本發(fā)明涉及一種晶粒定位布置設(shè)備以及晶粒定位布置方法，特別是涉及一種增加定位布置效率的晶粒定位布置設(shè)備以及晶粒定位布置方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的制程中，必須將晶圓切割成復(fù)數(shù)晶粒，再?gòu)闹刑舫隽计?，重新配置到圓形的基板上以進(jìn)行后續(xù)的加工。由于晶粒是在重新配置(reconfiguration)后才進(jìn)行重分布(redistribution)、繞線、植球……等加工過(guò)程，因此晶粒必須在基板上被擺放定位的非常精準(zhǔn)。一般而言，誤差是要求控制在2微米之內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)的做法是選定基板上的一個(gè)位置，利用機(jī)械手臂吸取一顆晶粒，再將晶粒放置到控制器選定的位置?？梢韵胍?jiàn)，機(jī)械手臂一次只能放置一顆晶粒，效率十分有限。并且每一顆晶粒被布置到基板后，還需要一段制程時(shí)間，讓機(jī)械手臂施力于晶粒使其與基板接合。這更是嚴(yán)重拖慢了機(jī)械手臂布置晶粒的速率，導(dǎo)致整體速率受限，對(duì)于產(chǎn)能需求極高的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，是急需改善的重要環(huán)節(jié)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的即在提供一種晶粒定位布置設(shè)備以及運(yùn)用其的晶粒定位布置方法，能大幅提高晶粒被定位布置到基板的速率。

本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題所采用的技術(shù)手段為提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置設(shè)備，用于將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒定位于基板的待布置區(qū)域，該晶粒定位布置設(shè)備包含：承托構(gòu)件，具有承托面，供該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒布置其上；布置機(jī)構(gòu)，用以將該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒布置于該承托構(gòu)件的該承托面；以及轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)，經(jīng)設(shè)置而將該承托構(gòu)件自對(duì)應(yīng)于該承托面的上料方位轉(zhuǎn)置于定置方位，其中于該上料方位，該承托構(gòu)件的該承托面面向于該布置機(jī)構(gòu)，而供該布置機(jī)構(gòu)布置該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒，以及于該定置方位，該承托構(gòu)件與該基板經(jīng)相對(duì)翻轉(zhuǎn)，而使該承托構(gòu)件的該承托面面向該基板的該待布置區(qū)域，并經(jīng)由該承托構(gòu)件以及該基板之間的相對(duì)位移以使復(fù)數(shù)個(gè)晶粒定位于該基板的該待布置區(qū)域。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置設(shè)備，該布置機(jī)構(gòu)對(duì) 應(yīng)提供為復(fù)數(shù)個(gè)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置設(shè)備，還包含循環(huán)構(gòu)件，該循環(huán)構(gòu)件經(jīng)設(shè)置而在對(duì)應(yīng)于該轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)的位置與對(duì)應(yīng)于該布置機(jī)構(gòu)的位置之間循環(huán)運(yùn)輸該復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置設(shè)備，該基板為晶圓、玻璃、PCB、陶瓷基板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置設(shè)備，該承托構(gòu)件的尺寸實(shí)質(zhì)上等于曝光機(jī)構(gòu)的單位曝光范圍，該曝光機(jī)構(gòu)在后續(xù)制程中對(duì)布置于該基板的晶粒進(jìn)行曝光處理。

