一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，本發(fā)明能夠有效去除硅片表面粘附的金屬銀漿或鋁漿漿料，確保硅片表面的潔凈度，防止金屬漿料使電池片漏電嚴(yán)重，本發(fā)明將絲網(wǎng)印刷工序中返工硅片的失效片比例由25%降低到了2%，提高返工片處理的成品率，提高了產(chǎn)品良率。
【專利說(shuō)明】—種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅片處理方法，具體涉及一種光伏電池絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，太陽(yáng)能電池的一般制作流程為制絨、擴(kuò)散、邊緣刻蝕、去磷硅玻璃、PECVD鍍膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、測(cè)試，該制作流程中的絲網(wǎng)印刷工序?yàn)樵诠杵舷卤砻娣謩e刷上銀漿和鋁漿，形成電極起到收集電流的作用，在光伏電池的絲網(wǎng)印刷過(guò)程中，由于機(jī)械、漿料以及人為因素等原因容易造成印刷不良率過(guò)高，印刷不良品如果不進(jìn)行處理而直接進(jìn)行太陽(yáng)能電池片制作，會(huì)導(dǎo)致制成的太陽(yáng)能電池外觀或者電性能參數(shù)異常，甚至導(dǎo)致太陽(yáng)能電池片失效，從而影響最終產(chǎn)片的合格率以及其工作效率。
[0003]目前，針對(duì)絲網(wǎng)印刷工序常用的返工方法為:采用有機(jī)溶劑手工擦拭異常硅片表面的金屬漿料，之后再對(duì)硅片表面進(jìn)行重新印刷。這種方法是利用有機(jī)溶劑具有溶解有機(jī)物的能力，達(dá)到溶解硅片表面印刷的金屬漿料的目的，但由于硅片表面和側(cè)面凹凸不平，采用手工擦拭，極易導(dǎo)致硅片表面和側(cè)面細(xì)小凹坑內(nèi)的金屬漿料不能夠被完全去除，效果不佳，且需要大量人力，工作效率不高。
[0004]故，需要一種新的技術(shù)方案以解決上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明目的:針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種光伏電池絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，應(yīng)用于清洗絲網(wǎng)印刷返工硅片表面殘留的金屬漿料，有效提聞太陽(yáng)能電池片良率。
[0006]技術(shù)方案:為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，包括以下步驟:
a.用有機(jī)溶劑對(duì)硅片表面印刷的金屬漿料進(jìn)行均勻的擦拭；
b.將步驟a中擦拭后的硅片放入混酸溶液中清洗；
c.將步驟b中清洗過(guò)的硅片放入超純水中進(jìn)行沖洗；
d.將步驟c中沖洗后的硅片進(jìn)行超純水中進(jìn)行噴淋水洗；
e.將噴淋水洗后的硅片烘干；
f.烘干后的硅片重新進(jìn)行絲網(wǎng)印刷；
其中步驟c，步驟d可重復(fù)多次進(jìn)行。
[0007]作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)化，所述步驟a中的有機(jī)溶劑包括酒精、松油醇或異丙酮。
[0008]作為本發(fā) 明的進(jìn)一步優(yōu)化，所述步驟a中的金屬漿料包括銀鋁漿、銀漿或鋁漿。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化，所述步驟b中的混酸溶液由鹽酸、硝酸和水混合而成，混酸中鹽酸的質(zhì)量百分濃度為3-20%，硝酸的質(zhì)量百分濃度為15-55%，鹽酸和硝酸的質(zhì)量百分濃度之和不大于65%。[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化，所述步驟b中將硅片放入混酸溶液中清洗3-20 min，混酸溶液的溫度為8-45°C。
[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化，所述步驟c中硅片放入超純水沖洗2_7min。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化，所述步驟d中硅片放入超純水噴淋水洗2_5min。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化，所述步驟e中將噴淋水洗后的硅片放入烤箱中烘干8-25min，烤箱溫度控制在80-110°C。
[0014]有益效果:本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)為:本發(fā)明能夠有效去除硅片表面粘附的金屬銀漿或鋁漿漿料，確保硅片表面的潔凈度，防止金屬漿料使電池片漏電嚴(yán)重，本發(fā)明將絲網(wǎng)印刷工序中返工硅片的失效片比例由25%降低到了 2%，提高返工片處理的成品率，提高了產(chǎn)品良率，本處理方法步驟簡(jiǎn)單，操作方便，成本小。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0016]實(shí)施例1:
