具有薄膜封裝結構的有機電致發(fā)光顯示裝置及其制備方法
【專利摘要】本申請?zhí)峁┝艘环N有機電致發(fā)光顯示裝置，包括：基板；位于基板上的有機發(fā)光器件；以及形成在有機發(fā)光器件和基板上的封裝層。封裝層包括交替堆疊的無機層和聚合物有機層，以及位于無機層與聚合物有機層之間的、由第一有機單體形成的中間層，并且中間層的一個表面通過無機層表面上的鍵合點與無機層鍵合，且中間層的另一個表面通過聚合與有機層鍵合。
【專利說明】具有薄膜封裝結構的有機電致發(fā)光顯示裝置及其制備方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年2月14日向韓國知識產權局提交的第10-2013-0016057號韓國專利申請的優(yōu)先權，該專利申請公開的全部內容通過引用并入本文。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明總體上涉及具有薄膜封裝結構的有機電致發(fā)光顯示裝置，更具體地，本發(fā)明涉及具有薄膜封裝結構的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中無機層和有機層被堆疊，以及該有機電致發(fā)光裝置的制備方法。
【背景技術】
[0004]有機發(fā)光裝置的封裝技術可以包括:基板鍵合技術，用于使封裝基板與具有在其上形成的有機發(fā)光裝置的基板彼此鍵合；以及薄膜封裝技術，用于在沒有封裝基板的情況下以薄膜形式形成封裝層。通過使用無機玻璃料(inorganic frit)或有機粘合劑進行封裝基板與具有在其上形成的有機發(fā)光裝置的基板的鍵合。面板上的無機層(例如，A10x、SiNx、SiOx和SiON)可用于薄膜封裝。
[0005]用于薄膜封裝的無機層是薄的，但是其密度高，因此，用于薄膜封裝的無機層可以具有對濕氣和氧氣的屏障特性。然而，由于無機層具有易碎的特性，因而無機層在應力下的機械性質是非常差的。尤其是，在制備有機發(fā)光裝置的過程中，多個顆?？纱嬖谟诨迳希⑶以O置在顆粒上的無機層可能會顯著受到應力的影響，由此可能劣化無機層的屏障特性。
[0006]因此，通過在無機層之間引入有機層從而引入一種結構，以使不規(guī)則表面(例如，顆粒)平坦化并且緩解無機層的應力。丙烯酸樹脂(acryl)、硅樹脂和環(huán)氧樹脂用作有機層。
[0007]通常，為了有機發(fā)光裝置的可靠性，熱穩(wěn)定性必需維持在大約100°C。然而，在長時間高溫下暴露期間，可能出現(xiàn)無機層與有機層之間的界面剝落現(xiàn)象。例如，由于在將丙烯酸樹脂層沉積在通過等離子增強化學氣相沉積(PECVD)方法沉積的SiNx層上的情況下，可能難以形成強化學鍵合，因而SiNx層與丙烯酸樹脂層之間的界面可能會由于熱而剝落。
[0008]發(fā)明概述
[0009]本發(fā)明通過改善無機層與有機層之間的界面附著力提供具有穩(wěn)定的薄膜封裝結構的有機電致發(fā)光顯示裝置及其制備方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括:基板；位于基板上的有機發(fā)光器件；以及形成在有機發(fā)光器件和基板上的封裝層。封裝層包括交替堆疊的無機層和聚合物有機層，以及位于無機層與聚合物有機層之間的、由第一有機單體形成的中間層，并且中間層的一個表面通過無機層表面上的鍵合點與無機層鍵合，且中間層的另一個表面通過聚合與有機層鍵合。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置的制備方法，包括:提供基板；在基板上形成有機發(fā)光器件；以及在有機發(fā)光器件和基板上形成封裝層，封裝層包括交替堆疊的無機層和聚合物有機層，以及位于無機層與聚合物有機層之間的、由第一有機單體形成的中間層。中間層的一個表面通過無機層表面上的鍵合點與無機層鍵合，中間層的另一個表面通過聚合與有機層鍵合。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上述以及其他特征和優(yōu)點將變得更加顯而易見，在附圖中:
[0013]圖1是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的剖視圖；以及
[0014]圖2是概念性示出了中間層在無機層與有機層之間形成鍵的過程的示意圖。
[0015]發(fā)明詳述
[0016]下文中將參照示出本發(fā)明的示例性實施方式的附圖更全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式實施，并且不應被解釋為本發(fā)明受限于本文所闡述的實施方式；更確切地，提供這些實施方式以使得本公開是全面和完整的，并且將本發(fā)明的構思充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚起見，放大了層和區(qū)域的厚度。全文中相同的附圖標記表示相同的元件。
