本發(fā)明涉及一種封裝基板、封裝基板制作方法、封裝結(jié)構(gòu)及封裝結(jié)構(gòu)制作方法。

背景技術(shù)：

隨著電子通訊產(chǎn)品向著高頻、高速及薄型化方向發(fā)展，業(yè)內(nèi)對(duì)信號(hào)傳輸損耗的控制要求越來(lái)越高。目前，通常采用在信號(hào)線上下兩側(cè)設(shè)置電磁屏蔽層，在信號(hào)線的兩側(cè)形成接地線，及在上下兩側(cè)的介電層中設(shè)置導(dǎo)電溝槽將上下兩側(cè)的電磁屏蔽層電導(dǎo)通以此來(lái)實(shí)現(xiàn)屏蔽可能的電磁干擾。然而，由于導(dǎo)電溝槽直接設(shè)置在接地線上，該導(dǎo)電溝槽一般較深，在電鍍填充形成該導(dǎo)電溝槽時(shí)，易產(chǎn)生氣泡或裂紋。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，有必要提供一種能夠解決上述技術(shù)問(wèn)題的、封裝結(jié)構(gòu)、封裝基板制作方法及封裝結(jié)構(gòu)制作方法。

一種封裝基板制作方法，包括步驟：

將內(nèi)層線路形成在一承載金屬層上，并在所述內(nèi)層線路上形成第一增厚導(dǎo)線，所述內(nèi)層線路包括接地線及位于所述接地線之間的信號(hào)線，所述第一增厚導(dǎo)線對(duì)應(yīng)形成在所述接地線上；

形成第一外層基板，所述第一外層基板覆蓋所述內(nèi)層線路及第一增厚導(dǎo)線及自所述內(nèi)層線路及第一增厚導(dǎo)線之間露出的承載金屬層，所述第一外層基板包括背離所述內(nèi)層線路的第一外層銅箔；

將所述承載金屬層制作形成第二增厚導(dǎo)線，所述第二增厚導(dǎo)線對(duì)應(yīng)形成在所述接地線上，且與所述第一增厚導(dǎo)線相背；

形成第二外層基板，所述第二外層基板覆蓋所述第二增厚導(dǎo)線、自所述第二增厚導(dǎo)線露出的內(nèi)層線路及第一外層基板，所述第二外 層基板包括背離所述內(nèi)層線路的第二外層銅箔；及

在所述第一及第二外層基板內(nèi)分別形成第一及第二導(dǎo)電溝槽，并分別將所述第一外層銅箔及第二外層銅箔制成第一外層線路及第二外層線路，所述第一導(dǎo)電溝槽與所述第一增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)連接，所述第二導(dǎo)電溝槽與所述第二增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)連接，所述第一外層線路包括與所述第一導(dǎo)電溝槽連接的第一電磁屏蔽區(qū)，所述第二外層線路包括與所述第二導(dǎo)電溝槽連接的第二電磁屏蔽區(qū)，所述第一電磁屏蔽區(qū)、所述第一導(dǎo)電溝槽、所述第一增厚導(dǎo)線、所述接地線、所述第二增厚導(dǎo)線、所述第二導(dǎo)電溝槽、所述第二電磁屏蔽區(qū)圍成閉合的屏蔽空間，所述信號(hào)線位于所述屏蔽空間內(nèi)。

一種封裝結(jié)構(gòu)制作方法，包括步驟：將內(nèi)層線路形成在一承載金屬層上，并在所述內(nèi)層線路上形成第一增厚導(dǎo)線，所述內(nèi)層線路包括接地線及位于所述接地線之間的信號(hào)線，所述第一增厚導(dǎo)線對(duì)應(yīng)形成在所述接地線上；

形成第一外層基板，所述第一外層基板覆蓋所述內(nèi)層線路及第一增厚導(dǎo)線及自所述內(nèi)層線路及第一增厚導(dǎo)線之間露出的承載金屬層，所述第一外層基板包括背離所述內(nèi)層線路的第一外層銅箔；

