用于濾色器陣列的介電結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種集成電路器件，其中，光電二極管陣列形成在半導(dǎo)體襯底的表面處。包括多層電介質(zhì)的介電結(jié)構(gòu)形成在光電二極管上方。濾色器陣列形成在光電二極管上方及介電結(jié)構(gòu)內(nèi)。濾色器的底部沿介電結(jié)構(gòu)的兩層之間的界面對(duì)準(zhǔn)。界面提供允許良好的控制溝槽深度的蝕刻停止，溝槽用于在其中形成濾色器。
【專利說(shuō)明】用于濾色器陣列的介電結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明提供了用于集成電路器件的圖像傳感器及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]圖像傳感器用于PC攝像頭、手機(jī)和其他應(yīng)用。電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器曾經(jīng)很普及，但現(xiàn)在已經(jīng)被互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器大量替代。CMOS圖像傳感器包括無(wú)源像素傳感器(PPS)和有源像素傳感器(APS)。APS在像素陣列的每個(gè)單元內(nèi)包括至少一個(gè)光電二極管和放大器。可以將放大器配置為通過(guò)像素自身驅(qū)動(dòng)的源極跟隨器。
[0003]濾色器可以排列在像素單元上方以提供彩色圖像感測(cè)。典型的濾色器陣列具有布置在網(wǎng)格圖案中的三個(gè)或四個(gè)不同的濾鏡類型。濾色器陣列的實(shí)例包括具有紅色、綠色和藍(lán)色濾鏡類型的拜耳(Bayer)濾鏡、CYGM濾鏡(藍(lán)綠色、黃色、綠色和品紅色)以及RGBE濾鏡(紅色、綠色、藍(lán)色和翠綠色)。藍(lán)色濾色器在約450nm光譜寬度可以具有最大傳輸速率，而在50nm的光譜寬度，傳輸在最大傳輸速率的50%以內(nèi)。綠色濾色器在約550nm光譜寬度可以具有最大傳輸速率，而在50nm的光譜寬度，傳輸在最大傳輸速率的50%以內(nèi)。除非與紅外截止濾光片組合，否則紅色濾色器將典型的在近紅外光區(qū)域內(nèi)進(jìn)行傳輸。在具有紅外截止濾光片的情況下，紅色濾色器在約630nm光譜寬度可以具有最大傳輸速率,而在50nm的光譜寬度，傳輸在最大傳輸速率的50%以內(nèi)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N集成電路器件，包括:半導(dǎo)體襯底，具有表面；光電二極管陣列，位于表面處；介電結(jié)構(gòu)，位于光電二極管上方，介電結(jié)構(gòu)由兩層或多層電介質(zhì)形成；以及濾色器陣列，位于光電二極管上方和介電結(jié)構(gòu)內(nèi)；其中，介電結(jié)構(gòu)的一層或多層位于濾色器和光電二極管之間；介電結(jié)構(gòu)的一層或多層形成將鄰近的濾色器間隔開(kāi)的網(wǎng)格；以及介電結(jié)構(gòu)的兩層具有界面，濾色器的底部與界面對(duì)準(zhǔn)。
[0005]其中，介電結(jié)構(gòu)包括:第一介電層；第二介電層，位于第一介電層上方；以及蝕刻停止層，位于第一介電層和第二介電層之間。
[0006]其中，第一介電層和蝕刻停止層之間的界面與濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
[0007]其中，蝕刻停止層和第二介電層之間的界面與濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
[0008]其中，第一介電層與蝕刻停止層之間的界面位于襯底上方與濾色器相同的高度處。
[0009]其中，蝕刻停止層與第二介電層之間的界面位于襯底上方與濾色器相同的高度處。
[0010]其中，濾色器形成在蝕刻停止層上方。
[0011]此外，還提供了一種集成電路器件，包括:半導(dǎo)體襯底，具有表面；光電二極管陣列，形成在表面處；濾色器陣列，形成在光電二極管上方；以及蝕刻停止層；其中，濾色器具有朝向表面的底部；以及蝕刻停止層與濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