[0017]如本文中使用的，用語“和/或”包括列舉的相關項目中一個或多個的任何組合以及所有組合。諸如“至少一個”的表述，當用于一系列元件之前時，其修飾整個系列的元件而不是修飾系列中的單獨元件。
[0018]圖1是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0019]根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置100包括:基板10、位于基板10上的有機發(fā)光器件20以及形成在基板10上以覆蓋有機發(fā)光器件20的封裝層30。
[0020]由諸如玻璃、塑料、硅或金屬的各種材料形成的基板可用作基板10?？稍诨?0的頂表面上形成緩沖層(未示出)，其用于防止雜質元素或離子從基板10擴散至基板10上的薄膜晶體管(TFT)或有機發(fā)光器件20，用于防止?jié)駳鈴幕?0滲透至基板10上的薄膜晶體管(TFT)或有機發(fā)光器件20，并且用于使基板10的表面平坦化。此外，可在基板10上形成TFT (未示出)，其作為用于驅動有機發(fā)光器件20的電路。
[0021]有機發(fā)光器件20包括第一電極21、第二電極23和位于第一電極21與第二電極23之間的有機層22。
[0022]第一電極21可以是陽極，并且在這種情況下，第一電極21可選擇具有高功函數(shù)的材料形成，以便促進空穴注入。第一電極21可以是透射電極或反射電極。第一電極21例如可由銦錫氧化物(I TO )、銦鋅氧化物(I ZO )、氧化鋅(ZnO )、鋁(AI)摻雜的氧化鋅(AZO )、氧化銦(In2O3)或氧化錫(SnO2)形成。第一電極21還可通過使用鎂(Mg)、銀(Ag)、Al、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、Ag-1TO, Mg-1n或Mg-Ag而形成作為反射電極。第一電極21可具有單層結構或者具有兩層或更多層的多層結構。例如，第一電極21可具有IT0/Ag/IT0的三層結構，但是第一電極21并不受限于此。
[0023]有機發(fā)光器件20中的有機層22包括至少一個發(fā)光層(EML)，此外，還可以包括用于空穴注入和傳輸、電子注入和傳輸以及電荷平衡的層。
[0024]第二電極23可以是陰極，并且在這種情況下，具有低功函數(shù)的金屬、合金、導電性化合物或其兩種或更多種的混合物可用作第二電極23。例如，可包括第二電極23作為透明電極或反射電極。在包括第二電極23作為透明電極的情況下，第二電極23可包括由L1、Ca、Al、Mg、Mg-1n、Mg-Ag、LiF-Al、LiF-Ca或其化合物形成的薄膜以及設置在其上的由諸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明導電材料形成的輔助電極?；蛘?，在包括第二電極23作為反射電極的情況下，第二電極23可由L1、Ca、Al、Mg、Mg-1n、Mg-Ag、LiF-Al、LiF-Ca或其化合物形成。
[0025]封裝層30由交替堆疊的無機層31和有機層33，以及位于無機層31與有機層33之間的中間層32構成。
[0026]無機層31例如可由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、氧化鉿、氮化鉿、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈰、氮化鈰、氧化錫、氮化
錫或氧化鎂形成?？筛鶕?jù)生產率或裝置特性確定無機層31的最佳厚度。無機層31是薄的，但其密度高，因此無機層31可具有對濕氣和氧氣的屏障特性。
[0027]有機層33可由丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、甲基丙烯酸類樹脂(methacryl-based resin)、異戍二烯類樹脂、乙烯類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚氨酯類樹脂、纖維素類樹脂、茈類樹脂、酰亞胺類樹脂或其兩種或更多種的混合物形成。可根據(jù)無機層31的特性、生產率和裝置特性確定有機層33的最佳厚度。有機層33可以起到緩解無機層31的應力和使無機層31平坦化的作用。
