發(fā)光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供發(fā)光裝置以及電子設(shè)備。上述發(fā)光裝置具備形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件、和覆蓋上述第一發(fā)光元件以及上述第二發(fā)光元件的密封層，上述第一發(fā)光元件與上述第二發(fā)光元件的間隔、上述第一發(fā)光元件與上述第二發(fā)光元件的節(jié)距、以及上述發(fā)光元件的寬度中的至少一個(gè)為上述密封層的膜厚以下。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光裝置以及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及利用例如有機(jī)EL材料等的發(fā)光材料的發(fā)光裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]以往已經(jīng)提出一種將在基板上平面狀地排列利用例如有機(jī)EL材料的發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為各種電子設(shè)備的顯示裝置。專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)了以用于防止外部空氣、水分的侵入的密封劑來(lái)覆蓋基板上的多個(gè)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I的技術(shù)中，以相對(duì)于各發(fā)光元件的間隔充分薄的膜厚形成密封劑。
[0003]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008 - 525955號(hào)公報(bào)
[0004]然而，在如專(zhuān)利文獻(xiàn)I那樣將密封劑形成為充分薄的膜厚的結(jié)構(gòu)中，在密封劑的表面顯現(xiàn)反映了基板上的各元件的形狀的凹凸(階梯差)，其結(jié)果，有可能降低密封劑的密封性能。在如專(zhuān)利文獻(xiàn)I的技術(shù)那樣，各發(fā)光元件的間隔(0.3_左右)相對(duì)于密封劑的膜厚充分大的大型發(fā)光裝置中，密封劑的表面的凹凸的影響較小，但在以較小的間隔高密度地排列例如面積為40 μ m2以下的微小的各發(fā)光元件的微型顯示器中，密封劑的表面的凹凸的影響特別明顯?？紤]以上的情況，本發(fā)明目的在于減少覆蓋發(fā)光元件的密封層的表面的凹凸。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決以上的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的第一方式的發(fā)光裝置具備形成在基體上的第一發(fā)光兀件以及第二發(fā)光兀件、和覆蓋第一發(fā)光兀件以及第二發(fā)光兀件的密封層，第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的間隔為密封層的膜厚以下。在以上的結(jié)構(gòu)中，由于第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件的間隔為密封層的膜厚以下，所以與第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件的間隔超過(guò)密封層的膜厚的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少密封層的表面的凹凸。
[0006]本發(fā)明的第二方式的發(fā)光裝置具備形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件、和覆蓋第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件的密封層，第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的節(jié)距為密封層的膜厚以下。在以上的結(jié)構(gòu)中，由于第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的節(jié)距在密封層的膜厚以下，所以與第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的節(jié)距為超過(guò)密封層的膜厚的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少密封層的表面的凹凸。
[0007]本發(fā)明的第三方式的發(fā)光裝置具備形成在基體上的發(fā)光元件和覆蓋發(fā)光元件的密封層，發(fā)光元件的寬度為密封層的膜厚以下。在以上的結(jié)構(gòu)中，由于發(fā)光元件的寬度為密封層的膜厚以下，所以與發(fā)光層的寬超過(guò)密封層的膜厚的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少密封層的表面的凹凸。
[0008]在第三方式的發(fā)光裝置中，在基體上形成有相互對(duì)置的第一電極以及第二電極、第一電極與第二電極之間的發(fā)光功能層、以及形成在第一電極和第二電極且具有開(kāi)口部的像素定義層的結(jié)構(gòu)中，將開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)且在第一電極和第二電極之間夾有發(fā)光功能層的部分作為發(fā)光元件而發(fā)揮功能，發(fā)光元件的寬度為開(kāi)口部的寬度。
[0009]在第一方式至第三方式的發(fā)光裝置的優(yōu)選例中，發(fā)光元件包括形成在絕緣層的面上且相互對(duì)置的第一電極以及第二電極、和遍及多個(gè)發(fā)光元件連續(xù)地形成且位于第一電極與第二電極之間的發(fā)光功能層，在絕緣層中的各發(fā)光元件之間的區(qū)域形成開(kāi)口部，發(fā)光功能層進(jìn)入至該開(kāi)口部。在以上的構(gòu)成中，由于在絕緣層中的各發(fā)光元件之間形成有開(kāi)口部且發(fā)光功能層進(jìn)入至該開(kāi)口部，所以盡管是發(fā)光功能層遍及多個(gè)發(fā)光元件且連續(xù)的構(gòu)成，也能夠防止相互相鄰的各發(fā)光元件之間的漏電電流。由此，具有能夠?qū)⒏靼l(fā)光元件高精度地控制為目標(biāo)亮度這一優(yōu)點(diǎn)。另一方面，在絕緣層形成開(kāi)口部的構(gòu)成中，具有在密封層的表面容易顯現(xiàn)凹凸這一趨勢(shì)。考慮以上的趨勢(shì)，能夠減少密封層的表面的凹凸的本發(fā)明的各方式的發(fā)光裝置格外優(yōu)選在絕緣層設(shè)置開(kāi)口部的構(gòu)成。
[0010]在以上的各方式的發(fā)光裝置的優(yōu)選例中，密封層的上面比該密封層中的發(fā)光元件側(cè)的下面平坦。此外，在非常高精細(xì)地形成有各發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)(微型顯示器)中，密封層的表面的凹凸的影響特別明顯。由此，本發(fā)明格外優(yōu)選例如發(fā)光元件的面積為40 μ Hi2以下的發(fā)光裝置。
[0011]以上的各方式的發(fā)光裝置作為例如顯示裝置而被用于各種電子設(shè)備。具體而言，作為本發(fā)明的電子設(shè)備的優(yōu)選例能夠例示出頭部安裝型的顯示裝置、拍攝裝置的電子式取景器等，但本發(fā)明的適用范圍并不局限于以上的例示。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0013]圖2是像素的電路圖。
[0014]圖3是發(fā)光裝置的截面圖。
[0015]圖4是發(fā)光裝置的截面圖。
[0016]圖5是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0017]圖6是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0018]圖7是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0019]圖8是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0020]圖9是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0021]圖10是第一電源導(dǎo)電體以及第二電源導(dǎo)電體的示意圖。
[0022]圖11是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0023]圖12是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0024]圖13是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0025]圖14是形成在基板上的各元件的說(shuō)明圖。
[0026]圖15是著眼于光路調(diào)整層的各顯示像素的截面圖。
[0027]圖16是用于說(shuō)明光路調(diào)整層的開(kāi)口部與各發(fā)光元件的間隔的俯視圖。
[0028]圖17是密封體的第二密封層的說(shuō)明圖。
[0029]圖18是第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置的截面圖。
[0030]圖19是用于說(shuō)明發(fā)光元件的寬度的俯視圖。
[0031]圖20是第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0032]圖21是電子設(shè)備的一個(gè)例子的頭部安裝型的顯示裝置的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]第一實(shí)施方式
[0034]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的俯視圖。第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置100是在基板10的面上形成利用了有機(jī)EL材料的發(fā)光元件的有機(jī)EL裝置?；?0是由硅(硅)等半導(dǎo)體材料形成的板狀構(gòu)件(半導(dǎo)體基板)，被用作形成有多個(gè)發(fā)光元件的基體(基底)。如圖1所示，基板10的表面被劃分為第一區(qū)域12和第二區(qū)域14。第一區(qū)域12是矩形狀的區(qū)域，第二區(qū)域14是包圍第一區(qū)域12的矩形框狀的區(qū)域。
