顯示器件及其邦定方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種顯示器件的邦定方法及由上述邦定方法制成的顯示器件。所述顯示器件包括基板及設(shè)于基板上的邦定件，基板上設(shè)有與邦定件對(duì)應(yīng)的邦定區(qū)。所述顯示器件的邦定方法包括：于基板邦定區(qū)覆蓋各向異性導(dǎo)電膜；原子層沉積并形成原子層沉積層；對(duì)覆蓋各向異性導(dǎo)電膜的位置進(jìn)行穿刺；及將邦定件邦定至各向異性導(dǎo)電膜。上述顯示器件邦定方法，使用原子層沉積技術(shù)對(duì)基板進(jìn)行封裝，并將邦定件的邦定工藝過(guò)程設(shè)定在各向異性導(dǎo)電膜沉積之后，通過(guò)對(duì)覆蓋各向異性導(dǎo)電膜的位置進(jìn)行穿刺進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基板與邦定件之間的邦定。這種邦定方法無(wú)需對(duì)原子層沉積層進(jìn)行圖形化處理，就可以實(shí)現(xiàn)顯示器件的有效邦定，簡(jiǎn)化了顯示器件的邦定工藝并降低了生產(chǎn)成本。
【專利說(shuō)明】顯示器件及其邦定方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種顯示器件的邦定方法及使用該方法所制成的顯示器件。

【背景技術(shù)】
[0002]原子層沉積(ALD:Atomic Layer Deposit1n)技術(shù)具有極高的包裹性及臺(tái)階覆蓋性，是一種用于OLED領(lǐng)域的新型封裝技術(shù)，通過(guò)ALD封裝后的0LED，具有極高的耐水性及耐腐蝕性。傳統(tǒng)OLED在ALD封裝前，通常需要將OLED上待邦定芯片(IC)和電路板的邦定區(qū)進(jìn)行掩膜處理，然而，由于ALD技術(shù)具有極高的包裹性及臺(tái)階覆蓋性，在經(jīng)過(guò)ALD后，上述被掩膜的邦定區(qū)仍有可能被ALD沉積層污染，從而導(dǎo)致邦定區(qū)無(wú)法與芯片(IC)或電路板正常接觸。另外，由于OLED對(duì)水的高度敏感性，也沒(méi)有辦法利用光刻技術(shù)對(duì)上述邦定區(qū)的ALD沉積層進(jìn)行處理。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對(duì)上述問(wèn)題，提供了一種無(wú)需對(duì)ALD沉積層進(jìn)行圖形化處理，就可以實(shí)現(xiàn)顯示器件有效邦定的邦定方法及使用該方法所制成的顯示器件。
[0004]一種顯示器件的邦定方法，所述顯示器件包括基板及設(shè)于所述基板上的邦定件，所述基板上設(shè)有與所述邦定件對(duì)應(yīng)的邦定區(qū)；具體包括如下步驟:
[0005]于基板邦定區(qū)形成各向異性導(dǎo)電膜；
[0006]原子層沉積并形成原子層沉積層；
[0007]對(duì)形成各向異性導(dǎo)電膜的位置進(jìn)行穿刺；
[0008]將邦定件邦定至各向異性導(dǎo)電膜。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述于基板邦定區(qū)形成各向異性導(dǎo)電膜的步驟中，所述形成方式包括貼合、涂覆或壓印。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述原子層沉積并形成原子層沉積層的步驟中包括至少兩次原子層沉積的步驟。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述原子層沉積層的厚度為10-500nm。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述原子層沉積層的厚度為50nm。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述原子層沉積并形成原子層沉積層的步驟中，通過(guò)氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成所述原子層。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)形成各向異性導(dǎo)電膜的位置進(jìn)行穿刺的步驟中包括:通過(guò)穿刺元件刺穿所述原子層并暴露出所述各向異性導(dǎo)電膜。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述穿刺元件為帶針尖的滾輪、滾球或針板。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述將邦定件邦定至各向異性導(dǎo)電膜的步驟包括:通過(guò)熱壓將所述邦定件邦定在經(jīng)過(guò)穿刺的所述各向異性導(dǎo)電膜上。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述邦定件為芯片及電路板中的至少一種。
[0018]一種顯示器件，采用上述任一項(xiàng)實(shí)施例中所述顯示器件的邦定方法制成。