[0028]中間層32的一個表面通過無機層31的表面上的鍵合點與無機層31鍵合，中間層32的另一個表面通過聚合與有機層33鍵合。中間層32可以由可與無機層31表面上的鍵合點(例如，氧)鍵合且可通過聚合與有機層33鍵合的材料形成。中間層32可由單體形成，該單體為包含可聚合雙鍵的有機化合物。例如，中間層32可由甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或環(huán)氧(epoxy)形成。例如，甲基丙烯酸酯的羥基或羰基部分可與無機層31的表面上的鍵合點(例如，氧或氫原子)鍵合和/或甲基丙烯酸酯的羰基或碳-碳雙鍵部分可以通過聚合與有機層33鍵合。可根據(jù)無機層31與有機層33之間的附著程度確定中間層32的最佳厚度。
例如，中間層32可以以幾十埃(A )的厚度形成，但是中間層32的厚度并不受限于此。
[0029]在封裝層30中，多個有機層33和無機層31可以交替地堆疊并且中間層32可設置在有機層33與無機層31之間。
[0030]因為中間層32與有機層33和無機層31鍵合，所以有機層33與無機層31之間的附著力得到改善，并由此可以防止由于熱應力和變形而出現(xiàn)的剝落。
[0031]下文中將描述制備根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的方法。
[0032]首先，提供基板10。由諸如玻璃、塑料、硅或金屬的各種材料形成的基板可用作基板10?？梢栽诨?0的頂表面上形成緩沖層(未示出)，緩沖層用于防止雜質元素或離子從基板10擴散至基板10上的薄膜晶體管(TFT)或有機發(fā)光器件20，用于防止?jié)駳鈴幕?0滲透至基板10上的薄膜晶體管(TFT)或有機發(fā)光器件20，并且用于使基板10的表面平坦化。并且，可以在基板10上形成TFT (未示出)，作為用于驅動有機發(fā)光器件20的電路。
[0033]在基板10上形成電連接至TFT (未示出)的有機發(fā)光器件20。有機發(fā)光器件20包括第一電極21、第二電極23和位于第一電極21與第二電極23之間的有機層22。
[0034]第一電極21可以是陽極，并且在這種情況下，第一電極21可選擇具有高功函數(shù)的材料形成，以便促進空穴注入。第一電極21可以是透射電極或反射電極。第一電極21例如可以由ITO、IZO、ZnO、AZO、In2O3或SnO2形成。第一電極21還可以通過使用Mg、Ag、Al、Al-Li> Ca、Ag-1TO、Mg-1n或Mg-Ag而形成作為反射電極。第一電極21可以作為單層結構或者具有兩層或更多層的多層結構而形成?？梢酝ㄟ^蒸鍍或濺射形成第一電極21。
[0035]有機層22包括至少一個發(fā)光層(EML)，并且此外，還可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。有機層22可以由低分子量或高分子量材料形成，并且可以通過使用諸如真空沉積法、旋涂法、鑄造法和朗繆爾-布洛杰特(Langmuir-Blodgett ；LB)法的多種方法而形成。
[0036]空穴注入層可以由酞菁化合物形成，諸如銅酞菁、N，N’- 二苯基-N，N’-雙[4_(苯基-m-甲苯基-氨基)苯 基]聯(lián)苯-4,4’-二胺(DNTro)、4，4’，4’’_三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，4’，4’’_三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4，4’，4’’ -三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺(2T-NATA)、聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PED0T/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)。然而，空穴注入層并不受限于此。
[0037]空穴傳輸層可以由咔唑衍生物和三苯胺類材料形成，咔唑衍生物諸如為N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑，三苯胺類材料諸如為N，N’ -雙(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-[1，1-聯(lián)苯]-4，4’ -二胺(TPD)、N，N’ -二(1-萘基)_N，N’ _ 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)或4，4’，4’’ -三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。然而，空穴傳輸層并不受限于此。
