一種led芯片退火裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及LED芯片制造設(shè)備，進(jìn)一步是指用于LED芯片制作設(shè)備中的退火裝置，包括儲存晶圓的晶圓盒、對晶圓進(jìn)行退火處理的工藝腔，工藝腔的腔體內(nèi)部設(shè)置石英隔離腔，并在石英隔離腔與工藝腔的內(nèi)壁之間均勻設(shè)有鹵素?zé)艄?；晶圓盒的輸出端口外側(cè)設(shè)有與晶圓盒在同一水平面的可容納一個晶圓的緩存站，并在晶圓盒的底部設(shè)有向緩存站輸送晶圓的輸送帶；該退火裝置還包括托盤，退火裝置還設(shè)有將晶圓盒內(nèi)的晶圓運(yùn)送至拖盤各晶圓格內(nèi)的輸送機(jī)構(gòu)。本發(fā)明所述LED芯片退火裝置，工藝腔內(nèi)的鹵素?zé)艉凸に嚽惑w的設(shè)計可實(shí)現(xiàn)快速退火，而設(shè)置的托盤及輸送機(jī)構(gòu)則可以實(shí)現(xiàn)多個晶圓同時進(jìn)入工藝腔，自動化程度高，提高效率。
【專利說明】—種LED芯片退火裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片制造設(shè)備，進(jìn)一步是指用于LED芯片制作設(shè)備中的退火裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]LED作為新型照明方式備受人們的關(guān)注。隨著器件研發(fā)的深入，其芯片的制備變得越來越受重視。目前，我國超高亮度LED外延芯片的技術(shù)水平明顯提升，在外延生長、芯片制造方面展開多方位的研究，如采用不同襯底(S1、SiC)上生長GaN外延片、有圖形化襯底外延、非極性外延、襯底轉(zhuǎn)移、激光剝離、共晶焊接、ITO電極、表面粗化和光子晶體等新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)、新工藝的研究，國內(nèi)在LED芯片制備生產(chǎn)線上使用烘干爐或手動的低溫退火爐，退火速度慢，效率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種LED芯片退火裝置，可實(shí)現(xiàn)晶圓的批量快速退火，提高效率。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案為，一種LED芯片退火裝置，包括儲存晶圓的晶圓盒、對晶圓進(jìn)行退火處理的工藝腔，所述工藝腔的腔體內(nèi)部設(shè)置石英隔離腔，并在石英隔離腔與工藝腔的內(nèi)壁之間均勻設(shè)有鹵素?zé)艄?；所述晶圓盒的輸出端口外側(cè)設(shè)有與晶圓盒在同一水平面的可容納一個晶圓的緩存站，并在晶圓盒的底部設(shè)有向緩存站輸送晶圓的輸送帶；該退火裝置還包括托盤，所述緩存站置于托盤與晶圓盒之間，托盤的頂面設(shè)有多個晶圓格，每個晶圓格內(nèi)可容納一個晶圓，所述退火裝置還設(shè)有將晶圓盒內(nèi)的晶圓運(yùn)送至拖盤各晶圓格內(nèi)的輸送機(jī)構(gòu)；所述托盤安裝在與驅(qū)動機(jī)構(gòu)連接的支架上，所述支架經(jīng)驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動而帶動托盤進(jìn)入工藝腔的隔離腔內(nèi)部。
[0005]未退火晶圓由輸送帶將其輸送到緩存站上，由輸送機(jī)構(gòu)的電缸升降軸上的伯努力吸盤吸好后放置在批處理的托盤上，當(dāng)托盤上晶圓放置滿后，托盤在驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動下自動的送入工藝腔中，進(jìn)行通氮?dú)夤に嚤Ｗo(hù)的快速退火工藝，退火完成后工藝腔體通氮?dú)獬浞掷鋮s晶圓片后，再送出托盤，最后與晶圓裝載逆過程的卸載退火后的晶圓回到晶圓盒。
[0006]所述鹵素?zé)艄艹适纸诲e布置，保證加熱區(qū)域溫度的均勻性。
[0007]所述工藝腔內(nèi)壁鍍金，增加反射。
[0008]工藝腔體快速升溫加熱用鹵素?zé)艄鉄彷椛淠芰康骄砻?，光熱被反射、吸收或透射，同時燈光的熱能照射在加熱工藝腔體的鍍金內(nèi)壁上，組成工藝腔體的壁板用鋁材制造，并用水強(qiáng)迫冷卻，鍍金面的高反射和腔體的冷壁設(shè)計，提高了晶片和燈管之間的輻射升溫效率?？焖偻嘶鸸に嚂r需要通氣保護(hù)，在工藝腔體的上板和下板上設(shè)計有氣體均勻進(jìn)入腔體的均勻分布的小孔，氣流通過小孔均勻分流進(jìn)入腔體。
[0009]所述緩存站的頂端設(shè)有防止晶圓滑落的擋邊，使晶圓穩(wěn)定置于緩存站的頂面而不會滑落。
[0010]所述托盤的晶圓格為托盤頂面向下凹陷的凹槽。
[0011]所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)為氣缸，所述氣缸的缸筒安裝在工藝腔內(nèi)，而氣缸的活塞桿與支架連接。
[0012]設(shè)有多個晶圓盒，并在輸送機(jī)構(gòu)中設(shè)置同樣數(shù)量的伯努利吸盤，提高效率。
[0013]所述托盤的頂面設(shè)有多個晶圓格，托盤為圓形或方形，圓形托盤的承載方式是2寸晶圓19片，分布方式是平行的5行，方形托盤的承載方式是2寸晶圓16片，分布方式是4行4列或4寸晶圓的4片分布方式2行2列。本發(fā)明所述LED芯片退火裝置，應(yīng)用于給LED芯片制程中ITO鍍膜后和晶圓芯片剝離前激光劃線后去應(yīng)力高溫快速退火，工藝腔內(nèi)的鹵素?zé)艉凸に嚽惑w的設(shè)計可實(shí)現(xiàn)快速退火，而設(shè)置的托盤及輸送機(jī)構(gòu)則可以實(shí)現(xiàn)多個晶圓同時進(jìn)入工藝腔，自動化程度高，提高效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明一個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)俯視圖；