將所述承載金屬層制作形成第二增厚導(dǎo)線，所述第二增厚導(dǎo)線對(duì)應(yīng)形成在所述接地線上，且與所述第一增厚導(dǎo)線相背；

形成第二外層基板，所述第二外層基板覆蓋所述第二增厚導(dǎo)線、自所述第二增厚導(dǎo)線露出的內(nèi)層線路及第一外層基板，所述第二外層基板包括背離所述內(nèi)層線路的第二外層銅箔；及

在所述第一及第二外層基板內(nèi)分別形成第一及第二導(dǎo)電溝槽，并分別將所述第一外層銅箔及第二外層銅箔制成第一外層線路及第二外層線路，所述第一導(dǎo)電溝槽與所述第一增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)連接，所述第二導(dǎo)電溝槽與所述第二增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)連接，所述第一外層線路包括與所述第一導(dǎo)電溝槽連接的第一電磁屏蔽區(qū)，所述第二外層線路包括與所述第二導(dǎo)電溝槽連接的第二電磁屏蔽區(qū)，所述第一電磁屏蔽區(qū)、所述第一導(dǎo)電溝槽、所述第一增厚導(dǎo)線、所述接地線、所述第二增厚導(dǎo)線、所述第二導(dǎo)電溝槽、所述第二電磁屏蔽區(qū) 圍成閉合的屏蔽空間，所述信號(hào)線位于所述屏蔽空間內(nèi)，得到封裝基板；及在所述封裝基板上安裝芯片。

一種封裝基板，包括內(nèi)層線路、第一增厚導(dǎo)線、第一介電層、第一外層線路、第二增厚導(dǎo)線、第二增厚導(dǎo)線、第二介電層及第二外層線路，所述內(nèi)層線路包括接地線及位于接地線之間的信號(hào)線，所述第一增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在所述接地線上，所述第一介電層覆蓋所述第一增層導(dǎo)線及所述內(nèi)層線路，所述第一介電層內(nèi)設(shè)置有與所述第一增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)電溝槽，所述第一外層線路形成在所述第一介電層上，所述第一外層線路包括第一電磁屏蔽區(qū)，所述第一電磁屏蔽區(qū)通過(guò)所述第一導(dǎo)電溝槽與所述第一增厚導(dǎo)線連接，所述第二增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在所述接地線上，且與所述第一增厚導(dǎo)線相背，所述第二介電層覆蓋所述第二增厚導(dǎo)線及部分所述內(nèi)層線路及所述第一介電層，所述第二介電層內(nèi)設(shè)置由于所述第二增厚導(dǎo)線一一對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電溝槽，所述第二外層線路形成在所述第二介電層上，所述第二外層線路包括第二電磁屏蔽區(qū)，所述第二電磁屏蔽區(qū)通過(guò)所述第二導(dǎo)電溝槽與所述第二增厚導(dǎo)線連接，所述第一及第二電磁屏蔽區(qū)、第一及第二導(dǎo)電溝槽、第一及第二增厚導(dǎo)線及所述接地線圍成閉合的屏蔽空間，所述信號(hào)線位于所述屏蔽空間內(nèi)。

一種封裝結(jié)構(gòu)，包括上述封裝基板及芯片，所述芯片安裝在所述封裝基板上。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)、封裝基板制作方法及封裝結(jié)構(gòu)制作方法，由于在接地線相背兩側(cè)設(shè)置有第一增厚導(dǎo)線及第二增厚導(dǎo)線，使得所述第一導(dǎo)電溝槽及第二導(dǎo)電溝槽的深度可相對(duì)減小，從而在電鍍形成所述第一導(dǎo)電溝槽及第二導(dǎo)電溝槽時(shí)，可減少氣泡與裂紋的產(chǎn)生。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的承載板的剖面示意圖。