[0038]電子傳輸層可以由以下材料形成:三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、2，9_ 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、4，7- 二苯基-1，10-鄰二氮雜菲(Bphen)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1, 2，4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)_3，5- 二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)、2- (4-聯(lián)苯基)~5~ (4~ 叔丁基苯基)_1，3，4-噁二唑(tBu-PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’ -聯(lián)苯基-4-羥基)鋁(BAlq)、雙(苯并喹啉-10-羥基)鈹(Bebq2)或9，10-二(萘_2_基)蒽(ADN)。然而，電子傳輸層并不受限于此。
[0039]可以通過使用諸如LiF、NaCl、CsF、Li20、Ba0和Liq的材料形成電子注入層。
[0040]發(fā)光層可以形成為包括主體材料和摻雜物材料。
[0041]主體的實例可以是三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、4，4’_雙(N-咔唑基-聯(lián)苯(CBP)、聚(η-乙烯基咔唑)(PVK)、ADN、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9，10-二 (萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳烴(distyrylarylene ；DSA)、E3*4，4’-| (9-咔唑基)_2，2’-二甲基-聯(lián)苯(CDBP)。然而，主體并不受限于此。
[0042]摻雜物的實例可以是八乙基卟吩鉬(II) (PtOEP)、三(2-苯基異喹啉)銥(Ir (piq) 3)、雙(2-(2’_苯并噻吩基)-吡啶-N，C3，)銥(乙酰丙酮化物)(Btp2Ir (acac))、三(2-苯基吡唳)銥(Ir (ppy)3)、雙(2-苯基吡唳)(乙酰丙酮)合銥(III) (Ir (ppy)2(acac))、三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)銥(11'0^?7)3)、10-(2-苯并噻唑基)-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H, 5H,苯并吡喃并[6，7，8-1j]喹嗪-11-酮(C545T)、雙[3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基](吡啶甲酰)合銥(III) (F2Irpic), (F2ppy) 2Ir (tmd)、Ir(dfppz)3、4，4’_ 雙(2，2’-二苯乙烯-1-基)聯(lián)苯(DPVBi)、4，4’-雙[4_( 二苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)或2，5，8，11-四叔丁基茈(TBPe)。然而，摻雜物并不受限于此。
[0043]第二電極23可以是陰極，并且在這種情況下，可以通過使用具有低功函數(shù)的金屬、合金、導電性化合物或其兩種或更多種的混合物形成第二電極23。第二電極23例如可形成作為透明電極或反射電極。在第二電極23是透明電極的情況下，第二電極23可以形成為由L1、Ca、Al、Mg、Mg-1n、Mg-Ag、LiF-Al、LiF-Ca或其化合物形成的薄膜以及設置在其上的由諸如ITO、IZO, ZnO或In2O3的透明導電材料形成的輔助電極?；蛘撸诘诙姌O23是反射電極的情況下，第二電極23例如可以由L1、Ca、Al、Mg、Mg-1n、Mg-Ag、LiF-Al、LiF-Ca或其化合物形成。可以通過濺射或真空沉積形成第二電極23。
[0044]在有機發(fā)光器件20上形成封裝層30。
[0045]封裝層30由交替堆疊的無機層31和有機層33,以及位于無機層31與有機層33之間的中間層32構成。
[0046]無機層31例如可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、氧化鉿、氮化鉿、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈰、氮化鈰、氧化錫、氮化錫或氧化鎂形成?？梢愿鶕?jù)生產率或裝置特性確定無機層31的最佳厚度?？赏ㄟ^使用諸如化學氣相沉積(CVD)、等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、濺射、原子層沉積(ALD)或熱蒸鍍的方法形成無機層31。
