本發(fā)明涉及硅片工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高硅片性能的方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的二極管芯片制作工藝為以下步驟：原硅片清洗、排磷紙、磷擴(kuò)、分片、單面噴砂、涂硼前清洗、涂硼、硼擴(kuò)、硼分片、雙面噴砂、鍍鎳前清洗上述步驟中在排磷紙工序中不使用中性紙，此方法磷擴(kuò)后硅片的反型層面積大，反型深度深，硅片卸舟時(shí)容易造成的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象，硅片分片時(shí)容易造成缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象；

專利號(hào)為CN 103117336 A的專利：一種二極管芯片制作中硅片均勻擴(kuò)散的方法，主要由以下步驟構(gòu)成：原硅片清洗、排磷紙、擴(kuò)磷、分片、單面噴砂、涂硼前清洗、涂硼、擴(kuò)硼、雙面噴砂、鍍鎳前清洗、一次鍍鎳、合金、二次鍍鎳，所述排磷紙工序中使用石墨舟時(shí)硅片為垂直方式擴(kuò)散，本發(fā)明對(duì)硅片擴(kuò)散方式由原來(lái)的平衡方式改為垂直方式,這樣做可以提高反向恢復(fù)時(shí)間；VB更集中；平整度有改善，但是該發(fā)明沒(méi)有解決缺角、破裂和暗傷的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種提高硅片性能的方法，該方法解決了現(xiàn)有技術(shù)中二極管芯片制作中磷擴(kuò)后硅片反型層面積大，反型深度深的技術(shù)難點(diǎn)，同時(shí)又解決了硅片在卸舟和分片時(shí)缺角、破裂、暗傷等諸多問(wèn)題。另外，本發(fā)明可避免磷源在硅片表面因自然風(fēng)干或加熱而導(dǎo)致的凝聚，從而有效提高了擴(kuò)散的均勻性，且避免了擴(kuò)散結(jié)反滲到硅片的另外一面，造成硅片性能降低。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：

一種提高硅片性能的方法，包括以下步驟：

(1)原硅片清洗：通過(guò)氫氟酸溶液、氫氧化鉀溶液、哈摩粉溶液、熱 純水超聲清洗工序?qū)杵M(jìn)行表面清洗，然后烘干，其中熱純水溫度為75～85℃；

(2)排磷紙：將中性紙對(duì)折兩次后，放置在石英棒上，讓硅片與石英棒隔離，然后石英棒上方的硅片采用：磷紙、硅片、中性紙、硅片、磷紙，依次排列的方式進(jìn)行排列；

(3)磷擴(kuò)：將疊好的硅片放入石英管中進(jìn)行加熱，完成加熱后，進(jìn)入磷高溫爐進(jìn)行加熱，加熱完成后，取出自然冷卻，等待分片；

(4)分片：將硅片放入泡酸花籃，然后丟入氫氟酸液中浸泡，然后通過(guò)哈摩粉超聲清洗、沖水進(jìn)行清洗，清洗完成后，放入異丙醇中浸泡，浸泡完成后，放置在墊有濾紙的不銹鋼盤(pán)子中，然后送進(jìn)烘箱烘烤，烘烤完成后，進(jìn)行分片；

(5)單面噴砂：將硅片送入真空吹砂室中進(jìn)行單面噴砂；

(6)涂硼前清洗：在純水和哈摩粉溶液中進(jìn)行超聲清洗，然后放入常溫純水進(jìn)行清洗，清洗完成后，通過(guò)混酸腐蝕，其中混酸為硝酸：冰乙酸：氫氟酸按照18:1:1的比例混合而成，再經(jīng)過(guò)常溫純水沖洗和哈摩粉超聲清洗，最后通過(guò)甩干機(jī)刷干，最后送入烘箱中進(jìn)行烘干；

(7)涂硼：將硼液均勻的涂在旋轉(zhuǎn)的硅片上，將涂好的硅片進(jìn)行加熱，然后在附磷面上傾灑鋁粉，然后將硅片疊于石英舟上，通過(guò)擋片塞緊；

(8)擴(kuò)硼：將載有硅片的石英舟放入擴(kuò)散爐中加熱，完成后，放置在常溫冷卻；

(9)雙面噴砂：將硅片放入真空吹砂室進(jìn)行雙面噴砂；

(10)鍍鎳前清洗：將噴砂后的硅片放入氫氧化鉀溶液中浸泡，然后依次用純水清洗，哈摩粉溶液超聲清洗兩次，熱純水繼續(xù)超聲清洗，其中熱純水溫度為75～85℃，最后用純水沖洗；

