本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的蒸鍍方法。

背景技術(shù)：

主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)器件的制造工藝分為：基板工序、蒸鍍工序和封裝工序?；骞ば蚴窃诓Ａ厦鎸臃e硅材料和金屬材料生成薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)。為了利用形成的TFT基板來點(diǎn)亮AMOLED面板，必須在TFT基板上進(jìn)行有機(jī)物的蒸鍍工序，有機(jī)物的蒸鍍工序是將已汽化的有機(jī)物蒸鍍在TFT基板上。在現(xiàn)有的蒸鍍工序中，利用陣列排布結(jié)構(gòu)的金屬掩模板，金屬掩模板中間形成開口，將金屬掩模板覆蓋在TFT基板表面上，再將發(fā)光材料蒸鍍到TFT基板上，從而發(fā)光材料僅蒸鍍到需要的位置。然而，這種金屬掩膜板中間一般是比較長的挖孔，該結(jié)構(gòu)的金屬掩模板使發(fā)光材料的蒸鍍工序中金屬掩模板與TFT基板的錯(cuò)誤對位，導(dǎo)致有機(jī)物相互層疊，從而引起AMOLED器件的面板的混色，導(dǎo)致顯示的色彩錯(cuò)誤。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種TFT基板的蒸鍍方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中TFT基板的蒸鍍過程產(chǎn)生混色的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種TFT基板的蒸鍍方法，包括：

在玻璃基板上沉積第一隔離材料，選擇性刻蝕所述第一隔離材料，在所述第一隔離材料中形成陣列排布的若干第一開口，所述第一開口暴露于所述玻璃基板表面；

在所述玻璃基板上布置金屬走線，所述金屬走線至少覆蓋每個(gè)所述第一開口的底壁以及側(cè)壁；

在每個(gè)所述第一開口中填充發(fā)光材料；

在TFT基板上沉積第二隔離材料，選擇性刻蝕所述第二隔離材料，在所述第二隔離材料中形成陣列排布的若干第二開口，所述第二開口暴露于所述TFT基板表面；

將所述玻璃基板與所述TFT基板相對設(shè)置，并將所述第一開口與所述第二開口進(jìn)行對位，向所述金屬走線提供電壓，將所述發(fā)光材料蒸鍍至所述TFT基板上的所述第二開口中。

可選的，所述第一開口的截面形狀為倒梯形，所述第二開口與所述第一開口的形狀相同。

可選的，所述第一隔離材料為聚酰亞胺材料，通過等離子體刻蝕所述第一隔離材料形成所述第一開口。

可選的，所述第一開口的頂部的寬度為5μm～20μm。

可選的，所述第二開口的頂部的寬度為5μm～20μm。

可選的，所述第一隔離材料為聚酰亞胺材料，通過等離子體刻蝕所述第二隔離材料形成所述第二開口。

可選的，所述第一開口與所述第二開口之間通過光學(xué)對位。

可選的，所述金屬走線還覆蓋部分所述第一隔離材料的部分表面，同一行或同一列的所述金屬走線相連。

可選的，同一行或同一列所述金屬走線連接一加熱模塊，所述加熱模塊分別為相應(yīng)行或相應(yīng)列的所述金屬走線提供電壓。

可選的，同一行或同一列的所述第一開口中填充紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料或藍(lán)色發(fā)光材料中的一種。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的TFT基板的蒸鍍方法中，在玻璃基板上形成第一隔離材料，在第一隔離材料中刻蝕形成第一開口，在TFT基板上形成第二隔離材料，在第二刻蝕材料中刻蝕形成第二開口，在蒸鍍過程中，將第一開口和第二開口相對放置，并對位，給金屬走線提供電壓，加熱發(fā)光材料，使得發(fā)光材料蒸鍍到第二開口的TFT基板上。本發(fā)明中，不需要金屬掩模板即可在TFT基板上蒸鍍發(fā)光材料，避免TFT基板形成混色，提高TFT基板的PPI。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中TFT基板的蒸鍍方法的流程圖；

