可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，包括矩形的導(dǎo)電體，導(dǎo)電體中設(shè)有正電荷存儲(chǔ)體，該正電荷存儲(chǔ)體中存儲(chǔ)有正電荷。所述正電荷存儲(chǔ)體的截面為矩形，且所述導(dǎo)電體與所述正電荷存儲(chǔ)體的矩形截面的長邊及寬邊分別平行，且兩矩形的中心重合；導(dǎo)電體和正電荷存儲(chǔ)體之間設(shè)有絕緣層，導(dǎo)電體外部設(shè)有外部絕緣層；當(dāng)導(dǎo)電體通過交流電時(shí)，正電荷存儲(chǔ)體中的正電荷可將導(dǎo)電體外表層的部分自由導(dǎo)電電子吸引到導(dǎo)電體的內(nèi)部，從而使導(dǎo)電體內(nèi)流動(dòng)的電子分布趨于均勻，降低導(dǎo)電體外表層中影響電子流動(dòng)的交流電阻，降低電能損耗，提高矩形導(dǎo)體的使用效率。
【專利說明】 可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種矩形導(dǎo)體，特別是涉及一種內(nèi)置正電荷存儲(chǔ)體并可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的矩形導(dǎo)體，在傳輸頻率較高的交流電的過程中，存在著“趨膚效應(yīng)”，即，矩形導(dǎo)體傳輸交流電時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)部電流分布不均勻，電流集中在導(dǎo)體外表層，而導(dǎo)體內(nèi)部電流較?。悔吥w效應(yīng)增加了導(dǎo)體的交流電阻，造成了額外的電能損耗，且降低了導(dǎo)體的利用效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于上述原因，本發(fā)明的目的在于提供一種可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，該矩形導(dǎo)體傳輸較高頻率交流電時(shí)，能使流動(dòng)的電子在導(dǎo)電體中趨于均勻分布，進(jìn)而降低矩形導(dǎo)體外表層中的交流電阻，降低電能損耗，提高矩形導(dǎo)體的利用率。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，包括矩形的導(dǎo)電體，
[0006]所述導(dǎo)電體中設(shè)有正電荷存儲(chǔ)體，該正電荷存儲(chǔ)體中存儲(chǔ)有正電荷。
[0007]進(jìn)一步的，
[0008]所述正電荷存儲(chǔ)體的截面為矩形，且所述導(dǎo)電體和所述正電荷存儲(chǔ)體的矩形截面的長邊及寬邊分別平行，且兩矩形的中心重合。
[0009]所述正電荷存儲(chǔ)體由若干圓形的子正電荷存儲(chǔ)體構(gòu)成，每個(gè)子正電荷存儲(chǔ)體中均存儲(chǔ)有正電荷；若干圓形的子正電荷存儲(chǔ)體的圓形截面積相等，且每個(gè)圓形的子正電荷存儲(chǔ)體的圓心均勻分布于所述導(dǎo)電體的寬邊中心線上。
[0010]所述正電荷存儲(chǔ)體由若干矩形的子正電荷存儲(chǔ)體構(gòu)成，每個(gè)子正電荷存儲(chǔ)體中均存儲(chǔ)有正電荷；若干矩形的子正電荷存儲(chǔ)體的矩形截面積相等，且每個(gè)矩形的子正電荷存儲(chǔ)體的寬邊中心線與所述導(dǎo)電體的寬邊中心線重合。
[0011]所述正電荷存儲(chǔ)體與所述導(dǎo)電體之間設(shè)有絕緣層，所述子正電荷存儲(chǔ)體與所述導(dǎo)電體之間設(shè)有子絕緣層。
[0012]所述導(dǎo)電體外部設(shè)有外部絕緣層。
[0013]所述導(dǎo)電體由良導(dǎo)體材料制成，所述絕緣層、子絕緣層及外部絕緣層均由絕緣材料制成，所述正電荷存儲(chǔ)體、子正電荷存儲(chǔ)體均由非良導(dǎo)體材料制成。
[0014]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0015]本發(fā)明的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，在傳輸較高頻率交流電時(shí)，能使流動(dòng)的電子在導(dǎo)電體中趨于均勻分布，進(jìn)而降低矩形導(dǎo)體外表層中的交流電阻，降低電能損耗，提高矩形導(dǎo)體的利用率。【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明一具體實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是圖1的剖面圖。