(11)通過(guò)以上方法可以得到一個(gè)性能較好的硅片，最后進(jìn)行一次鍍鎳、鎳燒結(jié)和二次鍍鎳。；

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)：

進(jìn)一步，所述步驟(2)中放置在石英棒上的中性紙為正方形，數(shù)目為1-3張，放置在硅片之間的中性紙為圓形，數(shù)目為1-3張。

采用本步的有益效果是利用中性紙將石英棒與硅片分離開(kāi)來(lái)，這樣有效 防止硅片在卸舟時(shí)，出現(xiàn)缺角、破裂。

進(jìn)一步，所述步驟(4)完成烘烤的芯片進(jìn)行分片時(shí)，放置在包裝好的泡沫墊上分片。

采用本步的有益效果是利用泡沫墊減震的特點(diǎn)來(lái)降低硅片與泡沫墊接觸的損傷。

進(jìn)一步，所述泡沫墊為長(zhǎng)方形。

在使用時(shí)，可以保證泡沫墊與分片桌相配合，能夠防止硅片分片時(shí)掉落到桌子上產(chǎn)生缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象；

進(jìn)一步，所述泡沫墊厚度為10～20mm，泡沫墊的包裝采用的是濾紙包裝，光滑的一面用于分片。

采用本步的有益效果是泡沫墊利用濾紙包裝，利用光滑的一面進(jìn)行分片，能夠有效保護(hù)硅片，防止將分完的硅片整理時(shí)，由于濾紙表面不光滑導(dǎo)致缺角；

進(jìn)一步，在步驟(3)中，所述預(yù)熱的具體工藝條件為：先在210～230℃的溫度下預(yù)熱15分鐘，然后在540-560℃的溫度下，預(yù)熱1小時(shí)；所述加熱的具體工藝條件為：在1100-1300℃的溫度下，加熱3小時(shí)；

進(jìn)一步，在步驟(4)中，所述進(jìn)行烘烤的時(shí)間為25分鐘，溫度為120～140℃；

進(jìn)一步，在步驟(6)中，所述混酸為硝酸、氫氟酸和冰乙酸的混合，兩者之間的體積比為18:1:1；

進(jìn)一步，在步驟(7)中，所述烘烤的時(shí)間為7-9分鐘，溫度為120～140℃；

進(jìn)一步，在步驟(8)中，所述加熱的具體工藝條件為1200-1300℃，加熱時(shí)間為20-24小時(shí)；

本發(fā)明的有益效果：

1.本發(fā)明減少了硅片磷擴(kuò)時(shí)的反型層，降低了磷擴(kuò)后硅片卸舟時(shí)造成的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象，降低了硅片分片時(shí)造成的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象；

2.本發(fā)明通過(guò)中性紙可以阻擋磷擴(kuò)時(shí)磷源的反型，從而降低了反型的面積及深度(反型深度由14～17μm降低為3～6μm)；卸舟時(shí)中性紙起到隔 離的作用，避免磷擴(kuò)后的產(chǎn)生的凝結(jié)物將硅片和石英舟粘牢，從而降低了卸舟時(shí)導(dǎo)致的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象；分片時(shí)利用泡沫墊的彈性降低了硅片觸碰到桌面從而導(dǎo)致的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象的產(chǎn)生；

3.本發(fā)明對(duì)正向電壓的參數(shù)要求比較高的產(chǎn)品，通過(guò)采用此方案配合磷擴(kuò)溫度和時(shí)間，可以達(dá)到磷結(jié)深深，反型淺，后續(xù)的加工破片少的效果。

具體實(shí)施方式

以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

本發(fā)明步驟中所使用原料均為已知的產(chǎn)品，并且可以在市場(chǎng)上購(gòu)得。

本發(fā)明中所述硼液為乙二醇甲醚:三氧化二硼按照體積比1:4混合制成，所述氫氟酸溶液的體積比為氫氟酸：水＝1:9，所述氫氧化鉀溶液的體積比為氫氧化鉀：水＝1:9，所述哈摩粉溶液為液態(tài)的清洗劑溶液，且所述哈摩粉溶液的體積比為哈摩粉：水＝1:105～140，所述混酸為硝酸、氫氟酸和冰乙酸的混合，兩者之間的體積比為18:1:1；

