半導體處理系統(tǒng)中的高采樣率傳感器緩沖的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方式針對半導體處理系統(tǒng)中以高采樣率緩沖來自各種傳感器的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)及/或方法。此類采樣可提供關(guān)于診斷系統(tǒng)中導致處理故障的條件的處理的較佳數(shù)據(jù)。
【專利說明】半導體處理系統(tǒng)中的高采樣率傳感器緩沖
[0001]相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002]本申請主張于2012年6月12日提交且標題為“High Sampling Rate SensorBuffering in Semiconductor Processing Systems”的美國臨時專利申請案第61/658，622號的權(quán)益，該美國臨時專利申請案出于所有目的以全文引用的方式并入本文。

【背景技術(shù)】
[0003]半導體處理系統(tǒng)是執(zhí)行各種復雜處理的復雜系統(tǒng)。因為系統(tǒng)及/或處理的復雜性，可因硬件或軟件失靈相關(guān)的任何數(shù)目的原因而發(fā)生故障。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在此專利中使用的術(shù)語“發(fā)明”、“該發(fā)明”、“此發(fā)明”及“本發(fā)明”意欲廣泛指代此專利及下文專利權(quán)利要求的所有主題。應理解，含有這些術(shù)語的陳述不應限制本文所描述的主題或限制下文專利權(quán)利要求的含義或范圍。由下文的權(quán)利要求界定此專利所覆蓋的本發(fā)明的實施方式，而非由此
【發(fā)明內(nèi)容】
界定。此
【發(fā)明內(nèi)容】
為本發(fā)明的各種態(tài)樣的高級概述，且引入在下文的【【具體實施方式】】部分中進一步描述的概念中的一些。此
【發(fā)明內(nèi)容】
既不意欲識別所要求保護的主題的關(guān)鍵或?qū)嵸|(zhì)特征，亦不意欲獨立使用以確定所要求保護的主題的范圍。應以參考此專利的整個說明書、所有附圖及各個權(quán)利要求的方式理解該主題。
[0005]本發(fā)明的實施方式是針對半導體處理系統(tǒng)中用高采樣率(sample rate)緩沖從一或更多個傳感器接收的原始數(shù)據(jù)的系統(tǒng)及/或方法。此類采樣可提供關(guān)于半導體處理系統(tǒng)中的故障原因的較佳數(shù)據(jù)。本發(fā)明的一些實施方式包括半導體處理系統(tǒng)，所述半導體處理系統(tǒng)具有測量各種處理條件的多個傳感器、耦接至所述多個傳感器的至少一個分組的緩沖器及與緩沖器耦接的長期儲存裝置。緩沖器可用于以高采樣率從該分組的傳感器收集原始數(shù)據(jù)。
[0006]論及這些說明性實施方式，并非意在限制或界定本揭示案，而是提供實例以幫助本揭示案的理解。在【【具體實施方式】】中將論述額外實施方式及提供進一步描述?？赏ㄟ^檢驗此說明書或通過實踐所呈現(xiàn)的一或更多個實施方式來進一步理解各種實施方式中的一或更多者提供的優(yōu)點。
[0007]附圖的簡要說明
[0008]當參閱附圖閱讀以下【【具體實施方式】】時，將更好地理解本揭示案的這些及其它特征、態(tài)樣及優(yōu)點。下文將參閱以下附圖詳細描述本發(fā)明的說明性實施方式:
[0009]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的傳感器系統(tǒng)的方塊圖。
[0010]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的用于緩沖傳感器數(shù)據(jù)的處理的流程圖。
[0011]圖3圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的示例性電弧檢測系統(tǒng)。
[0012]圖4圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的另一示例性電弧檢測系統(tǒng)。
[0013]圖5圖示可用于實施本發(fā)明的實施方式的計算系統(tǒng)的簡化方塊圖。

【具體實施方式】
[0014]本文利用特定性描述本發(fā)明的實施方式的主題以滿足規(guī)定的要求，但是此描述未必意欲限制權(quán)利要求的范圍。所要求保護的主題可以其它方式實施，可包括不同元件或步驟，且可連同其它現(xiàn)有或未來技術(shù)一起使用。不應將此描述解譯為各種步驟或元件之間隱含任何特定次序或配置，除非明確描述個別步驟的次序或元件的配置的情況下。