[0035]在第一區(qū)域12形成有沿X方向延伸的多個(gè)掃描線22、與各掃描線22對(duì)應(yīng)地沿X方向延伸的多個(gè)控制線24、以及沿與X方向交叉的Y方向延伸的多個(gè)信號(hào)線26。與多個(gè)掃描線22和多個(gè)信號(hào)線26的各交叉對(duì)應(yīng)地形成有像素P (PD、PE)。由此，多個(gè)像素P遍及X方向以及Y方向行列狀地排列。
[0036]在第二區(qū)域14設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路30、多個(gè)安裝端子36以及保護(hù)環(huán)38。驅(qū)動(dòng)電路30是驅(qū)動(dòng)各像素P的電路，構(gòu)成為包括在X方向上夾著第一區(qū)域12的各位置設(shè)置的兩個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路32、和設(shè)置在第二區(qū)域14中的沿X方向延伸的區(qū)域的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34。多個(gè)安裝端子36形成在夾著信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34而與第一區(qū)域12相反的一側(cè)的區(qū)域內(nèi)，經(jīng)由與基板10接合的撓性的布線基板(圖示略)與控制電路、電源電路等外部電路(例如安裝在布線基板上的電子電路)電連接。
[0037]第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置100通過(guò)與多個(gè)基板10相當(dāng)尺寸的原基板的切斷(劃線)而一次形成多個(gè)。圖1的保護(hù)環(huán)38防止原基板的切斷時(shí)的沖擊、靜電的影響波及驅(qū)動(dòng)電路30或者各像素P、從各基板10的端面(原基板的截面)侵入水分。如圖1所示，保護(hù)環(huán)38形成為包圍驅(qū)動(dòng)電路30、多個(gè)安裝端子36以及第一區(qū)域12的環(huán)狀(矩形框狀)。
[0038]圖1的第一區(qū)域12被劃分為顯示區(qū)域16和周邊區(qū)域18。顯示區(qū)域16是通過(guò)各像素P的驅(qū)動(dòng)而實(shí)際顯示圖像的區(qū)域。周邊區(qū)域18是包圍顯示區(qū)域16的矩形框狀的區(qū)域，在顯示區(qū)域16內(nèi)的各像素P配置有構(gòu)造類(lèi)似但實(shí)際上無(wú)助于圖像的顯示的像素P (以下稱(chēng)為“虛設(shè)像素ro”)。從明確與周邊區(qū)域18內(nèi)的虛設(shè)像素ro之間的在表記上的區(qū)別的觀點(diǎn)出發(fā)，在以下的說(shuō)明中，有時(shí)為了方便將顯示區(qū)域16內(nèi)的像素P表記為“顯示像素PE”。顯示像素PE是發(fā)光的最小單位的元件。
[0039]圖2是位于顯示區(qū)域16內(nèi)的各顯示像素PE的電路圖。如圖2所示,顯示像素PE構(gòu)成為包括發(fā)光元件45、驅(qū)動(dòng)晶體管TDR、發(fā)光控制晶體管TEL、選擇晶體管TSL以及電容元件C。此外，在第一實(shí)施方式中，顯示像素PE的各晶體管T (TDR、TEL、TSL)為P溝道型，但也能夠使用N溝道型的晶體管。
[0040]發(fā)光元件45是在第一電極(陽(yáng)極)El和第二電極(陰極)E2之間夾有包括有機(jī)EL材料的發(fā)光層的發(fā)光功能層46的電氣光學(xué)兀件。第一電極El分別獨(dú)立地按每一顯不像素PE而形成，第二電極E2遍及多個(gè)像素P而連續(xù)。如圖2所理解的那樣，發(fā)光元件45配置在連結(jié)第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42的路線上。第一電源導(dǎo)電體41是提供高位側(cè)的電源電位VEL的電源布線，第二電源導(dǎo)電體42是提供低位側(cè)的電源電位(例如接地電位)VCT的電源布線。
[0041]驅(qū)動(dòng)晶體管TDR和發(fā)光控制晶體管TEL在連結(jié)第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42的路線上與發(fā)光元件45串聯(lián)連接而配置。具體而言，驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的一對(duì)電流端中的一方(源極)與第一電源導(dǎo)電體41連接。發(fā)光控制晶體管TEL作為控制驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的一對(duì)電流端中另一方(漏極)和發(fā)光元件45的第一電極El的導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)的開(kāi)關(guān)而發(fā)揮功能。驅(qū)動(dòng)晶體管TDR生成與自身的柵極-源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流量的驅(qū)動(dòng)電流。在發(fā)光控制晶體管TEL被控制成導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下，通過(guò)從驅(qū)動(dòng)晶體管TDR經(jīng)由發(fā)光控制晶體管TEL向發(fā)光元件45供給驅(qū)動(dòng)電流，使發(fā)光元件45以與驅(qū)動(dòng)電流的電流量對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光，在發(fā)光控制晶體管TEL被控制成截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，通過(guò)切斷對(duì)發(fā)光元件45的驅(qū)動(dòng)電流的供給來(lái)使發(fā)光元件45熄滅。發(fā)光控制晶體管TEL的柵極與控制線24連接。
[0042]圖2的選擇晶體管TSL作為控制信號(hào)線26與驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極的導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)的開(kāi)關(guān)而發(fā)揮功能。選擇晶體管TSL的柵極與掃描線22連接。此外，電容兀件C是在第一電極Cl和第二電極C2之間夾有電介質(zhì)的靜電電容。第一電極Cl與驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極連接，第二電極C2與第一電源導(dǎo)電體41 (驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的源極)連接。由此，電容元件C保持驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極-源極間的電壓。
[0043]信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34按每一寫(xiě)入期間(水平掃描期間)向多個(gè)信號(hào)線26并列地供給與從外部電路供給的圖像信號(hào)按每一顯示像素PE指定的灰度對(duì)應(yīng)的灰度電位(數(shù)據(jù)信號(hào))。另一方面，各掃描線驅(qū)動(dòng)電路32通過(guò)向各掃描線22供給掃描信號(hào)來(lái)按每一寫(xiě)入期間依次選擇多個(gè)掃描線22的每一個(gè)。與掃描線驅(qū)動(dòng)電路32選擇的掃描線22對(duì)應(yīng)的各顯不像素PE的選擇晶體管TSL遷移至導(dǎo)通狀態(tài)。由此，經(jīng)由信號(hào)線26和選擇晶體管TSL向各顯示像素PE的驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極供給灰度電位，電容元件C保持有與灰度電位對(duì)應(yīng)的電壓。另一方面，若在寫(xiě)入期間的掃描線22的選擇結(jié)束，則各掃描線驅(qū)動(dòng)電路32通過(guò)向各控制線24供給控制信號(hào)來(lái)將與該控制線24對(duì)應(yīng)的各顯示像素PE的發(fā)光控制晶體管TEL控制成導(dǎo)通狀態(tài)。由此，從驅(qū)動(dòng)晶體管TDR經(jīng)由發(fā)光控制晶體管TEL向發(fā)光元件45供給與在緊前的寫(xiě)入期間保持在電容元件C的電壓對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。如上所述，通過(guò)各發(fā)光元件45以與灰度電位對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光，來(lái)在顯示區(qū)域16顯示圖像信號(hào)指定的任意的圖像。
[0044]下面詳細(xì)說(shuō)明第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的具體的結(jié)構(gòu)。此外，在以下的說(shuō)明中參照的各附圖中，為了便于說(shuō)明，各元件的尺寸、比例尺與實(shí)際的發(fā)光裝置100不同。圖3以及圖4是發(fā)光裝置100的截面圖，圖5?圖9是著眼于一個(gè)顯示像素PE來(lái)圖示在形成發(fā)光裝置100的各元件的各階段的基板10的表面的樣子的俯視圖。與包括圖5?圖9的II1-1II線的剖面對(duì)應(yīng)的截面圖相當(dāng)于圖3，與圖5?圖9的IV — IV線的剖面對(duì)應(yīng)的截面圖相當(dāng)于圖4。此外，圖5?圖9是俯視圖，從容易掌握各元件的視覺(jué)性觀點(diǎn)出發(fā)，在與圖3或者圖4共用的各元件賦予與圖3或者圖4同方式的影線。
