防止樣品靜電損傷的裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及到半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種防止樣品靜電損傷的裝置，通過在一殼體中設(shè)有若干均勻并排的插槽，每個插槽內(nèi)均具有針腳，所有針腳均通過一金屬線進(jìn)行短接；將一具有針腳的待測樣品插入該裝置的插槽中進(jìn)行測試分析時(shí)，因該裝置中所有的針腳短接，靜電電荷會均勻的分布，待測樣品中不同針腳的電勢相同，因此一定程度上避免了靜電放電對待測樣品的損傷；并且當(dāng)進(jìn)行多種測試分析時(shí)亦可以實(shí)時(shí)靜電防護(hù)，同時(shí)提高測試分析的效率，節(jié)約測試分析的成本。
【專利說明】防止樣品靜電損傷的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及到半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種防止樣品靜電損傷的裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]靜電放電(Electrostatic Discharge,簡稱ESD)是由一非傳導(dǎo)表面瞬間所放的靜態(tài)電流，其容易造成集成電路中半導(dǎo)體元件以及其它電子元件的損傷。而集成電路發(fā)生靜電放電時(shí)所造成的損傷常是永久性難以復(fù)原，其造成的損傷能量通常可以大到足以摧毀集成電路的線路，造成集成電路的壽命縮短或者導(dǎo)致集成電路完全失效。
[0003]在工藝可靠性評估中，為了提高測試效率，需要進(jìn)行封裝級測試，封裝級樣品非常容易受到靜電損傷。在很多情況下，操作人員需要進(jìn)行直接的接觸樣品，人體靜電會對樣品的測試結(jié)構(gòu)造成靜電損傷，因此對樣品進(jìn)行后續(xù)的失效分析(Failure Analysis，簡稱FA)時(shí)，很難區(qū)分靜電損傷還是測試電應(yīng)力損傷，對分析判斷帶來干擾。
[0004]為了防止封裝工藝中樣品受到靜電損傷，該領(lǐng)域操作人員需要進(jìn)行靜電防護(hù)，目前靜電防護(hù)的主要采用靜電手環(huán)和離子風(fēng)扇，操作人員佩戴靜電手環(huán)，可以有效的疏散人體靜電；離子風(fēng)扇可以提高空氣導(dǎo)電性避免樣品表面放電。但是由于靜電手環(huán)和離子風(fēng)扇移動性較差，難以實(shí)現(xiàn)在攜帶樣品進(jìn)行多種測試分析時(shí)的實(shí)時(shí)靜電防護(hù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]針對上述存在的問題，本實(shí)用新型公開了一種防止樣品靜電損傷的裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因靜電手環(huán)和離子風(fēng)扇移動性較差，難以實(shí)現(xiàn)在攜帶樣品進(jìn)行多種測試分析時(shí)的實(shí)時(shí)靜電防護(hù)的缺陷。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取如下具體技術(shù)方案:
[0007]—種防止樣品靜電損傷的裝置，其中，所述裝置包括:
[0008]一殼體，所述殼體頂部設(shè)有兩列若干均勻并排的插槽，且各列插槽均與另一列插槽--對應(yīng)的在同一直線上重合；
[0009]各所述插槽內(nèi)均對應(yīng)設(shè)置有一針腳；
[0010]一金屬導(dǎo)線，設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述金屬導(dǎo)線用于短接所述針腳。
[0011]較佳的，上述的防止樣品靜電損傷的裝置，其中，所述金屬導(dǎo)線以串聯(lián)或并聯(lián)的方式短接所述針腳。
[0012]較佳的，上述的防止樣品靜電損傷的裝置，其中，所述金屬線和所述針腳的短接處均鍍覆有焊錫。
[0013]較佳的，上述的防止樣品靜電損傷的裝置，其中，所述金屬線的材質(zhì)為鎢、鋁或銅。
[0014]較佳的，上所述的防止樣品靜電損傷的裝置，其中，所述插槽為DIP插槽。
[0015]較佳的，上述的防止樣品靜電損傷的裝置，其中，所述裝置中具有48個針腳。