[0019]上述顯示器件邦定方法，使用ALD技術(shù)對(duì)基板進(jìn)行封裝，并將邦定件的邦定工藝過(guò)程設(shè)定在ACF沉積之后，通過(guò)對(duì)形成ACF的位置進(jìn)行穿刺進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基板與邦定件之間的邦定。這種邦定方法無(wú)需對(duì)ALD進(jìn)行圖形化處理，就可以實(shí)現(xiàn)顯示器件的有效邦定，并簡(jiǎn)化了顯示器件的邦定工藝，進(jìn)一步降低了顯示器件的生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為OLED的基本結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為OLED邦定區(qū)邦定后的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為OLED的邦定步驟；
[0023]圖4為OLED的邦定流程。

【具體實(shí)施方式】
[0024]請(qǐng)參圖1，本實(shí)施方式揭示了一種0LED100，其主要包括基板110。基板110上設(shè)有發(fā)光區(qū)111、引線區(qū)112以及邦定區(qū)113。其中發(fā)光區(qū)111位于基板110中央，并用于OLED的圖像顯示，其順次設(shè)置有陽(yáng)極層、有機(jī)功能層以及陰極層。引線區(qū)112為陽(yáng)極引線以及陰極引線的布線區(qū)，引線區(qū)112內(nèi)的陽(yáng)極引線、陰極引線通過(guò)邦定區(qū)113與芯片(IC)或與電路板等邦定件邦定。需要指出的是，本實(shí)施方式的OLED為單邊邦定型，即將所有陰極引線，所有陽(yáng)極引線集中到一邊與驅(qū)動(dòng)芯片或電路板邦定，在其它實(shí)施方式中，OLED可以為雙邊邦定型(即將所有陰極引線集中到一邊與陰極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行邦定，所有陽(yáng)極引線集中到另一邊與陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)芯片或電路板邦定)、三邊邦定型(即將所有陽(yáng)極引線集中到一邊與陽(yáng)極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行邦定，陽(yáng)極引線分奇數(shù)行及偶數(shù)行分別進(jìn)行邦定)或四邊邦定型(即將陽(yáng)極引線分奇數(shù)行及偶數(shù)行分別進(jìn)行邦定，陰極引線也分奇數(shù)行及偶數(shù)行分別進(jìn)行邦定)，在此不作具體限定。
[0025]請(qǐng)參圖2,揭示了上述0LED100邦定區(qū)113經(jīng)過(guò)邦定后的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖，該0LED100由底部至頂部順次設(shè)置有基板110、原子層沉積(ALD)層120、各向異性導(dǎo)電膜(ACF)層130及邦定件140。其中，ACF130設(shè)置在基板110上的邦定區(qū)113上，而ALD120覆蓋在基板110上除邦定區(qū)113以外的其它區(qū)域上。邦定件140為與邦定區(qū)113電性連接的IC或電路板，通常情況下，在OLED制程中，上述電路板優(yōu)選為軟性電路板(FPC)。
[0026]本實(shí)施方式中所采用的ALD技術(shù)是能夠?qū)⑽镔|(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨迳希捎谄淠軌蛞栽幽さ男问藉冊(cè)诨迳?，因此確保了由ALD技術(shù)所鍍的膜層具有極高的致密性，能夠完全隔絕外界水汽和氧氣透過(guò)基板110，并有效保護(hù)引線。從而使得0LED100具有極高耐水性及抗腐蝕性能。并且，采用上述ALD技術(shù)所鍍的膜層具有極高的臺(tái)階覆蓋性，膜層厚度可控且能夠確保鍍膜的均勻性。
[0027]請(qǐng)參圖3及圖4，揭示了 OLED的邦定流程及相應(yīng)步驟，其具體包括如下步驟:
[0028]SllO:于基板邦定區(qū)形成ACF層。具體步驟如下:
[0029]Slll:取一待封裝，待邦定的基板，請(qǐng)參圖3-1。
[0030]S112:在上述基板的邦定區(qū)域上形成有ACF層，請(qǐng)參圖3_2，該形成方式包括有貼合、涂覆或壓印方式等。
[0031]S120:ALD并形成ALD沉積層。具體步驟如下:
[0032]S121:將上述形成有ACF層的基板放置到ALD反應(yīng)器內(nèi)。
[0033]S122:通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器中，并在基板上化學(xué)吸附并反應(yīng)，進(jìn)而沉積第一層ALD沉積層。當(dāng)前軀體達(dá)到沉積基板表面，它們會(huì)在基板表面化學(xué)吸附并在基板表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在前驅(qū)體脈沖之間還需用惰性氣體對(duì)ALD反應(yīng)器進(jìn)行清洗。
[0034]S123:根據(jù)基板上實(shí)際所需ALD沉積層的厚度重復(fù)S122步驟，并沉積多層ALD沉積層。
[0035]在ALD沉積過(guò)程中，新一層沉積層的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層沉積層相關(guān)聯(lián)的，這種方式能夠使每次反應(yīng)只沉積一層原子，由于沉積的每一周期具有自約束性，因此對(duì)于沉積層的厚度生長(zhǎng)的控制要容易的多，并且，ALD是在低于350°C的溫度下進(jìn)行的，相比較其它薄膜沉積技術(shù)(如化學(xué)氣相沉積所要求的沉積溫度高于60(TC)而言，這種技術(shù)能夠減少基板的溫度損傷，且對(duì)基板的污染較低。優(yōu)選方案中，基板上所沉積的ALD沉積層的厚度為10-500nm，優(yōu)選方案中，ALD沉積層的厚度為50nm。請(qǐng)參圖3_3，經(jīng)過(guò)ALD沉積后，ALD沉積層覆蓋了整個(gè)基板表面。