[0047]在無機層31的表面上形成將與中間層32鍵合的鍵合點。鍵合點例如可以是氧原子層。為了該目的，可以用氧等離子或臭氧等離子處理無機層31的表面?？梢酝ㄟ^這種氧或臭氧等離子處理使無機層31的表面上的M-H鍵變成M-OH鍵，其中M是指無機層31的硅或金屬元素，例如娃、招、鈦、鉭、鉿、錯、鋪、錫或鎂。
[0048]通過使用具有可聚合雙鍵(例如，乙烯基或羰基)的有機單體和光聚合引發(fā)劑，在經(jīng)表面處理的無機層31上形成初始中間層(未示出)。例如，初始中間層(未示出)可由甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或環(huán)氧形成。光聚合引發(fā)劑的實例可以是苯乙酮類化合物、二苯甲酮類化合物、噻噸酮類化合物、苯偶姻類化合物和三嗪類化合物。然而，初始中間層并不受限于此?？梢詥为毷褂蒙鲜霾牧匣蛘咄ㄟ^混合其中兩種或更多種材料而使用上述材料。
[0049]可以通過使用閃蒸法、噴墨工藝、絲網(wǎng)印刷法、旋涂法，或在高溫下形成氣相自由基的引發(fā)化學氣相沉積(iCVD)法形成初始中間層(未示出)。初始中間層(未示出)可以以幾十埃(A )的厚度形成，但是初始中間層的厚度并不受限于此。初始中間層(未示出)的有機單體可以與無機層31的鍵合點鍵合。
[0050]然后，可以在初始中間層(未示出)上形成初始有機層(未示出)。初始有機層(未示出)例如可以由丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、異戊二烯類樹脂、乙烯類樹脂、環(huán)氧類樹月旨、聚氨酯類樹脂、纖維素類樹脂、茈類樹脂、酰亞胺類樹脂或其混合物形成。例如，可以通過使用諸如閃蒸法、噴墨工藝、絲網(wǎng)印刷法或旋涂法的方法形成初始有機層(未示出)。
[0051]隨后，通過使用紫外線(UV)或熱使初始中間層(未示出)和初始有機層(未示出)固化。初始中間層(未示出)的有機單體的乙烯基與初始有機層(未示出)的有機單體聚合，并且初始有機層(未示出)的有機單體與初始中間層(未示出)的有機單體以及初始有機層(未示出)的另一單體聚合。在固化處理之后，初始中間層(未示出)變成中間層32，而初始有機層(未示出)變成有機層33。因此，根據(jù)這種聚合，中間層32與有機層33鍵合，并且有機層33形成樹脂層或聚合物層。
[0052]圖2是概念性示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的方法的示意圖，其中中間層在無機層與有機層之間形成鍵。[0053]參照圖2，在步驟SI中，準備了在無機層的表面上具有-H鍵的無機層。
[0054]然后在步驟S2中，通過表面處理使無機層表面上的-H鍵變成-OH鍵。
[0055]在步驟S3中，通過使用R1=CH2 (即具有乙烯基的有機單體)在經(jīng)表面處理的無機層上形成初始中間層，初始中間層中部分R1與無機層的O鍵合并且乙烯基面向表面。
[0056]然后，在步驟S4中，通過使用有機單體R2形成初始有機層；然后通過固化使有機單體R2與初始中間層的乙烯基聚合以形成鍵。
[0057]中間層由此與有機層和無機層鍵合，其結果是，有機層與無機層之間的附著力得到改善。因此，可以防止由于熱應力而出現(xiàn)的剝落。此外，無機層的表面上的鍵合點并不僅限于-0H，并且初始中間層的有機單體的可聚合基團并不僅限于乙烯基。
[0058]由于中間層與有機層和無機層鍵合，所以有機層與無機層之間的附著力得到了改善，并由此可以防止由于熱應力而出現(xiàn)的剝落。
[0059]雖然已參照本發(fā)明的示例性實施方式具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領域的普通技術人員應該理解，在不背離由所附權利要求書所定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細節(jié)方面對本發(fā)明進行各種改變。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 形成在所述基板上的有機發(fā)光器件；以及 形成在所述有機發(fā)光器件和所述基板上的封裝層，所述封裝層包括交替堆疊的無機層和聚合物有機層，以及位于所述無機層與所述聚合物有機層之間的、由有機單體形成的中間層，并且所述中間層的一個表面與所述無機層鍵合，且所述中間層的另一個表面通過聚合與所述聚合物有機層鍵合。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中形成所述中間層的所述有機單體包括可聚合雙鍵。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中形成所述中間層的所述有機單體包括甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或環(huán)氧。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述聚合物有機層包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、異戊二烯類樹脂、乙烯類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚氨酯類樹脂、纖維素類樹脂、茈類樹脂、酰亞胺類樹脂或其兩種或更多種的混合物。
