
[0074]形成在第一區(qū)域133與第二區(qū)域134之間的第三區(qū)域135為未被半蝕刻的虛擬沉積區(qū)域。第三區(qū)域135的厚度與拼合掩膜120的未蝕刻部分的厚度tl相同。
[0075]在本實施例中，虛擬沉積圖案136可進一步被形成在第三區(qū)域135中，并可包括就制造工藝而言與沉積圖案131相同的圖案。然而，本發(fā)明不限于此，并且虛擬沉積圖案136可具有不同的形狀。
[0076]在本發(fā)明實施例中，如果不期望將虛擬沉積圖案136沉積在沉積基板160上，則可在沉積過程中使用掩膜覆蓋虛擬沉積圖案136。
[0077]如在當前實施例中，如果半蝕刻的第一區(qū)域133和半蝕刻的第二區(qū)域134以及包括虛擬沉積圖案136的第三區(qū)域135被形成在每個肋122中，則當拼合掩膜120被拉伸時，由于在沉積區(qū)域121和肋122中發(fā)生變形(例如，同時發(fā)生)，拼合掩膜120的平整度可被改口 O
[0078]這里，當拼合掩膜120被拉伸時，為了通過減少拼合掩膜120沿寬度方向(Y方向)的收縮而進一步減少波形皺褶，防變形部130被形成在沉積區(qū)域121的兩個邊緣處，即，在邊界129處。防變形部130沿拼合掩膜120被拉伸的長度方向(X方向)沿著邊界129延伸，并包括在邊界129的整個區(qū)域上分割的多個防變形區(qū)域140。
[0079]更詳細地，每個邊界129可沿著拼合掩膜120的寬度方向(Y方向)被劃分為多個線條。根據當前實施例，雖然第一至第三線條137至139沿遠離沉積區(qū)域121和肋122的方向形成，但是線條的數量不限于此。
[0080]第一至第三線條137至139中的每個均沿著拼合掩膜120的長度方向分割防變形區(qū)域140。根據當前實施例，雖然防變形區(qū)域140具有矩形形狀，但是防變形區(qū)域140不限于此。在一實施方式中，對應的防變形區(qū)域140沿著拼合掩膜120的長度方向位于第一至第三線條137至139中的每個中。
[0081]防變形區(qū)域140共同包括多個第一部分141和多個第二部分142，多個第二部分142具有的厚度與第一部分141的厚度不同。第一部分141和第二部分142在防變形區(qū)域140的整個區(qū)域上交替排列(例如，交替布置)。第一部分141和第二部分142中的每個均具有的尺寸對應于一個防變形區(qū)域140尺寸。
[0082]參見圖5，第一部分141沿拼合掩膜120的厚度方向不被蝕刻，并具有厚度t3。然而，第二部分142沿拼合掩膜120的厚度方向被半蝕刻，并具有厚度t4。
[0083]在本實施例中，半蝕刻從拼合掩膜120的與拼合掩膜120面對沉積基板160的第一表面120a相反的第二表面120b被執(zhí)行至一深度(例如，預定深度)。如上所述，第二部分142的厚度t4為第一部分141的厚度t3的大約1/2。
[0084]另外，形成第一部分141和第二部分142的防變形區(qū)域140的距離dl (見圖3)(例如，防變形區(qū)域140沿寬度方向/Y方向的寬度)小于圖2中肋122 (例如，沿長度方向/X方向)的寬度Wl或者沉積區(qū)域121 (例如，沿長度方向/X方向)的寬度W2。
[0085]如上所述，由于防變形部130被形成，所以當拼合掩膜120沿長度方向(X方向)被拉伸時，拼合掩膜120的變形被其兩個邊緣吸收(例如，減少)。因此，拼合掩膜120在寬度方向(Y方向)的皺褶可被進一步減少。
[0086]圖7為圖2中例示的拼合掩膜120的部分B的放大俯視圖。圖8為沿著圖7中例示的線珊-珊截取的剖視圖。圖9為沿著圖7中例示的線IX -1X截取的剖視圖。
[0087]參見圖7至圖9，在拼合掩膜120上，第一半區(qū)域123被形成在沿著長度方向(X方向)位于最外側的沉積區(qū)域121的外側處。第一半區(qū)域123為從拼合掩膜120的第二表面120b蝕刻一深度(例如，預定深度)的區(qū)域。
[0088]第一固定區(qū)域124被形成在第一半區(qū)域123外側(例如，在第一半區(qū)域123與端部分128之間)，并且沿拼合掩膜120的厚度方向上不被蝕刻。雖然根據當前實施例在第一固定區(qū)域124執(zhí)行焊接，但是本發(fā)明不限于此。