用酒精對(duì)返工硅片表面的金屬漿料進(jìn)行均勻地適度擦拭，將質(zhì)量百分濃度為37%的HC1、質(zhì)量百分濃度為69%的HNO3和水按照質(zhì)量比為8:80:12均勻混合得到混酸溶液，得到的混酸溶液中鹽酸質(zhì)量百分濃度為3%，硝酸質(zhì)量百分濃度為55%，將擦拭后的硅片放入混酸溶液中進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為3分鐘，溶液溫度控制為45°C，將被混酸溶液清洗過(guò)的硅片放入超純水O 18ΜΩ )中進(jìn)行第一次沖洗，時(shí)間為2分鐘，將第一次沖洗后的硅片放入超純水O 18ΜΩ )中進(jìn)行第二次噴淋水洗，時(shí)間為5分鐘，將水洗后的硅片放入烘箱烘干8分鐘，烘箱溫度控制在110攝氏度，對(duì)烘干后的硅片重新進(jìn)行絲網(wǎng)印刷制做電池片。
[0017]經(jīng)過(guò)上述步驟加工處理后的硅片失效率在1%上下。
[0018]實(shí)施例2:
用松油醇對(duì)硅片表面的的金屬漿料進(jìn)行均勻適度擦拭，將質(zhì)量百分濃度為37%的HC1、質(zhì)量百分濃度為69%的HNO3和水按照質(zhì)量比為68:22:10均勻混合得到混酸溶液，得到的混酸溶液中鹽酸質(zhì)量百分濃度為25%，硝酸質(zhì)量百分濃度為15%，將擦拭后的硅片放入混酸溶液中進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間控制在20分鐘，溶液溫度為8°C，將被混酸溶液清洗過(guò)的硅片放入超純水O 18ΜΩ )中進(jìn)行沖洗，時(shí)間為7分鐘，將沖洗后的硅片放入超純水O 18ΜΩ )中進(jìn)行第二次噴淋水洗，時(shí)間為2分鐘，將水洗后的硅片放入烘箱烘干25分鐘，烘箱溫度為80°C，對(duì)烘干后的硅片重新進(jìn)行絲網(wǎng)印刷制做電池片。
[0019]經(jīng)過(guò)上述步驟加工處理后的硅片失效率在2%上下。
[0020]實(shí)施例3:
用異丙醇對(duì)硅片表面的金屬漿料進(jìn)行均勻適度擦拭，將質(zhì)量百分濃度為37%的HC1、質(zhì)量百分濃度為69%的HNO3和水按照質(zhì)量比為38:51:11均勻混合得到混酸溶液，得到的混酸溶液中鹽酸質(zhì)量百分濃度為14%的HCl和硝酸質(zhì)量百分濃度為35%，將擦拭后的硅片放入混酸溶液中進(jìn)行清洗，清洗時(shí)間為12分鐘，溶液溫度為26度，將被混酸溶液清洗過(guò)的硅片放入超純水O 18ΜΩ )中進(jìn)行沖洗，時(shí)間為4分鐘，將第一次沖洗后的硅片放入超純水 18ΜΩ )中進(jìn)行第二次噴淋水洗，時(shí)間為3分鐘，將水洗后的硅片放入烘箱烘干15分鐘，烘箱溫度為95度，對(duì)烘干后的硅片重新進(jìn)行絲網(wǎng)印刷制做電池片。
[0021]經(jīng)過(guò)上述步驟加工處理后的硅片失效率在1.5%上下。
【權(quán)利要求】
1.一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:采用如下步驟: a.用有機(jī)溶劑對(duì)硅片表面印刷的金屬漿料進(jìn)行均勻的擦拭； b.將步驟a中擦拭后的硅片放入混酸溶液中清洗； c.將步驟b中清洗過(guò)的硅片放入超純水中進(jìn)行沖洗； d.將步驟c中沖洗后的娃片放入超純水中進(jìn)行噴淋水洗； e.將噴淋水洗后的硅片烘干； f.烘干后的硅片重新進(jìn)行絲網(wǎng)印刷； 其中步驟c，步驟d可重復(fù)多次進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟a中的有機(jī)溶劑包括酒精、松油醇或異丙酮。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟a中的金屬漿料包括銀鋁漿、銀漿或鋁漿。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟b中的混酸溶液由由鹽酸、硝酸和水混合而成，混酸溶液中鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為3-20%，硝酸的質(zhì)量百分比濃度為15-55%，鹽酸和硝酸的質(zhì)量百分比濃度之和不大于超過(guò)65%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟b中將硅片放入混酸溶液中清洗3-20 min,混酸溶液的溫度為8_45°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟c中硅片放入超純水沖洗2-7min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟d中娃片放入超純水噴淋水洗2-5min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絲網(wǎng)印刷返工硅片的處理方法，其特征在于:所述步驟e中將噴淋水洗后的硅片放入烤箱中烘干8-25min，烤箱溫度控制在80_110°C。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104009122SQ201410224668
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月26日
【發(fā)明者】陳同銀, 劉仁中, 張斌, 邢國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)人:奧特斯維能源（太倉(cāng)）有限公司