[0045]如從圖3、圖4以及圖5所理解的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的基板10的表面形成有顯示像素PE的各晶體管T(TDR、TEL、TSL)的有源區(qū)域1A (源極/漏極區(qū)域)。有源區(qū)域1A被注入離子。顯示像素PE的各晶體管T(TDR、TEL、TSL)的活性層存在于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間，被注入與有源區(qū)域1A不同種類(lèi)的離子，方便起見(jiàn)而省略圖示。如圖3以及圖4所示，形成有有源區(qū)域1A的基板10的表面被絕緣膜LO (柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管T的柵極G(⑶R、GEL、GSL)形成在絕緣膜LO的面上。各晶體管T的柵極G夾著絕緣膜LO與活性層對(duì)置。在圖4中示出選擇晶體管TSL的柵極GSL、驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極⑶R、以及發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL。
[0046]如從圖3以及圖4所理解的那樣，在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣膜LO的面上形成有交替層疊多個(gè)絕緣層L(LA?LD)和多個(gè)導(dǎo)電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L由例如硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成。此外，在以下的說(shuō)明中，將通過(guò)導(dǎo)電層(單層或者多層)的選擇性除去而在同一工序中一并形成多個(gè)元件的關(guān)系表記為“從同層形成”。
[0047]絕緣層LA形成在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣膜LO的面上。如從圖3、圖4以及圖6所理解的那樣，在絕緣層LA的面上從同層形成有掃描線22、控制線24、多個(gè)中繼電極QA(QA1、QA2、QA3、QA4)。掃描線22以及控制線24相互隔開(kāi)間隔而遍及多個(gè)像素P沿X方向直線狀地延伸。具體而言，如圖6所示，掃描線22形成為通過(guò)選擇晶體管TSL的柵極GSL的上方以及驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極⑶R的上方，經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔(接觸孔)HAl導(dǎo)通至選擇晶體管TSL的柵極GSL。導(dǎo)通孔HAl形成為俯視時(shí)與選擇晶體管TSL的柵極GSL以及活性層重疊。另一方面，控制線24形成為通過(guò)發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL的上方，經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA2導(dǎo)通至發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL。導(dǎo)通孔HA2形成為俯視時(shí)與發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL以及活性層重疊。
[0048]中繼電極QAl是連接選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A和驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極GDR的布線，如圖6所示，俯視時(shí)位于掃描線22和控制線24之間。具體而言，如圖4以及圖6所理解的那樣，中繼電極QAl經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA3導(dǎo)通至選擇晶體管TSL的有源區(qū)域10A，并且經(jīng)由絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA4導(dǎo)通至驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極⑶R。此外，如圖6所理解的那樣，中繼電極QA2經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA5導(dǎo)通至選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A0中繼電極QA3經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA6導(dǎo)通至驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的有源區(qū)域1A(源極)。中繼電極QA4經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA7導(dǎo)通至發(fā)光控制晶體管TEL的有源區(qū)域1A (漏極)。如圖6所理解的那樣，選擇晶體管TSL、驅(qū)動(dòng)晶體管TDR以及發(fā)光控制晶體管TEL分別形成為溝道長(zhǎng)沿著Y方向。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管TDR和發(fā)光控制晶體管TEL沿著Y方向排列，選擇晶體管TSL被配置在相對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管TDR以及發(fā)光控制晶體管TEL在X方向(圖6中為X方向的負(fù)側(cè))上偏離的位置。
[0049]絕緣層LB形成在形成有掃描線22、控制線24以及多個(gè)中繼電極QA的絕緣層LA的面上。如圖3、圖4以及圖7所理解的那樣，在絕緣層LB的面上從同層形成有信號(hào)線26、第一電極Cl以及多個(gè)中繼電極QB(QBl、QB2)。信號(hào)線26遍及多個(gè)像素P沿Y方向直線狀地延伸，通過(guò)絕緣層LA而與掃描線22以及控制線24電絕緣。具體而言，信號(hào)線26形成為經(jīng)過(guò)選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A(源極、漏極)和活性層的上方、以及導(dǎo)通至驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極GDR的中繼電極QAl的上方，沿著選擇晶體管TSL的溝道長(zhǎng)的方向(Y方向)延伸且俯視時(shí)與選擇晶體管TSL重疊。此外，信號(hào)線26形成在比各晶體管T(TDR、TEL、TSL)的有源區(qū)域1A(源極、漏極)、各晶體管T的柵極G靠上層。如圖7所理解的那樣，信號(hào)線26經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HBl導(dǎo)通至中繼電極QA2。即，信號(hào)線26和選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A(源極)經(jīng)由中繼電極QA2而連接。圖7的第一電極Cl經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HB2而導(dǎo)通至中繼電極QA1。S卩，電容元件C的第一電極Cl和驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極⑶R經(jīng)由中繼電極QAl而連接。圖7的中繼電極QBl經(jīng)由絕緣層LB的導(dǎo)通孔HB3導(dǎo)通至中繼電極QA3，中繼電極QB2經(jīng)由絕緣層LB的導(dǎo)通孔HB4導(dǎo)通至中繼電極QA4。
[0050]絕緣層LC形成在形成有信號(hào)線26、第一電極Cl以及多個(gè)中繼電極QB(QB1、QB2)的絕緣層LB的面上。如圖3、圖4以及圖8所理解的那樣，在絕緣層LC的面上從同層形成有第二電極C2和多個(gè)中繼電極QC(QC1、QC2)。第二電極C2被形成為俯視(即從與基板10的表面垂直的方向觀察的狀態(tài))是與第一電極Cl重復(fù)的形狀以及位置。如圖3所理解的那樣，由第一電極Cl、第二電極C2、以及兩者間的絕緣層LC構(gòu)成電容元件C。如圖8所示，電容元件C (第一電極Cl、第二電極C2)被設(shè)置成俯視時(shí)與驅(qū)動(dòng)晶體管TDR以及發(fā)光控制晶體管TEL重疊。圖8的中繼電極QCl經(jīng)由絕緣層LC的導(dǎo)通孔HCl導(dǎo)通至中繼電極QB1，中繼電極QC2經(jīng)由絕緣層LC的導(dǎo)通孔HC2導(dǎo)通至中繼電極QB2。
[0051]如圖3以及圖4所示，絕緣層LD形成在形成有第二電極C2和多個(gè)中繼電極QC(QC1、QC2)的絕緣層LC的面上。雖然在以上的說(shuō)明中著眼于顯示像素PE，但周邊區(qū)域18內(nèi)的虛設(shè)像素ro也能夠共用從基板10的表面到絕緣層LD為止的各元件的結(jié)構(gòu)。
[0052]絕緣層LD的表面被執(zhí)行平坦處理。平坦處理可以任意采用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機(jī)械拋光)等公知的表面處理技術(shù)。如圖3所示，在利用平坦處理而被高度平坦化的絕緣層LD的表面從同層形成有第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42。圖10是第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42的俯視圖，圖11?圖14是圖10中的區(qū)域α的放大圖。如圖10以及圖11所理解的那樣，第一電源導(dǎo)電體41形成在第一區(qū)域12的顯示區(qū)域16內(nèi)，第二電源導(dǎo)電體42形成在第一區(qū)域12的周邊區(qū)域18內(nèi)。第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42相互分離而被形成為電絕緣。第一電源導(dǎo)電體41經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示略)而導(dǎo)通至被供給高位側(cè)的電源電位VEL的安裝端子36。同樣地，第二電源導(dǎo)電體42經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示略)而導(dǎo)通至供給低位側(cè)的電源電位VCT的安裝端子36。第一實(shí)施方式的第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42由例如含有銀、鋁的光反射性的導(dǎo)電材料被形成為例如10nm左右的膜厚。