[0012]其中，濾色器的底部與蝕刻停止層的上表面對(duì)準(zhǔn)。
[0013]其中，濾色器的底部與蝕刻停止層的下表面對(duì)準(zhǔn)。
[0014]其中，蝕刻停止層的上表面位于襯底上方與濾色器相同的高度處。
[0015]其中，蝕刻停止層的下表面位于襯底上方與濾色器相同的高度處。
[0016]該集成電路器件進(jìn)一步包括:金屬互連件，形成在半導(dǎo)體襯底上方；其中，蝕刻停止層延伸至金屬互連件上方。
[0017]其中，蝕刻停止層為SiN。
[0018]此外，還提供了一種制造集成電路器件的方法，包括:在半導(dǎo)體襯底的表面處形成光電二極管單元的陣列；在光電二極管單元的陣列上方形成包括多個(gè)介電層的介電結(jié)構(gòu)；在介電結(jié)構(gòu)中蝕刻溝槽，其中，介電層的一個(gè)提供蝕刻停止層；以及在光電二極管單元的陣列上方形成濾色器，每個(gè)濾色器位于一個(gè)溝槽內(nèi)。
[0019]其中，介電結(jié)構(gòu)包括第一介電層、形成在第一介電層上方的蝕刻停止層以及形成在蝕刻停止層上方的第三介電層。
[0020]其中，蝕刻溝槽的步驟包括應(yīng)用第一蝕刻工藝，與蝕刻停止層的材料相比，第一蝕刻工藝優(yōu)先去除第三介電層的材料。
[0021]其中，蝕刻步驟進(jìn)一步包括應(yīng)用第二蝕刻工藝，與第一介電層的材料相比，第二蝕刻工藝優(yōu)先去除蝕刻停止層的材料。
[0022]該方法進(jìn)一步包括:停止蝕刻工藝；其中，停止蝕刻工藝包括監(jiān)控蝕刻工藝的副產(chǎn)物并通過(guò)副產(chǎn)物確定蝕刻已經(jīng)到達(dá)蝕刻停止層的深度。
[0023]該方法進(jìn)一步包括:停止蝕刻工藝；其中，停止蝕刻工藝包括監(jiān)控蝕刻工藝的副產(chǎn)物并通過(guò)副產(chǎn)物確定蝕刻已經(jīng)到達(dá)第一介電層的深度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的實(shí)例方法的流程圖。
[0025]圖2至圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例制造集成電路器件的各個(gè)階段。
[0026]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的一些其他實(shí)施例的集成電路器件。

【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明提供了一種制造具有光電二極管和濾色器的集成電路器件的方法。該方法包括形成介電結(jié)構(gòu)，該介電結(jié)構(gòu)包括第一介電層、第二介電層和可選的第三介電層。在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)蝕刻溝槽的陣列。將溝槽蝕刻至兩個(gè)介電層之間的界面的深度。在溝槽內(nèi)形成濾色器。本方法能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)溝槽深度的良好控制，從而更好的控制濾色器的厚度。
[0028]本發(fā)明還提供了一種集成電路器件，該集成電路器件具有光電二極管的陣列、濾色器的陣列以及連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體襯底的表面處形成光電二極管。濾色器的底部沿平面對(duì)準(zhǔn)。連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)包括將濾色器的底部與光電二極管間隔開(kāi)的一定厚度的電介質(zhì)。連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)還包括將陣列中鄰近的濾色器間隔開(kāi)的網(wǎng)格形式的電介質(zhì)。連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)沿平面發(fā)生成分的轉(zhuǎn)變，該平面平行于且近似于濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)的平面。介電結(jié)構(gòu)幫助提供具有期望厚度的濾色器。