[0089]第二半區(qū)域125被形成在第一固定區(qū)域124的外側(例如，在第一固定區(qū)域124與端部分128之間)。與第一半區(qū)域123相似，第二半區(qū)域125被蝕刻(例如，從拼合掩膜120的第二表面120b蝕刻預定深度)。
[0090]虛擬沉積區(qū)域126被形成在第二半區(qū)域125的外側(例如，在第二半區(qū)域125與端部分128之間)。虛擬沉積圖案136可進一步被形成在虛擬沉積區(qū)域126中。本實施例的虛擬沉積圖案136包括點形縫隙圖案或長條形縫隙圖案，并可包括就制造工藝而言與沉積圖案131相同的圖案。
[0091]虛擬沉積區(qū)域126沿拼合掩膜120的長度方向(X方向)被形成在兩個端部分128附近，以通過在拼合掩膜120被拉伸時將沉積區(qū)域121的相對大的變形分散到虛擬沉積區(qū)域126來減少拼合掩膜120的總變形。
[0092]第二固定區(qū)域127被形成在虛擬沉積區(qū)域126的外側(例如，在虛擬沉積區(qū)域126與端部分128之間)，并為沿拼合掩膜120的厚度方向不被蝕刻的區(qū)域。可在第二固定區(qū)域127而非第一固定區(qū)域124上執(zhí)行焊接。
[0093]在本實施例中，防變形部130被形成在沿著拼合掩膜120被拉伸的長度方向(X方向)延伸的邊界129處。防變形部130包括防變形區(qū)域140，防變形區(qū)域140包括第一部分141和第二部分142，第二部分142具有的厚度與第一部分141的厚度不同。第一部分141和第二部分142在整個防變形區(qū)域140上被交替排列或交替布置。
[0094]如上所述，由于第一半區(qū)域123、第一固定區(qū)域124、第二半區(qū)域125、包括虛擬沉積圖案136的虛擬沉積區(qū)域126和第二固定區(qū)域127按順序沿長度方向(X方向)形成在拼合掩膜120的端部分128的側部，并且由于包括具有不同厚度的第一部分141和第二部分142的防變形部130沿拼合掩膜120的寬度方向(Y方向)被形成在邊界129處，所以在拼合掩膜120被拉伸時產生的變形可被分散，因而拼合掩膜120的總變形可被減少。
[0095]圖10為根據比較示例與本發(fā)明實施例的測試的用于比較掩膜的變形量(例如，波形皺褶)的圖表。
[0096]在圖10中，比較示例示出當沉積區(qū)域沿著掩膜的寬度方向形成并且虛擬沉積區(qū)域被形成在沉積區(qū)域之間的肋中時的常規(guī)情況，本發(fā)明實施例示出當沉積區(qū)域沿著掩膜的寬度方向被形成，虛擬沉積區(qū)域被形成在沉積區(qū)域之間的肋中并且防變形部沿寬度方向被另外形成在邊界處時的情況。
[0097]參見圖10，當根據比較示例的掩膜被拉伸0.01%時，沿寬度方向的波形皺褶的最大高度為大約125.83微米。然而，當根據本發(fā)明實施例的掩膜被拉伸0.01%時，沿寬度方向的波形皺褶的最大高度為大約21.29微米。
[0098]如上所述，與根據比較示例的掩膜相比，本發(fā)明實施例的掩膜可將波形皺褶的高度減小到大約17%。
[0099]圖11為示出根據本發(fā)明實施例的使用圖1中例示的實施例的掩膜框架組件100沉積的結構視圖。
[0100]參見圖11，為了使用掩膜框架組件100沉積有機發(fā)光顯示設備的有機發(fā)射層或電極，真空室1100被準備。
[0101]沉積源1110位于真空室1100的下部分，掩膜框架組件100位于沉積源1110的上方。沉積基板160位于掩膜150上。用于固定掩膜框架組件100的支撐構件1120可被進一步形成在掩膜框架組件100的邊緣處。
[0102]現在將簡要描述將沉積材料沉積在沉積基板160的期望部分上的過程。開始，通過支撐構件1120固定掩膜框架組件100,沉積基板160位于掩膜150上。隨后,從位于真空室1100的下部分處的沉積源1110朝向掩膜框架組件100噴射沉積材料。由于如圖2中例示的形成在掩膜150中的沉積圖案121，沉積材料以期望的圖案被沉積在沉積基板160的表面上。