[0053]第一電源導(dǎo)電體41是如上述那樣被供給高位側(cè)的電源電位VEL的電源布線，如從圖10以及圖11所理解的那樣，第一電源導(dǎo)電體41是遍及顯示區(qū)域16的大致整個(gè)區(qū)域而形成為面狀的大致矩形狀的實(shí)心圖案。實(shí)心圖案是指不是線狀或者帶狀的圖案或其組合(例如格子狀)的圖案，而是將顯示區(qū)域16的大致整面涂色那樣地實(shí)際上沒(méi)有間隙的均勻連續(xù)的面狀(即實(shí)心狀)的圖案。
[0054]如從圖4、圖9以及圖11所理解的那樣，形成在顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電源導(dǎo)電體41經(jīng)由按每一顯示像素PE形成在絕緣層LD的導(dǎo)通孔HDl而導(dǎo)通至中繼電極QC1。S卩，如從圖4所理解的那樣，作為驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的源極而發(fā)揮功能的有源區(qū)域1A經(jīng)由中繼電極QA3、中繼電極QBl以及中繼電極QCl與第一電源導(dǎo)電體41連接。此外，也能夠經(jīng)由貫通絕緣層LC和絕緣層LD的導(dǎo)通孔使第一電源導(dǎo)電體41導(dǎo)通至中繼電極QB2(因此省略了中繼電極QC1)。此外，如圖9以及圖11所示，第一電源導(dǎo)電體41經(jīng)由絕緣層LD的導(dǎo)通孔HD2與電容元件C的第二電極C2連接。S卩，在驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的柵極⑶R和源極(第一電源導(dǎo)電體41)之間夾有電容元件C。
[0055]如圖9所示，在第一電源導(dǎo)電體41按每一顯示像素PE形成有開(kāi)口部41A。在各開(kāi)口部41A的內(nèi)側(cè)，中繼電極QDl從同層形成有第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42。中繼電極QDl和第一電源導(dǎo)電體41相互分離地形成為電絕緣。如從圖4以及圖9所理解的那樣，中繼電極QDl經(jīng)由形成在絕緣層LD的導(dǎo)通孔HD3而導(dǎo)通至中繼電極QC2。此外，也能夠經(jīng)由貫通絕緣層LC和絕緣層LD的導(dǎo)通孔使中繼電極QDl導(dǎo)通至中繼電極QB2(因此省略中繼電極QC2)。
[0056]另一方面，在第一區(qū)域12中的排列有虛設(shè)像素H)的周邊區(qū)域18內(nèi)形成的第二電源導(dǎo)電體42是如上所述那樣地被供給低位側(cè)的電源電位VCT的電源布線，如圖10所示，在俯視時(shí)形成為包圍第一電源導(dǎo)電體41 (顯示區(qū)域16)的矩形框狀(封閉圖形)。如圖11所示，在絕緣層LD按每一虛設(shè)像素H)形成有導(dǎo)通孔HD4和導(dǎo)通孔HD5。第二電源導(dǎo)電體42經(jīng)由導(dǎo)通孔HD4而導(dǎo)通至虛設(shè)像素H)的中繼電極QC1，且經(jīng)由導(dǎo)通孔HD5導(dǎo)通至虛設(shè)像素PD的中繼電極QC2。另一方面,在第二電源導(dǎo)電體42未形成關(guān)于第一電源導(dǎo)電體41所述的開(kāi)口部41A、中繼電極QD1。
[0057]如圖3以及圖4所示，在形成有第一電源導(dǎo)電體41、第二電源導(dǎo)電體42以及中繼電極QDl的絕緣層LD的面上形成有光路調(diào)整層60。光路調(diào)整層60是規(guī)定各顯示像素PE的共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)(即顯示色)的透光性的膜體。后面詳細(xì)說(shuō)明各顯示像素PE的共振結(jié)構(gòu)、光路調(diào)整層60。
[0058]如圖12所示，在光路調(diào)整層60的面上從同層形成按顯示區(qū)域16內(nèi)的每一顯示像素PE的中繼電極QEl和周邊區(qū)域18的每一虛設(shè)像素H)的中繼電極QE2。中繼電極QEl以及中繼電極QE2例如由遮光性的導(dǎo)電材料(例如氮化鈦)形成。
[0059]顯示區(qū)域16內(nèi)的中繼電極QEl經(jīng)由貫通光路調(diào)整層60的導(dǎo)通孔HEl導(dǎo)通至中繼電極QD1。如從圖4以及圖12所理解的那樣，中繼電極QEl在第一電源導(dǎo)電體41的開(kāi)口部41A形成為俯視時(shí)重復(fù)。S卩，中繼電極QEl的外周邊在俯視時(shí)位于開(kāi)口部41A的內(nèi)周邊的外側(cè)。由于中繼電極QEl由遮光性的導(dǎo)電材料形成，所以通過(guò)中繼電極QEl防止了從開(kāi)口部41A的外光對(duì)多層布線層的侵入。由此，具有能夠防止基于光照射的各晶體管T的漏電電流的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，如從圖12所理解的那樣，周邊區(qū)域18內(nèi)的中繼電極QE2經(jīng)由貫通光路調(diào)整層60的導(dǎo)通孔HE2而導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。
[0060]如圖3、圖4以及圖13所示，在形成有中繼電極QEl以及中繼電極QE2的光路調(diào)整層60的面上，從同層形成顯示區(qū)域16內(nèi)的每一顯示像素PE的第一電極E1、和周邊區(qū)域18的每一虛設(shè)像素H)的導(dǎo)通用電極QF。第一電極El和導(dǎo)通用電極QF例如由ITO (IndiumTin Oxide:銦錫氧化物)等透光性的導(dǎo)電材料形成。如參照?qǐng)D2所述，第一電極El是作為發(fā)光元件45的陽(yáng)極發(fā)揮功能的大致矩形狀的電極(像素電極)，如圖4所示，與光路調(diào)整層60的面上的中繼電極QEl接觸。即，第一電極El經(jīng)由中繼電極QE1、中繼電極QD1、中繼電極QC2、中繼電極QB2以及中繼電極QA4導(dǎo)通至發(fā)光控制晶體管TEL的有源區(qū)域1A(漏極)。
[0061]另一方面，周邊區(qū)域18內(nèi)的導(dǎo)通用電極QF是形成為與第一電極El同等的平面形狀以及尺寸的大致矩形狀的電極。顯示區(qū)域16內(nèi)的各第一電極El和周邊區(qū)域18內(nèi)的各導(dǎo)通用電極QF分別遍及X方向以及Y方向以相同的節(jié)距(周期)排列。即，各第一電極El和各導(dǎo)通用電極QF在X方向上以相同的節(jié)距DX排列，并且在Y方向上以相同的節(jié)距DY排列。隔著顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的邊界線而相鄰的第一電極El與導(dǎo)通用電極QF的節(jié)距也被設(shè)定為X方向的節(jié)距DX和Y方向的節(jié)距DY。X方向的節(jié)距DX例如設(shè)定為1.3μπι以上且3.5 μ m以下。如從圖13所理解的那樣，導(dǎo)通用電極QF與光路調(diào)整層60的面上的中繼電極QE2接觸。即，導(dǎo)通用電極QF經(jīng)由中繼電極QE2導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。此夕卜，在圖13中，例示出在周邊區(qū)域18內(nèi)遍及X方向的I行和Y方向的2列來(lái)排列導(dǎo)通用電極QF的構(gòu)成，但導(dǎo)通用電極QF的排列數(shù)是任意的。例如，根據(jù)第二電極E2與第二電源導(dǎo)電體42之間所需要的連接電阻、發(fā)光功能層46或者第二電極E2的形成范圍等，來(lái)適當(dāng)?shù)剡x定導(dǎo)通用電極QF的排列數(shù)。如從圖3以及圖4所理解的那樣，第一電源導(dǎo)電體41形成在形成有信號(hào)線26的布線層和形成有第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF的布線層之間。
[0062]如圖3所示，圖1的保護(hù)環(huán)38通過(guò)從與以上所例示的各元件同層形成的多個(gè)導(dǎo)電層QG(QG1?QG6)的層疊而構(gòu)成。導(dǎo)電層QGl與各晶體管T的柵極G從同層形成，導(dǎo)電層QG2與信號(hào)線26從同層形成，導(dǎo)電層QG3與電容元件C的第二電極C2從同層形成。此外，導(dǎo)電層QG4與第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42從同層形成，導(dǎo)電層QG5與中繼電極QE2從同層形成，導(dǎo)電層QG6與第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF從同層形成。此外，能夠適當(dāng)?shù)厥÷詷?gòu)成保護(hù)環(huán)38的各導(dǎo)電層QG。例如，能夠省略導(dǎo)電層QG3而使導(dǎo)電層QG2和導(dǎo)電層QG4直接導(dǎo)通。
[0063]如圖3、圖4以及圖14所示，在形成有中繼電極QE1、中繼電極QE2、第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF的光路調(diào)整層60的面上遍及基板10的整個(gè)區(qū)域地形成像素定義層65。像素定義層65例如由硅化合物(典型為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成。如從圖14所理解的那樣，在像素定義層65形成有與顯示區(qū)域16內(nèi)的各第一電極El對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部65A、和與周邊區(qū)域18內(nèi)的各導(dǎo)通用電極QF對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部65B。像素定義層65中的開(kāi)口部65A的內(nèi)周邊的附近的區(qū)域與第一電極El的周邊重疊。即，開(kāi)口部65A的內(nèi)周邊在俯視時(shí)位于第一電極El的周邊的內(nèi)側(cè)。同樣地,像素定義層65中的開(kāi)口部65B的內(nèi)周邊的附近的區(qū)域與導(dǎo)通用電極QF的周邊重疊。如從圖12以及圖14所理解的那樣，中繼電極QEl以及中繼電極QE2被像素定義層65覆蓋。各開(kāi)口部65A和各開(kāi)口部65B的平面形狀(矩形狀)、尺寸相同，并且分別遍及X方向以及Y方向以相同的節(jié)距行列狀地排列。如從以上的說(shuō)明所理解的那樣，像素定義層65在俯視時(shí)形成為格子狀。