本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題所采用的另一技術(shù)手段提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置方法，利用晶粒定位布置設(shè)備而將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒定位于基板的待布置區(qū)域，該晶粒定位布置設(shè)備包括承托構(gòu)件、布置機(jī)構(gòu)以及轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)，該晶粒定位布置方法包含：預(yù)置步驟，由該布置機(jī)構(gòu)將該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒布置于該承托構(gòu)件的承托面；以及轉(zhuǎn)置步驟，由該轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)將該承托構(gòu)件自對(duì)應(yīng)于該承托面的上料方位轉(zhuǎn)置于定置方位，其中于該上料方位，該承托構(gòu)件的該承托面面向于該布置機(jī)構(gòu)，而供該布置機(jī)構(gòu)布置該些晶粒，以及于該定置方位，該承托構(gòu)件與該基板經(jīng)相對(duì)翻轉(zhuǎn)，而使的該承托面面向該基板的該待布置區(qū)域，并經(jīng)由該承托構(gòu)件以及該基板之間的相對(duì)位移以使該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒定位于該基板的該待布置區(qū)域。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置方法，其中于該轉(zhuǎn)置步驟中，該轉(zhuǎn)置為由該轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)以一角度翻轉(zhuǎn)該承托構(gòu)件。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置方法，于該轉(zhuǎn)置步驟后，還包括分離步驟：相對(duì)分離該承托構(gòu)件以及該基板，留置該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒于該待布置區(qū)域。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置方法，其中該承托構(gòu)件提供為復(fù)數(shù)個(gè)，于該預(yù)置步驟中，由該布置機(jī)構(gòu)將該復(fù)數(shù)個(gè)晶粒分別布置于復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件，于該轉(zhuǎn)置步驟中，由該轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)置該復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中提供一種增加定位布置效率的晶粒定位布置方法，其中該晶粒定位布置設(shè)備還包含循環(huán)構(gòu)件，于該轉(zhuǎn)置步驟后，還包括循環(huán)步驟，由該循環(huán)構(gòu)件將經(jīng)轉(zhuǎn)置后的該承托構(gòu)件運(yùn)輸至對(duì)應(yīng)于該布置機(jī)構(gòu)的位置而供再度承托晶粒。

經(jīng)由本發(fā)明所采用的技術(shù)手段，取代一次僅能布置單一顆晶粒的傳統(tǒng)方法，可以在短時(shí)間內(nèi)將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒定位于基板，減少設(shè)備來(lái)回移動(dòng)的次數(shù)，并縮短總體制程時(shí)間，因而大幅增進(jìn)晶粒布置的速率，提高產(chǎn)能，間接降低生產(chǎn)成本。

本發(fā)明所采用的具體實(shí)施例，將通過(guò)以下的實(shí)施例及附呈圖式作進(jìn)一步的說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶粒定位布置設(shè)備立體示意圖。

圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶粒定位布置設(shè)備部分側(cè)視示意圖。

圖3為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶粒定位布置方法流程圖。

圖4為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的晶粒定位布置設(shè)備立體示意圖。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的晶粒定位布置方法流程圖。

附圖標(biāo)記

100 晶粒定位布置設(shè)備

1 承托構(gòu)件

11 承托面

2 布置機(jī)構(gòu)

3 轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)

4 控制器

5 循環(huán)構(gòu)件

D 晶粒

P1 上料方位

P2 定置方位

R 待布置區(qū)域

S 基板

S101 步驟

S102 步驟

S201 步驟

S202 步驟

S203 步驟

S204 步驟

Z 晶粒存放區(qū)

具體實(shí)施方式

以下根據(jù)圖1至圖4，而說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。該說(shuō)明并非為限制本發(fā)明的實(shí)施方式，而為本發(fā)明的實(shí)施例的一種。

參閱圖1以及圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一晶粒定位布置設(shè)備100用于將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D定位于基板S的待布置區(qū)域R。晶粒定位布置100設(shè)備包含承托構(gòu)件1、布置機(jī)構(gòu)2、轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3、以及電連接布置機(jī)構(gòu)2和轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3的控制器4。承托構(gòu)件1是負(fù)責(zé)承載復(fù)數(shù)晶粒D的中間載具，并且具有承托面11，供復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D布置其上。承托構(gòu)件1例如可以是具有黏性的托盤(pán)，或?yàn)閺?fù)數(shù)真空吸嘴組合而成的構(gòu)件，以供晶粒D能固定于其上。