[0015]半導體制造系統(tǒng)可因硬件或軟件失靈而發(fā)生故障。許多故障可能很難清除，因為發(fā)生故障時可能丟失一些諸如給定傳感器的狀態(tài)之類的信息。依靠該故障，傳感器信息可能在診斷故障原因方面是有用的。本發(fā)明的實施方式可用于以高采樣率緩沖傳感器數(shù)據(jù)以確保傳感器信息可用來診斷故障。
[0016]本發(fā)明的實施方式是針對半導體處理系統(tǒng)中用高采樣率緩沖來自各個傳感器的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)及/或方法。此類采樣可提供關(guān)于診斷系統(tǒng)中導致處理故障的條件的處理的較佳數(shù)據(jù)。
[0017]圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的傳感器系統(tǒng)100的方塊圖。傳感器系統(tǒng)100可用于(例如)任何處理系統(tǒng)中；例如，半導體處理系統(tǒng)、太陽能電池陣列處理系統(tǒng)、顯示器處理系統(tǒng)、電池處理系統(tǒng)等等。如其它實例，傳感器系統(tǒng)100可用于處理系統(tǒng)的各個階段或部分，諸如線前(front-of-the-line)處理、沉積處理、移除處理、蝕刻處理、圖案化處理、改性處理(modificat1n process)、三維印刷處理、線后(back-of-the-line)處理、晶片測試及其它。舉例而言，沉積處理可包括物理氣相沉積(physical vapor deposit1n ；PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposit1n ;CVD)、電化學沉積(electrochemicaldeposit1n ;EO))、分子束外延法(molecular beam epitaxy ；MBE)及 / 或原子層沉積(atomic layer deposit1n ；ALD)系統(tǒng)及其它。舉例而言，移除處理可包括濕式蝕刻、干式蝕刻及/或化學機械平坦化(chemical-mechanical planarizat1n ；CMP)及其它。舉例而言，圖案化處理可包括傳統(tǒng)的平版印刷術(shù)、光刻、步進處理(stepper process)及/或等離子體灰化及其它。舉例而言，改性處理可包括摻雜處理、熱氧化及/或退火(包括快速熱退火)及其它。
[0018]傳感器系統(tǒng)100可包括與硬盤驅(qū)動器110耦接的緩沖器105。緩沖器105可包括可與諸如(例如)傳感器120、傳感器121及/或傳感器122的傳感器電氣連接的輸入。亦可使用連接器來連接一或更多個傳感器與一或更多個緩沖器輸入?？刂破?40可用于控制緩沖器105及/或硬盤驅(qū)動器110的操作。
[0019]緩沖器105可為臨時儲存?zhèn)鞲衅鲾?shù)據(jù)的任何存儲器，該數(shù)據(jù)隨后儲存于硬盤驅(qū)動器110中。緩沖器105可包含任何類型的存儲裝置，諸如(例如)RAM。緩沖器105可包含與多個傳感器耦接的單個緩沖器或與單個傳感器耦接的單個緩沖器。此外，緩沖器105可包括多個緩沖器，這些緩沖器每一個與多個傳感器之一耦接。
[0020]在一些實施方式中，在操作中，緩沖器105能夠儲存可經(jīng)數(shù)字化的原始傳感器數(shù)據(jù)。此原始傳感器數(shù)據(jù)可能包括或可能不包括處理信息。緩沖器105亦可在緩沖器105內(nèi)部儲存計數(shù)器或計時數(shù)據(jù)。處理信息可為數(shù)據(jù)收集時間、日期信息、傳感器信息、處理系統(tǒng)信息、工具信息、處理方法信息、制造信息、處理位置、操作者信息、數(shù)據(jù)單元等等。當將原始傳感器數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器110時，可連同任何或所有處理信息儲存?zhèn)鞲衅鲾?shù)據(jù)。
[0021]此外，當將原始傳感器數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器110時，可將原始傳感器數(shù)據(jù)格式化至預定或可選的格式化類型。傳感器經(jīng)常產(chǎn)生如電壓、電阻或其它原始值的原始傳感器數(shù)據(jù)。在此類情況下，可使用方程式及/或表將原始傳感器數(shù)據(jù)從原始值轉(zhuǎn)換至具有物理意義的值。舉例而言，溫度傳感器可包括產(chǎn)生電壓的熱電偶。在操作中，可以高采樣率對熱電偶的電壓采樣及將該電壓儲存在緩沖器105中?？刂破?40可使用方程式及/或表將儲存于緩沖器105中的電壓值轉(zhuǎn)換至溫度值。
