無襯底結構的功率器件制造工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開的一種無襯底結構的功率器件制造工藝，由以下步驟組成：(1)制備產品晶圓和襯底晶圓；(2)在產品晶圓上形成一氫離子注入層；(3)在襯底晶圓上形成一層多孔硅氧化層；(4)將氫離子注入層表面貼在多孔硅氧化層表面上；(5)將產品晶圓的氫離子注入層以外的部分從氫離子注入層的層底處剝離掉,然后對剝離面進行拋光處理；(6)在氫離子注入層上加工出功率器件；(7)將襯底晶圓剝離下來形成無襯底結構的功率器件。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點在于：(1)兩次剝離保證所有的晶圓都不浪費；剝離下來的晶圓還可以重復使用。(2)制備的功率器件真正無襯底，最大限度降低功率器件的導通電阻。
【專利說明】無襯底結構的功率器件制造工藝

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及功率器件制備【技術領域】，特別涉及一種無襯底結構的功率器件制造工藝。

【背景技術】
[0002]對于功率器件，特別是低壓功率器件，襯底電阻占整個器件導通電阻的比重很大，所以盡可能薄的襯底對降低器件的導通電阻意義重大。通常，用機械研磨的方式來減薄。這有兩個問題，其一，受設備能力的限制，不太可能減薄到幾個微米；其二，研磨工藝會浪費襯底材料，不利于環(huán)保。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要解決技術問題在于針對現(xiàn)有功率器件制備過程中襯底電阻較大所帶來的問題而提供一種無襯底結構的功率器件制造工藝。
[0004]本發(fā)明所要解決的技術問題可以通過以下技術方案來實現(xiàn):
[0005]一種無襯底結構的功率器件制造工藝，由以下步驟組成:
[0006](I)制備廣品晶圓和襯底晶圓；
[0007](2)在所述產品晶圓的正面注入氫離子形成一氫離子注入層；
[0008](3)將所述襯底晶圓的正面進行多孔硅化，然后進行多孔硅氧化形成一層多孔硅氧化層；所述多孔硅氧化層的厚度為I?10um ；
[0009](4)將產品晶圓的氫離子注入層表面貼在襯底晶圓的多孔硅氧化層表面上；
[0010](5)加熱將產品晶圓的氫離子注入層以外的部分從氫離子注入層的層底處剝離掉然后對剝離面進行拋光處理；
[0011](6)在產品晶圓的氫離子注入層上加工出功率器件；
[0012](7)采用化學方法將襯底晶圓從產品晶圓的氫離子注入層表面與襯底晶圓的多孔硅氧化層的結合面處剝離下來形成無襯底結構的功率器件。
[0013]由于采用了如上的技術方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點在于:
[0014](I)兩次剝離保證所有的晶圓都不浪費；剝離下來的晶圓還可以重復使用。
[0015](2)制備的功率器件真正無襯底，最大限度降低功率器件的導通電阻。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為產品晶圓注入氫離子的示意圖。
[0017]圖2為形成有多孔硅氧化層的襯底晶圓結構示意圖。
[0018]圖3為將產品晶圓的氫離子注入層表面貼在襯底晶圓的多孔硅氧化層表面上的示意圖。
[0019]圖4為加熱將產品晶圓的氫離子注入層以外的部分從氫離子注入層的層底處剝離的示意圖。
[0020]圖5為在產品晶圓的氫離子注入層上加工出功率器件的示意圖。
[0021]圖6為采用化學方法將襯底晶圓從產品晶圓的氫離子注入層表面與襯底晶圓的多孔硅氧化層的結合面處剝離下來形成無襯底結構的功率器件的示意圖。

【具體實施方式】
[0022]參見附圖，圖中給出的一種無襯底結構的功率器件制造工藝，由以下步驟組成:
[0023](I)制備廣品晶圓10和襯底晶圓20 ；
[0024](2)參見圖1，在產品晶圓10的正面注入氫離子形成一氫離子注入層11 ;氫離子的注入方法為現(xiàn)有技術，可參見中國專利200710186310.7公開的半導體襯底的制造方法坐寸ο
[0025](3)參見圖2，將襯底晶圓20的正面進行多孔硅化，然后進行多孔硅氧化形成一層多孔硅氧化層21 ;多孔硅氧化層21的厚度為I?10um ;在襯底晶圓上形成多孔硅氧化層的方法為現(xiàn)有技術。
[0026](4)參見圖3，將產品晶圓10的氫離子注入層11表面貼在襯底晶圓20的多孔硅氧化層21表面上；
[0027](5)加熱將產品晶圓10的氫離子注入層11以外的部分12從氫離子注入層11的層底處剝離掉然后對剝離面進行拋光處理；
[0028](6)在產品晶圓10的氫離子注入層11上按常規(guī)工藝加工出功率器件13 ；
[0029](7)采用化學方法將襯底晶圓20從產品晶圓10的氫離子注入層10表面與襯底晶圓20的多孔硅氧化層21的結合面處剝離下來形成無襯底結構的功率器件13。
【權利要求】
1.一種無襯底結構的功率器件制造工藝，其特征在于，由以下步驟組成: (1)制備廣品晶圓和襯底晶圓； (2)在所述產品晶圓的正面注入氫離子形成一氫離子注入層； (3)將所述襯底晶圓的正面進行多孔硅化，然后進行多孔硅氧化形成一層多孔硅氧化層；所述多孔娃氧化層的厚度為I?10um ； (4)將產品晶圓的氫離子注入層表面貼在襯底晶圓的多孔硅氧化層表面上； (5)加熱將產品晶圓的氫離子注入層以外的部分從氫離子注入層的層底處剝離掉然后對剝離面進行拋光處理； (6)在產品晶圓的氫離子注入層上加工出功率器件； (7)采用化學方法將襯底晶圓從產品晶圓的氫離子注入層表面與襯底晶圓的多孔硅氧化層的結合面處剝離下來形成無襯底結構的功率器件。
【文檔編號】H01L21/30GK104078336SQ201410312421
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月2日 優(yōu)先權日:2014年7月2日
【發(fā)明者】楊凡力 申請人:上海朕芯微電子科技有限公司