[0103]在本實施例中，如圖3中例示，由于(在掩膜150中包括的每個拼合掩膜120中)包括虛擬沉積圖案136的第三區(qū)域135被形成在每個肋122中，其中肋122被形成在沉積圖案131被形成的沉積區(qū)域121之間，并且由于包括具有不同厚度的第一部分141和第二部分142的防變形部130被形成在形成于沉積區(qū)域121的兩個邊緣處的邊界129處，所以在拼合掩膜120被拉伸時可減少或最小化沿寬度方向的波形皺褶的產生。因此，沉積質量可被改善。
[0104]圖12為根據本發(fā)明實施例的使用圖1中例示的掩膜框架組件100沉積和形成的有機發(fā)光顯示設備1200的子像素的剖視圖。
[0105]在本實施例中，子像素包括至少一個薄膜晶體管(TFT)和有機發(fā)光二極管(OLED)。TFT不限于圖12中例示的結構，并且TFT的數量和結構可做出各種改變。
[0106]參見圖12，緩沖層1202被形成在基板1201上，基板1201可由例如玻璃或塑料形成。具有預定圖案的半導體有源層1203被形成在緩沖層1202上。半導體有源層1203可由例如多晶硅形成。然而，半導體有源層1203不限于此，并可由氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體可包括從諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、鉿(Hf)的12族、13族和14族金屬元素及其組合物中選擇的材料的氧化物。例如，半導體有源層1203可包括G-1-Z-O[In2O3) a (Ga2O3) b (ZnO)c](其中a、b和c為滿足a≥O、b≥O和c≥O的實數)。
[0107]柵極絕緣層1204被形成在半導體有源層1203上，并且柵電極1205被形成在柵極絕緣層1204的一區(qū)域上。柵電極1205被電連接到用于應用TFT的導通/截止信號的柵極線。層間絕緣層1206被形成在柵電極1205上，并且源電極1207和漏電極1208被形成為分別通過接觸孔接觸半導體有源層1203的源區(qū)1209和漏區(qū)1210。源區(qū)1209和漏區(qū)1210之間的區(qū)域為不摻雜雜質的溝道區(qū)1217。
[0108]鈍化層1211通過使用例如SiO2或SiNx而被形成在源電極1207和漏電極1208上。平坦化層1212通過使用諸如例如亞克力、聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)的有機材料而被形成在鈍化層1211上。
[0109]用作OLED的陽極的像素電極1213被形成在平坦化層1212上，并且像素限定層1216使用有機材料形成以覆蓋像素電極1213和平坦化層1212。在像素限定層1216中形成開口(例如，用于暴露像素電極1213的一部分)之后，有機層1214被形成在像素限定層1216上(例如，像素限定層1216的一部分上)和像素電極1213的通過開口暴露的部分上。有機層1214包括發(fā)射層。然而，本發(fā)明不限于上述結構，并且可應用各種有機發(fā)光裝置結構。
[0110]OLED通過根據電流的流動發(fā)射紅光、綠光和藍光而用于顯示圖像信息，并包括電連接到TFT的源電極1207的用于從源電極1207接收電力的第一電極(例如，用于接收正電壓的像素電極1213)、覆蓋全部像素并用于供應電力的第二電極(例如，用于供給負電壓的對電極1215)和位于像素電極1213與對電極1215之間的用于發(fā)射光的有機層1214。
[0111]像素電極1213和對電極1215通過有機層1214彼此絕緣，具有不同極性的電壓被施加通過有機層1214以使有機層1214發(fā)光。[0112]在本實施例中，像素電極1213用作陽極，對電極1215用作陰極，盡管像素電極1213和對電極1215的極性可轉換。
[0113]像素電極1213可被形成為透明電極或反射電極。如果像素電極1213被形成為透明電極，則銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)可被使用。如果像素電極1213被形成為反射電極，則可通過使用銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成反射層，并且隨后可在其上形成 ΙΤΟ、ΙΖ0、Ζη0 或 Ιη203。