[0029]圖1提供了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的方法100的流程圖。圖2至圖8示出了根據(jù)方法100的在制造的各個(gè)階段的也由本發(fā)明提供的集成電路器件200。方法100開(kāi)始于傳統(tǒng)的前道工序(FEOL)處理110。FEOL處理110可以包括動(dòng)作101及動(dòng)作103，動(dòng)作101為在半導(dǎo)體襯底201中形成隔離區(qū)域229，動(dòng)作103為在半導(dǎo)體襯底201的表面202處形成光電二極管231。
[0030]傳統(tǒng)FEOL處理110可選的包括額外的動(dòng)作。動(dòng)作105為在表面202上方形成可選的抗反射涂層203。動(dòng)作107為在抗反射涂層203上方形成可選的緩沖層205。包括在FEOL處理110內(nèi)的動(dòng)作可以以任意的順序進(jìn)行。動(dòng)作109是額外的FEOL處理，其表示在后道工序(BEOL)處理期間進(jìn)行隨后的動(dòng)作。在多數(shù)實(shí)施例中，在動(dòng)作109之后進(jìn)行的圖1中示出的動(dòng)作作為BEOL處理的部分進(jìn)行，但是不需要將任何這些動(dòng)作推遲至BEOL處理。
[0031]動(dòng)作111為形成第一介電層209，且動(dòng)作113為平坦化該層的可選步驟。圖2提供了產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖2的實(shí)例中，第一介電層209覆蓋形成在表面202上方的金屬互連結(jié)構(gòu)207。由于這些結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)以及其他原因，可以改變表面202上方的電介質(zhì)209的高度228。無(wú)論任何變化，方法100均可以幫助形成均勻深度的溝槽。
[0032]動(dòng)作115在第一介電層209上方形成第二介電層211。在隨后的處理中，溝槽將形成至到達(dá)底部，在第二介電層211上或者靠近第二介電層211與第一介電層209之間的界面。在這兩種情況下，第二介電層211具有與第一介電層209不同的組分?？蛇x地，在進(jìn)行進(jìn)一步處理之前，對(duì)第二介電層211進(jìn)行平坦化。動(dòng)作117在第二介電層211上方形成第三介電層213，以提供如圖3中所示的結(jié)構(gòu)?？蛇x地，在進(jìn)行進(jìn)一步的處理之前，也對(duì)第三介電層213進(jìn)行平坦化。
[0033]在多數(shù)實(shí)施例中，第二介電層211為蝕刻停止層，與第一介電層209和第三介電層213相比，該蝕刻停止層較薄。在多數(shù)實(shí)施例中，與那些層的任何一個(gè)相比，第二介電層211具有不同的組分。使得第二介電層211成為蝕刻停止層以提供對(duì)隨后形成的溝槽的深度提供最精確的控制。
[0034]在一些其他實(shí)施例中，第二介電層211與第三介電層213具有相同的組分。從另一方面看，在一些實(shí)施例中，不包括(跳過(guò))動(dòng)作117，不形成第三介電層213，且第二介電層211厚于僅有蝕刻停止層的情況。
[0035]動(dòng)作119為在介電結(jié)構(gòu)上方形成如圖4所示的掩模215，介電結(jié)構(gòu)包括第一介電層209、第二介電層211及可選的第三介電層213。根據(jù)期望的用于溝槽217的位置圖案化掩模215。在一些實(shí)施例中，溝槽217形成具有在每個(gè)光電二極管231上方形成的一個(gè)溝槽217的陣列。可以通過(guò)光刻圖案化掩模215。
[0036]動(dòng)作121為蝕刻溝槽217至第二介電層211與第三介電層213之間的界面224(界面224A)或第二介電層211與第一介電層209之間的界面224 (界面224B)的深度。在一些實(shí)施例中，與兩層的下部的材料相比，蝕刻工藝121具有用于優(yōu)先去除兩層的上部的材料的條件。在這種條件下，下部的層用作蝕刻停止層。