[0036]S130:對(duì)覆蓋有ACF的位置進(jìn)行穿刺。具體步驟如下:
[0037]S131:根據(jù)基板上所沉積的ALD沉積層的厚度選取穿刺元件。本實(shí)施方式中所使用的穿刺元件為帶針尖的滾輪，在其它實(shí)施方式中，還可以選取針板、針球等穿刺元件。穿刺元件的長(zhǎng)度須大于ALD沉積層的厚度，這樣才能夠在后續(xù)制程中對(duì)ALD沉積層進(jìn)行穿刺作用，并且，穿刺元件的長(zhǎng)度還須小于ALD沉積層與ACF的整體厚度之和，在穿刺過(guò)程中，這種長(zhǎng)度不會(huì)損傷基板上的陽(yáng)極引線或陰極引線。
[0038]S132:通過(guò)穿刺元件對(duì)沉積有原子層的ACF進(jìn)行穿刺，并刺穿所述ALD沉積層。如可以通過(guò)將帶針尖的滾輪在ACF上方的ALD沉積層上滾過(guò)，從而將ALD沉積層刺破，并使其呈現(xiàn)不連續(xù)狀態(tài)。請(qǐng)參圖3-4。上述穿刺方法可以使用機(jī)械方式實(shí)現(xiàn)，也可以使用手工碾壓方式實(shí)現(xiàn)。經(jīng)過(guò)穿刺元件針刺的針刺孔密度越大越好，從而能夠確保邦定件與ACF內(nèi)的導(dǎo)電粒子充分接觸。
[0039]S140:將邦定件邦定至ACF。即通過(guò)熱壓將邦定件邦定在經(jīng)過(guò)穿刺的ACF上。此時(shí)，導(dǎo)電粒子通過(guò)被破壞的ALD沉積層與邦定件接觸，導(dǎo)電粒子將邦定件的各Pin引腳與其所對(duì)應(yīng)在基板上的PAD連接。其中，本實(shí)施方式中所述的邦定件可以為芯片、電路板中的至少一種。在OLED制程中，上述電路板優(yōu)選為FPC。
[0040]上述OLED的邦定方法，通過(guò)對(duì)覆蓋有ACF的位置進(jìn)行穿刺從而實(shí)現(xiàn)基板與邦定件之間的邦定。這種邦定方法無(wú)需對(duì)ALD沉積層進(jìn)行圖形化處理，就可以實(shí)現(xiàn)顯示器件有效邦定，并簡(jiǎn)化了 OLED的邦定工藝，進(jìn)一步降低了 OLED的生產(chǎn)成本。
[0041]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示器件的邦定方法，所述顯示器件包括基板及設(shè)于所述基板上的邦定件，所述基板上設(shè)有與所述邦定件對(duì)應(yīng)的邦定區(qū)；其特征在于，具體包括如下步驟: 于基板邦定區(qū)形成各向異性導(dǎo)電膜； 原子層沉積并形成原子層沉積層； 對(duì)形成各向異性導(dǎo)電膜的位置進(jìn)行穿刺；及， 將邦定件邦定至各向異性導(dǎo)電膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述于基板邦定區(qū)形成各向異性導(dǎo)電膜的步驟中，所述形成方式包括貼合、涂覆或壓印。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述原子層沉積并形成原子層沉積層的步驟中包括至少兩次原子層沉積的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述原子層沉積層的厚度為 10_500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述原子層沉積并形成原子層沉積層的步驟中，通過(guò)氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成所述原子層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述對(duì)形成各向異性導(dǎo)電膜的位置進(jìn)行穿刺的步驟中包括:通過(guò)穿刺元件刺穿所述原子層并暴露出所述各向異性導(dǎo)電膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述穿刺元件為帶針尖的滾輪、滾球或針板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述將邦定件邦定至各向異性導(dǎo)電膜的步驟包括:通過(guò)熱壓將所述邦定件邦定在經(jīng)過(guò)穿刺的所述各向異性導(dǎo)電膜上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件的邦定方法，其特征在于，所述邦定件為芯片及電路板中的至少一種。
10.一種顯示器件，其特征在于，所述顯示器件采用權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述顯示器件的邦定方法制成。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104051675SQ201410250396
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】林立, 劉雪洲, 柳冬冬, 劉勝芳, 平山秀雄 申請(qǐng)人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 昆山國(guó)顯光電有限公司