圖2是圖1的承載板的承載金屬層上形成第一內(nèi)層電鍍阻擋層后 的剖面示意圖。

圖3是在自圖2的第一內(nèi)層電鍍阻擋層露出的承載金屬層上形成抗蝕層后的剖面示意圖。

圖4是在圖3的抗蝕層上形成電鍍層，得到內(nèi)層線路后的剖面示意圖。

圖5是在圖4的內(nèi)層線路及第一內(nèi)層電鍍阻擋層上形成第二內(nèi)層電鍍阻擋層后的剖面示意圖。

圖6是在圖5的接地線上形成第一增厚導(dǎo)線后的剖面示意圖。

圖7是一并移除圖6的第一及第二內(nèi)層電鍍阻擋層后的剖面示意圖。

圖8是在圖7的內(nèi)層線路及所述第一增厚導(dǎo)線形成第一外層基板后的剖面示意圖。

圖9是移除圖8的承載板的承載絕緣層，露出承載金屬層后的剖面示意圖。

圖10是在圖9的承載金屬層表面形成第一光致抗蝕層，并在所述第一外層基板的第一外層銅箔表面形成第二光致抗蝕層后的剖面示意圖。

圖11是蝕刻移除圖10的部分所述承載金屬層，形成第二增厚導(dǎo)線后的剖面示意圖。

圖12是移除圖11的第一光致抗蝕層及第二光致抗蝕層后的剖面示意圖。

圖13是在圖12的第二增厚導(dǎo)線上形成第二外層基板后的剖面示意圖。

圖14是在圖13的第一外層基板內(nèi)形成第一溝槽及第一盲孔，及在所述第二外層基板內(nèi)形成第二溝槽及第二盲孔后的剖面示意圖。

圖15是在圖14的第一外層銅箔上形成第一外層電鍍阻擋層及在第二外層銅箔上形成第二外層電鍍阻擋層后的剖面示意圖。

圖16是電鍍填充圖15的第一溝槽、第一盲孔、第二溝槽及第二盲孔分別形成第一導(dǎo)電溝槽、第一導(dǎo)電孔、第二導(dǎo)電溝槽及第二導(dǎo)電孔，并在自第一外層電鍍阻擋層露出的第一外層銅箔表面形成第 一外層電鍍層及在自第二外層電鍍阻擋層露出的第二外層銅箔表面形成第二外層電鍍層后的剖面示意圖。

圖17是移除圖16的第一外層電鍍阻擋層及其所覆蓋部分所述第一外層銅箔，第二外層電鍍阻擋層及其所覆蓋的部分第二外層銅箔得到所述第一外層線路及第二外層線路后的剖面示意圖。

圖18是在圖17的第一外層線路表面形成第一防焊層及在第二外層線路表面形成第二防焊層，得到封裝基板的剖面示意圖。

圖19是在圖18的封裝基板上安裝芯片，得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

承載板10

承載金屬層11

承載絕緣層12

內(nèi)層線路20

第一增厚導(dǎo)線31

抗蝕層21

電鍍層22

信號(hào)線23

接地線24

導(dǎo)線25

第一內(nèi)層電鍍阻擋層201

第二內(nèi)層電鍍阻擋層202

第一外層基板41

第一介電層411

第一外層銅箔413

第一光致抗蝕層301

第二光致抗蝕層302

第二增厚導(dǎo)線32

第二外層基板42

第二介電層421

第二外層銅箔423

第一導(dǎo)電溝槽513

第一導(dǎo)電孔514

第二導(dǎo)電溝槽523

第二導(dǎo)電孔524

第一外層線路51

第二外層線路52

第一電磁屏蔽區(qū)511

第一外層導(dǎo)線512

第二電磁屏蔽區(qū)521

第二外層導(dǎo)線522

第一溝槽415

第一盲孔416

第二溝槽425

第二盲孔426

第一外層電鍍阻擋層401

第二外層電鍍阻擋層402

第一外層電鍍層501

第二外層電鍍層502

第一防焊層61

第二防焊層62

封裝基板70

第一開口611

電性接觸墊515

第二開口621

電性連接墊525

芯片80

封裝結(jié)構(gòu)100

電極墊81

焊球82

底膠83

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明提供的封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)、封裝基板制作方法及封裝結(jié)構(gòu)制作方法作進(jìn)一步說(shuō)明。

本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的的封裝結(jié)構(gòu)制作方法包括以下步驟。

第一步，請(qǐng)參閱圖1，提供承載板10。

所述承載板10包括層疊的承載金屬層11及承載絕緣層12。

第二步，請(qǐng)參閱圖2-7，在所述承載金屬層11上形成內(nèi)層線路20，并在所述內(nèi)層線路20上形成第一增厚導(dǎo)線31。

本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層線路20厚度方向包括抗蝕層21及電鍍層22。所述抗蝕層21位于所述電鍍層22及承載金屬層11之間，且與所述承載金屬層11接觸。