[0016]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
[0017]通過在一殼體中設(shè)有若干均勻并排的插槽，各插槽均具有一針腳，所有針腳均通過一金屬線進(jìn)行短接；將一具有針腳的待測樣品插入該裝置的插槽中進(jìn)行測試分析時(shí)，因該裝置中所有的針腳短接，靜電電荷會均勻的分布，待測樣品中不同針腳的電勢相同，因此一定程度上避免了靜電放電對待測樣品的損傷；并且當(dāng)進(jìn)行多種測試分析時(shí)亦可以實(shí)時(shí)靜電防護(hù)，同時(shí)提高測試分析的效率，節(jié)約測試分析的成本。
[0018]具體

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本實(shí)用新型的主旨。
[0020]圖1是本實(shí)用新型中防止樣品靜電損傷的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本實(shí)用新型中防止樣品靜電損傷的裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3a和圖3b是本實(shí)用新型中防止樣品靜電損傷的裝置的工作原理示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]本實(shí)用新型的核心思想是:在一殼體中設(shè)有多列若干均勻并排的插槽，每個插槽均具有一針腳，所有針腳均通過一金屬線進(jìn)行短接。
[0024]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明，但不作為本實(shí)用新型的限定。
[0025]如圖1所示的為本實(shí)用新型實(shí)施例中防止樣品靜電損傷的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，具體的包括一矩形結(jié)構(gòu)的殼體1，該殼體頂部設(shè)有若干插槽2，插槽2在殼體I頂面均勻并排呈列狀分布且各列插槽均與另一列插槽對應(yīng)的在同一直線上重合。
[0026]優(yōu)選的，各插槽2的長度延伸方向垂直于該殼體I結(jié)構(gòu)的一長邊，在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，任意一插槽2中均具有一針腳(圖中未示出)。
[0027]在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，上述插槽為DIP(Dual Inline-pin Package，簡稱DIP，即雙列直插式封裝)插槽，且作為一個優(yōu)選的實(shí)施例，在殼體中設(shè)有兩列插槽2,且各列插槽2的數(shù)量具體為24個，即針腳的總數(shù)量為48個，當(dāng)然本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對上述殼體I的形狀以及插槽2的數(shù)量根據(jù)實(shí)際工藝需求進(jìn)行設(shè)定，在實(shí)際應(yīng)用中同樣適應(yīng)且對本實(shí)用新型并無實(shí)質(zhì)影響。
[0028]另外,在上述殼體I中具有將該殼體I上表面均分的中間部分3,該中間部分3的與該殼體I的長度方向平行，上述兩列插槽2分別位于該中間部分3兩側(cè)，便于后續(xù)對待測樣品進(jìn)行分析時(shí)具有支撐該待測樣品的效果，如圖1所示。
[0029]如圖2所示的為防止樣品靜電損傷的裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，由圖可以看出，在本實(shí)用新型中還包括一金屬導(dǎo)線5，該金屬導(dǎo)線5位于上述殼體I的內(nèi)部，且該金屬導(dǎo)線5將所述針腳短接，相互短接的若干針腳間形成一回路，用于短接后續(xù)的待測樣品針腳，以使待測樣品中的電荷均勻分布，待測樣品針腳間無電勢差，避免靜電放電對待測樣品的損傷。
[0030]在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)線5可以串聯(lián)或并聯(lián)方式短接上述針腳，作為一個優(yōu)選的實(shí)施例，該金屬導(dǎo)線5以串聯(lián)的方式短接上述針腳，而其他的連接方式在本實(shí)用新型中同樣適用，對本實(shí)用新型并無實(shí)質(zhì)影響。
