一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發(fā)展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機性能，在集成電路晶片尺寸逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，電子工業(yè)對集成電路封裝結(jié)束提出了越來越高的要求。
[0003]目前的芯片通過底填方式倒裝在作為載體的柔性電路板(薄膜)上，芯片與膜上覆蓋的金屬層通過金屬柱相連，與外界電性連接。典型的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)中，1C通過金制的凸點(bump)與金屬層相連，凸點(bump)采用的是柱狀形式。
[0004]但在實際生產(chǎn)中，在芯片上制備較高的凸點(bump)時，存在一些影響芯片制造良率的問題:
[0005](1)凸點(bump)的高度控制，1C芯片下方的凸點(bump)難以控制其高度完全一致，高低不平易使芯片失效；
[0006](2)在膜上生產(chǎn)凸點(bump)其制備工藝較難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，本發(fā)明提供一種覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)，包括柔性電路板、芯片，還包括導(dǎo)電膠層，所述柔性電路板的金屬層通過所述導(dǎo)電膠層連接所述芯片的功能區(qū)。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0009]本專利提出一種新型結(jié)構(gòu)，既能解決在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中bump高度難以控制且其制備工藝較難的問題，又能降低成本，提高封裝效率。
【附圖說明】
[0010]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0011]圖1為在芯片的功能區(qū)和柔性電路板的金屬層都形成有金屬凸點后采用導(dǎo)電膠柱連接的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)圖；
[0012]圖2為在芯片的功能區(qū)形成有金屬凸點和柔性電路板的金屬層形成有焊盤后采用導(dǎo)電膠柱連接的(C0F)封裝結(jié)構(gòu)圖；
[0013]圖3為柔性電路板的金屬層形成有凸點后采用導(dǎo)電膠柱連接芯片的功能區(qū)的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)圖；
[0014]附圖標(biāo)記:
[0015]1-芯片；2_柔性電路板；3_導(dǎo)電膠柱；4_金屬層；
[0016]5-第一金屬凸點；6_第二金屬凸點；7-焊盤
[0017]8-第三金屬凸點；9_塑封體。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實施例對本申請作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0019]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本申請。
[0020]如圖1，本發(fā)明提供一種覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)，包括柔性電路板2、芯片1，還包括導(dǎo)電膠層，柔性電路板的金屬層4通過導(dǎo)電膠層連接芯片的功能區(qū)。
[0021]本發(fā)明提出一種新型結(jié)構(gòu)，既能解決在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中bump高度難以控制且其制備工藝較難的問題，又能降低成本，提高封裝效率。
[0022]如圖1，進(jìn)一步，本發(fā)明所提供的導(dǎo)電膠層為連接柔性電路板2的金屬層4和芯片1的功能區(qū)的多個導(dǎo)電膠柱3。
[0023]如圖2，進(jìn)一步，本發(fā)明提供的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)，在芯片的功能區(qū)上形成的多個第一金屬凸點5，第一金屬凸點5與導(dǎo)電膠柱3 —一對應(yīng)，導(dǎo)電膠柱3 —端連接第一金屬凸點5，另一端連接所述柔性電路板金屬層4。
[0024]通過芯片的功能區(qū)形成第一金屬凸點壓合導(dǎo)電膠柱，使得芯片的功能區(qū)與導(dǎo)電膠柱的接觸面積增大，也有利于加壓導(dǎo)電膠柱，從而增加了芯片與柔性電路板的通電性能。
[0025]如圖1，進(jìn)一步，本發(fā)明提供的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)，還包括在柔性電路板1的金屬層4上形成的多個第二金屬凸點6，第二金屬凸點6位于金屬層4的表面且與第一金屬凸點5 對應(yīng)，第二金屬凸點6與第一金屬凸點5通過所述導(dǎo)電膠柱3電連接。
[0026]通過在柔性電路板形成第二金屬凸點，增加了柔性電路板對外電性連接的面積，同時通過上下兩金屬凸點的連接、壓合，更加提高了芯片與柔性電路板之間的導(dǎo)電性能。
[0027]如圖1，進(jìn)一步，本發(fā)明提供的導(dǎo)電膠柱3、第一金屬凸點5和第二金屬凸點6均為圓柱形，導(dǎo)電膠柱3的截面直徑大于第一金屬凸點5和第二金屬凸點6的截面直徑。這樣保證了第一金屬凸點和第二金屬凸點的充分連接，提高了芯片與柔性電路板之間的導(dǎo)電性會泛。