本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層線路20包括一條信號(hào)線23、兩條接地 線24及多條導(dǎo)線25。所述信號(hào)線23位于所述兩條接地線24之間。所述兩條接地線24將所述信號(hào)線與所述多條導(dǎo)線25間隔。所述信號(hào)線23及所述兩條接地線24的延伸方向一致。本實(shí)施方式中，所述信號(hào)線23與所述兩條接地線24相互平行。所述信號(hào)線23分別與每條所述接地線24間隔相同的距離。

本實(shí)施方式中，第一增厚導(dǎo)線31為兩條。每條所述第一增厚導(dǎo)線31對(duì)應(yīng)形成在一條所述接地線24上，且完全覆蓋對(duì)應(yīng)的所述接地線24。

本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31可通過(guò)如下方式獲得。

首先，請(qǐng)參閱圖2，在所述承載金屬層11上形成圖案化的第一內(nèi)層電鍍阻擋層201。部分所述承載金屬層11自所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201露出。

接著，請(qǐng)參閱圖3，在自所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201露出的所述承載金屬層11上形成抗蝕層21。所述抗蝕層21的厚度小于所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201的厚度。所述抗蝕層21可通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍等方式形成。所述抗蝕層21可為鎳與錫、金或銀等的合金。

接著，請(qǐng)參閱圖4，在所述抗蝕層21上形成電鍍層22，從而形成所述內(nèi)層線路20。本實(shí)施方式中，所述電鍍層22可為電鍍銅層。所述電鍍層22的厚度大于所述抗蝕層21的厚度。所述電鍍層22及所述抗蝕層21的厚度之和小于所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201的厚度。本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層線路20包括一條信號(hào)線23、兩條接地線24及多條導(dǎo)線25。所述信號(hào)線23位于所述兩條接地線24之間。所述兩條接地線24將所述信號(hào)線與所述多條導(dǎo)線25間隔。所述信號(hào)線23及所述兩條接地線24的延伸方向一致。本實(shí)施方式中，所述信號(hào)線23與所述兩條接地線24相互平行。所述信號(hào)線23分別與每條所述接地線24間隔相同的距離。

可以理解，其他實(shí)施方式中，所述電鍍層22及所述抗蝕層21的厚度之和可等于所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201的厚度。

接著，請(qǐng)參閱圖5，在所述內(nèi)層線路20及所述第一內(nèi)層電鍍阻擋 層201上形成圖案化的第二內(nèi)層電鍍阻擋層202。所述第二內(nèi)層電鍍阻擋層202覆蓋所述內(nèi)層線路的信號(hào)線23及導(dǎo)線25，以及所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201。所述接地線24自所述第二內(nèi)層電鍍阻擋層202露出。

最后，請(qǐng)參閱圖6及圖7，在所述接地線24上形成第一增厚導(dǎo)線31，并一并移除所述第一內(nèi)層電鍍阻擋層201及第二內(nèi)層電鍍阻擋層202，得到所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31。

本實(shí)施方式中，所述第一增厚導(dǎo)線31為兩條，且每條所述第一增厚導(dǎo)線31分別形成在一條所述接地線24上。

第三步，請(qǐng)參閱圖8，在所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31形成第一外層基板41。

所述第一外層基板41覆蓋所述內(nèi)層線路20、所述第一增厚導(dǎo)線31及自所述內(nèi)層線路20露出的承載金屬層11。所述第一外層基板41包括第一介電層411及第一外層銅箔413。所述第一介電層411位于所述第一外層銅箔413與所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31之間。所述第一介電層411覆蓋所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31及自所述內(nèi)層線路20之間的間隙露出的所述承載金屬層11。

第四步，請(qǐng)一并參閱圖8及圖9，移除所述承載絕緣層12，以露出所述承載金屬層11。

第五步，請(qǐng)參閱圖10，在所述承載金屬層11表面形成第一光致抗蝕層301，并在所述第一外層銅箔413形成第二光致抗蝕層302。

所述第一光致抗蝕層301覆蓋對(duì)應(yīng)所述接地線24的部分所述承載金屬層11，并露出其他部分的承載金屬層11。所述第二光致抗蝕層302完全覆蓋所述第一外層銅箔413。