[0031]在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)線5的材質(zhì)可以為鎢、鋁或銅以及其他金屬材料，作為一個優(yōu)選的實(shí)施例，該金屬導(dǎo)線5的材質(zhì)為金屬銅。
[0032]在金屬導(dǎo)線5與針腳短接處還鍍覆焊錫4，該焊錫4用于保證該金屬導(dǎo)線5與針腳之間具有良好的電性接觸，便于良好短接所有針腳。
[0033]下面對本裝置的應(yīng)用進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0034]如圖3a所示，該待測樣品可以為一場效應(yīng)管，具體的該待測樣品具有源極(S)、漏極(D)、柵極(G)以及襯底(B)結(jié)構(gòu)，在該待測樣品的針腳與人體進(jìn)行接觸的過程中，柵極與襯底的針腳之間會存在電勢差，因柵極與襯底之間具有一柵氧化層6，所以柵氧化層6上電勢差會引起因靜電放電而產(chǎn)生的熱量，并最終損壞待測樣品中的柵氧化層6。
[0035]進(jìn)一步，將該待測樣品放置于該防止樣品靜電損傷的裝置中，具體的，將該待測樣品的柵極以及襯底對應(yīng)的針腳插入插槽2，因所有插槽2中的針腳均通過金屬導(dǎo)線5短接，如圖3b所示，該待測樣品的針腳均間接的通過金屬導(dǎo)線5相互短接，即柵極與襯底相互短接。
[0036]在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，相互短接的柵極以及襯底中靜電電荷均勻分布，樣品不同針腳間的電勢相同，不存在電勢差，因此避免了因靜電放電而導(dǎo)致待測樣品中的柵氧化層6的損傷，同時(shí)提高了測試分析的效率，大大節(jié)約了對待測樣品的測試分析成本。
[0037]綜上所述，本實(shí)用新型公開了一種防止樣品靜電損傷的裝置，通過在一殼體中設(shè)有若干均勻并排的插槽，各插槽均具有一針腳，所有針腳均通過一金屬線進(jìn)行短接；將一具有針腳的待測樣品插入該裝置的插槽中進(jìn)行測試分析時(shí)，因該裝置中所有的針腳短接，靜電電荷會均勻的分布，待測樣品中不同針腳的電勢相同，因此一定程度上避免了靜電放電對待測樣品的損傷；并且當(dāng)進(jìn)行多種測試分析時(shí)亦可以實(shí)時(shí)靜電防護(hù)，同時(shí)提高測試分析的效率，節(jié)約測試分析的成本。
[0038]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)所述變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。
[0039]以上對本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本實(shí)用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種防止樣品靜電損傷的裝置，其特征在于，所述裝置包括: 一殼體，所述殼體頂部設(shè)有兩列若干均勻并排的插槽，且各列插槽均與另一列插槽一一對應(yīng)的在同一直線上重合； 各所述插槽內(nèi)均對應(yīng)設(shè)置有一針腳； 一金屬導(dǎo)線，設(shè)于所述殼體內(nèi)，所述金屬導(dǎo)線用于短接所述針腳。
2.如權(quán)利要求1所述的防止樣品靜電損傷的裝置，其特征在于，所述金屬導(dǎo)線以串聯(lián)或并聯(lián)的方式短接所述針腳。
3.如權(quán)利要求1所述的防止樣品靜電損傷的裝置，其特征在于，所述金屬線和所述針腳的短接處均鍍覆有焊錫。
4.如權(quán)利要求1所述的防止樣品靜電損傷的裝置，其特征在于，所述金屬線的材質(zhì)為鶴、招或銅。
5.如權(quán)利要求1所述的防止樣品靜電損傷的裝置，其特征在于，所述插槽為DIP插槽。
6.如權(quán)利要求1所述的防止樣品靜電損傷的裝置，其特征在于，所述裝置中具有48個針腳。
【文檔編號】H01L23/60GK204167314SQ201420516477
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月9日
【發(fā)明者】于奎龍, 朱熙 申請人:武漢新芯集成電路制造有限公司