[0022]在操作中，緩沖器105可以比每微秒100 (比特)位、每微秒10位或每微秒I位快的速率儲存來自一或更多個傳感器的原始傳感器數(shù)據(jù)。舉例而言，緩沖器105的此采樣率可高于硬盤驅(qū)動器110的采樣率。傳感器系統(tǒng)100中可包括各種其它部件；例如，可在傳感器與緩沖器105之間安置一或更多個模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器以數(shù)字化模擬傳感器數(shù)據(jù)。
[0023]舉例而言，緩沖器105可包括兩個緩沖器，其中的每一緩沖器被指派給單獨傳感器。舉例而言，一個緩沖器可緩沖來自溫度傳感器的數(shù)據(jù)，并且另一緩沖器可緩沖來自流量傳感器的原始數(shù)據(jù)。在具有多個傳感器的實施方式中，可使用多個緩沖器。
[0024]在其它實施方式中，可使用單個緩沖器。舉例而言，溫度傳感器及流量傳感器可耦接至單個緩沖器?？稍诘谝痪彌_器位置以原始電阻值儲存原始溫度傳感器數(shù)據(jù)，且可在第二緩沖器位置以原始電壓值儲存原始流量數(shù)據(jù)。在一些實施方式中，當將經(jīng)緩沖的數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器I1時，可使用控制器140將原始電阻值轉(zhuǎn)換至溫度，該溫度隨后儲存于硬盤驅(qū)動器中。在其它實施方式中，原始值可儲存在硬盤驅(qū)動器110中。
[0025]在一些實施方式中，亦可利用時間戳(或計數(shù)器)在硬盤驅(qū)動器中儲存原始傳感器數(shù)據(jù)，該時間戳(或計數(shù)器)基于(例如)開始記錄數(shù)據(jù)的時間、經(jīng)緩沖的樣本的數(shù)目及采樣率將數(shù)據(jù)或各個數(shù)據(jù)要素關(guān)聯(lián)至收集數(shù)據(jù)的時間。任何其它處理信息(上文或其它方面所描述)亦可與經(jīng)采樣的數(shù)據(jù)一起儲存在硬盤驅(qū)動器中。此外，可格式化原始數(shù)據(jù)(例如)來配合表內(nèi)部，以使位或字節(jié)具有特定長度，可標記原始數(shù)據(jù)，可為原始數(shù)據(jù)指派某類型的信息簽等等。
[0026]在一些實施方式中，當處理系統(tǒng)正在操作時，緩沖器105可將從傳感器收集的數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器。在其它實施方式中，在已經(jīng)檢測到故障之后，緩沖器105可連續(xù)地收集數(shù)據(jù)且將經(jīng)收集的數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器。在此實施方式中，當正在收集數(shù)據(jù)時，較舊數(shù)據(jù)正從緩沖器刪除。為了確保收集到足夠的數(shù)據(jù)，可能需要緩沖器105具有充足的存儲器，以擷取及緩沖經(jīng)收集的數(shù)據(jù)達所需要時段，例如5分鐘、10分鐘、15分鐘、20分鐘、25分鐘、30分鐘、35分鐘、40分鐘、45分鐘、50分鐘、55分鐘或60分鐘。盡管如此，在一些實施方式中，在某點可在硬盤驅(qū)動器110中儲存來自一或更多個傳感器的儲存于緩沖器105中的數(shù)據(jù)。
[0027]硬盤驅(qū)動器110可包括任何類型的長期儲存裝置。舉例而言，硬盤驅(qū)動器110可包含儲存服務器、RAM、云儲存(cloud storage)等等。
[0028]傳感器(傳感器120、傳感器121及/或傳感器122)可包括任何類型的傳感器。舉例而言，一或更多個傳感器可測量處理腔室內(nèi)部的大氣條件，諸如溫度、濕度或壓力。如另一實例，一或更多個傳感器可測量進入處理腔室及/或從處理腔室排出的氣流、供應至腔室的直流電功率、腔室內(nèi)部的直流電功率、腔室內(nèi)部的RF功率、電流消耗(current draw)等等。如另一實例，一或更多個傳感器可測量各種部件(諸如基板支撐結(jié)構(gòu)、基板載體及/或其它加工部件)的位置及/或移動。此外，如另一實例，傳感器可測量各種馬達的轉(zhuǎn)矩及/或速度。如又一實例，一或更多個傳感器可測量各種環(huán)境條件中的任何條件，諸如熱、輻射、聲音及/或振動。如另一實例，一或更多個傳感器可感測處理腔室內(nèi)部、管道內(nèi)部及/或箱槽內(nèi)部的壓力、流量、溫度及/或化學品及/或氣體量。如又一實例，一或更多個傳感器可測量各種處理條件，諸如晶片厚度、晶片尺寸、晶片均勻性、晶片拋光等等。可使用各種其它傳感器而無需限制。
