一種晶圓電性測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓電性測(cè)試方法，其中，包括：步驟S1：提供一待電性測(cè)試晶圓；步驟S2：將所述待電性測(cè)試晶圓的測(cè)試區(qū)域分為四個(gè)矩形測(cè)試單元格區(qū)域；步驟S3：采用所述待電性測(cè)試晶圓的圓心點(diǎn)作為所述四個(gè)矩形測(cè)試單元格區(qū)域的統(tǒng)一坐標(biāo)原點(diǎn)，建立XY軸坐標(biāo)系；步驟S4：所有測(cè)試模塊以所述統(tǒng)一坐標(biāo)原點(diǎn)作為參考基準(zhǔn)，具有相對(duì)坐標(biāo)；步驟S5：進(jìn)行電性測(cè)試。本發(fā)明將采用晶圓圓心點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，由于只存在一個(gè)坐標(biāo)原點(diǎn)，且又是晶圓的圓心點(diǎn)，對(duì)于原點(diǎn)坐標(biāo)在生產(chǎn)中的制作定位變的簡(jiǎn)單且精準(zhǔn)，對(duì)應(yīng)的其余測(cè)試模塊的坐標(biāo)的定位也會(huì)因?yàn)橄嗤幕鶞?zhǔn)坐標(biāo)原點(diǎn)，而變得準(zhǔn)確性更高。
【專利說明】—種晶圓電性測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓電性測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在測(cè)試過程中所有的晶圓會(huì)被分成很多個(gè)測(cè)試單元格，這些測(cè)試單元格都擁有自己的相對(duì)坐標(biāo)原點(diǎn)，測(cè)試儀器會(huì)按照這些被分割的測(cè)試單元格進(jìn)行測(cè)試。如圖2所示，在這過程中，由于每個(gè)測(cè)試單元格都有自己的一個(gè)測(cè)試模塊坐標(biāo)作為測(cè)試原點(diǎn)，一旦其中有一個(gè)測(cè)試模塊的原點(diǎn)坐標(biāo)出現(xiàn)偏差時(shí)，會(huì)影響整個(gè)測(cè)試單元格內(nèi)的所有測(cè)試模塊的測(cè)試結(jié)果，若將被分割的測(cè)試單元格匯總成一個(gè)，對(duì)應(yīng)的坐標(biāo)原點(diǎn)只有一個(gè)時(shí)，就能最大程度的降低原點(diǎn)坐標(biāo)位置出錯(cuò)的幾率，保證測(cè)試的正確性。
[0003]中國(guó)專利(
【發(fā)明者】許一峰, 莫保章 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司