大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體元件放置于一帶開口的容腔內(nèi)，第一引腳和第二引腳分別與所述半導(dǎo)體元件電連接且分別延伸至所述容腔的開口的上方，所述第一引腳和所述第二引腳互不相連接；通過把半導(dǎo)體元件密閉于一容腔內(nèi)做成貼片封裝的形式，同傳統(tǒng)的直插零件相比，一方面，其功率等技術(shù)性能指標(biāo)能達(dá)到直插零件的水平，另一方面，在使用時，通過采用自動化貼片設(shè)備進(jìn)行貼片生產(chǎn)能有效提高組裝效率。
【專利說明】大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié) 構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)硅材料芯片貼片的保護(hù)元件一般都是S0D-123, SMA，SMB, SMC等封裝形態(tài)，其 能承受的功率一般只有200W、400W、600W、1000W、1. 5KW、3KW，最高為6. 6KW，電流一般只有 從幾十安培到幾百安培不等；而傳統(tǒng)直插的保護(hù)元件可以達(dá)到幾十KW甚至更高，電流可以 達(dá)到幾千安培甚至到幾十千安培。
[0003] 傳統(tǒng)金屬氧化物材料貼片的保護(hù)元件一般都是0402、0603、4532、2220、3220等， 其能承載的功率及耐受電流能力都只能達(dá)到從幾十安培到幾百安培水平，這些都只能防止 一些較低的脈沖浪涌及過電壓保護(hù)，而傳統(tǒng)直插的零件可以達(dá)到上千安培甚至到幾十千安 培。
[0004] 以上很明顯的發(fā)現(xiàn)貼片零件技術(shù)性能指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于直插零件的水平，而貼片零 件要達(dá)到同等規(guī)格直插零件技術(shù)性能指標(biāo)水平還有很長的一段路要走，然而市場對高性能 自動化貼片需求以漸形成趨勢。因此設(shè)計一款大功率型半導(dǎo)體貼片保護(hù)元件在現(xiàn)階段尤為 重要。 實用新型內(nèi)容
[0005] 本實用新型為了解決傳統(tǒng)功率型保護(hù)器件貼片封裝形態(tài)功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于直插零件 的問題而提供的一種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)。
[0006] 為達(dá)到上述功能，本實用新型提供的技術(shù)方案是：
[0007] -種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體元件放置于一帶開口的容腔內(nèi)，第 一引腳和第二引腳分別與所述半導(dǎo)體元件電連接且分別延伸至所述容腔的開口的上方，所 述第一引腳和所述第二引腳互不相連接。
[0008] 優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體元件通過環(huán)氧樹脂密封在所述容腔內(nèi)。
[0009] 優(yōu)選地，所述第一引腳和所述第二引腳延伸到所述容腔外的部分處于同一平面 上。
[0010] 優(yōu)選地，所述的半導(dǎo)體元件包括一個以上的半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片為硅材料芯 片的瞬態(tài)抑制二極管TVS Diodes、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或為金屬氧化物材 料芯片的壓敏電阻MOV。 toon] 優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體芯片通過焊料或?qū)犭姌O材料組合而成。
[0012] 本實用新型的有益效果在于：一種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體元件 放置于一帶開口的容腔內(nèi)，第一引腳和第二引腳分別與所述半導(dǎo)體元件電連接且分別延伸 至所述容腔的開口的上方，所述第一引腳和所述第二引腳互不相連接；通過把半導(dǎo)體元件 密閉于一容腔內(nèi)做成貼片封裝的形式，同傳統(tǒng)的直插零件相比，一方面，其功率等技術(shù)性能 指標(biāo)能達(dá)到直插零件的水平，另一方面，在使用時，通過采用自動化貼片設(shè)備進(jìn)行貼片生產(chǎn) 能有效提1?組裝效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014] 圖2為半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0015] 下面結(jié)合附圖1和附圖2對本實用新型作進(jìn)一步闡述：
[0016] 如圖1所示的一種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體元件1放置于一帶開 口的容腔2內(nèi)，第一引腳3和第二引腳4分別與半導(dǎo)體元件1電連接且分別延伸至容腔2的 開口的上方，第一引腳3和第二引腳4互不相連接。半導(dǎo)體元件1通過環(huán)氧樹脂密封在容 腔2內(nèi)。為了減少本實用新型的體積，容腔2的形狀與半導(dǎo)體元件1的形狀相配合。在本 實施例中，第一引腳3呈長方形狀，第一引腳3的下端部與半導(dǎo)體元件1的上端面電連接， 第一引腳3的上端部略高于容腔2的上表面；第二引腳4的下端部與半導(dǎo)體元件1的下端 面電連接，第二引腳4的下端部彎曲延伸到容腔2的開口上方且具有一水平部，該水平部與 第一引腳3的上端面處于同一水平面上。
[0017] 在生產(chǎn)的過程中，半導(dǎo)體元件1包括半導(dǎo)體芯片5,半導(dǎo)體芯片5可采用硅材料芯 片的瞬態(tài)抑制二極管TVS Diodes、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或為金屬氧化物材 料芯片的壓敏電阻MOV等。硅材料芯片或金屬氧化物材料芯片通過焊料或?qū)犭姌O材料組 合而成。
[0018] 在本實施例中，如圖2所示，半導(dǎo)體元件1包括兩片的半導(dǎo)體芯片5,兩片半導(dǎo)體芯 片5之間通過導(dǎo)熱電材料6連接，第一引腳3、第二引腳4與半導(dǎo)體芯片5之間通過焊料進(jìn) 行焊接。半導(dǎo)體芯片5的數(shù)量可根據(jù)不同的電壓規(guī)格或技術(shù)性能指標(biāo)進(jìn)行適當(dāng)?shù)卦鰷p。
[0019] 以上所述實施例，只是本實用新型的較佳實例，并非來限制本實用新型的實施范 圍，故凡依本實用新型申請專利范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均應(yīng) 包括于本實用新型專利申請范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：半導(dǎo)體元件放置于一帶開口的 容腔內(nèi)，第一引腳和第二引腳分別與所述半導(dǎo)體元件電連接且分別延伸至所述容腔的開口 的上方，所述第一引腳和所述第二引腳互不相連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體元 件通過環(huán)氧樹脂密封在所述容腔內(nèi)。
3. 如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一引腳 和所述第二引腳延伸到所述容腔外的部分處于同一平面上。
4. 如權(quán)利要求1所述的大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的半 導(dǎo)體元件包括一個以上的半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片為硅材料芯片的瞬態(tài)抑制二極管TVS Diodes、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或為金屬氧化物材料芯片的壓敏電阻MOV。
5. 如權(quán)利要求4所述的大功率半導(dǎo)體元件貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體芯 片通過焊料或?qū)犭姌O材料組合而成。
【文檔編號】H01L23/498GK203882992SQ201420140737
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月26日
【發(fā)明者】周云福, 舒魏, 王祖江 申請人:廣東百圳君耀電子有限公司