[0064]如圖3以及圖4所示，在形成有第一電極E1、導(dǎo)通用電極QF以及像素定義層65的光路調(diào)整層60的面上形成有發(fā)光功能層46。發(fā)光功能層46形成在第一區(qū)域12的顯示區(qū)域16內(nèi)且遍及多個(gè)顯示像素PE而連續(xù)。另一方面，如從圖3所理解的那樣，在周邊區(qū)域18、第二區(qū)域14未形成發(fā)光功能層46。發(fā)光功能層46構(gòu)成為包括由有機(jī)EL材料形成的發(fā)光層，通過(guò)電流的供給而射出白色光。此外，也能夠使發(fā)光功能層46包括被供給至發(fā)光層的電子、正孔的輸送層或者注入層。
[0065]在形成有發(fā)光功能層46的光路調(diào)整層60的面上，遍及第一區(qū)域12 (顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18)的整個(gè)區(qū)域形成有第二電極E2。如參照?qǐng)D2所述，第二電極E2作為發(fā)光元件45的陰極而發(fā)揮功能。如圖4所示，被第一電極El和第二電極E2夾著的區(qū)域(發(fā)光區(qū)域)在發(fā)光功能層46中的像素定義層65的各開(kāi)口部65A的內(nèi)側(cè)發(fā)光。S卩，在開(kāi)口部65A的內(nèi)側(cè)層疊有第一電極E1、發(fā)光功能層46以及第二電極E2的部分作為發(fā)光兀件45發(fā)揮功能。如以上的說(shuō)明所理解的那樣，像素定義層65規(guī)定各顯示像素PE的發(fā)光元件45的平面形狀、尺寸(實(shí)際上發(fā)光的區(qū)域)。第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置100是非常高精細(xì)地配置有發(fā)光元件45的微型顯示器。例如一個(gè)發(fā)光元件45的面積(一個(gè)開(kāi)口部65A的面積)被設(shè)定為40 μ m2以下(進(jìn)一步為20 μ m2以下)。
[0066]如上所述，由于在周邊區(qū)域18未形成發(fā)光功能層46，所以位于遍及第一區(qū)域12的整個(gè)區(qū)域的第二電極E2中的周邊區(qū)域18內(nèi)的部分在圖14的像素定義層65的開(kāi)口部65B的內(nèi)側(cè)與導(dǎo)通用電極QF接觸。如以上的說(shuō)明所理解的那樣，遍及顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18這雙方的第二電極E2經(jīng)由周邊區(qū)域18內(nèi)的各導(dǎo)通用電極QF和各中繼電極QE2導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。即，從第二電源導(dǎo)電體42經(jīng)由中繼電極QE2和導(dǎo)通用電極QF向第二電極E2供給低位側(cè)的電源電位VCT。
[0067]第二電極E2作為使到達(dá)表面的光的一部分透過(guò)，并且使剩余的部分反射的性質(zhì)(半透過(guò)反射性)的半透過(guò)反射層而發(fā)揮功能。例如，通過(guò)將含有銀、鎂的合金等的光反射性的導(dǎo)電材料形成為充分薄的膜厚，來(lái)形成半透過(guò)反射性的第二電極E2。來(lái)自發(fā)光功能層46的放射光在第一電源導(dǎo)電體41和第二電極E2之間往復(fù)，在選擇性地放大了確定的共振波長(zhǎng)的成分的基礎(chǔ)上，透過(guò)第二電極E2出射至觀察側(cè)(與基板10相反的一側(cè))。即，形成為在作為反射層發(fā)揮功能的第一電源導(dǎo)電體41與作為半透過(guò)反射層發(fā)揮功能的第二電極E2之間使來(lái)自發(fā)光功能層46的出射光共振的共振結(jié)構(gòu)。光路調(diào)整層60是為了針對(duì)每一顯示像素PE的顯示色分別獨(dú)立地設(shè)定共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)(顯示色)的元件。具體而言，通過(guò)根據(jù)光路調(diào)整層60的膜厚適當(dāng)?shù)卣{(diào)整構(gòu)成共振結(jié)構(gòu)的第一電源導(dǎo)電體41和第二電極E2之間的光路長(zhǎng)(光學(xué)距離)，來(lái)針對(duì)每一顯示色設(shè)定各顯示像素PE的出射光的共振波長(zhǎng)。
[0068]圖15是著眼于光路調(diào)整層60的具體結(jié)構(gòu)而圖示出顯示色不同的三個(gè)顯示像素PE(紅色、綠色、藍(lán)色)的結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖15中，簡(jiǎn)便地例示出與紅色(R)對(duì)應(yīng)的顯示像素PE、與綠色(G)對(duì)應(yīng)的顯示像素PE以及與藍(lán)色⑶對(duì)應(yīng)的顯示像素PE。如圖15所理解的那樣，光路調(diào)整層60由硅化合物(典型為氮化硅、氧化硅)等透光性的絕緣材料形成的多層(第一調(diào)整層61、第二調(diào)整層62、第三調(diào)整層63)的層疊而構(gòu)成。第一調(diào)整層61例如形成為氮化硅為40nm以上且10nm以下的膜厚，第二調(diào)整層62例如形成為氧化硅為40nm以上且50nm以下的膜厚,第三調(diào)整層63例如形成為氧化娃為40nm以并且70nm以下的膜厚。
[0069]根據(jù)各顯示像素PE的顯示色選擇性地除去第二調(diào)整層62以及第三調(diào)整層63。具體而言，在藍(lán)色的顯示像素PE中，通過(guò)除去第二調(diào)整層62以及第三調(diào)整層63來(lái)使光路調(diào)整層60僅由第一調(diào)整層61構(gòu)成，在綠色的顯示像素PE中，通過(guò)除去第三調(diào)整層63來(lái)使光路調(diào)整層60由第一調(diào)整層61以及第二調(diào)整層62構(gòu)成。另一方面，在紅色的顯示像素PE中，通過(guò)第一調(diào)整層61、第二調(diào)整層62以及第三調(diào)整層63的層疊構(gòu)成光路調(diào)整層60。例如在以50nm的膜厚形成第一調(diào)整層61、以65nm的膜厚形成第二調(diào)整層62、以55nm的膜厚形成第三調(diào)整層63的情況下，在紅色的顯示像素PE中構(gòu)成170nm的光路調(diào)整層60(第一調(diào)整層61+第二調(diào)整層62+第三調(diào)整層63)，在綠色的顯示像素PE中構(gòu)成115nm的光路調(diào)整層60 (第一調(diào)整層61+第二調(diào)整層62)，在藍(lán)色的顯示像素PE中構(gòu)成50nm的光路調(diào)整層60 (第一調(diào)整層61)。在以上的例示中，在紅色的顯示像素PE與藍(lán)色的顯示像素PE之間，光路調(diào)整層60的膜厚差為120nm。此外，在以上的說(shuō)明中，雖然著眼于顯示區(qū)域16，但針對(duì)周邊區(qū)域18內(nèi)的各虛設(shè)像素H)也形成與顯示區(qū)域16內(nèi)同樣構(gòu)成的光路調(diào)整層60。
[0070]圖16是在X方向上排列的三個(gè)發(fā)光元件45的俯視圖。如圖15以及圖16所理解的那樣，在光路調(diào)整層60中的X方向上相鄰的各發(fā)光元件45之間，沿Y方向延伸的直線狀的區(qū)域中形成有開(kāi)口部(選擇性地除去光路調(diào)整層60的槽部)60A。如圖15所示，遍及顯示區(qū)域16的整個(gè)區(qū)域連續(xù)的發(fā)光功能層46形成為從光路調(diào)整層60的面上進(jìn)入至開(kāi)口部60A的內(nèi)側(cè)。根據(jù)以上的構(gòu)成，與發(fā)光功能層46在各發(fā)光元件45之間的區(qū)域也被形成在平坦面上的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制在X方向上遍及相鄰的各發(fā)光元件45間的電荷的移動(dòng)(各發(fā)光元件45間的漏電電流)。因此，具有能夠?qū)⒏靼l(fā)光元件45高精度地控制為目標(biāo)亮度這一優(yōu)點(diǎn)。
[0071]如圖3所示，在第二電極E2的面上遍及基板10的整個(gè)區(qū)域形成有密封體70。此夕卜，在圖4中，為了簡(jiǎn)便而省略了密封體70的圖示。密封體70是通過(guò)密封形成在基板10上的各元件來(lái)防止外部空氣、水分的侵入的透光性的膜體，是由第一密封層71、第二密封層72以及第三密封層73的層疊而構(gòu)成。在第一密封層71的面上形成有第二密封層72，在第一密封層71以及第二密封層72的面上形成有第三密封層73。如從圖3所理解的那樣，第一密封層71以及第三密封層73遍及包括第一區(qū)域12和第二區(qū)域14的基板10的整個(gè)區(qū)域而形成。另一方面，第二密封層72形成在基板10的第一區(qū)域12內(nèi)而未形成在第二區(qū)域14。具體而言，如圖17所示，第二密封層72形成為遍及顯示區(qū)域16和周邊區(qū)域18中的內(nèi)周邊側(cè)的一部分區(qū)域。如以上的說(shuō)明所理解的那樣，圖3的密封體70在顯示區(qū)域16內(nèi)由第一密封層71、第二密封層72以及第三密封層73共三層層疊而構(gòu)成，在第二區(qū)域14內(nèi)由第一密封層71以及第二密封層72共兩層層疊而構(gòu)成。圖1的各安裝端子36經(jīng)由形成在與密封體70中的撓性的布線基板連接的區(qū)域的開(kāi)口部而露出于外部。各安裝端子36例如由從與第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42同層形成的導(dǎo)電層、與中繼電極QE2同層開(kāi)始形成的導(dǎo)電層、從與第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF同層形成的導(dǎo)電層的層疊而構(gòu)成。