可以理解，其他實(shí)施方式中，也可不在所述第一外層銅箔413形成第二光致抗蝕層302。

第六步，請(qǐng)一并參閱圖10及圖11，蝕刻移除露出的所述承載金屬層11，形成第二增厚導(dǎo)線32。

所述第二增厚導(dǎo)線32與所述接地線24一一對(duì)應(yīng)。本實(shí)施方式中，所述第二增厚導(dǎo)線32為兩條。每條所述第二增厚導(dǎo)線32分別與其對(duì) 應(yīng)的所述接地線24的抗蝕層21接觸。本實(shí)施方式中，所述第二增厚導(dǎo)線32線寬方向的截面呈倒梯形。所述第二增厚導(dǎo)線32的線寬自遠(yuǎn)離所述接地線24的另一表面向靠近所述接地線24的表面逐漸增大。部分所述內(nèi)層線路20及所述第一介電層411自所述第二增厚導(dǎo)線32之間的間隙露出。

第七步，請(qǐng)一并參閱圖11及圖12，移除所述第一光致抗蝕層301及第二光致抗蝕層302。

第八步，請(qǐng)一并參閱圖12及圖13，在所述第二增厚導(dǎo)線32上形成第二外層基板42。

所述第二外層基板42覆蓋所述第二增厚導(dǎo)線32及露出的所述第一介電層411與內(nèi)層線路20。所述第二外層基板42包括第二介電層421及第二外層銅箔423。所述第二介電層421位于所述第二外層銅箔423與所述第二增厚導(dǎo)線26之間。

第九步，請(qǐng)參閱圖14-17，分別在所述第一外層基板41及所述第二外層基板42內(nèi)形成第一導(dǎo)電溝槽513、第一導(dǎo)電孔514、第二導(dǎo)電溝槽523及第二導(dǎo)電孔524；并將所述第一外層銅箔413制作形成第一外層線路51及將所述第二外層銅箔423制作形成第二外層線路52。

所述第一導(dǎo)電溝槽513及所述第一導(dǎo)電孔514均貫穿所述第一外層基板41。所述第一導(dǎo)電溝槽513的深度小于所述第一導(dǎo)電孔514的深度。所述第二導(dǎo)電溝槽523及所述第二導(dǎo)電孔524均貫穿所述第二外層基板42。所述第二導(dǎo)電溝槽523的深度小于所述第二導(dǎo)電孔524的深度。

所述第一外層線路51包括第一電磁屏蔽區(qū)511及第一外層導(dǎo)線512。所述第一電磁屏蔽區(qū)511通過(guò)貫穿所述第一介電層411的第一導(dǎo)電溝槽513與所述第一增厚導(dǎo)線31電連接，且所述第一電磁屏蔽區(qū)511電連接在兩個(gè)所述第一導(dǎo)電溝槽513之間。本實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電溝槽513與所述第一增厚導(dǎo)線31一一對(duì)應(yīng)電連接。所述第一外層導(dǎo)線512通過(guò)貫穿所述第一介電層411的第一導(dǎo)電孔514與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25電連接。

所述第二外層線路52包括第二電磁屏蔽區(qū)521及第二外層導(dǎo)線 522。所述第二電磁屏蔽區(qū)521與所述第一電磁屏蔽區(qū)511對(duì)應(yīng)。所述第二電磁屏蔽區(qū)521通過(guò)貫穿所述第二介電層421的第二導(dǎo)電溝槽523與所述第二增厚導(dǎo)線32電連接。本實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電溝槽523與所述第二增厚導(dǎo)線32一一對(duì)應(yīng)電連接。所述第二外層導(dǎo)線522通過(guò)貫穿所述第二介電層421的第二導(dǎo)電孔524與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25電連接。

本實(shí)施方式中，所述第一外層線路51及所述第二外層線路52可通過(guò)如下方式獲得。

首先，請(qǐng)參閱圖14，在所述第一外層基板41內(nèi)形成第一溝槽415及第一盲孔416，及在所述第二外層基板42內(nèi)形成第二溝槽425及第二盲孔426。