[0037]在一些實(shí)施例中，蝕刻工藝121包括基于蝕刻副產(chǎn)物的分析終止蝕刻工藝121。例如，上部的層可以是具有S12組分的介電層213，而下部的層是具有SiN組分的介電層211。可以對(duì)發(fā)生蝕刻的腔室中排出的氣體進(jìn)行用于某些氮化合物的出現(xiàn)的監(jiān)控，這種氮化合物的出現(xiàn)表明蝕刻已經(jīng)到達(dá)界面224A的深度以及正在蝕刻介電層211。一檢測(cè)到這些副產(chǎn)物就可停止蝕刻工藝121?；谖g刻副產(chǎn)物的分析停止蝕刻工藝121的其他方法包括但不限于，當(dāng)蝕刻層211的副產(chǎn)物的濃度穩(wěn)定上升一段時(shí)間之后趨于平穩(wěn)時(shí)(表明層211在溝槽217的底部完全暴露)停止蝕刻工藝121，以及在第一次檢測(cè)到蝕刻層211的副產(chǎn)物之后的一段固定時(shí)間周期內(nèi)停止蝕刻工藝121。
[0038]在一些實(shí)施例中，工藝100進(jìn)行額外的蝕刻工藝123，而在其他實(shí)施例中，工藝100直接進(jìn)行形成濾色器219的動(dòng)作125。在溝槽217僅蝕刻至界面224A的深度的實(shí)施例中不應(yīng)用額外的蝕刻123。在一些其他實(shí)施例中，跳過(guò)額外的蝕刻123，如圖9所示將濾色器219形成在第二介電層211上方。
[0039]蝕刻工藝123將溝槽217延伸至界面224B的深度，介于第二介電層211和第一介電層209之間，如圖6所示。在一些實(shí)施例中，與第一介電層209的材料相比，蝕刻工藝123具有用于優(yōu)先去除第二介電層211的材料的條件。
[0040]在一些實(shí)施例中，蝕刻工藝123包括基于蝕刻副產(chǎn)物的分析停止蝕刻工藝123。例如，第二介電層211可以具有S1N組分而第一介電層209具有S12組分。在蝕刻工藝排出的氣體中，可以監(jiān)控蝕刻S1N的含氮副產(chǎn)物的濃度。當(dāng)那些濃度降至一定水平(表明溝槽217到達(dá)界面224B的深度)時(shí)，可以停止蝕刻工藝123。在一些其他實(shí)施例中，蝕刻工藝123進(jìn)行預(yù)定的一段額外的時(shí)間，該時(shí)間足以保證蝕刻的溝槽217完全穿過(guò)第二介電層211。
[0041]動(dòng)作125是以形成濾色器219的材料填充溝槽217。如圖7所示，可以將濾色器材料219填充至溝槽217的水平面上方，在這種情況下，工藝100包括動(dòng)作127，平坦化以去除溝槽217外部的濾色器材料219，從而提供如圖8所示的結(jié)構(gòu)。圖9示出了用于幾乎等效的器件300的相同的結(jié)構(gòu)，提供了用于溝槽217僅形成至界面224A的深度的實(shí)施例的實(shí)例。例如，平坦化工藝可以是化學(xué)機(jī)械拋光。
[0042]動(dòng)作129是進(jìn)一步的處理。進(jìn)一步的處理129通常包括諸如在濾色器219上方形成透鏡(未示出)的額外的處理，以及額外的BEOL處理。進(jìn)一步的處理129也可以包括形成與濾色器219不同類型的額外的濾色器219A。
[0043]在一些實(shí)施例中，襯底201包括半導(dǎo)體主體。半導(dǎo)體的實(shí)例包括但不限于硅、絕緣

光電二極管形成在區(qū)域 232 內(nèi)的襯底201中和上方。其他器件形成在區(qū)域234內(nèi)的襯底201中和上方。
[0044]隔離區(qū)域229可以是任何合適類型的隔離結(jié)構(gòu)。合適的隔離結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括但不限于淺溝槽隔離(STI)區(qū)域和深阱隔離區(qū)域。深阱隔離區(qū)域具有降低泄漏電流的優(yōu)點(diǎn)。
[0045]光電二極管231可以是任何合適的類型。在一些實(shí)施例中，光電二極管231為有源像素傳感器。有源像素傳感器的實(shí)例包括但不限于三晶體管(3-Τ)單元和四晶體管(4-Τ)單元。抗反射涂層203和緩沖層205是可選結(jié)構(gòu)。如果包括抗反射涂層203和緩沖層205，這些結(jié)構(gòu)可以是用于連接有源像素傳感器單元的任何合適的類型或成分。