[0072]密封體70的第一密封層71形成在第二電極E2的面上并直接與第二電極E2的表面接觸。第一密封層71例如由硅化合物(典型為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成為例如200nm?400nm左右的膜厚。第一密封層71優(yōu)選形成為光路調(diào)整層60的膜厚差(例如120nm)以上的膜厚?？梢?xún)?yōu)選地利用等離子體CVD(Chemical Vapor Deposit1n:化學(xué)氣相沉積)法或者ECR(Electron Cyclotron Resonance:電子回旋共振)等離子體派射法、離子鍍敷法等高密度等離子體成膜技術(shù)來(lái)形成第一密封層71?？梢酝ㄟ^(guò)在氮?dú)猸h(huán)境氣中蒸鍍氧化硅來(lái)形成硅酸氮化物的第一密封層71。此外，也可以采用以氧化鈦等金屬氧化物為代表的無(wú)機(jī)氧化物作為第一密封層71的材料。
[0073]密封體70的第二密封層72作為填埋第二電極E2、第一密封層71的表面的凹凸的平坦化膜而發(fā)揮功能。即，在第二電極E2、第一密封層71的表面形成有反映下方(基板10偵?的各元件的形狀的凹凸，但第二密封層72的表面是凹凸充分減少了的大致平面。也可以說(shuō)第二密封層72的上面比下面(即與第一密封層71的接觸面)平坦。第二密封層72被形成與第一密封層71以及第三密封層73相比充分厚的膜厚T (例如I μ m?5 μ m，特別優(yōu)選3 μ m)，以便實(shí)現(xiàn)如上所述的平坦化的功能。例如通過(guò)利用公知的涂敷技術(shù)(例如印刷法、旋涂法)在第一密封層71的表面涂敷環(huán)氧樹(shù)脂等透光性的有機(jī)材料的溶液后進(jìn)行干燥的工序，來(lái)形成第二密封層72。此外，第二密封層72的材料并不局限于有機(jī)材料。例如也能夠通過(guò)利用印刷法等涂敷技術(shù)涂敷氧化硅等無(wú)機(jī)材料后進(jìn)行干燥，來(lái)形成平坦化所需的充分的膜厚T的第二密封層72。第二密封層72與形成有發(fā)光功能層46的區(qū)域相比，遍及較大的區(qū)域而連續(xù)，形成為至少覆蓋發(fā)光功能層46。此外，也可以采用第二密封層72覆蓋第二電極E2的構(gòu)成。
[0074]第三密封層73例如由耐水性、耐熱性?xún)?yōu)良的無(wú)機(jī)材料而形成為例如300nm?700nm左右(特別優(yōu)選為400nm左右)的膜厚。例如作為第三密封層73的材料優(yōu)選為氮化合物(硅氮化物、硅氧化物、硅酸氮化物)?？梢匀我獠捎冕槍?duì)第一密封層71例示出的公知的成膜技術(shù)來(lái)形成第三密封層73。
[0075]另外，在X方向上相鄰的各發(fā)光元件45的間隔δ X(圖15)與密封體70的膜厚相比充分大的情況下，有可能反映基板10的面上的各元件的形狀的第二電極Ε2的表面的凹凸(階梯差)未被密封體70充分平坦化(例如第二電極Ε2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋)。在發(fā)光元件45的面積被設(shè)定為40 μ m2以下的微型顯示器中，以上的趨勢(shì)極為明顯。此外，如第一實(shí)施方式那樣地在光路調(diào)整層60形成有開(kāi)口部60A的構(gòu)成中，特別是反映開(kāi)口部60A的凹陷在第二電極E2的表面明顯。
[0076]考慮以上的情況，在第一實(shí)施方式中，按照即使在第二電極E2的表面存在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸的情況下密封體70的表面也為充分平坦面的方式，來(lái)選定在X方向上相鄰的各發(fā)光元件45的間隔δ X與密封體70的膜厚之間的關(guān)系。在以下的說(shuō)明中，著眼于構(gòu)成密封體70的多層(第一密封層71、第二密封層72、第三密封層73)中的膜厚最大的第二密封層72的膜厚Τ，對(duì)與各發(fā)光元件45的間隔δΧ的關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。如圖15所示，間隔δ X相當(dāng)于由像素定義層65規(guī)定的各發(fā)光區(qū)域的X方向的間隔(距離)。
[0077]在各發(fā)光元件45的間隔δ X比第二密封層72的膜厚T大的情況下，第二電極Ε2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋，其結(jié)果，在密封體70的表面也有可能殘留凹凸。考慮以上的趨勢(shì)，在第一實(shí)施方式中，在X方向上相鄰的任意的兩個(gè)發(fā)光元件45 (第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件)的間隔SX被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸(δΧ<Τ)。例如，假定將第二密封層72形成為3μ m的膜厚T的構(gòu)成，在X方向上相鄰的兩個(gè)發(fā)光元件45的間隔δΧ被設(shè)定為3μπι以下的適當(dāng)?shù)某叽纭Ｔ谶M(jìn)一步優(yōu)選的方式中，各發(fā)光元件45的間隔δ X被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T的一半以下的尺寸(δ X彡Τ/2)。在例如將第二密封層72形成為3 μ m的膜厚T的上述構(gòu)成中，各發(fā)光元件45的間隔δ X被設(shè)定為1.2μπι以上且1.5μπι以下的范圍內(nèi)的適當(dāng)?shù)某叽?。各發(fā)光元件45的間隔δ X與密封體70的膜厚(第二密封層72的膜厚Τ)之間的關(guān)系為以上所述那樣。
[0078]在形成有以上的各元件的基板10的表面，例如利用粘合劑接合密封基板(圖示略)。密封基板是用于保護(hù)基板10上的各元件的透光性的板狀構(gòu)件(例如玻璃基板)。此夕卜，也可以在密封基板的表面或者密封體70 (第三密封層73)的表面按每一顯示像素PE形成彩色濾光器。
[0079]如上所述，在第一實(shí)施方式中，在X方向上相鄰的任意的兩個(gè)發(fā)光元件45的間隔s X被設(shè)定為在第二密封層72的膜厚T以下的尺寸。因此，與各發(fā)光元件45的間隔δΧ超過(guò)第二密封層72的膜厚T的構(gòu)成相比，即使反映基板10上的各元件的形狀的凹凸在第二電極Ε2的表面存在的情況下，也能夠使密封體70的表面成為充分的平坦面。
[0080]此外，在第一實(shí)施方式中，在周邊區(qū)域18形成有從與顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電極El同層形成的導(dǎo)通用電極QF、和從與顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電源導(dǎo)電體41同層形成的第二電源導(dǎo)電體42，遍及顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18這雙方的第二電極Ε2在周邊區(qū)域18內(nèi)經(jīng)由導(dǎo)通用電極QF導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。S卩，與在顯示區(qū)域16內(nèi)第一電源導(dǎo)電體41和第一電極El重疊層結(jié)構(gòu)同樣地，在周邊區(qū)域18中，第二電源導(dǎo)電體42和導(dǎo)通用電極QF重疊。因此，與在相鄰接區(qū)域內(nèi)的虛設(shè)像素未形成發(fā)光元件的陽(yáng)極的專(zhuān)利文獻(xiàn)I的構(gòu)成相比，能夠抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差。并且，通過(guò)抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差，具有與顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差大的構(gòu)成相比，能夠更容易形成密封體70這一優(yōu)點(diǎn)。在第一實(shí)施方式中特別是，在顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電極El和周邊區(qū)域18內(nèi)的導(dǎo)通用電極QF，平面形狀以及尺寸和X方向的節(jié)距DX以及Y方向的節(jié)距DY相同。由此，抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差這一效果格外明顯。
[0081]此外，在遍及顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18這雙方的像素定義層65，除了顯示區(qū)域16內(nèi)的與第一電極El對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部65A之外，還形成有周邊區(qū)域18內(nèi)的與導(dǎo)通用電極QF對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部65B。即，針對(duì)像素定義層65在周邊區(qū)域18也存在與顯示區(qū)域16同樣的結(jié)構(gòu)。由此，與在周邊區(qū)域18未形成像素定義層65的結(jié)構(gòu)、和在周邊區(qū)域18中在像素定義層65未形成開(kāi)口部65B的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差。在第一實(shí)施方式中，特別是由于在開(kāi)口部65A和開(kāi)口部65B，平面形狀以及尺寸、以及X方向和Y方向的排列的節(jié)距相同，所以抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差這一效果格外明顯。
[0082]在第一實(shí)施方式中，由于第一電源導(dǎo)電體41與掃描線22、控制線24、以及信號(hào)線26從不同層形成，所以和從與各布線同層形成第一電源導(dǎo)電體41的結(jié)構(gòu)相比，能夠充分確保第一電源導(dǎo)電體41的面積(減少第一電源導(dǎo)電體41的電阻)。具體而言，如參照?qǐng)D10所述的那樣，能夠作為遍及顯示區(qū)域16的整個(gè)區(qū)域的實(shí)心圖案形成第一電源導(dǎo)電體41。因此，能夠抑制第一電源導(dǎo)電體41的面內(nèi)的電源電位VEL的電壓降，其結(jié)果，能夠減少顯示圖像的顯示斑(顯示區(qū)域16的面內(nèi)的顯示灰度的不同)。此外，在以上的說(shuō)明中，雖然著眼于第一電源導(dǎo)電體41，但從與各布線(掃描線22、控制線24、信號(hào)線26)不同層形成的第二電源導(dǎo)電體42也能夠?qū)崿F(xiàn)同樣的效果。