[0029]傳感器系統(tǒng)100亦可包括可用于提供傳感器信息的輸出135。此可通過此項技術(shù)中任何已知技術(shù)來實現(xiàn)；例如，可將數(shù)據(jù)發(fā)送電子郵件至生產(chǎn)單位或制造商的工程師或科學家。如另一實例，數(shù)據(jù)可儲存在位于計算機系統(tǒng)或云端儲存位置的文件中。隨后可由操作者、工程師或科學家經(jīng)由計算機網(wǎng)絡(例如，因特網(wǎng))存取數(shù)據(jù)。
[0030]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的用于緩沖傳感器數(shù)據(jù)的處理200的流程圖。處理200從方塊205處開始。在方塊210處，可將傳感器數(shù)據(jù)寫至緩沖器?？蓮亩鄠€傳感器(例如，傳感器120、傳感器121及/或傳感器122)中的至少一個傳感器收集此傳感器數(shù)據(jù)?？梢钥焖俨蓸勇蕦⒋藗鞲衅鲾?shù)據(jù)寫至緩沖器。在方塊215處，可將來自緩沖器的數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器。將來自緩沖器的數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器的速率可慢于將數(shù)據(jù)從傳感器寫至緩沖器的速率，及/或可將一些數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器110的同時將其它數(shù)據(jù)寫至緩沖器 105。
[0031]在方塊220處，可確定是否已發(fā)生故障。此情況可以眾多方式發(fā)生。舉例而言，管理處理系統(tǒng)的工程師(或任何其它工人)可人工確定故障已發(fā)生，或處理系統(tǒng)可根據(jù)來自系統(tǒng)內(nèi)部的一或更多個傳感器的數(shù)據(jù)確定故障已發(fā)生。若確定并無故障，則處理200返回至方塊210及方塊215。若確定存在故障，則不管是如何確定的，處理200前進至方塊225，且將記錄于硬盤驅(qū)動器中的數(shù)據(jù)輸出至用戶。此情況可以任何數(shù)目的方式實現(xiàn)。在一些實施方式中，在將數(shù)據(jù)輸出至用戶之前，可能需要等待從緩沖器寫至硬盤驅(qū)動器的數(shù)據(jù)，以確保已將所有數(shù)據(jù)寫至硬盤驅(qū)動器。處理200可結(jié)束于方塊230處。
[0032]圖3圖示可用于本發(fā)明的實施方式中的處理系統(tǒng)300的實例。處理系統(tǒng)300可包括一對FOUP (前開式標準艙(front opening unified pods)) 302以供應基板(例如，300mm直徑的晶片)，這些基板由機器人臂304接收且在將基板放入晶片處理腔室307a至307f之前將基板放入低壓保持區(qū)域中?？膳鋫涓鱾€處理腔室307a至307f以執(zhí)行眾多基板處理操作，這些處理操作除循環(huán)層沉積(cyclical layer deposit1n ；CLD)、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、PVD、蝕刻、預清潔、脫氣(degas)、定向(orientat1n)及其它基板處理之外亦包括本文所描述的遠程等離子體處理。
[0033]處理腔室307a至307f可包括用于在基板晶片上沉積、退火、固化及/或蝕刻的一或更多個系統(tǒng)部件。在一個配置中，可使用兩對處理腔室(例如，處理腔室307c至307d及處理腔室307e至307f)以在基板上沉積介電材料，且可使用第三對處理腔室(例如，處理腔室307a至307b)以蝕刻經(jīng)沉積的電介質(zhì)。在另一配置中，可配置所有三對腔室(例如，腔室307a至307f)以在基板上提供蝕刻處理?？稍谂c不同實施方式中所示的制造系統(tǒng)分離的一或更多個腔室上進行任何一或更多個所描述的處理。
[0034]每個處理腔室(例如，處理腔室307a)可包括基板支撐件(例如，基板支撐件308a)，該基板支撐件經(jīng)配置以在處理期間于處理腔室內(nèi)支撐基板。舉例而言，基板支撐件308a可為靜電卡盤(electrostatic chuck ;ESC)，該靜電卡盤在處理腔室307a內(nèi)固持及支撐基板。除基板支撐件之外，每個處理腔室(例如，處理腔室307a)亦可包括至少一個傳感器(例如，傳感器309a)，該傳感器經(jīng)配置以測量與發(fā)生于處理腔室(例如，處理腔室307a)內(nèi)部的基板處理相關(guān)聯(lián)的一或更多個臨界參數(shù)(critical parameter)，以產(chǎn)生表示經(jīng)測量的參數(shù)的模擬輸出信號。