圖2a圖2d為本發(fā)明一實(shí)施例中TFT基板的蒸鍍方法各步驟對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中形成的微型坩堝的俯視圖；

圖4a為本發(fā)明一實(shí)施例中TFT基板上形成第二開口的剖面圖；

圖4b為本發(fā)明一實(shí)施例中TFT基板上形成第二開口的俯視圖；

圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的蒸鍍過程中微型坩堝與TFT基板的位置關(guān)系圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的TFT基板的蒸鍍發(fā)光材料后的剖面結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例的蒸鍍過程中微型坩堝與TFT基板的位置關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的TFT基板的蒸鍍方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

本發(fā)明的核心思想在于，在玻璃基板上形成第一隔離材料，在第一隔離材料中刻蝕形成第一開口，在TFT基板上形成第二隔離材料，在第二刻蝕材料中刻蝕形成第二開口，在蒸鍍過程中，將第一開口和第二開口相對放置，并對位，給金屬走線提供電壓，加熱發(fā)光材料，使得發(fā)光材料蒸鍍到第二開口的TFT基板上。本發(fā)明中，不需要掩模板即可在TFT基板上蒸鍍發(fā)光材料，避免TFT基板形成混色，提高TFT基板的PPI。

下文結(jié)合附圖1至圖7對本發(fā)明的TFT基板的蒸鍍方法進(jìn)行具體的描述，蒸鍍方法的流程圖參考圖1所示，具體包括如下步驟：

參考圖2a所示，執(zhí)行步驟S1，提供玻璃基板11，并在所述玻璃基板11上 沉積第一隔離材料12，所述第一隔離材料的厚度為0.5μm～15μm。在本實(shí)施例中，所述第一隔離材料12為聚酰亞胺、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、酚醛樹脂等絕緣材料。接著，參考圖2b所示，在所述第一隔離材料12上旋涂光刻膠，并進(jìn)行光刻、曝光、顯影等步驟形成第一圖案化的光刻膠(圖中未示出)，再以第一圖案化的光刻膠為掩膜選擇性刻蝕所述第一隔離材料12直至暴露所述玻璃基板11，在所述第一隔離材料12中形成陣列排布的第一開口13。本實(shí)施例中，采用等離子體刻蝕的方法刻蝕所述第一隔離材料12形成所述第一開口13，所述第一開口13的截面為倒梯形，即第一開口13頂部的截面寬度大于其底部的截面寬度，由于光刻工藝的特征尺寸的可以達(dá)到幾個(gè)微米，根據(jù)實(shí)際工藝需要，優(yōu)選方案中，所述第一開口13的頂部的寬度為5μm～20μm，使得第一開口13的頂部對應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管的面積大小。

參考圖2c所示，執(zhí)行步驟S2，在所述玻璃基板11上布置金屬走線14，所述金屬走線14至少覆蓋每個(gè)所述第一開口13的底壁以及側(cè)壁，形成用于蒸鍍的微型坩堝。所述金屬走線14為熱電偶金屬材料，即金屬走線14在加上電壓后，可以將電能轉(zhuǎn)換成熱能，從而產(chǎn)生熱量，用于為需要蒸鍍的發(fā)光材料加熱，使得發(fā)光材料蒸發(fā)，例如，金屬走線14的材料可以為鎳鉻、銅鎳、鉑銠等材料，此為，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，在此不作贅述。在本實(shí)施例中，所述金屬走線14覆蓋每個(gè)所述第一開口13的底壁以及側(cè)壁的同時(shí)，還延伸至第一開口13鄰近的第一隔離材料12的部分表面。

參考圖2d所示，執(zhí)行步驟S3，在每個(gè)所述第一開口13中填充發(fā)光材料15，用于蒸鍍到TFT基板上。所述發(fā)光材料15為粉末狀的材料，可以將發(fā)光材料15研磨成非常細(xì)小的顆粒，之后將發(fā)光材料15撒在所述玻璃基板11上，使得發(fā)光材料15填充到整個(gè)第一開口13。在每個(gè)所述第一開口13中相應(yīng)的填充紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料或藍(lán)色發(fā)光材料的一種，并且，將發(fā)光材料撒在玻璃基板11過程中，第一隔離材料12表面上也會(huì)存在發(fā)光材料15，之后可以將這部分發(fā)光材料15去除。并且，即使第一隔離材料12表面上存在發(fā)光材料，這部分發(fā)光材料15并不會(huì)受熱，也就不會(huì)蒸鍍到TFT基板上，不會(huì)對蒸鍍過程產(chǎn)生影響。