5.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述無機層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化娃、氧化招、氮化招、氮氧化招、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、氧化鉿、氮化鉿、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈰、氮化鈰、氧化錫、氮化錫或氧化鎂。
6.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述無機層通過所述無機層表面上的鍵合點與所述中間層鍵合。
7.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述鍵合點源自-OH基團。
8.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述封裝層包括交替堆疊的多個所述無機層和多個所述聚合物有機層；以及位于所述無機層與所述聚合物有機層之間的多個所述中間層。
9.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有機發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極與所述第二電極之間的有機發(fā)光層。
10.如權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述有機發(fā)光器件在所述第一電極與所述第二電極之間還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層中的至少一種。
11.一種有機電致發(fā)光顯示裝置的制備方法，所述方法包括: 提供基板； 在所述基板上形成有機發(fā)光器件；以及 在所述有機發(fā)光器件和所述基板上形成封裝層，所述封裝層包括交替堆疊的無機層和聚合物有機層，以及位于所述無機層與所述聚合物有機層之間的、由第一有機單體形成的中間層，所述中間層的一個表面通過所述無機層的表面上的鍵合點與所述無機層鍵合，并且所述中間層的另一個表面通過聚合與所述聚合物有機層鍵合。
12.如權利要求11所述的方法，其中所述封裝層的形成包括: 形成所述無機層； 在所述無機層的所述表面上形成鍵合點； 通過使用所述第一有機單體在所述無機層的表面上形成初始中間層，所述第一有機單體將與形成在所述無機層的表面上的所述鍵合點鍵合； 通過使用第二有機單體在所述初始中間層上形成初始有機層；以及 使所述第一有機單體和所述第二有機單體固化以形成所述中間層和所述聚合物有機層。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述初始中間層的形成是通過閃蒸、噴墨工藝、絲網(wǎng)印刷或旋涂進行的。
14.如權利要求12所述的方法，其中所述初始中間層的形成是通過引發(fā)化學氣相沉積(iCVD)進行的。
15.如權利要求14所述的方法，其中在所述初始中間層的形成中，光聚合引發(fā)劑與所述第一有機單體一起使用。
16.如權利要求12所述的方法，其中所述第一有機單體包括可聚合雙鍵，并且包含所述可聚合雙鍵的部分位于與所述無機層相對的所述初始中間層的表面上。
17.如權利要求16所述的方法，其中包含所述可聚合雙鍵的所述部分包括乙烯基或羰基。
18.如權利要 求12所述的方法，其中所述第一有機單體包括甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或環(huán)氧。
19.如權利要求12所述的方法，其中所述初始有機層是通過使用閃蒸法、噴墨工藝、絲網(wǎng)印刷法或旋涂法而形成的。
20.如權利要求12所述的方法，其中所述固化包括熱固化或紫外線(UV)固化。
【文檔編號】H01L27/32GK103996799SQ201410009204
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年1月8日 優(yōu)先權日:2013年2月14日
【發(fā)明者】吳敏鎬, 趙尹衡, 金容鐸, 李昭玲, 金鐘祐, 文智永 申請人:三星顯示有限公司