所述第一溝槽415及所述第一盲孔416均貫穿所述第一外層基板41。即，所述第一溝槽415及所述第一盲孔416均貫穿所述第一介電層411及第一外層銅箔413。所述第一溝槽415的深度小于所述第一盲孔416的深度。所述第一溝槽415與所述第一增厚導(dǎo)線31一一對(duì)應(yīng)。所述第一溝槽415的延伸方向與其對(duì)應(yīng)的所述第一增厚導(dǎo)線31的延伸方向一致。每一所述第一增厚導(dǎo)線31自其對(duì)應(yīng)的第一溝槽415露出。所述第一盲孔416貫穿所述第一外層基板41。部分所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25自所述第一盲孔416露出。本實(shí)施方式中，部分所述導(dǎo)線25的電鍍層22自所述第一盲孔416露出。所述第一溝槽415的寬度及所述第一盲孔416的孔徑均自遠(yuǎn)離所述內(nèi)層線路20的方向向靠近所述內(nèi)層線路20的方向逐漸減小。

所述第二溝槽425及所述第二盲孔426均貫穿所述第二外層基板42。即，所述第二溝槽425及所述第二盲孔426均貫穿所述第二介電層421及所述第二外層銅箔423。所述第二溝槽425的深度小于所述第二盲孔426的深度。所述第二溝槽425與所述第二增厚導(dǎo)線32一一對(duì)應(yīng)。所述第二溝槽425的延伸方向與其對(duì)應(yīng)的所述第二增厚導(dǎo)線32的延伸方向一致。所述第二溝槽425貫穿所述第二外層基板42。每一所述第二增厚導(dǎo)線32自其對(duì)應(yīng)的第二溝槽425露出。部分所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25自所述第二盲孔426露出。本實(shí)施方式中，部分所述導(dǎo) 線25的抗蝕層21自所述第二盲孔426露出。所述第二溝槽425的寬度及所述第二盲孔426的孔徑均自遠(yuǎn)離所述內(nèi)層線路20的方向向靠近所述內(nèi)層線路20的方向逐漸減小。

接著，請(qǐng)參閱圖15，在所述第一外層銅箔413上形成圖案化的第一外層電鍍阻擋層401及在所述第二外層銅箔423上形成圖案化的第二外層電鍍阻擋層402。

所述第一溝槽415、第一盲孔416及部分所述第一外層銅箔413自所述第一外層電鍍阻擋層401露出。所述第二溝槽425、第二盲孔426及部分所述第二外層銅箔423自所述第二外層電鍍阻擋層402露出。

可以理解，其他實(shí)施方式中，在所述第一外層銅箔413上形成圖案化的第一外層電鍍阻擋層401及在所述第二外層銅箔423上形成圖案化的第二外層電鍍阻擋層402之前，還包括在所述第一溝槽415、第一盲孔416、第一外層銅箔413、第二溝槽425、第二盲孔426及第二外層銅箔423表面形成電鍍種子層。

接著，請(qǐng)一并參閱圖15及圖16，電鍍填充所述第一溝槽415、所述第一盲孔416分別形成第一導(dǎo)電溝槽513及第一導(dǎo)電孔514，并在自所述第一外層電鍍阻擋層401露出的所述第一外層銅箔413表面形成第一外層電鍍層501；電鍍填充所述第二溝槽425、所述第二盲孔426分別形成第二導(dǎo)電溝槽523及第二導(dǎo)電孔524，并在自所述第二外層電鍍阻擋層露出的所述第二外層銅箔423表面形成第二外層電鍍層502。

接著，請(qǐng)一并參閱圖16及圖17，移除所述第一外層電鍍阻擋層401及其所覆蓋部分所述第一外層銅箔413，及移除所述第二外層電鍍阻擋層402及其所覆蓋的部分所述第二外層銅箔423得到所述第一外層線路51及第二外層線路52。

第十步，請(qǐng)參閱圖18，在所述第一外層線路51表面形成第一防焊層61及在所述第二外層線路52表面形成第二防焊層62，得到所述封裝基板70。

所述第一防焊層61開設(shè)有第一開口611。部分所述第一外層導(dǎo)線 512自所述第一開口611露出形成電性接觸墊515。所述第二防焊層62開設(shè)有第二開口621。部分所述第二外層導(dǎo)線522自所述第二開口621露出形成電性連接墊525。