布置機(jī)構(gòu)2用以將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D布置于承托構(gòu)件1的承托面11。在一個(gè)實(shí)施例中，布置機(jī)構(gòu)2是機(jī)械手臂，控制器4控制布置機(jī)構(gòu)2以吸取的方式將位于晶粒存放區(qū)Z的復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D逐一布置到承托面11上，但本發(fā)明不限于此。

轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3經(jīng)設(shè)置而將承托構(gòu)件1自對(duì)應(yīng)于承托面11的上料方位P1轉(zhuǎn)置于定置方位P2。所謂上料方位P1，指承托構(gòu)件1的承托面11面向于布置機(jī)構(gòu)2供布置機(jī)構(gòu)2布置復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D。相對(duì)地，所謂定置方位P2指的是承托構(gòu)件1與基板S經(jīng)過(guò)相對(duì)翻轉(zhuǎn)，而使承托構(gòu)件1的承托面11面向基板S的待布置區(qū)域R，并經(jīng)由承托構(gòu)件1以及基板S之間的相對(duì)位移以使復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D定位于基板S的待布置區(qū)域R。在圖2中，轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3以一個(gè)角度翻轉(zhuǎn)承托構(gòu)件1以轉(zhuǎn)置于定置方位P2。但實(shí)施上，也可以翻轉(zhuǎn)基板S、或翻轉(zhuǎn)承托構(gòu)件1和基板S各一角度，以達(dá)到「承托構(gòu)件1的承托面11面向基板S的待布置區(qū)域R」。在承托構(gòu)件被轉(zhuǎn)置于定置方位P2后，控制器4控制轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3相對(duì)分離承托構(gòu)件1以及基板S，留置復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D于待布置區(qū)域R。相對(duì)分離可以是透過(guò)轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3移動(dòng)承托構(gòu)件1離開(kāi)基板S、或移動(dòng)基板S離開(kāi)承托構(gòu)件1，當(dāng)然也可以透過(guò)各自移動(dòng)這兩者而產(chǎn)生相對(duì)位移。

控制器4除了用以控制布置機(jī)構(gòu)2和翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)3的動(dòng)作，也決定每一個(gè)晶粒D在承托面11上的位置，并且決定位于基板S的待布置區(qū)域R。

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明所提供的晶粒定位布置方法，包括預(yù)置步驟以及轉(zhuǎn)置步驟。

在一個(gè)實(shí)施例中，承托構(gòu)件1是方型的載具，基板S可以為晶圓、玻璃、PCB、陶瓷基板或其他材質(zhì)，且本發(fā)明不限于此。承托構(gòu)件1的尺寸實(shí)質(zhì)上等于曝光機(jī)構(gòu)的單位曝光范圍，曝光機(jī)構(gòu)在后續(xù)制程中對(duì)布置于基板S的晶粒D進(jìn)行曝光處理。也就是說(shuō)，承托構(gòu)件1的尺寸是根據(jù)后續(xù)加工使用的曝光機(jī)構(gòu)來(lái)決定，并且承托面11上提供給復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D的布置位置的間距也可以進(jìn)一步由曝光機(jī)構(gòu)來(lái)定義。在承托構(gòu)件1完全對(duì)應(yīng)曝光機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)下，可使被布置于基板S的復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D的彼此之間相對(duì)位置、以及晶粒與基板S的相對(duì)位置的關(guān)系能完全吻合曝光機(jī)構(gòu)的單位曝光范圍，將誤差降到最低。