[0028]如圖2，進(jìn)一步，本發(fā)明提供的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)，在柔性電路板2的金屬層上形成的多個焊盤7，焊盤7與第一金屬凸點5 —一對應(yīng)，導(dǎo)電膠柱3 —端連接第一金屬凸點5，另一端連接焊盤7。
[0029]通過在柔性電路板的金屬層形成焊盤，增加了柔性電路板對外電性連接的面積，同時通過金屬凸點和焊盤的連接、壓合，更加提高了芯片與柔性電路板之間的導(dǎo)電性能。
[0030]如圖3，進(jìn)一步，本發(fā)明提供的覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)，在柔性電路板的金屬層4上還包括形成的多個第三金屬凸點8，第三金屬凸點8與導(dǎo)電膠柱3 對應(yīng)，導(dǎo)電膠柱3一端連接第三金屬凸點8，另一端連接芯片1的功能區(qū)上。
[0031]上述結(jié)構(gòu)簡單，通過柔性電路板形成的第三金屬凸點壓合導(dǎo)電膠柱，使得柔性電路板與導(dǎo)電膠柱的接觸面積增大，從而增加了芯片與柔性電路板的通電性能。
[0032]如圖3，進(jìn)一步，本發(fā)明提供的導(dǎo)電膠柱3和第三金屬凸點8均為圓柱形，導(dǎo)電膠柱3的截面直徑大于第三金屬凸點8的截面直徑。這樣保證了通過第三金屬凸點的對導(dǎo)電膠柱的良好壓合，提高了芯片與柔性電路板之間的導(dǎo)電性能。。
[0033]如圖1、圖2、圖3進(jìn)一步，本發(fā)明提供的導(dǎo)電膠柱為異方向性導(dǎo)電膠(ACF)。這樣保證了芯片和柔性電路板之間的電性連接，又可以防止芯片或柔性電路板內(nèi)部之間的短路。
[0034]如圖1、圖2、圖3進(jìn)一步，本發(fā)明提供覆晶薄膜(C0F)封裝結(jié)構(gòu)包括在芯片1與柔性電路板2之間填充塑封底材料形成的塑封體9。通過設(shè)置塑封體，更好的固定芯片，更好的保護芯片不受外力損壞，更好的起到了防潮、防濕的作用。
[0035]以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項】
1.一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，包括柔性電路板、芯片，其特征在于，還包括導(dǎo)電膠層，所述柔性電路板的金屬層通過所述導(dǎo)電膠層連接所述芯片的功能區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電膠層為連接所述柔性電路板的金屬層和所述芯片的功能區(qū)的多個導(dǎo)電膠柱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 還包括在所述芯片的功能區(qū)上形成的多個第一金屬凸點，所述第一金屬凸點與所述導(dǎo)電膠柱一一對應(yīng)，所述導(dǎo)電膠柱一端連接所述第一金屬凸點，另一端連接所述柔性電路板的金屬層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括在所述柔性電路板的金屬層上形成的多個第二金屬凸點，所述第二金屬凸點與所述第一金屬凸點 對應(yīng)； 所述第二金屬凸點與所述第一金屬凸點通過所述導(dǎo)電膠柱電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電膠柱、第一金屬凸點和第二金屬凸點均為圓柱形，所述導(dǎo)電膠柱的截面直徑大于所述第一金屬凸點和所述第二金屬凸點的截面直徑。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括在所述柔性電路板的金屬層上形成的多個焊盤，所述焊盤與第一金屬凸點一一對應(yīng)，所述導(dǎo)電膠柱一端連接所述第一金屬凸點，另一端連接所述焊盤。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括在所述柔性電路板的金屬層上形成的多個第三金屬凸點，所述第三金屬凸點與所述導(dǎo)電膠柱一一對應(yīng)，所述導(dǎo)電膠柱一端連接所述第三金屬凸點，另一端連接所述芯片的功能區(qū)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電膠柱和第三金屬凸點均為圓柱形，所述導(dǎo)電膠柱的截面直徑大于所述第三金屬凸點的截面直徑。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電膠柱為異方向性導(dǎo)電膠。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括在芯片與柔性電路板之間填充塑封底材料形成的塑封體。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種覆晶薄膜(COF)封裝結(jié)構(gòu)，包括柔性電路板、芯片，還包括導(dǎo)電膠層，柔性電路板的金屬層通過所述導(dǎo)電膠層連接所述芯片的功能區(qū)。本發(fā)明提出一種新型結(jié)構(gòu)，既能解決在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中凸點(bump)高度難以控制且其制備工藝較難的問題，又能降低成本，提高封裝效率。
【IPC分類】H01L23/498, H01L23/488
【公開號】CN105405825
【申請?zhí)枴緾N201510907024
【發(fā)明人】石磊
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年12月9日