[0035]系統(tǒng)控制器310用于控制馬達、閥門、流量控制器、電源及處理系統(tǒng)實施處理方法所需要的其它功能。系統(tǒng)控制器310可依靠來自光學傳感器的反饋來確定及調(diào)整處理腔室307a至307f中可移動機械總成的位置。機械總成可包括機器人、節(jié)流閥及基座，這些元件在系統(tǒng)控制器310的控制下由馬達移動。系統(tǒng)控制器310可包括傳感器系統(tǒng)100。
[0036]在一些實施方式中，系統(tǒng)控制器310包括存儲器(例如，硬盤驅(qū)動器)、輸入與輸出端口及處理器。系統(tǒng)控制器310可包括模擬與數(shù)字輸入/輸出板、接口板及步進馬達控制器板。多腔室處理系統(tǒng)的各個部分由系統(tǒng)控制器310控制。系統(tǒng)控制器執(zhí)行呈儲存于計算機可讀介質(zhì)上的計算機程序的形式的系統(tǒng)控制軟件，這些計算機可讀介質(zhì)諸如硬盤、軟盤或閃存姆指驅(qū)動器。亦可使用其它類型存儲器。計算機程序包括指示計時、氣體的混合、腔室壓力、腔室溫度、RF功率水平、基座位置及特定處理的其它參數(shù)的指令組。
[0037]處理腔室(例如，處理腔室307a)可為任何類型的處理腔室。一個實例為圖4中圖示的PECVD腔室。PECVD腔室400包括側(cè)壁402、底壁404及腔室蓋406，該三者共同界定處理區(qū)域408。氣體分配系統(tǒng)410穿過腔室蓋406而安置以傳遞氣體進入處理區(qū)域408。氣體分配系統(tǒng)410包括具有進氣口 414的氣體箱412，該進氣口接收來自前驅(qū)物源411的處理氣體且將處理氣體引入氣體箱412。氣體分配系統(tǒng)410亦包括具有多個氣體通道418的噴淋頭416，以用于將來自氣體箱412的處理氣體分配到處理區(qū)域408中。氣體分配系統(tǒng)410亦可包括氣體箱加熱器420 (諸如，環(huán)狀電阻加熱器)以加熱處理氣體至所要溫度。
[0038]噴淋頭416耦接至RF電源422以提供電能至噴淋頭416，以便促進處理區(qū)域408內(nèi)的等離子體形成。因此，噴淋頭416充當經(jīng)供電的上部電極。自動調(diào)諧RF匹配網(wǎng)絡424定位于RF電源422與噴淋頭416之間。在一個實施方式中，以約23.56MHz的頻率供應RF功率。
[0039]底壁404界定針對桿428的通道426，該桿428支撐底座加熱器430。底座加熱器430經(jīng)配置以在處理區(qū)域408內(nèi)支撐基板401。底座加熱器430包括嵌入在加熱器內(nèi)的接地網(wǎng)格(ground mesh) 432，該接地網(wǎng)格連接至RF地。因此，接地網(wǎng)格432充當接地電極以促進在噴淋頭416與底座加熱器430之間的處理區(qū)域408內(nèi)的等離子體形成。底座加熱器430亦包括一或更多個加熱元件434 (諸如，電阻加熱元件)以加熱基板401至所要處理溫度。
[0040]包括中央處理單元(central processing unit ;CPU) 452、存儲器454及支持電路456的控制系統(tǒng)450耦接至腔室400的各個部件以促進腔室400內(nèi)部的處理控制。存儲器454可為任何計算機可讀介質(zhì)，諸如隨機存取存儲器(random access memory ;RAM)、只讀存儲器(read only memory ;R0M)、軟盤、硬盤或任何其它形式的數(shù)字儲存器，這些計算機可讀介質(zhì)針對腔室400或CPU 452為本地或遠程。支持電路456耦接至CPU 452，以用于以傳統(tǒng)方式支持CPU 452。這些電路包括高速緩存、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路及子系統(tǒng)以及類似者。當CPU 452執(zhí)行儲存于存儲器454內(nèi)的軟件例程(ixnitine)或一系列程序指令時，此舉引起腔室400在腔室內(nèi)執(zhí)行等離子體處理?？刂葡到y(tǒng)450亦可包括傳感器系統(tǒng)100。