第十一步，請(qǐng)參閱圖19，在所述封裝基板70上安裝芯片80，得到封裝結(jié)構(gòu)100。

所述芯片80包括電極墊81。所述電極墊81與所述電性接觸墊515一一對(duì)應(yīng)，并通過(guò)焊球82電性連接。所述芯片80與所述第一防焊層61之間填充有底膠83。

可以理解，在所述封裝基板70上安裝芯片80之前，還可在所述電性接觸墊515表面形成保焊層，及在所述電性連接墊525表面形成抗氧化層。

本實(shí)施方式中，在所述封裝基板70上安裝芯片80可通過(guò)如下方式進(jìn)行。

首先，在所述電性接觸墊515上植入所述焊球82。

接著，將所述芯片80設(shè)置在所述封裝基板70上，所述芯片80的電極墊81與所述焊球82一一對(duì)應(yīng)，并通過(guò)對(duì)應(yīng)的所述焊球82與所述電性接觸墊515電連接。

接著，在所述芯片80與所述封裝基板70之間的間隙填充所述底膠83。

本發(fā)明具體實(shí)施方式還提供一種封裝結(jié)構(gòu)100。所述封裝結(jié)構(gòu)100可通過(guò)上述封裝基板制作方法制得。

請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D18，所述封裝結(jié)構(gòu)100包括封裝基板70及安裝在所述封裝基板70上的芯片80。

所述封裝基板70包括內(nèi)層線路20、第一增厚導(dǎo)線31、第一介電層411、第一外層線路51、第一防焊層61、第二增厚導(dǎo)線32、第二介電層421、第二外層線路52及第二防焊層62。

所述內(nèi)層線路20厚度方向包括層疊的抗蝕層21及電鍍層22。所述抗蝕層21可為鎳與錫、金或銀等的合金層。所述電鍍層22可為電鍍銅層。本實(shí)施方式中，所述電鍍層22的厚度大于所述抗蝕層21的厚度。

本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層線路20水平方向包括一條信號(hào)線23、兩條接地線24及多條導(dǎo)線25。所述信號(hào)線23位于所述兩條接地線24之間。所述兩條接地線24將所述信號(hào)線與所述多條導(dǎo)線25間隔。所述信號(hào)線23及所述兩條接地線24的延伸方向一致。本實(shí)施方式中，所述信號(hào)線23與所述兩條接地線24相互平行。所述信號(hào)線23分別與每條所述接地線24間隔相同的距離。

所述第一增厚導(dǎo)線31與所述接地線24一一對(duì)應(yīng)。本實(shí)施方式中，所述第一增厚導(dǎo)線31為兩條。所述第一增厚導(dǎo)線31形成在所述接地線24的電鍍層22上。

所述第一介電層411形成在所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31上。所述第一介電層411包覆所述內(nèi)層線路20及所述第一增厚導(dǎo)線31，并填充所述內(nèi)層線路20之間及所述第一增厚導(dǎo)線31之間的間隙。所述第一介電層411內(nèi)形成有第一導(dǎo)電溝槽513及第一導(dǎo)電孔514。所述第一導(dǎo)電溝槽513及所述第一導(dǎo)電孔514均貫穿所述第一介電層411。所述第一導(dǎo)電溝槽513與所述第一增厚導(dǎo)線31一一對(duì)應(yīng)電連接。所述第一導(dǎo)電孔514與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25電連接。

所述第一外層線路51形成在所述第一介電層411上。所述第一外層線路51包括第一電磁屏蔽區(qū)511及第一外層導(dǎo)線512。所述第一電磁屏蔽區(qū)511與所述第一導(dǎo)電溝槽513電連接，且連接在兩條所述第一導(dǎo)電溝槽513之間。所述第一外層導(dǎo)線512通過(guò)所述第一導(dǎo)電孔514與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25電連接。

所述第一防焊層61形成在所述第一外層線路51上。所述第一防焊層61開設(shè)有多個(gè)第一開口611。部分所述第一外層導(dǎo)線512自所述第一開口611露出，形成多個(gè)電性接觸墊515。