[0083]此外，在從同層形成第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42的構(gòu)成中，有可能例如由于絕緣層LD的表面的凹凸而引起第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42相互短路。在第一實(shí)施方式中，有如下的優(yōu)點(diǎn):即，由于在針對(duì)絕緣層LD的表面執(zhí)行平坦處理的基礎(chǔ)上，形成第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42，所以能夠有效地防止由于絕緣層LD的表面的凹凸引起的第一電源導(dǎo)電體41與第二電源導(dǎo)電體42的短路。
[0084]第二實(shí)施方式
[0085]對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在以下例示的各方式中，針對(duì)作用、功能與第一實(shí)施方式同樣的元件，流用在第一實(shí)施方式的說(shuō)明中參照的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷云渚唧w說(shuō)明。
[0086]圖18是著眼于在第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中的X方向上排列的三個(gè)發(fā)光兀件45的截面圖，與第一實(shí)施方式中參照的圖16對(duì)應(yīng)。如圖18所理解的那樣，未在第二實(shí)施方式的光路調(diào)整層60形成在第一實(shí)施方式中例示出的開(kāi)口部60A。即使在如上所述那樣地在光路調(diào)整層60未形成開(kāi)口部60A的構(gòu)成中，反映像素定義層65的各開(kāi)口部65A的形狀的階梯差也有可能出現(xiàn)在第二電極E2的表面。考慮以上的事情，在第二實(shí)施方式中，在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸存在于第二電極E2的表面的情況下，也按照使密封體70的表面成為充分的平坦面的方式，選定各發(fā)光元件45的寬度WX和密封體70的第二密封層72的膜厚T之間的關(guān)系。如圖19所示，寬度WX為發(fā)光元件45的X方向的尺寸(俯視時(shí)大致長(zhǎng)方形的發(fā)光元件45的短邊的長(zhǎng)度)，相當(dāng)于形成在像素定義層65的開(kāi)口部65A的X方向的尺寸。
[0087]具體而言，在發(fā)光元件45的寬度WX比第二密封層72的膜厚T大的情況下，第二電極E2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋，其結(jié)果，有可能在密封體70的表面也殘留凹凸?？紤]以上的趨勢(shì)，在第二實(shí)施方式中，將發(fā)光元件45的寬度WX設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸(WX彡T)。在例如發(fā)光元件45的寬度WX為3.5μπι的構(gòu)成中，將第二密封層72的膜厚T設(shè)定為4 μ m?5 μ m左右的尺寸，在發(fā)光元件45的寬度WX為1.3 μ m的構(gòu)成中，將第二密封層72的膜厚T設(shè)定為1.5 μ m?2 μ m左右的尺寸。在進(jìn)一步優(yōu)選的方式中，將發(fā)光元件45的寬度WX設(shè)定為第二密封層72的膜厚T的一半以下的尺寸(WX ( T/2)。
[0088]在第二實(shí)施方式中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施方式同樣的效果。即，在第二實(shí)施方式中，由于發(fā)光元件45的寬度WX被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸，所以與發(fā)光元件45的寬度WX超過(guò)第二密封層72的膜厚T的構(gòu)成相比，即使在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸存在于第二電極E2的表面的情況下，也能夠使密封體70的表面成為充分的平坦面。此外，在第二實(shí)施方式中，也能夠與第一實(shí)施方式同樣地，在光路調(diào)整層60形成開(kāi)口部60A。
[0089]第三實(shí)施方式
[0090]在第一實(shí)施方式中，著眼于各發(fā)光兀件45的X方向的間隔δ X與第二密封層72的膜厚T的關(guān)系，在第二實(shí)施方式中，著眼于發(fā)光元件45的寬度WX與第二密封層72的膜厚T的關(guān)系。在第三實(shí)施方式中，按照即使在第二電極Ε2的表面存在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸的情況下，密封體70的表面也成為充分的平坦面的方式，來(lái)選定各發(fā)光元件45的X方向的節(jié)距(周期)DX與密封體70的第二密封層72的膜厚T的關(guān)系。此外，第三實(shí)施方式中不管光路調(diào)整層60的開(kāi)口部60Α的有無(wú)。
[0091]具體而言，在各發(fā)光元件45的X方向的節(jié)距DX比第二密封層72的膜厚T大的情況下，第二電極Ε2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋，其結(jié)果，有可能在密封體70的表面也殘留凹凸?？紤]以上的趨勢(shì)，在第三實(shí)施方式中，將各發(fā)光元件45 (第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件)的X方向的節(jié)距DX設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸(DX ( Τ)。在例如發(fā)光元件45的節(jié)距DX為2.5 μ m的構(gòu)成中，將第二密封層72的膜厚T設(shè)定為3 μ m?5μπι左右的尺寸。在進(jìn)一步優(yōu)選的方式中，各發(fā)光元件45的節(jié)距DX被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T的一半以下的尺寸(DX ( Τ/2)。
[0092]在第三實(shí)施方式中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施方式同樣的效果。即，在第三實(shí)施方式中，由于各發(fā)光元件45的X方向的節(jié)距DX被設(shè)定成第二密封層72的膜厚T以下的尺寸，所以與各發(fā)光元件45的節(jié)距DX超過(guò)第二密封層72的膜厚T的構(gòu)成相比，即使在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸存在于第二電極Ε2的表面的情況下，也能夠使密封體70的表面成為充分的平坦面。
[0093]第四實(shí)施方式
[0094]圖20是著眼于第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中的密封體70的俯視圖。如圖20所示，在第四實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中，在基板10的第二區(qū)域14中的排列有多個(gè)安裝端子36的區(qū)域(以下稱(chēng)為“端子區(qū)域”)15未形成密封體70。具體而言，遍及包括顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18的第一區(qū)域12、第二區(qū)域14中的端子區(qū)域15以外的區(qū)域形成有密封體70的第一密封層71以及第三密封層73。密封體70的第二密封層72形成在顯示區(qū)域16內(nèi)的構(gòu)成與第一實(shí)施方式相同。根據(jù)以上的構(gòu)成，具有除了與第一實(shí)施方式同樣的效果之外，還具有無(wú)需在密封體70形成用于使各安裝端子36導(dǎo)通至多層布線層內(nèi)的布線的導(dǎo)通孔這一優(yōu)點(diǎn)。此外，還能夠沿著基板10的兩邊或者三邊排列多個(gè)安裝端子36。
[0095]變形例
[0096]能夠?qū)⒁陨系姆绞竭M(jìn)行多樣的變形。下面例示具體的變形的方式。從以下的例示中任意選擇出的兩個(gè)以上的方式在相互不矛盾的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)?shù)睾喜ⅰ?br> [0097](I)在上述的各方式中，例示出層疊第一密封層71、第二密封層72以及第三密封層73的構(gòu)成的密封體70，但密封體70的層數(shù)(單層/多層)是任意的。例如，也可以由無(wú)機(jī)材料或者有機(jī)材料的單層構(gòu)成密封體70。此外，在上述的各方式中，例示出俯視時(shí)保護(hù)環(huán)38與密封體70的全部(第一實(shí)施方式)或者一部分(第二實(shí)施方式)重疊的構(gòu)成，但不管密封體70與保護(hù)環(huán)38之間是否重復(fù)。
[0098](2)在上述的各方式中，以與顯示區(qū)域16內(nèi)的開(kāi)口部65A同樣的方式使第二電極E2經(jīng)由形成在像素定義層65的開(kāi)口部65B導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42，但使第二電極E2與第二電源導(dǎo)電體42導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)可以適當(dāng)?shù)刈兏＠?，也可以如日本特開(kāi)2005 - 352498號(hào)公開(kāi)的那樣，經(jīng)由在像素定義層65形成為俯視時(shí)直線狀(即與顯示區(qū)域16內(nèi)的開(kāi)口部65A不同的方式)的開(kāi)口部使第二電極E2與第二電源導(dǎo)電體42導(dǎo)通。
[0099](3)在上述的各方式中，例示出作為基板10使用半導(dǎo)體基板的發(fā)光裝置100，基板10的材料是任意的。例如也可以作為基板10使用玻璃、石英等板狀構(gòu)件。此外，在上述的各方式中，在基板10中的第一區(qū)域12的外側(cè)的第二區(qū)域14配置有驅(qū)動(dòng)電路30，但也可以將驅(qū)動(dòng)電路30配置在例如周邊區(qū)域18內(nèi)。例如，在第二電源導(dǎo)電體42與基板10之間配置驅(qū)動(dòng)電路30。