此外，本發(fā)明中還可以采用其他方法將發(fā)光材料15填充在第一開口13中， 例如，可以先在玻璃基板11上形成光刻膠，光刻膠覆蓋部分所述玻璃基板11，暴露某幾行或者某幾列的第一開口13，采用蒸鍍的方法將發(fā)光材料15蒸鍍到該行或該列的第一開口13中，使得同一列或同一行的第一開口13中填充相同種類的發(fā)光材料，例如為紅色發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料或藍(lán)色發(fā)光材料的一種。并且，經(jīng)過多次的蒸鍍，使得第一開口13上填充不同的發(fā)光材料15。第一開口13中填充的發(fā)光材料15的種類，為根據(jù)TFT基板中實(shí)際需要進(jìn)行的設(shè)置，本發(fā)明對此不予限制。

所述微型坩堝的俯視圖參考圖3所示，從圖3可見，所述金屬走線14還覆蓋部分所述第一隔離材料12的部分表面。并且，同一行或同一列的所述金屬走線14相連接，圖3中以同一列的金屬走線14相連為例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，布置所述金屬走線14的步驟為：在所述玻璃基板11上沉積金屬材料，金屬材料覆蓋每一個(gè)第一開口13以及第一隔離材料12的表面。之后，在金屬材料表面形成圖案化的光刻膠，并采用等離子體刻蝕的方法去除部分同一行或者同一列的第一開口13之間的位于所述第一隔離材料12表面上的金屬材料，形成如圖3所示的金屬走線14。。此外，玻璃基板11上還包括若干加熱模塊16，同一列的所述金屬走線14連接同一加熱模塊16，所述加熱模塊16作為金屬走線14連接外部輸入電路的接口，將外部電路提供的電壓輸入給金屬走線。所述加熱模塊16分別為相應(yīng)列的所述金屬走線14提供電壓。金屬走線14根據(jù)加熱模塊16提供的電壓的不同，達(dá)到的溫度不同，從而使得發(fā)光材料15的溫度不同，實(shí)現(xiàn)對發(fā)光材料15的蒸鍍速度的控制。當(dāng)然，也可以是同一行的所述金屬走線14連接同一加熱模塊16，亦可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。同時(shí)，每一加熱模塊16加的電壓可以不同，使得不同的發(fā)光材料15的蒸鍍速度可以不同。

參考圖4a所示，執(zhí)行步驟S4，提供一TFT基板21，所述TFT基板21上沉積形成第二隔離材料22，所述第二隔離材料為0.5μm～15μm，所述第二隔離材料22同樣為聚酰亞胺、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、酚醛樹脂等絕緣材料，。在所述第二隔離材料22上旋涂光刻膠，并經(jīng)過光刻、曝光、顯影等步驟形成第二圖案化的光刻膠(圖中未示出)，并以此第二圖案化的光刻膠為掩膜選擇性刻蝕所述第二隔離材料22，在所述第二隔離材料22中形成陣列排布的第二開口23，所述第二開口23的頂部的寬度為5μm～20μm。采用等離子體刻蝕的方法刻 蝕所述第二隔離材料22形成所述第二開口23。在本實(shí)施例中，刻蝕形成第一開口13和第二開口23可以采用相同的光刻膠掩模板，使得形成額第一開口12與第二開口13的形狀相同。例如，所述第一開口13和第二開口23頂部均為正方形結(jié)構(gòu)，所述第一開口13頂部的寬度為10μm，所述第二開口23頂部的寬度亦為10μm，第二開口23暴露的TFT基板21的部分為需要蒸鍍上發(fā)光材料的部分，用于定義TFT基板上的發(fā)光面積。