所述第二增厚導(dǎo)線32與所述接地線24一一對(duì)應(yīng)。本實(shí)施方式中，所述第二增厚導(dǎo)線32為兩條。所述第二增厚導(dǎo)線32與所述第一增厚導(dǎo)線31位于所述接地線24的相背兩側(cè)。所述第二增厚導(dǎo)線32形成在所述接地線24的抗蝕層21上。所述第二增厚導(dǎo)線32的線寬自遠(yuǎn)離所述接地線24的表面向靠近所述接地線24的表面逐漸增大。

所述第二介電層421覆蓋所述第二增厚導(dǎo)線32、部分所述內(nèi)層線 路20的抗蝕層21及所述第一介電層411。所述第二介電層421內(nèi)形成有第二導(dǎo)電溝槽523及第二導(dǎo)電孔524。所述第二導(dǎo)電溝槽523及所述第二導(dǎo)電孔524均貫穿所述第二介電層421。所述第二導(dǎo)電溝槽523與所述第二增厚導(dǎo)線32一一對(duì)應(yīng)電連接。所述第二導(dǎo)電孔524與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25電連接。

所述第二外層線路52形成在所述第二介電層421上。所述第二外層線路52包括第二電磁屏蔽區(qū)521及第二外層導(dǎo)線522。所述第二電磁屏蔽區(qū)521與所述第一電磁屏蔽區(qū)511對(duì)應(yīng)。所述第二電磁屏蔽區(qū)521通過(guò)所述第二導(dǎo)電溝槽523與所述第二增厚導(dǎo)線32電連接，且所述第二電磁屏蔽區(qū)521電連接在兩條所述第二導(dǎo)電溝槽523之間。所述第二外層導(dǎo)線522所述第二導(dǎo)電孔524與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25電連接。本實(shí)施方式中，所述第二外層導(dǎo)線522通過(guò)貫穿所述第二介電層421的第二導(dǎo)電孔524與所述內(nèi)層線路20的導(dǎo)線25的抗蝕層21電連接。

所述第二防焊層62形成在所述第二外層線路52上。所述第二防焊層62開設(shè)有第二開口621。部分所述第二外層導(dǎo)線522自所述第二開口621露出形成電性連接墊525。

可以理解，所述封裝基板70還可包括保焊層及抗氧化層。所述保焊層形成在所述電性接觸墊515上。所述抗氧化層形成在所述電性連接墊525上。

所述芯片80安裝在所述封裝基板70的第一外層線路51上。所述芯片80包括電極墊81。所述電極墊81與所述電性接觸墊515一一對(duì)應(yīng)，并通過(guò)焊球82電性連接。

所述芯片80與所述第一防焊層61之間的間隙還填充有底膠83。

本實(shí)施方式中，所述第一電磁屏蔽區(qū)511、所述第一導(dǎo)電溝槽513、所述第一增厚導(dǎo)線31、所述接地線24、所述第二增厚導(dǎo)線32、所述第二導(dǎo)電溝槽523及所述第二電磁屏蔽區(qū)521圍成閉合的屏蔽空間。所述信號(hào)線23設(shè)置在所述屏蔽空間內(nèi)。所述屏蔽空間可以隔絕外界的電磁干擾。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)、封裝基 板制作方法及封裝結(jié)構(gòu)制作方法，由于在接地線相背兩側(cè)設(shè)置有第一增厚導(dǎo)線及第二增厚導(dǎo)線，使得所述第一導(dǎo)電溝槽及第二導(dǎo)電溝槽的深度可相對(duì)減小，從而在電鍍形成所述第一導(dǎo)電溝槽及第二導(dǎo)電溝槽時(shí)，可減少氣泡與裂紋的產(chǎn)生。

另外，由于在制作形成所述封裝基板及封裝結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，提供了承載板，可防止后續(xù)制程板面發(fā)生翹曲。

另外，由于所述內(nèi)層線路包括抗蝕層，在后續(xù)蝕刻形成所述第二增厚導(dǎo)線時(shí)，可防止所述內(nèi)層線路被誤蝕掉。

可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。