請(qǐng)參閱圖4以及圖5，本發(fā)明提出又一個(gè)實(shí)施例。與前一實(shí)施例的差別為，本實(shí)施例的晶粒定位布置設(shè)備100a中還包含循環(huán)構(gòu)件5。并且于本實(shí)施例中，承托構(gòu)件1提供為復(fù)數(shù)個(gè)，布置機(jī)構(gòu)2也對(duì)應(yīng)地提供為復(fù)數(shù)個(gè)，但承托構(gòu)件1以及布置機(jī)構(gòu)2的數(shù)量未必要相等。循環(huán)構(gòu)件5經(jīng)設(shè)置而在對(duì)應(yīng)于轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3的位置與對(duì)應(yīng)于布置機(jī)構(gòu)2的位置之間循環(huán)運(yùn)輸復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件1至接近復(fù)數(shù)個(gè)布置機(jī)構(gòu)2，復(fù)數(shù)個(gè)布置機(jī)構(gòu)2將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D布置于復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件1，轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3轉(zhuǎn)置復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D至復(fù)數(shù)個(gè)待布置區(qū)域R。

也就是說(shuō)，在本實(shí)施例中，為進(jìn)一步提高產(chǎn)能，采用復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件1和復(fù)數(shù)的布置機(jī)構(gòu)2。復(fù)數(shù)個(gè)布置機(jī)構(gòu)2同時(shí)作業(yè)，將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D布置到復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件1。換句話說(shuō)，相較前一實(shí)施例，本實(shí)施例在單位時(shí)間內(nèi)可以有更多的承托構(gòu)件1被布置復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D。如此可避免單一個(gè)布置機(jī)構(gòu)2的布置速率跟不上轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3的轉(zhuǎn)置速率而拖慢效率，而能讓轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)不間斷地轉(zhuǎn)置承托構(gòu)件1。

在轉(zhuǎn)置過(guò)程中，與前一實(shí)施例相同，也是將承托構(gòu)件1自上料方位P1轉(zhuǎn)置至定置方位P2。并且在承托構(gòu)件1被轉(zhuǎn)置到定置方位P2后，透過(guò)控制器4控制轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3相對(duì)分離復(fù)數(shù)個(gè)承托構(gòu)件1以及基板S，留置復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D于待布置區(qū)域R。之后，由循環(huán)構(gòu)件5將經(jīng)轉(zhuǎn)置后的承托構(gòu)件1運(yùn)輸至對(duì)應(yīng)于布置機(jī)構(gòu)2的位置而供再度承托晶粒。

通過(guò)本發(fā)明的晶粒定位布置設(shè)備100a以及晶粒定位布置方法，翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)3可以一次將復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D轉(zhuǎn)置到基板S的待布置區(qū)域R，省去冗長(zhǎng)的布置時(shí)間，大幅增快速率。詳細(xì)說(shuō)來(lái)，轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3每轉(zhuǎn)置一次承托構(gòu)件1就可以節(jié)省很多「在晶粒存放區(qū)Z以及基板S之間來(lái)回移動(dòng)」的時(shí)間。以實(shí)際的例子來(lái)說(shuō)，若承托構(gòu)件1承托N個(gè)晶粒D，相較于先前技術(shù)，轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3轉(zhuǎn)置一次承托構(gòu)件1就省去N-1單位的來(lái)回移動(dòng)的時(shí)間。除此之外，先前技術(shù)布置一顆晶粒需要一次制程時(shí)間，然而于本發(fā)明中，被布置于承托構(gòu)件1的復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D乃同時(shí)接觸基板S，故復(fù)數(shù)個(gè)晶粒D總共也只需要一次的制程時(shí)間。當(dāng)轉(zhuǎn)置機(jī)構(gòu)3一次轉(zhuǎn)置了N個(gè)晶粒于基板S，就省下了N-1單位的制程時(shí)間。綜上所述，本發(fā)明的晶粒定位布置設(shè)備和晶粒定位布置方法能大幅提高產(chǎn)能，進(jìn)而壓低生產(chǎn)成本。

以上的敘述以及說(shuō)明僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例的說(shuō)明，對(duì)于此項(xiàng)技術(shù)本領(lǐng)域技術(shù)人員可以依據(jù)以下所界定申請(qǐng)專利范圍以及上述的說(shuō)明而作其他的修改，只要這些修改仍應(yīng)是為本發(fā)明的發(fā)明精神而在本發(fā)明的權(quán)利范圍中。