實(shí)施例1：

一種二提高硅片性能的方法，包括以下步驟：

(1)原硅片清洗：原硅片泡氫氟酸溶液60秒后沖水5min，然后氫氧化鉀溶液腐蝕30秒，再?zèng)_水5min，接著將硅片至于哈摩粉溶液中，用頻率為28KHZ的超聲波超聲清洗15min，熱純水超聲清洗15min，氫氟酸腐蝕60秒后沖水，直到水阻值≥10MΩcm后甩干，并且烘干，烘干的溫度為140℃，時(shí)間5分，通過(guò)以上步驟，可以將硅片表面清洗干凈，從而得到均勻和深度合適的磷結(jié)，同時(shí)還可以減小磷擴(kuò)后硅片的反型面積并降低硅片的反型深度。

(2)排磷紙：取1張正方形中性紙對(duì)折兩次后，放置在石英棒上，讓硅片與石英棒隔離。取1張圓形中性紙按以下流程操作：一張磷紙、一片硅片、1張圓形中性紙、一片硅片、一張磷紙，依次排列；

本發(fā)明是對(duì)中性紙進(jìn)行分別的使用，這樣可以降低磷擴(kuò)后硅片卸舟時(shí)造成的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象，磷擴(kuò)后降低硅片未附磷面的反型層深度，給后道去除反型層帶來(lái)方便；

(3)磷擴(kuò)：在低溫爐中先把疊好硅片的石英舟置于石英管口,預(yù)熱15min，溫度為230℃，然后把石英舟推至恒溫區(qū)，溫度升到560℃后恒溫1h，時(shí)間到后，將材料導(dǎo)入磷高溫爐，所用氮?dú)饬髁?10L/min,氧氣流量:2L/min；溫度升到1300℃后恒溫3H；恒溫時(shí)間結(jié)束，開(kāi)始降溫，當(dāng)溫度降至600℃時(shí)用石英鉤將石英舟逐漸拉出，拉至爐口冷卻15min后取下放在石英托架上自然冷卻待分片；

通過(guò)以上步驟，可以得到均勻和深度合適的磷結(jié)，形成N型半導(dǎo)體，提升硅片的機(jī)械良率；

(4)分片：置硅片于泡酸花籃(裝載硅片的治具)中并放入12000ml，氫氟酸液中浸泡，磷擴(kuò)后20h,硼擴(kuò)后12h，時(shí)間到后取出放在流動(dòng)的自來(lái)水中沖洗約60min后，使用哈摩粉超聲清洗15min，沖水15min，將硅片放入異丙醇(含量大于等于99.5％)中浸泡15min后取不銹鋼盤(pán)子,墊上濾紙,將分開(kāi)的硅片平攤在濾紙上，將不銹鋼盤(pán)子送進(jìn)烘箱烘烤20min，烘烤完畢的硅片在包裝好的泡沫墊上分片，利用泡沫墊減震的特點(diǎn)來(lái)降低硅片與泡沫墊接觸的損傷；

(5)單面噴砂：硅片以25HZ的傳動(dòng)速度進(jìn)入真空吹砂室中，將未附磷面朝上，以0.05MPA的壓力進(jìn)行單面噴砂即可；

(6)涂硼前清洗：在21000ml的、溫度為75℃的純水和150g哈摩粉溶液中進(jìn)行超聲清洗26min，清洗完畢后再進(jìn)行常溫純水清洗5min；然后用混酸腐蝕，常溫純水沖洗和哈摩粉超聲清洗；在哈摩粉超聲清洗完畢后，再進(jìn)行75℃熱純水超聲清洗17min、常溫純水清洗15min，清洗完畢后，使用甩干機(jī)刷干，最后進(jìn)入烘箱以140℃的溫度烘干；

通過(guò)以上步驟，可以使硼擴(kuò)后的硼結(jié)均勻，使生產(chǎn)出的晶粒的電壓均勻性好，同時(shí)還能降低封裝后二極管的漏電流；

(7)涂硼：將涂硼專用美術(shù)筆頭浸入小玻璃瓶中,沾適量的硼液，然后在旋轉(zhuǎn)的硅片未涂硼的一面均勻地涂上一層硼液，由旋轉(zhuǎn)的硅片中心向外緣涂，取下涂好的硅片,置于電熱板上，烘9min，取下硅片，冷卻后在附磷面上均勻輕灑0.0012～0.0014g的鋁粉,然后將硅片疊于石英舟上,并在整疊硅片的兩端須放上1～3片的擋片，疊好硅片的石英舟前后擋板用擋片塞緊；