[0114]對電極1215也可被形成為透明電極或反射電極。如果對電極1215被形成為透明電極，由于對電極1215用作陰極，具有低功函的金屬，例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(1^?/0&)、氟化鋰/鋁(1^?/^1)、鋁(41)、銀(48)、鎂(1%)或其化合物，可朝向有機層1214沉積，隨后可通過使用諸如ΙΤΟ、IZO、ZnO或In2O3的透明電極形成材料在其上形成輔助電極層。如果對電極1215被形成為反射電極，則L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物可被沉積在整個表面上(例如，在有機層1214和像素限定層1216上)。
[0115]像素電極1213被形成為透明電極或反射電極，以與子像素的開口對應。另外，對電極1215可通過將透明或反射電極沉積在顯示區(qū)域的整個表面上而形成。然而，對電極1215不必被沉積在整個顯示區(qū)域上，并可以以各種圖案形成。在本發(fā)明其它實施例中，像素電極1213和對電極1215的位置可轉換。
[0116]有機層1214可被形成為低分子量或高分子量有機層。如果有機層1214被形成為低分子量有機層，則低分子量有機層可通過堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等而被形成為單層或多層結構。另外，可使用諸如銅酞菁(CuPc)、N，N’ -二 (萘-1-基)-N，N’ 二苯基-聯苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)的各種低分子量 有機材料。低分子量有機層可使用真空沉積方法形成。
[0117]如果有機層1214被形成為高分子量有機層，則高分子量有機層包括HTL和EML。HTL可由聚(3，4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)形成，EML可由諸如聚苯撐乙炔(PPV)-類材料或聚芴-類材料的高分子量有機材料通過使用例如絲網印刷方法或噴墨印刷方法來形成。然而，有機層1214不限于上述實施例，并且各種實施例可被應用。
[0118]如上所述，在根據所述實施例的用于薄膜沉積的掩膜框架組件中，即使當掩膜被拉伸和焊接到掩膜框架上時，掩膜由皺褶引起的變形可被減少或最少化。因此，對應于掩膜與基板之間的接觸的誤差可被減小或最小化，因而沉積質量可被改善。
[0119]雖然已參照本發(fā)明的示例性實施例特別示出和描述了本發(fā)明實施例，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不偏離如由所附權利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍及其等同物的情況下，可在其中做出形式和細節(jié)上的各種改變。
【權利要求】
1.一種用于薄膜沉積的掩膜框架組件，所述掩膜框架組件包括: 具有開口的掩膜框架；和 掩膜，該掩膜被構造為被聯接到所述掩膜框架，并包括: 面對沉積基板的第一表面: 與所述第一表面相反的第二表面；和 具有變化的厚度的防變形部。
2.根據權利要求1所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜進一步包括: 沉積區(qū)域，所述沉積區(qū)域中的每個均包括沿著所述掩膜的第一方向彼此隔開的沉積圖案； 所述沉積區(qū)域中相鄰的沉積區(qū)域之間的肋；和 沿著所述掩膜的與所述第一方向相交的第二方向的在所述沉積區(qū)域的邊緣處的邊界， 其中所述防變形部在所述邊界處。
3.根據權利要求2所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜被構造為沿所述第一方向被拉伸，并且 其中所述掩膜的兩個端部分被構造為被焊接到所述掩膜框架。
4.根據權利要求2所·述的掩膜框架組件，其中所述掩膜包括多個拼合掩膜， 其中所述第一方向為所述多個拼合掩膜的長度方向，并且 其中所述第二方向為所述多個拼合掩膜的寬度方向。
