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      Oled器件的封裝結構的制作方法

      文檔序號:9812658閱讀:625來源:國知局
      Oled器件的封裝結構的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種封裝結構,具體是OLED器件的封裝結構。
      【背景技術】
      [0002]有機電致發(fā)光二極管(Organiclight-emittingd1des,OLED)器件因具有眾多突出優(yōu)點,在平板顯示與平面光源領域有著廣闊前景。柔性OLED更是未來的一個發(fā)展趨勢,將廣泛應用于可穿戴式設備。然而,OLED產品技術發(fā)展也受到器件壽命、出光效率不利因素的制約。用于形成OLED器件的有機功能材料在有水汽和氧氣存在的條件下,會發(fā)生不可逆的氧化反應,用于形成OLED器件的活潑金屬陰極在水氧環(huán)境下會被侵蝕,這在很大程度上縮短OLED的壽命。由于存在著表面等離子損失、有機-無機界面的波導損失、出光面-空氣界面的全反射損失,僅有約20%的光能出射到OLED器件之外,其余約80%的光線被限制在OLED器件內部,使得器件出光效率低下。
      [0003]如圖2所示,為了提高出光效率,現有技術提供了一種柔性OLED器件的封裝結構,包括設置于柔性基板10上待封裝的OLED器件11、無機保護層12、圍堰膜層13、微球冠層15以及填充膜層14,無機保護層包覆于所述OLED器件上,圍堰膜層閉合設置于無機保護層的四周,填充膜層設置于圍堰膜層與無機保護層之間并包覆于無機保護層上,微球冠層設置于填充膜層之上,本發(fā)明的封裝方法主要步驟為依次在柔性基板上形成OLED器件、無機保護層、圍堰膜層、填充膜層以及微球冠層OLED器件的壽命及出光率,本發(fā)明提供的封裝方法,具有較強的可操作性,能有效保證封裝精度,提高封裝效率。
      [0004]然而上述現有技術仍存在如下技術缺陷:
      所述無機保護層與填充膜層是采用激光封裝的方式進行封裝的,為了提高封裝材料對激光的吸收能力,通常需要向其中加入氧化鉍或者氧化釩等摻雜顆粒,而這些材料經激光固化后是黑色的,當其應用于透明顯示器件(當然也包括透明光源等其他器件)中時,會在外界可見,從而嚴重影響產品的美觀。

      【發(fā)明內容】

      [0005]本發(fā)明意在通過改良封裝材料,形成無色透明的OLED器件封裝結構。
      [0006]本方案中的OLED器件的封裝結構,包括柔性基板,設置于柔性基板上的OLED器件、無機保護層、圍堰膜層以及填充膜層,圍堰膜層呈環(huán)形,所述OLED器件、無機保護層與填充膜層均設于圍堰膜層內,所述無機保護層與填充膜層依次包覆于所述OLED器件上,所述圍堰膜層緊密貼合在所述填充膜層的周側;所述無機保護層內摻入有摻雜顆粒,所述摻雜顆粒為氧化鋁、氮化硅與三氧化二鋱的混合物。
      [0007]三氧化二鋱主要吸收紅外光和紫外光,故可見光范圍內無吸收,由此其經特定波長的激光(如紅外激光或紫外激光)熔融并且固化后是無色透明的,不會影響透明顯示器件的美觀性。將三氧化二鋱與氧化鋁、氮化硅配伍形成摻雜顆粒的組合物,然后用激光封裝方式所形成的封裝層(無機保護層與填充膜層)均為無色透明的形態(tài)。
      [0008]進一步,所述填充膜層分為近OLED層與遠OLED層,近OLED層內摻雜顆粒的粒徑在12?34納米之間,遠OLED層內摻雜顆粒的粒徑在570?1200納米之間。
      [0009]近OLED層的摻雜顆粒粒徑小于遠OLED層,這樣近OLED層的整體折射率大于填充膜層的整體折射率,其中近OLED層相對靠近OLED器件,因此,發(fā)光二極管發(fā)出的光線會先通過折射率較高的近OLED層,進而提高整體出光量。接著,光線再通過遠OLED層而被摻雜顆粒粒子散射,進而產生均勻的出光效果。
      [0010]進一步,所述圍堰膜層的寬度為0.5?1.5皿1,高度為50?ΙΟΟμπι,圍堰膜層采用光敏樹脂,粘度為550000?650000mPa*s。
      [0011 ] 進一步,所述摻雜顆粒在近OLED層與遠OLED層中的質量濃度均介于0.0Olwt %與0.5wt% 之間。
      [0012]摻雜顆粒的質量濃度太低,會降低無機保護層的折射率以及填充膜層的散射率;如果質量濃度太高,摻雜顆粒容易凝聚而造成遮光效應,影響出光效果。
      【附圖說明】
      [0013]圖1為本發(fā)明實施例OLED器件的封裝結構的結構示意圖;
      圖2為現有技術中OLED器件的封裝結構的結構示意圖。
      [0014]圖3為本發(fā)明中填充膜層與其他封裝材料層關于O2滲透性的對比檢測圖。
      [0015]圖中圓點表示本發(fā)明的填充膜層,三角形表示其他封裝材料層。
      【具體實施方式】
      [0016]下面通過【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
      說明書附圖中的附圖標記包括:柔性基板1、OLED器件11、無機保護層12、圍堰膜層
      13、微球冠層15、填充膜層14。
      [0017]實施例一
      本實施例基本如附圖1所示:本實施例OLED器件的封裝結構,包括:柔性基底、OLED器件
      11、無機保護層12、填充膜層14、微球冠層15以及圍堰膜層13,柔性基底用于承托OLED器件11,0LED器件11上覆蓋無機保護層,圍堰膜層13閉合包圍設置于柔性基底OLED器件11區(qū)域的四周,填充膜層14設置于圍堰膜層13和無機保護層12之間并完全覆蓋于無機保護層12,微球冠層15設置于填充膜層14上,并與填充膜層14緊密相連。
      [0018]在本實施例中,圍堰膜層13的寬度為0.5?1.5皿1,高度為50?ΙΟΟμπι,采用光敏樹月旨,粘度為550000?650000mPa.S。填充膜層14采用環(huán)氧樹脂或聚合物單體,粘度為250?350mPa.S。微球冠層15均采用環(huán)氧樹脂膠或聚合物單體膠,粘度為220000?320000mPa.s,聚合物單體膠包括丙烯酸酯單體、含氟丙烯酸酯單體、丙烯酰胺單體。無機保護層12為氧化硅。柔性基板10的材料可以是聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、高分子聚乙烯、烯烴聚合物等。
      [0019]本發(fā)明還提供了上述柔性OLED器件封裝結構的封裝方法,包括以下步驟:
      通過光刻和刻蝕方法在柔性基板10上的OLED器件11區(qū)域形成薄膜晶體管陣列,薄膜晶體管陣列用于驅動OLED器件11,薄膜晶體管的類型不作限制,可以是非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管或有機薄膜晶體管,制作OLED器件11為本技術領域的公知常識,由于對OLED器件11并沒有特殊的要求,因此OLED器件11的制作方法不再贅述,OLED器件11可以是頂發(fā)光或雙面發(fā)光,發(fā)光的顏色可以是單色、彩色或白色。
      [0020]在柔性基板10上包覆
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