(8)擴(kuò)硼：將載有硅片的石英舟置于爐口預(yù)熱20min，用石英鉤將石英舟推至恒溫區(qū)；調(diào)整擴(kuò)散爐升溫速率為4℃/min升溫到1300℃，等溫度升到1300℃時(shí)，恒溫24H時(shí)間后，降溫至600℃并以該溫度保持恒溫120min后出爐。第一次用約15s拉至距爐門(mén)66cm，再以15cm/10min的速度拉至管口，冷卻22min后使用石英勾將石英舟拉至托盤(pán)上取出，放于常溫冷卻，通過(guò)以上步驟，可以使硼擴(kuò)后的硼結(jié)均勻，使生產(chǎn)出的晶粒的電壓均勻性好，同時(shí)還能提升硅片的機(jī)械良率；

(9)雙面噴砂：硅片以25HZ的傳動(dòng)速度速進(jìn)入真空吹砂室中，以0.05MPA的壓力進(jìn)行雙面噴砂即可；

(10)鍍鎳前清洗：氫氧化鉀溶液中浸60秒，然后用純水清洗10min，再用哈摩粉溶液超聲清洗兩次，每次的時(shí)間為17min，用75℃熱純水繼續(xù)超聲清洗16min并緊接著純水沖洗10min，通過(guò)以上步驟，可以讓鎳與硅片很好的接觸，提升硅片在后道焊接后的拉力；

(11)最后進(jìn)行常規(guī)的一次鍍鎳、鎳燒結(jié)和二次鍍鎳。

實(shí)施例2：

一種提高硅片性能的方法，包括以下步驟：

(1)原硅片清洗：原硅片泡氫氟酸溶液60秒后沖水15min，然后氫氧化鉀溶液腐蝕60秒，再?zèng)_水5min，接著將硅片至于哈摩粉溶液中，用頻率為28KHZ的超聲波超聲清洗15min，熱純水超聲清洗15min，氫氟酸腐蝕60秒后沖水，直到水阻值≥10MΩcm后甩干，并且烘干，通過(guò)以上步驟，可以將硅片表面清洗干凈，從而得到均勻和深度合適的磷結(jié)，同時(shí)還可以減小磷擴(kuò)后硅片的反型面積并降低硅片的反型深度。

(2)排磷紙：取3張正方形中性紙對(duì)折兩次后，放置在石英棒上，讓硅片與石英棒隔離。取3張圓形中性紙按以下流程操作：一張磷紙、一片硅片、3張圓形中性紙、一片硅片、一張磷紙，依次排列；本發(fā)明是對(duì)中性紙進(jìn)行分別的使用，這樣可以降低磷擴(kuò)后硅片卸舟時(shí)造成的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象，磷擴(kuò)后降低硅片未附磷面的反型層深度，給后道去除反型層帶來(lái)方便；

(3)磷擴(kuò)：在低溫爐中先把疊好硅片的石英舟置于石英管口,預(yù)熱15min，溫度為210℃，然后把石英舟推至恒溫區(qū)，溫度升到540℃后恒溫1h。 時(shí)間到后，將進(jìn)磷高溫爐。所用氮?dú)饬髁?10L/MIN,氧氣流量:2L/MIN；在高溫爐中把石英舟推至540℃恒溫區(qū)；溫度升到1100℃后恒溫3H；恒溫時(shí)間結(jié)束，開(kāi)始降溫，當(dāng)溫度降至600℃時(shí)用石英鉤將石英舟逐漸拉出，拉至爐口冷卻15min后取下放在石英托架上自然冷卻待分片，通過(guò)以上步驟，可以得到均勻和深度合適的磷結(jié)，形成N型半導(dǎo)體，提升硅片的機(jī)械良率；

(4)分片：置硅片于泡酸花籃中并放入12000ml氫氟酸液中浸泡磷擴(kuò)后20h,硼擴(kuò)后12h，時(shí)間到后取出放在流動(dòng)的自來(lái)水中沖洗約60min后，使用哈摩粉超聲清洗15min，沖水15min，將硅片放入異丙醇中浸泡15min后取不銹鋼盤(pán)子,墊上濾紙,將分開(kāi)的硅片平攤在濾紙上，將不銹鋼盤(pán)子送進(jìn)烘箱烘烤20min，烘烤完畢的硅片在包裝好的泡沫墊上分片，利用泡沫墊減震的特點(diǎn)來(lái)降低硅片與泡沫墊接觸的損傷；