5.根據權利要求4所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜的寬度小于所述掩膜的長度，并且 其中所述掩膜被構造為沿所述掩膜的長度方向被拉伸。
6.根據權利要求2所述的掩膜框架組件，其中所述防變形部在所述邊界處沿著所述掩膜的所述第一方向延伸，并且 其中所述防變形部包括具有第一厚度的多個第一部分和具有比所述第一厚度小的第二厚度的多個第二部分。
7.根據權利要求6所述的掩膜框架組件，其中所述防變形部包括多個防變形區(qū)域，并且 其中所述多個防變形區(qū)域包括沿著所述掩膜的所述第一方向交替布置的所述多個第一部分和所述多個第二部分。
8.根據權利要求7所述的掩膜框架組件，其中所述邊界中的每個均包括沿著所述掩膜的所述第二方向劃分的多個線條，并且 其中所述多個防變形區(qū)域中對應的防變形區(qū)域沿著所述第一方向位于所述多個線條的每個中。
9.根據權利要求7所述的掩膜框架組件，其中所述多個防變形區(qū)域沿所述第二方向的寬度小于所述沉積區(qū)域沿所述第一方向的寬度，并小于所述肋沿所述第一方向的寬度。
10.根據權利要求7所述的掩膜框架組件，其中所述多個防變形區(qū)域中的每個沿所述第一方向的尺寸對應于所述多個第一部分和所述多個第二部分之一。
11.根據權利要求6所述的掩膜框架組件，其中所述多個第一部分沿所述掩膜的厚度方向不被蝕刻，并且其中所述多個第二部分沿所述掩膜的所述厚度方向被半蝕刻。
12.根據權利要求11所述的掩膜框架組件，其中所述多個第二部分包括所述掩膜的從所述第二表面被半蝕刻的區(qū)域，并具有比所述掩膜的其它部分的厚度小的厚度。
13.根據權利要求2所述的掩膜框架組件，其中所述肋中的每個均在相鄰的沉積區(qū)域之間，并包括被半蝕刻的第一區(qū)域以及未被半蝕刻的第二區(qū)域。
14.根據權利要求13所述的掩膜框架組件，其中所述肋的所述第二區(qū)域具有至少一個虛擬圖案。
15.根據權利要求14所述的掩膜框架組件，其中所述至少一個虛擬圖案包括點形縫隙圖案或長條形縫隙圖案。
16.根據權利要求13所述的掩膜框架組件，其中所述肋沿所述第一方向的寬度小于所述沉積區(qū)域沿所述第一方向的寬度。
17.根據權利要求2所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜在所述沉積區(qū)域的沿著所述第一方向的外側處進一步包括: 半區(qū)域； 固定區(qū)域；和 具有虛擬沉積圖案的虛擬沉積區(qū)域。
18.根據權利要求17所述的掩膜框架組件，其中所述固定區(qū)域沿所述掩膜的厚度方向不被蝕刻，并被構造為焊接到所述掩膜框架。
19.根據權利要求2所述的掩膜框架組件，進一步包括從所述沉積區(qū)域的外側向所述掩膜的端部按順序布置的第一半區(qū)域、第一固定區(qū)域、第二半區(qū)域、虛擬沉積區(qū)域和第二固定區(qū)域。
20.根據權利要求2所述的掩膜框架組件，其中所述沉積圖案包括點形縫隙圖案或長條形縫隙圖案。
21.根據權利要求1所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜框架包括沿著第一方向彼此面對的第一多個框架和沿著第二方向彼此面對的第二多個框架，并且 其中所述第一多個框架被聯接到所述第二多個框架以限定所述開口。
22.根據權利要求21所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜包括多個拼合掩膜，所述多個拼合掩膜沿垂直于所述第一多個框架的方向延伸并沿垂直于所述第二多個框架的方向布置，所述多個拼合掩膜各自具有被構造為固定到所述掩膜框架的兩個端部分。
23.根據權利要求1所述的掩膜框架組件，其中所述掩膜包括沿第一方向延伸的至少一個拼合掩膜，以與所述掩膜框架的所述開口相交。
【文檔編號】H01L51/56GK103855325SQ201310428576
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年9月18日 優(yōu)先權日:2012年11月30日
【發(fā)明者】吳允燦, 李忠浩 申請人:三星顯示有限公司