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      硅片蝕刻裝置的制作方法

      文檔序號(hào):12593940閱讀:354來(lái)源:國(guó)知局
      硅片蝕刻裝置的制作方法

      本實(shí)用新型涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種硅片蝕刻裝置。



      背景技術(shù):

      現(xiàn)有帶水膜裝置的后清洗,在硅片覆蓋完水膜后進(jìn)入的刻蝕槽內(nèi)的滾輪都是帶O型圈式的滾輪,通過(guò)調(diào)整各道滾輪之間的水平,來(lái)保證片子上水膜的完善,來(lái)達(dá)到去刻蝕線的目的,如圖1所示,現(xiàn)有蝕刻槽內(nèi)滾輪上的凸環(huán)與硅片接觸輸送,由于凸環(huán)都是一直線設(shè)置的,硅片與凸環(huán)接觸的地方無(wú)法進(jìn)行清洗,嚴(yán)重時(shí)需要進(jìn)行返工,降低了工作效率,增加了生產(chǎn)成本。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:為了解決蝕刻槽內(nèi)滾輪上的凸環(huán)與硅片接觸輸送,由于凸環(huán)都是一直線設(shè)置的,硅片與凸環(huán)接觸的地方無(wú)法進(jìn)行清洗,嚴(yán)重時(shí)需要進(jìn)行返工,降低了工作效率,增加了生產(chǎn)成本的問(wèn)題,現(xiàn)提供了一種硅片蝕刻裝置。

      本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種硅片蝕刻裝置,包括蝕刻槽,所述蝕刻槽內(nèi)設(shè)有若干用于輸送硅片的滾輪組,所述滾輪組沿其軸向設(shè)有若干凸環(huán)組,每個(gè)滾輪組包括第一滾輪、第二滾輪和第三滾輪,所述凸環(huán)組包括設(shè)置在第一滾輪的若干第一凸環(huán)、設(shè)置在第二滾輪的若干第二凸環(huán)及設(shè)置在第三滾輪的若干第三凸環(huán),所述第一凸環(huán)、第二凸環(huán)及第三凸環(huán)相互水平設(shè)置,所述凸環(huán)組的第一凸環(huán)的數(shù)量大于第二凸環(huán)的數(shù)量,且第一凸環(huán)與第二凸環(huán)一一對(duì)應(yīng),所述凸環(huán)組的第一凸環(huán)的數(shù)量大于第三凸環(huán)的數(shù)量,且第三凸環(huán)與第一凸環(huán)相互交錯(cuò)設(shè)置。通過(guò)在蝕刻槽內(nèi)滾輪組上的凸環(huán)組對(duì)硅片進(jìn)行運(yùn)輸,由于凸環(huán)組的第一凸環(huán)的數(shù)量大于第二凸環(huán)的數(shù)量,且第一凸環(huán)與第二凸環(huán)一一對(duì)應(yīng),第一凸環(huán)和第二凸環(huán)只是數(shù)量的差別,由于凸環(huán)組的第一凸環(huán)的數(shù)量大于第三凸環(huán)的數(shù)量,且第三凸環(huán)與第一凸環(huán)相互交錯(cuò)設(shè)置,使得第三凸環(huán)在硅片上的行走路徑不與第一凸環(huán)的行走路徑重合,通過(guò)第一凸環(huán)與第二凸環(huán)數(shù)量差及第一凸環(huán)與第三凸環(huán)交錯(cuò)設(shè)置,使得第一凸環(huán)和第二凸環(huán)及第三凸環(huán)在硅片上的行走路徑能夠被清洗到。