[0100](4)像素P(像素電路)的構(gòu)成并不局限于上述的圖2所例示的構(gòu)成。例如，能夠采用省略上述的各方式的發(fā)光控制晶體管TEL的構(gòu)成、在灰度電位的供給前通過(guò)將驅(qū)動(dòng)晶體管TDR與二極管連接來(lái)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管TDR的閾值電壓的誤差的構(gòu)成。
[0101](5)發(fā)光元件45的構(gòu)成并不局限于以上的例示。例如，在上述的各方式中，例示出遍及多個(gè)顯示像素PE連續(xù)地形成產(chǎn)生白色光的發(fā)光功能層46的構(gòu)成，但也可以按每一顯示像素PE分別獨(dú)立地形成放射與各顯示像素PE的顯示色對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的單色光的發(fā)光功能層46。此外，在上述的各方式中，在第一電源導(dǎo)電體41 (反射層)與第二電極E2(半透過(guò)反射層)之間形成共振結(jié)構(gòu)，但也可以例如用反射性的導(dǎo)電材料形成第一電極E1，在第一電極El (反射層)與第二電極E2(半透過(guò)反射層)之間形成共振結(jié)構(gòu)。在將第一電極El作為反射層利用的構(gòu)成中，在第一電極El與第二電極E2之間形成光路調(diào)整層60。也可以是第一電源導(dǎo)電體41、第一電極El分別形成共振結(jié)構(gòu)的反射層(每一顯示像素PE的反射層或者遍及多個(gè)顯示像素PE而連續(xù)的反射層)。
[0102]在上述的各方式中，利用光路調(diào)整層60調(diào)整了各顯示像素PE的共振波長(zhǎng)，但也可以根據(jù)第一電極E1、發(fā)光功能層46的膜厚來(lái)調(diào)整各顯示像素PE的共振波長(zhǎng)。優(yōu)選地，與用于調(diào)整共振波長(zhǎng)的具體的結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)，將第一密封層71形成為超過(guò)由于共振波長(zhǎng)的不同而引起的階梯差的膜厚的構(gòu)成。
[0103]在上述的各方式中，例示出利用有機(jī)EL材料的發(fā)光元件45，但本發(fā)明也能夠同樣適用利用無(wú)機(jī)EL材料形成發(fā)光層的發(fā)光元件、LED等發(fā)光元件的構(gòu)成。此外，在上述的各方式中，例示出將光出射至與基板10相反側(cè)的頂部發(fā)光(Top emiss1n)型的發(fā)光裝置100,但本發(fā)明也能夠同樣適用將光出射至基板10側(cè)的底部發(fā)射(Bottom emiss1n)型的發(fā)光
>j-U ρ?α裝直。
[0104](6)在上述的各方式中，例示出在周邊區(qū)域18內(nèi)配置了與顯示像素PE結(jié)構(gòu)(布線、晶體管、電容元件等的結(jié)構(gòu))類(lèi)似的虛設(shè)像素ro的構(gòu)成，但周邊區(qū)域18內(nèi)的構(gòu)成并不局限于以上的例示。例如，也能夠在周邊區(qū)域18內(nèi)的第二電源導(dǎo)電體42的下層配置驅(qū)動(dòng)電路30(掃描線驅(qū)動(dòng)電路32或者信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路34)、驅(qū)動(dòng)電路30以外的電路以及布線。
[0105](7)在上述的各方式中，為了簡(jiǎn)化共振波長(zhǎng)的說(shuō)明而著眼于光路調(diào)整層60的膜厚，但實(shí)際上根據(jù)位于共振結(jié)構(gòu)的反射層(例如第一電源導(dǎo)電體41)和半透過(guò)反射層(例如第二電極E2)之間的各層的折射率、在反射層以及半透過(guò)反射層的表面的相位位移而設(shè)定共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)。
[0106]電子設(shè)備
[0107]在上述的各方式中例示出的發(fā)光裝置100能夠優(yōu)選地利用于各種電子設(shè)備的顯示裝置。在圖21中，示出利用上述的各方式例示出的發(fā)光裝置100的頭部安裝型的顯示裝置90(HMD:Head Mounted Display)作為電子設(shè)備來(lái)使用的例子。
[0108]顯示裝置90是能夠安裝在利用者的頭部的電子設(shè)備，具備與利用者的左眼重疊的透過(guò)部(透鏡)92L、與利用者的右眼重疊的透過(guò)部92R、左眼用的發(fā)光裝置100L以及半透半反鏡94L、右眼用的發(fā)光裝置100R以及半透半反鏡94R。發(fā)光裝置100L和發(fā)光裝置100R被配置成出射光向相互相反的方向進(jìn)行。左眼用的半透半反鏡94L使透過(guò)部92L的透過(guò)光透過(guò)至利用者的左眼側(cè)，并且使來(lái)自發(fā)光裝置100L的出射光反射至利用者的左眼偵U。同樣地，右眼用的半透半反鏡94R使透過(guò)部92R的透過(guò)光透過(guò)至利用者的右眼側(cè)，并且使來(lái)自發(fā)光裝置100R的出射光反射至利用者的右眼側(cè)。因此，利用者感知到重疊經(jīng)由透過(guò)部92L以及透過(guò)部92R觀察到的像和基于各發(fā)光裝置100的顯示圖像而得的圖像。此外，通過(guò)使發(fā)光裝置100L和發(fā)光裝置100R顯示被賦予相互視差的立體圖像(左眼用圖像以及右眼用圖像)，能夠使利用者感知顯示圖像的立體感。
[0109]此外，用于上述的各方式的發(fā)光裝置100的電子設(shè)備并不局限于圖21的顯示裝置90。例如，本發(fā)明的發(fā)光裝置100也能夠優(yōu)選利用于在攝像機(jī)、靜態(tài)相機(jī)等拍攝裝置中利用的電子式取景器(EVF:ElectronicView Finder)。此外,在移動(dòng)電話、便攜式信息終端(智能手機(jī))、電視、個(gè)人計(jì)算機(jī)等的顯示器、車(chē)輛導(dǎo)航裝置等的各種電子設(shè)備也能夠采用本發(fā)明的發(fā)光裝置。
[0110]附圖標(biāo)記的說(shuō)明:
[0111]100...發(fā)光裝置；10...基板；10A...有源區(qū)域；12...第一區(qū)域；14...第二區(qū)域；16...顯示區(qū)域；18...周邊區(qū)域；22...掃描線；24...控制線；26...信號(hào)線；30...驅(qū)動(dòng)電路；32...掃描線驅(qū)動(dòng)電路；34...信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；36...安裝端子；41...第一電源導(dǎo)電體；42...第二電源導(dǎo)電體；45...發(fā)光兀件；El...第一電極；E2...第二電極；
46...發(fā)光功能層；TDR...驅(qū)動(dòng)晶體管；TEL...發(fā)光控制晶體管；TSL...選擇晶體管；C...電容元件；60...光路調(diào)整層；65...像素定義層；65A ；65B...開(kāi)口部；70...密封體；
71...第一密封層；72...第二密封層；73...第三密封層;Q(QA1、QA2、QA3、QA4、QB1、QB2、 QC1、QC2、QD1、QE1、QE2)...中繼電極；QF...導(dǎo)通用電極。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件；和 覆蓋所述第一發(fā)光元件以及所述第二發(fā)光元件的密封層， 所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件的間隔在所述密封層的膜厚以下。
2.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件；和 覆蓋所述第一發(fā)光元件以及所述第二發(fā)光元件的密封層， 所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件的節(jié)距在所述密封層的膜厚以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 具備絕緣層，所述絕緣層的面上形成所述第一發(fā)光元件以及所述第二發(fā)光元件， 所述第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件分別包括相互對(duì)置的第一電極以及第二電極、和遍及所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件連續(xù)地形成且位于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光功能層， 在所述絕緣層中的所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件之間的區(qū)域形成開(kāi)口部，所述發(fā)光功能層進(jìn)入至該開(kāi)口部。
4.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 形成在基體上的發(fā)光元件；和 覆蓋所述發(fā)光元件的密封層， 所述發(fā)光元件的寬度在所述密封層的膜厚以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在所述基體上形成相互對(duì)置的第一電極以及第二電極、所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光功能層、以及形成在所述第一電極和所述第二電極之間且具有開(kāi)口部的像素定義層， 將所述開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)且在所述第一電極和所述第二電極之間夾有所述發(fā)光功能層的部分作為所述發(fā)光元件而發(fā)揮功能， 所述發(fā)光元件的寬度為所述開(kāi)口部的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述密封層的上表面比該密封層中的所述發(fā)光元件側(cè)的下表面平坦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光元件的面積為40 μ Hi2以下。
8.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104241545SQ201410268410
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】野澤陵一 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社