(5)單面噴砂：硅片以35HZ的傳動(dòng)速度速進(jìn)入真空吹砂室中，將未附磷面朝上，以0.13MPA的壓力進(jìn)行單面噴砂即可；

(6)涂硼前清洗：在21000ml的、溫度為85℃的純水和150g哈摩粉溶液中進(jìn)行超聲清洗24min，清洗完畢后再進(jìn)行常溫純水清洗10min；然后用混酸腐蝕，常溫純水沖洗和哈摩粉超聲清洗；在哈摩粉超聲清洗完畢后，再進(jìn)行85℃熱純水超聲清洗13min、常溫純水清洗15min。清洗完畢后，使用甩干機(jī)刷干，最后進(jìn)入烘箱以120℃的溫度烘干，通過(guò)以上步驟，可以使硼擴(kuò)后的硼結(jié)均勻，使生產(chǎn)出的晶粒的電壓均勻性好，同時(shí)還能降低封裝后二極管的漏電流；

(7)涂硼：將涂硼專用美術(shù)筆頭浸入小玻璃瓶中,沾適量的硼液硼液配比:按照體積比乙二醇甲醚:三氧化二硼＝1:4，然后在旋轉(zhuǎn)的硅片未涂硼的一面均勻地涂上一層硼液，由旋轉(zhuǎn)的硅片中心向外緣涂，取下涂好的硅片,置于電熱板上，烘9min，溫度120℃，取下硅片，卻后在附磷面上均勻輕灑適量的鋁粉,然后將硅片疊于石英舟上,并在整疊硅片的兩端須放上適量的擋片，疊好硅片的石英舟前后擋板用擋片塞緊；

(8)擴(kuò)硼：將載有硅片的石英舟置于爐口預(yù)熱20min，用石英鉤將石英舟推至恒溫區(qū)；調(diào)整擴(kuò)散爐升溫速率為4℃/min，升溫到1200℃，等溫度升到1200℃時(shí)，恒溫24H時(shí)間后，降溫至600℃并以該溫度保持恒溫120min后出爐。第一次用約15s拉至距爐門(mén)60cm，再以15cm/10min的速度拉至管 口，冷卻18min后使用石英勾將石英舟拉至托盤(pán)上取出，放于常溫冷卻；

(9)雙面噴砂：硅片以35HZ的傳動(dòng)速度速進(jìn)入真空吹砂室中，以0.13MPA的壓力進(jìn)行雙面噴砂即可；

(10)鍍鎳前清洗：氫氧化鉀溶液中浸60秒，然后用純水清洗15min，再用哈摩粉溶液超聲清洗兩次，每次的時(shí)間為13min，用熱純水繼續(xù)超聲清洗14min，并緊接著純水沖洗10min，通過(guò)以上步驟，可以讓鎳與硅片很好的接觸，提升硅片在后道焊接后的拉力；

(11)最后進(jìn)行常規(guī)的一次鍍鎳、鎳燒結(jié)和二次鍍鎳。

實(shí)施例3：

一種提高硅片性能的方法，包括以下步驟：

(1)原硅片清洗：原硅片泡氫氟酸溶液60秒后沖水15min，然后氫氧化鉀溶液腐蝕60秒，再?zèng)_水5min，接著將硅片至于哈摩粉溶液中，用頻率為28KHZ的超聲波超聲清洗15min，熱純水超聲清洗15min，氫氟酸腐蝕60秒后沖水，直到水阻值≥10MΩcm后甩干，并且烘干，通過(guò)以上步驟，可以將硅片表面清洗干凈，從而得到均勻和深度合適的磷結(jié)，同時(shí)還可以減小磷擴(kuò)后硅片的反型面積并降低硅片的反型深度。

(2)排磷紙：取2張正方形中性紙對(duì)折兩次后，放置在石英棒上，讓硅片與石英棒隔離。取2張圓形中性紙按以下流程操作：一張磷紙、一片硅片、2張圓形中性紙、一片硅片、一張磷紙，依次排列；本發(fā)明是對(duì)中性紙進(jìn)行分別的使用，這樣可以降低磷擴(kuò)后硅片卸舟時(shí)造成的缺角、破裂、暗傷等現(xiàn)象，磷擴(kuò)后降低硅片未附磷面的反型層深度，給后道去除反型層帶來(lái)方便；