[0018]圖3是本發(fā)明第二具體實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4是圖3的剖面圖。
[0020]圖5是本發(fā)明第三具體實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖6是圖5的剖面圖。
[0022]圖7是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖8是圖7的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0025]圖1是本發(fā)明一具體實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1的剖面圖。如圖所示，本發(fā)明公開的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，包括導(dǎo)電體1，導(dǎo)電體I中設(shè)有正電荷存儲(chǔ)體2，該正電荷存儲(chǔ)體2中存儲(chǔ)有正電荷，當(dāng)導(dǎo)電體I通過交流電時(shí)，正電荷存儲(chǔ)體2中的正電荷可將導(dǎo)電體I外表層的部分自由導(dǎo)電電子吸引到導(dǎo)電體I的內(nèi)部，從而使導(dǎo)電體內(nèi)流動(dòng)的電子分布趨于均勻，降低導(dǎo)電體外表層中影響電子流動(dòng)的交流電阻，降低電能損耗，提高矩形導(dǎo)體的使用效率；
[0026]導(dǎo)電體I和正電荷存儲(chǔ)體2之間還設(shè)有絕緣層3，該絕緣層3用于防止正電荷存儲(chǔ)體2中的正電荷跑入導(dǎo)電體I ;如圖1所示，正電荷存儲(chǔ)體2設(shè)于矩形的導(dǎo)電體I的中央，且其截面同為矩形，導(dǎo)電體I和正電荷存儲(chǔ)體2的矩形截面的長邊及寬邊分別平行，且兩矩形的中心重合。
[0027]圖3是本發(fā)明第二具體實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是圖3的剖面圖。如圖所示，于一具體實(shí)施例中，正電荷存儲(chǔ)體2由設(shè)于導(dǎo)電體I中的若干圓形的子正電荷存儲(chǔ)體21構(gòu)成，每個(gè)子正電荷存儲(chǔ)體21中均存儲(chǔ)有正電荷；若干圓形的子正電荷存儲(chǔ)體21的圓形截面積相等，且每個(gè)圓形的子正電荷存儲(chǔ)體21的圓心均勻分布于矩形的導(dǎo)電體I的寬邊中心線上；每個(gè)圓形的子正電荷存儲(chǔ)體21與導(dǎo)電體I之間均設(shè)有圓形的子絕緣層31，用于防止每個(gè)圓形的子正電荷存儲(chǔ)體21中的正電荷跑入導(dǎo)電體I。
[0028]圖5是本發(fā)明第三具體實(shí)施例的矩形導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖，圖6是圖5的剖面圖。如圖所不，于又一具體實(shí)施例中，正電荷存儲(chǔ)體2由設(shè)于導(dǎo)電體I中的若干矩形的子正電荷存儲(chǔ)體22構(gòu)成，每個(gè)子正電荷存儲(chǔ)體22中均存儲(chǔ)有正電荷；若干矩形的子正電荷存儲(chǔ)體22的矩形截面積相等，且每個(gè)矩形的子正電荷存儲(chǔ)體22的寬邊中心線與矩形的導(dǎo)電體I的寬邊中心線重合并且均勻分布于導(dǎo)電體I的寬邊中心線上；每個(gè)矩形的子正電荷存儲(chǔ)體22與導(dǎo)電體I之間均設(shè)有矩形的子絕緣層32，用于防止每個(gè)矩形的子正電荷存儲(chǔ)體22中的正電荷跑入導(dǎo)電體I。
[0029]如圖7及圖8所示,于優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電體I外還設(shè)有外部絕緣層4。
[0030]其中，導(dǎo)電體I由良導(dǎo)體材料(如銅)制成，絕緣層、圓形的子絕緣層31、矩形的子絕緣層32及外部絕緣層4均由絕緣材料(如:聚乙烯，聚氯乙烯)制成，正電荷存儲(chǔ)體2、圓形的子正電荷存儲(chǔ)體21、矩形的子正電荷存儲(chǔ)體22均由非良導(dǎo)體材料(如，硅)制成。[0031]需要說明的是，在上述第一、第二、第三具體實(shí)施例中，正電荷存儲(chǔ)體、子正電荷存儲(chǔ)體中存儲(chǔ)的正電荷數(shù)量，與正電荷存儲(chǔ)體、子正電荷存儲(chǔ)體的截面積及其所使用的材料，絕緣層、子絕緣層厚度及其所使用的材料，以及導(dǎo)電體通過的電流、電壓等有關(guān)，不同的材料對應(yīng)不同的計(jì)算方法，且各種適用材料對應(yīng)的計(jì)算方法已屬于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明中不再--列舉贅述。