[0041]可得益于本發(fā)明的沉積腔室包括經(jīng)配置以沉積氧化物(諸如摻雜碳的氧化娃)、含娃膜以及包括高級圖案化薄膜(advanced patterned film ；APF)的其它介電材料的腔室。沉積腔室的實例為可購自Applied Materials, Inc.(應用材料公司)(SantaClara, Calif)的PRODUCER?腔室。PRODUCER ?腔室為具有兩個隔離處理區(qū)域的PECVD腔室，這些區(qū)域可用于沉積摻雜碳的氧化硅及其它材料。在美國專利第5，855，681號中描述一種腔室的一個實例，該專利案全文以引用的方式并入本文。盡管將腔室400示意地描述為PECVD腔室，但本發(fā)明的使用可與諸如等離子體蝕刻、PVD的其它腔室或任何其它類型的腔室同等有效。
[0042]圖5中所示的計算機系統(tǒng)500可用于執(zhí)行本發(fā)明的實施方式的任一實施方式。舉例而言，計算機系統(tǒng)500可用于執(zhí)行方法200。如另一實例，傳感器系統(tǒng)300可包括計算機系統(tǒng)500的全部或部分。如又一實例，計算機系統(tǒng)500可用于執(zhí)行本文所描述的任何計算、識別及/或確定。計算機系統(tǒng)500包括可經(jīng)由總線505電氣地耦接(或視情況可以其它方式通信)的硬件元件。
[0043]計算機系統(tǒng)500圖示為具有經(jīng)由總線526電氣地耦接的硬件元件。網(wǎng)絡接口 552可將計算裝置500與另一計算機通信地耦接，例如，經(jīng)由諸如因特網(wǎng)的網(wǎng)絡。硬件元件可包括控制器340、輸入裝置504、輸出裝置506、硬盤驅(qū)動器340、計算機可讀存儲介質(zhì)讀取器510a、通信系統(tǒng)514、處理加速單元516 (諸如DSP或?qū)Ｓ锰幚砥?及存儲器518。計算機可讀存儲介質(zhì)讀取器510a可進一步連接至計算機可讀存儲介質(zhì)510b，該組合綜合表示遠程、本地、固定及/或可移除的儲存裝置加上用于臨時及/或更永久含有計算機可讀信息的存儲介質(zhì)。緩沖器105與總線526耦接。
[0044]計算機系統(tǒng)500亦可包含如展示為當前位于工作存儲器520內(nèi)部的軟件元件，這些軟件元件包括操作系統(tǒng)524及其它程序代碼522，諸如經(jīng)設計以實施本文所描述的方法及/或處理的程序。在一些實施方式中，其它程序代碼522可包括如下軟件，該軟件提供用于接收來自雙極化雷達系統(tǒng)的用戶輸入并操控根據(jù)本文所揭示的各種實施方式的數(shù)據(jù)的指令。在一些實施方式中，任何軟件元件或程序代碼可為非暫時性(non-transitory)。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見的是，根據(jù)具體需要可使用實質(zhì)性變化。舉例而言，亦可能使用定制硬件及/或可能在硬件、軟件(包括諸如小程序之類的便攜式軟件)或兩者中實施特定元件。進一步，可使用至諸如網(wǎng)絡輸入/輸出裝置的其它計算裝置的連接。
[0045]計算系統(tǒng)500可進一步包括一或更多個儲存裝置525 (及/或與一或更多個儲存裝置525通信)，這些儲存裝置525可包括(而不限于)本地及/或網(wǎng)絡可存取儲存器及/或可包括(而不限于)磁盤驅(qū)動器、驅(qū)動器陣列、光學儲存裝置、諸如隨機存取存儲器(“RAM”)及/或只讀存儲器(“ROM”)的固態(tài)儲存裝置，這些儲存裝置可為可編程、可快閃更新(flash-updateable)儲存裝置及/或類似儲存裝置。計算系統(tǒng)500亦可能包括通信子系統(tǒng)530，該通信子系統(tǒng)530可包括(而不限于)調(diào)制解調(diào)器、網(wǎng)卡(無線或有線)、紅外通信裝置、無線通信裝置及/或芯片組(諸如藍牙裝置、802.6裝置、WiFi裝置、WiMax裝置、蜂窩通信設備等等)及/或類似裝置。通信子系統(tǒng)530可容許與網(wǎng)絡(諸如下文所描述的網(wǎng)絡，作為一個實例)及/或本文所描述的任何其它裝置交換數(shù)據(jù)。在眾多實施方式中，計算系統(tǒng)500將進一步包括工作存儲器535，該工作存儲器535可包括RAM或ROM裝置，如上文所描述。
[0046]計算系統(tǒng)500亦可包括如展示為當前位于工作存儲器535內(nèi)部的軟件元件，這些軟件元件包括操作系統(tǒng)540及/或諸如一或更多個應用程序545的其它程序代碼，這些軟件元件可包括本發(fā)明的計算機程序及/或可經(jīng)設計以實施本發(fā)明的方法及/或配置本發(fā)明的系統(tǒng)，如本文所描述。舉例而言，針對上文討論的一或更多種方法所描述的一或更多個過程可實施作為由計算機(及/或計算機內(nèi)部的處理器)可執(zhí)行的程序代碼及/或指令。一組這些指令及/或程序代碼可儲存在諸如上文所描述的一或更多個儲存裝置525的計算機可讀存儲介質(zhì)上。
