插片式igbt吸收電容器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組，以及連接于電容芯組之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組與插片端子之間通過(guò)金屬片進(jìn)行連接；采用上述技術(shù)方案的插片式IGBT吸收電容器，其采用銅箔在電容芯組與插片端子之間進(jìn)行連接，從而使得其相較于傳統(tǒng)的吸收電容器，過(guò)電流面積得以有效增加，進(jìn)而使得電容器的過(guò)電流能力得以有效改善；同時(shí)，上述插片式IGBT吸收電容器中，其所采用的銅箔連接方式通過(guò)現(xiàn)有的加工技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)，從而避免電容芯組與插片端子進(jìn)行一體化連接而產(chǎn)生的高昂生產(chǎn)成本。
【專利說(shuō)明】 插片式IGBT吸收電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電子元器件，尤其是一種插片式IGBT吸收電容器。

【背景技術(shù)】
[0002]絕緣柵雙極型晶體管，即IGBT由于其出色的工作性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域得以廣泛運(yùn)用；然而，絕緣柵雙極型晶體管在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大電流，為避免相關(guān)元器件損壞，必須對(duì)其配備電容器對(duì)其進(jìn)行吸收?，F(xiàn)有的IGBT吸收電容器中，其往往采用插片式電容器，即在電容芯組端部通過(guò)銅絲連接有插片端子。上述插片式IGBT吸收電容器中，由于其采用銅絲進(jìn)行連接，導(dǎo)致其過(guò)電流能力低下，且不穩(wěn)定，故而難以實(shí)現(xiàn)良好的吸收保護(hù)效果；部分插片式IGBT吸收電容器采用電容芯組與插片端子一體化的結(jié)構(gòu)，但由于其工藝上的困難，導(dǎo)致其生產(chǎn)成本十分高昂。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種插片式IGBT吸收電容器，其過(guò)電能力得以有效改善，并可避免過(guò)高的生產(chǎn)成本。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型涉及一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組，以及連接于電容芯組之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組與插片端子之間通過(guò)金屬片進(jìn)行連接。
[0005]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片中，其寬度方向所在側(cè)邊部分別固定于電容芯組與插片端子之上，且上述側(cè)邊部分別位于金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端面所在平面之內(nèi)。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)沿長(zhǎng)度方向在電容芯組與插片端子之間延伸的金屬片，其不僅使得電流在電容芯組與插片端子之間流通過(guò)程中，過(guò)電流面積有效增力口，并使得其在相同的過(guò)電流面積下，避免電容芯組與插片端子之間因距離過(guò)短而出現(xiàn)電弧等現(xiàn)象，從而導(dǎo)致對(duì)電容器的性能造成影響。
[0006]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片中，其長(zhǎng)度與寬度的比值為3至4;所述金屬片的寬度至少為I厘米。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)金屬片的長(zhǎng)寬設(shè)置，使得上述對(duì)電流的傳輸與保護(hù)能力得以進(jìn)一步改善。
[0007]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片與電容芯組的重合部分面積，以及其與插片端子的重合部分面積，均至少為金屬片總面積的1/5。采用上述設(shè)計(jì)，其通過(guò)金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端的重合面積，使得金屬片可通過(guò)較大的接觸面積使得電流傳輸?shù)男实靡愿纳啤?br> [0008]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接位置分別設(shè)置有，寬度沿金屬片的長(zhǎng)度方向逐漸遞增的連接部件；所述連接部件的端部寬度至少為金屬片寬度方向側(cè)邊部的2/3 ;所述連接部件中，其相對(duì)于電容芯組，以及插片端子均采用內(nèi)嵌式安裝。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)寬度遞增的連接部件的設(shè)置，使得其在避免因連接部件過(guò)大導(dǎo)致難以實(shí)現(xiàn)電流保護(hù)的前提下，使得電流的傳輸效率得以進(jìn)一步改善；連接部件的內(nèi)嵌式結(jié)構(gòu)可使得連接部件在完成電流的傳輸過(guò)程中，可避免電流對(duì)電容意以外的電器元件造成影響。
[0009]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片與連接部件均由銅箔構(gòu)成，其可通過(guò)銅箔的高導(dǎo)電率改善的電容器的性能。
[0010]采用上述技術(shù)方案的插片式IGBT吸收電容器，其采用銅箔在電容芯組與插片端子之間進(jìn)行連接，從而使得其相較于傳統(tǒng)的吸收電容器，過(guò)電流面積得以有效增加，進(jìn)而使得電容器的過(guò)電流能力得以有效改善；同時(shí)，上述插片式IGBT吸收電容器中，其所采用的銅箔連接方式通過(guò)現(xiàn)有的加工技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)，從而避免電容芯組與插片端子進(jìn)行一體化連接而產(chǎn)生的高昂生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型示意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型中金屬片與電容芯組的連接示意圖；
[0013]附圖標(biāo)記列表:
[0014]I—電容芯組、2—插片端子、3—金屬片、4 一連接部件。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。需要說(shuō)明的是，下面描述中使用的詞語(yǔ)“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語(yǔ)“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。
[0016]實(shí)施例1
[0017]如圖1所示的一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組1，以及連接于電容芯組I之上的插片端子2 ;所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組I與插片端子2之間通過(guò)金屬片3進(jìn)行連接。
[0018]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片3中，其寬度方向所在側(cè)邊部分別固定于電容芯組I與插片端子2之上，且上述側(cè)邊部分別位于金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端面所在平面之內(nèi)。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)沿長(zhǎng)度方向在電容芯組與插片端子之間延伸的金屬片，其不僅使得電流在電容芯組與插片端子之間流通過(guò)程中，過(guò)電流面積有效增加，并使得其在相同的過(guò)電流面積下，避免電容芯組與插片端子之間因距離過(guò)短而出現(xiàn)電弧等現(xiàn)象，從而導(dǎo)致對(duì)電容器的性能造成影響。
[0019]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片3中，其長(zhǎng)度與寬度的比值為3.5 ;所述金屬片的寬度為1.5厘米。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)金屬片的長(zhǎng)寬設(shè)置，使得上述對(duì)電流的傳輸與保護(hù)能力得以進(jìn)一步改善。
[0020]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片3與電容芯組I的重合部分面積為金屬片3總面積的1/5，金屬片3與插片式端2子的重合部分面積為金屬片3總面積的1/4。采用上述設(shè)計(jì)，其通過(guò)金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端的重合面積，使得金屬片可通過(guò)較大的接觸面積使得電流傳輸?shù)男实靡愿纳啤?br> [0021]采用上述技術(shù)方案的插片式IGBT吸收電容器，其采用銅箔在電容芯組與插片端子之間進(jìn)行連接，從而使得其相較于傳統(tǒng)的吸收電容器，過(guò)電流面積得以有效增加，進(jìn)而使得電容器的過(guò)電流能力得以有效改善；同時(shí)，上述插片式IGBT吸收電容器中，其所采用的銅箔連接方式通過(guò)現(xiàn)有的加工技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)，從而避免電容芯組與插片端子進(jìn)行一體化連接而產(chǎn)生的高昂生產(chǎn)成本。
[0022]實(shí)施例2
[0023]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片3與電容芯組1，以及插片端子2的連接位置分別設(shè)置有，寬度沿金屬片3的長(zhǎng)度方向逐漸遞增的連接部件4 ;所述連接部件4的端部寬度為金屬片寬度方向側(cè)邊部的2/3 ;如圖2所示，所述連接部件4中，其相對(duì)于電容芯組1，以及插片端子2均采用內(nèi)嵌式安裝。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)寬度遞增的連接部件的設(shè)置，使得其在避免因連接部件過(guò)大導(dǎo)致難以實(shí)現(xiàn)電流保護(hù)的前提下，使得電流的傳輸效率得以進(jìn)一步改善；連接部件的內(nèi)嵌式結(jié)構(gòu)可使得連接部件在完成電流的傳輸過(guò)程中，可避免電流對(duì)電容意以外的電器元件造成影響。
[0024]作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述金屬片3與連接部件4均由銅箔構(gòu)成，其可通過(guò)銅箔的高導(dǎo)電率改善的電容器的性能。
【權(quán)利要求】
1.一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組，以及連接于電容芯組之上的插片端子；其特征在于，所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組與插片端子之間通過(guò)金屬片進(jìn)行連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的插片式IGBT吸收電容器，其特征在于，所述金屬片中，其寬度方向所在側(cè)邊部分別固定于電容芯組與插片端子之上，且上述側(cè)邊部分別位于金屬片與電容的芯組，以及插片端子的連接端面所在平面之內(nèi)。
3.按照權(quán)利要求2所述的插片式IGBT吸收電容器，其特征在于，所述金屬片中，其長(zhǎng)度與寬度的比值為3至4 ;所述金屬片的寬度至少為I厘米。
4.按照權(quán)利要求3所述的插片式IGBT吸收電容器，其特征在于，所述金屬片與電容芯組的重合部分面積，以及其與插片端子的重合部分面積，均至少為金屬片總面積的1/5。
5.按照權(quán)利要求4所述的插片式IGBT吸收電容器，其特征在于，所述金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接位置分別設(shè)置有，寬度沿金屬片的長(zhǎng)度方向逐漸遞增的連接部件；所述連接部件的端部寬度至少為金屬片寬度方向側(cè)邊部的2/3 ;所述連接部件中，其相對(duì)于電容芯組，以及插片端子均采用內(nèi)嵌式安裝。
6.按照權(quán)利要求5所述的插片式IGBT吸收電容器，其特征在于，所述金屬片與連接部件均由銅箔構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】H01G2/00GK204189615SQ201420506819
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月4日
【發(fā)明者】石寶宏, 朱承彪, 王超 申請(qǐng)人:南京天正容光達(dá)電子（集團(tuán)）有限公司