[0032]本發(fā)明的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體的制作方法是:
[0033]先使用非良導(dǎo)體材料制作正電荷存儲(chǔ)體(或子正電荷存儲(chǔ)體)，然后在正電荷存儲(chǔ)體(或子正電荷存儲(chǔ)體)中注入正電荷(也可在制作過程中注入正電荷)；在正電荷存儲(chǔ)體(或子正電荷存儲(chǔ)體)的外表面緊密結(jié)合薄的絕緣層(或子絕緣層)，然后將帶有絕緣層(或子絕緣層)的正電荷存儲(chǔ)體(或子正電荷存儲(chǔ)體)放入模具中，通過擠壓拉伸或其它工藝技術(shù)，在絕緣層(或子絕緣層)外緊密結(jié)合導(dǎo)電體，最后在導(dǎo)電體外緊密結(jié)合外部絕緣層，最終制成帶有正電荷存儲(chǔ)體的矩形導(dǎo)體。
[0034]使用本發(fā)明的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體時(shí)，只要將其導(dǎo)電體與其它導(dǎo)體、或接線端、或交流電源連接即可。
[0035]以上所述是本發(fā)明的較佳實(shí)施例及其所運(yùn)用的技術(shù)原理，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，任何基于本發(fā)明技術(shù)方案基礎(chǔ)上的等效變換、簡單替換等顯而易見的改變，均屬于本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，包括矩形的導(dǎo)電體，其特征在于: 所述導(dǎo)電體中設(shè)有正電荷存儲(chǔ)體，該正電荷存儲(chǔ)體中存儲(chǔ)有正電荷。
2.如權(quán)利要求1所述的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，其特征在于: 所述正電荷存儲(chǔ)體的截面為矩形，且所述導(dǎo)電體和所述正電荷存儲(chǔ)體的矩形截面的長邊及寬邊分別平行，且兩矩形的中心重合。
3.如權(quán)利要求1所述的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，其特征在于: 所述正電荷存儲(chǔ)體由若干圓形的子正電荷存儲(chǔ)體構(gòu)成，每個(gè)子正電荷存儲(chǔ)體中均存儲(chǔ)有正電荷；若干圓形的子正電荷存儲(chǔ)體的圓形截面積相等，且每個(gè)圓形的子正電荷存儲(chǔ)體的圓心均勻分布于所述導(dǎo)電體的寬邊中心線上。
4.如權(quán)利要求1所述的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，其特征在于； 所述正電荷存儲(chǔ)體由若干矩形的子正電荷存儲(chǔ)體構(gòu)成，每個(gè)子正電荷存儲(chǔ)體中均存儲(chǔ)有正電荷；若干矩形的子正電荷存儲(chǔ)體的矩形截面積相等，且每個(gè)矩形的子正電荷存儲(chǔ)體的寬邊中心線與所述導(dǎo)電體的寬邊中心線重合。
5.如權(quán)利要求2或3或4所述的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，其特征在于: 所述正電荷存儲(chǔ)體與所述導(dǎo)電體之間設(shè)有絕緣層，所述子正電荷存儲(chǔ)體與所述導(dǎo)電體之間設(shè)有子絕緣層。
6.如權(quán)利要求5所述的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，其特征在于: 所述導(dǎo)電體外部設(shè)有外部絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的可降低交流電阻的矩形導(dǎo)體，其特征在于: 所述導(dǎo)電體由良導(dǎo)體材料制成，所述絕緣層、子絕緣層及外部絕緣層均由絕緣材料制成，所述正電荷存儲(chǔ)體、子正電荷存儲(chǔ)體均由非良導(dǎo)體材料制成。
【文檔編號(hào)】H01B7/30GK104036857SQ201410202778
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月14日
【發(fā)明者】張念魯 申請人:北京聯(lián)合大學(xué)