[0047]在一些情況下，存儲介質(zhì)可并入計算系統(tǒng)500內(nèi)或存儲介質(zhì)可與計算系統(tǒng)500通信。在其它實施方式中，存儲介質(zhì)可與計算系統(tǒng)500分開(例如，諸如光盤之類的可移除介質(zhì)等等)及/或提供在安裝包中，以使得存儲介質(zhì)可用于用上面儲存的指令/程序代碼對通用計算機編程。這些指令可采取可由計算系統(tǒng)500執(zhí)行的可執(zhí)行程序代碼的形式及/或可采取源代碼及/或可安裝程序代碼的形式，該源代碼及/或可安裝程序代碼在計算系統(tǒng)500上編譯及/或安裝(例如，使用各種通常可用的編譯程序、安裝程序、壓縮及/或解壓實用工具等等中的任一者)之后再采取可執(zhí)行程序代碼的形式。
[0048]可能有附圖中所描述或上文所描述的元件的不同配置以及未圖示或未描述的部件及步驟。類似地，一些特征及子組合是有用的，且可使用這些特征及子組合而無需參考其它特征及子組合。出于說明性及非限制性目的已描述本發(fā)明的實施方式，且替代實施方式對此專利的讀者來說將變得顯而易見。因此，本發(fā)明不受限于上文所描述或附圖中所描述的實施方式，且可在不脫離以下權(quán)利要求的范圍的情況下做出各種實施方式及修改。
[0049]本文闡述眾多具體細節(jié)以提供對所要求保護的主題的透徹理解。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可實施所要求保護的主題而無需這些具體細節(jié)。在其它情況下，并未詳細描述會是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所知的方法、設備或系統(tǒng)，以免模糊所要求保護的主題。
[0050]一些部分根據(jù)對儲存于諸如計算機存儲器的計算系統(tǒng)存儲器內(nèi)部的數(shù)據(jù)位或二進制數(shù)字信號進行運算的算法或符號標記來呈現(xiàn)。這些演算描述或標記是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域中那些普通技術(shù)人員所使用的技術(shù)的實例，以傳達該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員工作的實質(zhì)內(nèi)容給該領(lǐng)域的其他技術(shù)人員。算法是導致所要結(jié)果的一系列自兼容操作(self-consistentsequence of operat1ns)或類似處理。在此情形下，操作或處理涉及物理量的實體操控。通常，盡管并非必需，這些量也可采取能夠被儲存、傳送、組合、比較或以其它方式受到操控的電氣或磁信號的形式。已多次證明以位、數(shù)據(jù)、值、元件、符號、字符、術(shù)語、數(shù)目、數(shù)字或類似者指代此類信號的便利性(主要出于共有用途的原因)。然而，應理解，所有這些及類似術(shù)語將與適當物理量相關(guān)聯(lián)且僅是便利的標記。應了解，除非明確陳述，否則貫穿此說明書，利用諸如“處理”、“計算(computing) ”、“計算(calculating) ”、“確定”及“識別”的術(shù)語或類似者的論述指的是諸如一或更多個計算機或者一或多個類似電子計算裝置的計算裝置的動作或處理，這些動作或處理操控或變換表示為計算平臺的存儲器、寄存器或其它信息儲存裝置、傳輸裝置或顯示裝置內(nèi)部的實體電子或磁性量的數(shù)據(jù)。
[0051]本文所論述的一或更多種系統(tǒng)不受限于任何特定的硬件架構(gòu)或配置。計算裝置可包括部件的任何適宜的配置，該配置提供取決于一或更多個輸入的結(jié)果。適宜的計算裝置包括基于微處理器的多用途計算機系統(tǒng)，這些計算機系統(tǒng)存取經(jīng)儲存的軟件，該軟件將計算系統(tǒng)從通用計算設備編程或配置成實施本主題的一或更多個實施方式的專用計算設備。可使用任何適宜的編程、腳本或其它類型的語言或語言組合來實施本文軟件內(nèi)所含有的將用于對計算裝置編程或配置的教導。
[0052]可在這樣的計算裝置的操作中執(zhí)行本文所揭示的方法的實施方式?？勺兓陨蠈嵗兴尸F(xiàn)的方塊的次序，例如，方塊可重新排序、組合及/或分裂成子方塊?？刹⑿袌?zhí)行某些方塊或處理。
[0053]本文“經(jīng)調(diào)適以”或“經(jīng)配置以”的用法意為開放及包括性語言，并非排除經(jīng)調(diào)適或經(jīng)配置以執(zhí)行額外任務或步驟的裝置。另外，“基于”的用法意為開放及包括性的，從而“基于”一或更多個所列舉的條件或值的處理、步驟、計算或其它動作可實際上基于超出所列舉的這些條件或值的額外條件或值。本文所包括的標題、清單及編號僅便于說明且并不意謂限制。