(3)磷擴(kuò)：在低溫爐中先把疊好硅片的石英舟置于石英管口,預(yù)熱15min，溫度為220℃，然后把石英舟推至恒溫區(qū)，溫度升到550℃后恒溫1h。時(shí)間到后，將進(jìn)磷高溫爐。所用氮?dú)饬髁?10L/MIN,氧氣流量:2L/MIN；在高溫爐中把石英舟推至550℃恒溫區(qū)；溫度升到1200℃后恒溫3H；恒溫時(shí)間結(jié)束，開(kāi)始降溫，當(dāng)溫度降至600℃時(shí)用石英鉤將石英舟逐漸拉出，拉至爐口冷卻15min后取下放在石英托架上自然冷卻待分片，通過(guò)以上步驟，可以得到均勻和深度合適的磷結(jié)，形成N型半導(dǎo)體，提升硅片的機(jī)械良率；

(4)分片：置硅片于泡酸花籃中并放入12000ml氫氟酸液中浸泡，磷 擴(kuò)后20h,硼擴(kuò)后12h，時(shí)間到后取出放在流動(dòng)的自來(lái)水中沖洗約60min后，使用哈摩粉超聲清洗15min，沖水15min，將硅片放入異丙醇中浸泡15min后取不銹鋼盤(pán)子,墊上濾紙,將分開(kāi)的硅片平攤在濾紙上，將不銹鋼盤(pán)子送進(jìn)烘箱烘烤20min，烘烤完畢的硅片在包裝好的泡沫墊上分片，利用泡沫墊減震的特點(diǎn)來(lái)降低硅片與泡沫墊接觸的損傷；

(5)單面噴砂：硅片以35HZ的傳動(dòng)速度速進(jìn)入真空吹砂室中，將未附磷面朝上，以0.13MPA的壓力進(jìn)行單面噴砂即可；

(6)涂硼前清洗：在21000ml的、溫度為80℃的純水和200g哈摩粉溶液中進(jìn)行超聲清洗24min，清洗完畢后再進(jìn)行常溫純水清洗10min；然后用混酸腐蝕，常溫純水沖洗和哈摩粉超聲清洗；在哈摩粉超聲清洗完畢后，再進(jìn)行85℃熱純水超聲清洗13min、常溫純水清洗15min。清洗完畢后，使用甩干機(jī)刷干，最后進(jìn)入烘箱以140℃的溫度烘干，通過(guò)以上步驟，可以使硼擴(kuò)后的硼結(jié)均勻，使生產(chǎn)出的晶粒的電壓均勻性好，同時(shí)還能降低封裝后二極管的漏電流；

(7)涂硼：將涂硼專用美術(shù)筆頭浸入小玻璃瓶中,沾適量的硼液(硼液配比:按照體積比乙二醇甲醚:三氧化二硼＝1:4，然后在旋轉(zhuǎn)的硅片未涂硼的一面均勻地涂上一層硼液，由旋轉(zhuǎn)的硅片中心向外緣涂，取下涂好的硅片,置于電熱板上，溫度為140℃，烘9min，取下硅片，卻后在附磷面上均勻輕灑適量的鋁粉,然后將硅片疊于石英舟上,并在整疊硅片的兩端須放上適量的擋片，疊好硅片的石英舟前后擋板用擋片塞緊；

(8)擴(kuò)硼：將載有硅片的石英舟置于爐口預(yù)熱20min，用石英鉤將石英舟推至恒溫區(qū)；調(diào)整擴(kuò)散爐升溫速率為4℃/min，升溫到1250℃，等溫度升到1250℃時(shí)，恒溫24H時(shí)間后，降溫至600℃并以該溫度保持恒溫120min后出爐。第一次用約15s拉至距爐門(mén)60cm，再以15cm/10min的速度拉至管口，冷卻18min后使用石英勾將石英舟拉至托盤(pán)上取出，放于常溫冷卻；

(9)雙面噴砂：硅片以35HZ的傳動(dòng)速度速進(jìn)入真空吹砂室中，以0.13MPA的壓力進(jìn)行雙面噴砂即可；

(10)鍍鎳前清洗：氫氧化鉀溶液中浸60秒，然后用純水清洗15min，再用哈摩粉溶液超聲清洗兩次，每次的時(shí)間為13min，用熱純水繼續(xù)超聲清洗14min，并緊接著純水沖洗10min，通過(guò)以上步驟，可以讓鎳與硅片很好 的接觸，提升硅片在后道焊接后的拉力；

(11)最后進(jìn)行常規(guī)的一次鍍鎳、鎳燒結(jié)和二次鍍鎳，通過(guò)以上方法可以得到性能較好的硅片。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。