TFT基板21的俯視圖參考圖4b所示，所述TFT基板21中可以包括1～100個(gè)薄膜晶體管，從而可以在TFT基板21上形成與薄膜晶體管相同數(shù)量的第二開口23，用于后續(xù)蒸鍍上發(fā)光材料15。

參考圖5所示，執(zhí)行步驟S5，將所述玻璃基板11與所述TFT基板21相對設(shè)置，并且，將第一開口13與第二開口23進(jìn)行對位，使得第一開口13中的發(fā)光材料15正好與第二開口23中的薄膜晶體管相對設(shè)置。在本實(shí)施例中，第一開口13與第二開口23是通過光學(xué)對位的，例如，可以將玻璃基板11與TFT基板21放置于蒸鍍機(jī)臺或者光刻機(jī)臺中，調(diào)節(jié)玻璃基板11與TFT基板21之間的位置，通過蒸鍍機(jī)臺或者光刻機(jī)臺中的光學(xué)顯微鏡成像，使得第一開口13與第二開口23之間實(shí)現(xiàn)光學(xué)對位。可以理解的是，通過光學(xué)對位可以使得第一開口13和第二開口23之間的對位精確，從而不至于在后續(xù)的蒸鍍過程中導(dǎo)致混色。并且，光刻的特征尺寸可以到達(dá)在幾個(gè)微米，從而，第一開口13和第二開口23的尺寸可以控制在幾個(gè)微米到十幾個(gè)微米，相對于金屬掩模板的幾十個(gè)微米，本發(fā)明可以提高顯示面板上的薄膜晶體管的個(gè)數(shù)，提高PPI，并且，TFT基板21上不會(huì)產(chǎn)生混色。接著，加熱模塊16向所述金屬走線15提供電壓，將所述發(fā)光材料15蒸鍍至所述TFT基板21的第二開口23中，形成如圖6中所示的用于TFT基板的發(fā)光結(jié)構(gòu)24。

需要說明的是，刻蝕第二開口23與刻蝕第一開口13也可以采用不同的光刻膠掩模板，使得第二開口23與第一開口13不完全相同，只要在后續(xù)光學(xué)對位過程中，所述第一開口13與所述第二開口23之間可以實(shí)現(xiàn)對位，使得發(fā)光材料15僅蒸鍍到第二開口23中的TFT基板21中即可。

本發(fā)明的另一實(shí)施例中的微型坩堝的結(jié)構(gòu)參考圖7中所示，在本實(shí)施例中，與圖5所示的實(shí)施例中不同的是，玻璃基板11上僅形成一行的第一開口13，在 第一開口13中填充發(fā)光材料15。玻璃基板11和TFT基板21之間的位置關(guān)系參考圖6所示，使得其中的第一開口13和一行的第二開口23對位，在該行的第二開口23中蒸鍍發(fā)光材料15。本實(shí)施例中，微型坩堝僅用于蒸鍍一種發(fā)光材料，當(dāng)需要在TFT基板21上蒸鍍其他發(fā)光材料時(shí)，需要改換微型坩堝，或者將微型坩堝中的發(fā)光材料去除，重新填充另一種發(fā)光材料。因此，本實(shí)施例中，需要進(jìn)行多次蒸鍍才能將多種發(fā)光材料蒸鍍到TFT基板21上。

綜上所述，本發(fā)明提供的TFT基板的蒸鍍方法中，在玻璃基板上形成第一隔離材料，在第一隔離材料中刻蝕形成第一開口，在TFT基板上形成第二隔離材料，在第二刻蝕材料中刻蝕形成第二開口，在蒸鍍過程中，將第一開口和第二開口相對放置，并對位，給金屬走線提供電壓，加熱發(fā)光材料，使得發(fā)光材料蒸鍍到第二開口的TFT基板上。本發(fā)明中，不需要掩模板即可在TFT基板上蒸鍍發(fā)光材料，避免TFT基板形成混色，提高TFT基板的PPI。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。