[0054]盡管關(guān)于本發(fā)明的特定實施方式已詳細描述本主題，應將了解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在獲得上述的理解后可易于產(chǎn)生此類實施方式的變更、變化及等效者。因此，應理解，呈現(xiàn)本揭示案的目的在于實例而非限制，且本揭示案并不排除包括這些對本主題的修改、變化及/或附加，此情況對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應會輕易地顯而易見。
【權(quán)利要求】
1.一種半導體處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含: 多個傳感器，所述多個傳感器測量所述半導體處理系統(tǒng)的物理條件； 緩沖器，所述緩沖器與所述多個傳感器的至少一分組電氣地耦接以儲存?zhèn)鞲衅鲾?shù)據(jù)；以及 長期儲存裝置，所述長期儲存裝置與所述緩沖器電氣地耦接以儲存在所述緩沖器處儲存的數(shù)據(jù)，且其中所述長期儲存裝置具有比所述緩沖器的采樣率更小的采樣率。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，其中所述多個傳感器中至少兩個傳感器測量所述半導體處理系統(tǒng)的不同物理條件。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，進一步包含數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器耦接于所述多個傳感器中至少一個傳感器與所述緩沖器之間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，其中所述緩沖器包含多個緩沖器。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，其中所述緩沖器包含RAM。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，其中所述緩沖器以大于每微秒I位的速率儲存所述傳感器數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，其中所述緩沖器以大于每微秒100位的速率儲存所述傳感器數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體處理系統(tǒng)，進一步包含處理器，所述處理器與所述緩沖器及所述長期儲存裝置耦接。
9.一種用于在半導體處理系統(tǒng)中感測環(huán)境條件的方法，所述方法包含以下步驟: 在緩沖器內(nèi)以第一采樣率儲存?zhèn)鞲衅鲾?shù)據(jù)； 接收故障事件；以及 響應于接收所述故障事件，將儲存于所述緩沖器內(nèi)的所述傳感器數(shù)據(jù)以第二采樣率儲存入硬盤驅(qū)動器。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包含以下步驟:從至少兩個傳感器接收傳感器數(shù)據(jù)，這些傳感器測量半導體處理系統(tǒng)的不同物理條件。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包含數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，所述轉(zhuǎn)換器耦接于所述多個傳感器中至少一個傳感器與所述緩沖器之間。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述緩沖器包含多個緩沖器。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述緩沖器包含RAM。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中傳感器數(shù)據(jù)是以大于每微秒I位的采樣率儲存在所述緩沖器內(nèi)。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述傳感器數(shù)據(jù)是以大于每微秒100位的采樣率儲存在所述緩沖器內(nèi)。
【文檔編號】H01L21/02GK104488073SQ201380037597
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月12日
【發(fā)明者】西蒙·亞沃伯格 申請人:應用材料公司