[0046]區(qū)域234可以包括在前道工序(FEOL)處理期間形成的一個(gè)或多個(gè)器件結(jié)構(gòu)。在FEOL處理期間形成的器件結(jié)構(gòu)可以包括但不限于存儲(chǔ)器件、邏輯器件、FET和諸如源極區(qū)、漏極區(qū)和柵電極的它們的組件、有源器件、無(wú)源器件以及他們的組合。區(qū)域234可以包括在后道工序(BEOL)處理期間形成的絕緣體、導(dǎo)體和互連結(jié)構(gòu)。在多數(shù)實(shí)施例中，介電層209覆蓋一個(gè)或多個(gè)諸如在區(qū)域234內(nèi)形成且升至表面202的水平面上方的金屬互連結(jié)構(gòu)207的結(jié)構(gòu)。
[0047]可以通過(guò)任何合適的沉積技術(shù)形成第一介電層209、第二介電層211和第三介電層213。合適的沉積技術(shù)可以包括但不限于化學(xué)汽相沉積、等離子體沉積和旋涂技術(shù)。用于介電層的合適的成分包括但不限于二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、S1CN和硅酸鹽玻璃。
[0048]第一介電層209、第二介電層211和第三介電層213 (其中后者展示在前)形成連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)，連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)包括將濾色器219與半導(dǎo)體襯底201的表面202分隔開(kāi)的電介質(zhì)的厚度226。在一些實(shí)施例中，連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)還包括在第二電介質(zhì)211附近形成的薄層，且薄層具有不同于薄層上方和下方的介電結(jié)構(gòu)的成分。薄層上方的成分與第三電介質(zhì)213相對(duì)應(yīng)。薄層下方的成分與第一電介質(zhì)209相對(duì)應(yīng)。在多數(shù)實(shí)施例中，連續(xù)的介電結(jié)構(gòu)具有與平面222共面的界面，其中，濾色器219的底部沿平面222對(duì)準(zhǔn)。
[0049]在多數(shù)實(shí)施例中，第二介電層211鄰接或非常靠近平面222，其中，濾色器219的底部沿平面222對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，諸如通過(guò)如圖8所示的器件200示出的一個(gè)實(shí)例，第二介電層211的底部平行于且近似于平面222。在一些其他實(shí)施例中，諸如通過(guò)如圖9所示的器件300示出的一個(gè)實(shí)例，第二介電層211的頂部平行于且近似于平面222。近似用于表示非常靠近或鄰接的意思。接近反映了所用的電介質(zhì)組分的轉(zhuǎn)變以提供蝕刻停止。
[0050]在一些實(shí)施例中，諸如通過(guò)如圖13所示的器件400示出的一個(gè)實(shí)例，不同厚度的濾色器(219和219A)具有沿平面222對(duì)準(zhǔn)的底部。換言之，在一些實(shí)施例中，具有不同類型的濾色器219，但所有濾色器均位于襯底201的表面202上方相等的距離228處。
[0051]濾色器219可以是合適的類型且可以通過(guò)任何合適的方法形成。在一些實(shí)施例中，濾色器219為在聚合物基質(zhì)中的染料或顏料(pigment)。在一些其他實(shí)施例中，濾色器219是基于亞波長(zhǎng)介質(zhì)光柵的導(dǎo)模共振濾波器(resonance fiIter)。在一些其他實(shí)施例中，濾色器219是等離子體濾色器。在一些實(shí)施例中，由填充溝槽217的液態(tài)前體形成濾色器219。
[0052]本發(fā)明提供了一種集成電路器件，其中，光電二極管的陣列形成在半導(dǎo)體襯底的表面。包括多層電介質(zhì)的介電結(jié)構(gòu)形成在光電二極管上方。濾色器的陣列形成在光電二極管上方以及介電結(jié)構(gòu)內(nèi)。介電結(jié)構(gòu)的兩層之間的界面與濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
[0053]本發(fā)明也提供了一種集成電路器件，包括形成在半導(dǎo)體襯底表面的光電二極管的陣列、和形成在光電二極管上方的濾色器的陣列、以及蝕刻停止層。蝕刻停止層與濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