      進(jìn)一步地,所述凸環(huán)組沿滾輪組軸向等間距分布。

      本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型硅片蝕刻裝置在使用時(shí),通過(guò)在蝕刻槽內(nèi)滾輪組上的凸環(huán)組對(duì)硅片進(jìn)行運(yùn)輸,由于凸環(huán)組的第一凸環(huán)的數(shù)量大于第二凸環(huán)的數(shù)量,且第一凸環(huán)與第二凸環(huán)一一對(duì)應(yīng),第一凸環(huán)和第二凸環(huán)只是數(shù)量的差別,由于凸環(huán)組的第一凸環(huán)的數(shù)量大于第三凸環(huán)的數(shù)量,且第三凸環(huán)與第一凸環(huán)相互交錯(cuò)設(shè)置,使得第三凸環(huán)在硅片上的行走路徑不與第凸環(huán)的行走路徑重合,通過(guò)第一凸環(huán)與第二凸環(huán)數(shù)量差及第一凸環(huán)與第三凸環(huán)交錯(cuò)設(shè)置,使得第一凸環(huán)和第二凸環(huán)及第三凸環(huán)在硅片上的行走路徑能夠被清洗到,本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,降低了返工概率,降低了生產(chǎn)成本,能夠有效對(duì)硅片進(jìn)行清洗,避免了蝕刻槽內(nèi)滾輪上的凸環(huán)與硅片接觸輸送,由于凸環(huán)都是一直線設(shè)置的,硅片與凸環(huán)接觸的地方無(wú)法進(jìn)行清洗,嚴(yán)重時(shí)需要進(jìn)行返工,降低了工作效率,增加了生產(chǎn)成本的問(wèn)題。

      附圖說(shuō)明

      下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

      圖1是原有硅片蝕刻裝置的主視圖;

      圖2是本實(shí)用新型硅片蝕刻裝置的主視圖;

      圖3是中實(shí)用新型硅片蝕刻裝置中凸環(huán)組的主視圖。

      圖中:1、蝕刻槽,2、第一滾輪,3、第二滾輪,4、第三滾輪,5、第一凸環(huán),6、第二凸環(huán),7、第三凸環(huán)。

      具體實(shí)施方式

      現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖,僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。

      實(shí)施例

      如圖2和3所示,一種硅片蝕刻裝置,包括蝕刻槽1,所述蝕刻槽1內(nèi)設(shè)有三組用于輸送硅片的滾輪組,所述滾輪組沿其軸向設(shè)有三組凸環(huán)組,每個(gè)滾輪組包括第一滾輪2、第二滾輪3和第三滾輪4,所述凸環(huán)組包括設(shè)置在第一滾輪2的四個(gè)第一凸環(huán)5、設(shè)置在第二滾輪3的兩個(gè)第二凸環(huán)6及設(shè)置在第三滾輪4的三個(gè)第三凸環(huán)7,所述第一凸環(huán)5、第二凸環(huán)6及第三凸環(huán)7相互水平設(shè)置,所述凸環(huán)組的兩個(gè)第二凸環(huán)6分別與四個(gè)第一凸環(huán)5其中的兩個(gè)相對(duì)應(yīng),所述凸環(huán)組三個(gè)第三凸環(huán)7與四個(gè)第一凸環(huán)5相互交錯(cuò)設(shè)置。所述凸環(huán)組沿滾輪組軸向等間距分布。

      上述硅片蝕刻裝置在使用時(shí),硅片首先接觸到第一滾輪2上的第一凸環(huán)5,在第一滾輪2的帶動(dòng)下與第二滾輪3上的第二凸環(huán)6接觸,由于凸環(huán)組的第一凸環(huán)5的數(shù)量大于第二凸環(huán)6的數(shù)量,且第一凸環(huán)5與第二凸環(huán)6一一對(duì)應(yīng),第一個(gè)滾輪上第一凸環(huán)5在硅片上走過(guò)的路徑在第二滾輪3上的第二凸環(huán)6其中一部分是不會(huì)在硅片上走到,就會(huì)使得硅板在第一滾輪2上第一凸環(huán)5走的路徑進(jìn)行清洗,再由于凸環(huán)組的第一凸環(huán)5的數(shù)量大于第三凸環(huán)7的數(shù)量,且第三凸環(huán)7與第一凸環(huán)5相互交錯(cuò)設(shè)置,所以第二凸環(huán)6與第一凸環(huán)5也是相互交錯(cuò)設(shè)置,就會(huì)使第一凸環(huán)5和第二凸環(huán)6在硅片上的行走路徑到第三凸環(huán)7時(shí)就不會(huì)在上面走,第一凸環(huán)5與第三凸環(huán)7行走路徑相互錯(cuò)開,就能對(duì)硅片進(jìn)行清洗,降低了返工的概率,降低了生產(chǎn)成本。

      上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示,通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。

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