圖2為不同尺寸或形式的晶片批處理載片托盤俯視圖；
圖3為托盤的結(jié)構(gòu)主視圖；
圖4為緩存站的結(jié)構(gòu)不意圖；
圖5為本發(fā)明所述輸送機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]如圖1所示，一種LED芯片退火裝置，包括儲存晶圓8的晶圓盒7、對晶圓8進(jìn)行退火處理的工藝腔1，工藝腔I的腔體內(nèi)部設(shè)置石英隔離腔，并在石英隔離腔與工藝腔I的內(nèi)壁之間均勻設(shè)有鹵素?zé)艄?，鹵素?zé)艄苤糜诠に嚽籌的上部和下部，所述鹵素?zé)艄艹适纸诲e布置，工藝腔內(nèi)壁鍍金；所述晶圓盒7的輸出端口外側(cè)設(shè)有與晶圓盒7在同一水平面的可容納一個晶圓8的緩存站5，并在晶圓盒7的底部設(shè)有向緩存站5頂端輸送晶圓的輸送帶4 ;該退火裝置還包括托盤6，緩存站5置于托盤6與晶圓盒7之間，托盤6的頂面設(shè)有多個晶圓格11，每個晶圓格11內(nèi)可容納一個晶圓8，所述退火裝置還設(shè)有將晶圓盒7內(nèi)的晶圓8運(yùn)送至拖盤各晶圓格11內(nèi)的輸送機(jī)構(gòu)；托盤6安裝在與驅(qū)動機(jī)構(gòu)連接的支架10上，支架10經(jīng)驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動而帶動托盤6進(jìn)入工藝腔I的隔離腔內(nèi)部。輸送機(jī)構(gòu)為三維電缸2，三維電缸由三維X、Y、Z三軸組成，其中X軸是左右，Y軸是前后，Z軸是垂直與托盤面的電缸升降軸，升降軸的底端安裝用于吸附晶圓的伯努利吸盤3。
[0016]如圖2所示，托盤為圖2 (I)中的圓形，設(shè)置19個晶圓格11，可承載2寸晶圓，托盤還可以為圖2 (2)和圖2 (3)中的方形，分別設(shè)有16個、4個晶圓格11，放置2寸晶圓16片或4寸晶圓4片。
[0017]如圖3所示，托盤6的晶圓格11為托盤6頂面向下凹陷的凹槽。
[0018]如圖4所示，緩存站5的頂端設(shè)有防止晶圓8滑落的擋邊12。
[0019]如圖5所示，驅(qū)動機(jī)構(gòu)為氣缸9，氣缸的缸筒安裝在工藝腔I內(nèi)，而氣缸9的活塞桿與支架10連接。
【權(quán)利要求】
1.一種LED芯片退火裝置，包括儲存晶圓(8)的晶圓盒(7)、對晶圓(8)進(jìn)行退火處理的工藝腔(1)，其特征是，所述工藝腔(I)的腔體內(nèi)部設(shè)置石英隔離腔，并在石英隔離腔與工藝腔(I)的內(nèi)壁之間均勻設(shè)有鹵素?zé)艄?；所述晶圓盒(7)的輸出端口外側(cè)設(shè)有與晶圓盒(7)在同一水平面的可容納一個晶圓(8)的緩存站(5)，并在晶圓盒(7)的底部設(shè)有向緩存站(5)輸送晶圓的輸送帶(4);該退火裝置還包括托盤(6)，所述緩存站(5)置于托盤(6)與晶圓盒(7)之間，托盤(6)的頂面設(shè)有多個晶圓格(11)，每個晶圓格(11)內(nèi)可容納一個晶圓(8),所述退火裝置還設(shè)有將晶圓盒(7)內(nèi)的晶圓(8)運(yùn)送至拖盤各晶圓格(11)內(nèi)的輸送機(jī)構(gòu)；所述托盤(6)安裝在與驅(qū)動機(jī)構(gòu)連接的支架(10)上，所述支架(10)經(jīng)驅(qū)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動而帶動托盤(6 )進(jìn)入工藝腔(I)的隔離腔內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述LED芯片退火裝置，其特征是，所述鹵素?zé)艄苤糜诠に嚽?I)的上部和下部，所述齒素?zé)艄艹适纸诲e布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求5所述LED芯片退火裝置，其特征是，所述工藝腔內(nèi)壁鍍金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述LED芯片退火裝置，其特征是，所述緩存站(5)的頂端設(shè)有防止晶圓(8)滑落的擋邊(12)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述LED芯片退火裝置，其特征是，所述托盤(6)的晶圓格(11)為托盤(6)頂面向下凹陷的凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述LED芯片退火裝置，其特征是，所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)為氣缸(9)，所述氣缸的缸筒安裝在工藝腔(I)內(nèi)，而氣缸(9)的活塞桿與支架(10)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述LED芯片退火裝置，其特征是，所述托盤(6)的頂面設(shè)有多個晶圓格，托盤(6)為圓形或方形。
【文檔編號】H01L33/00GK104332431SQ201410457248
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】袁衛(wèi)華, 鐘新華, 彭立波, 張賽, 易文杰, 舒勇東 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所