[0054]本發(fā)明提供了一種制造集成電路器件的方法。該方法包括在半導(dǎo)體襯底的表面處形成光電二極管單元的陣列，在光電二極管上方形成包括多層電介質(zhì)的介電結(jié)構(gòu)，在介電結(jié)構(gòu)中蝕刻溝槽，以及在溝槽內(nèi)形成濾色器。在蝕刻溝槽的步驟中，介電層的一個(gè)提供蝕刻停止。
[0055]本發(fā)明的組件和部件已經(jīng)通過(guò)一些實(shí)施例和實(shí)例示出和/或描述。而特定的組件或部件，或這些組件或部件的寬或窄的規(guī)劃已經(jīng)在相關(guān)的一個(gè)實(shí)施例或一個(gè)實(shí)例中進(jìn)行描述，它們的寬或窄的規(guī)劃的所有組件和部件可以與其他組件或部件相組合至本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以以公認(rèn)的邏輯組合的程度。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路器件，包括: 半導(dǎo)體襯底，具有表面； 光電二極管陣列，位于所述表面處； 介電結(jié)構(gòu)，位于所述光電二極管上方，所述介電結(jié)構(gòu)由兩層或多層電介質(zhì)形成；以及 濾色器陣列，位于所述光電二極管上方和所述介電結(jié)構(gòu)內(nèi)； 其中，所述介電結(jié)構(gòu)的一層或多層位于所述濾色器和所述光電二極管之間； 所述介電結(jié)構(gòu)的一層或多層形成將鄰近的濾色器間隔開(kāi)的網(wǎng)格；以及 所述介電結(jié)構(gòu)的兩層具有界面，所述濾色器的底部與所述界面對(duì)準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述介電結(jié)構(gòu)包括: 第一介電層； 第二介電層，位于所述第一介電層上方；以及 蝕刻停止層，位于所述第一介電層和所述第二介電層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其中，所述第一介電層和所述蝕刻停止層之間的界面與所述濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其中，所述蝕刻停止層和所述第二介電層之間的界面與所述濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其中，所述第一介電層與所述蝕刻停止層之間的界面位于所述襯底上方與所述濾色器相同的高度處。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其中，所述蝕刻停止層與所述第二介電層之間的界面位于所述襯底上方與所述濾色器相同的高度處。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其中，所述濾色器形成在所述蝕刻停止層上方。
8.一種集成電路器件，包括: 半導(dǎo)體襯底，具有表面； 光電二極管陣列，形成在所述表面處； 濾色器陣列，形成在所述光電二極管上方；以及 蝕刻停止層； 其中，所述濾色器具有朝向所述表面的底部；以及 所述蝕刻停止層與所述濾色器的底部對(duì)準(zhǔn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路器件，其中，所述濾色器的底部與所述蝕刻停止層的上表面對(duì)準(zhǔn)。
10.一種制造集成電路器件的方法，包括: 在半導(dǎo)體襯底的表面處形成光電二極管單元的陣列； 在所述所述光電二極管單元的陣列上方形成包括多個(gè)介電層的介電結(jié)構(gòu)； 在所述介電結(jié)構(gòu)中蝕刻溝槽，其中，所述介電層的一個(gè)提供蝕刻停止層；以及在所述所述光電二極管單元的陣列上方形成濾色器，每個(gè)所述濾色器位于一個(gè)所述溝槽內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK104299976SQ201310488049
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月17日
【發(fā)明者】黃胤杰, 李國(guó)政, 鄭志成 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司