本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種能提高產(chǎn)品良率的電子封裝件及其基板結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

目前應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域的技術(shù)繁多，例如芯片尺寸封裝(chipscalepackage，簡稱csp)、芯片直接貼附封裝(directchipattached，簡稱dca)或多芯片模組封裝(multi-chipmodule，簡稱mcm)等覆晶型封裝模組、或?qū)⑿酒Ⅲw堆迭化整合為三維積體電路(3dic)芯片堆迭模組。

圖1為悉知3dic式半導(dǎo)體封裝件1的剖面示意圖。如圖1所示，將一半導(dǎo)體芯片13通過多個焊錫凸塊130設(shè)于一硅中介板(throughsiliconinterposer，簡稱tsi)12上，其中，該硅中介板12具有多個導(dǎo)電硅穿孔(through-siliconvia，簡稱tsv)120及電性連接該些導(dǎo)電硅穿孔120與該些焊錫凸塊130的線路重布層(redistributionlayer，簡稱rdl)121，且該硅中介板12通過該些導(dǎo)電硅穿孔120與多個導(dǎo)電元件110結(jié)合至一封裝基板11上，再以底膠10’包覆該些導(dǎo)電元件110與該些焊錫凸塊130，并以封裝膠體10包覆該半導(dǎo)體芯片13與該硅中介板12。

然而，悉知半導(dǎo)體封裝件1的封裝制程中，于遭遇溫度循環(huán)(temperaturecycle)或應(yīng)力變化時(shí)，如搬運(yùn)、通過回焊爐、或經(jīng)歷落摔等制程或測試時(shí)，該半導(dǎo)體芯片13及該硅中介板12會在各角落形成較大的角落應(yīng)力(cornerstress)，導(dǎo)致該半導(dǎo)體芯片13及該硅中介板12會沿角落處發(fā)生破裂(crack)(如圖所示的破裂處k)；或由于該半導(dǎo)體芯片13、硅中介板12及封裝基板11間因熱膨脹系數(shù)(coefficientofthermalexpansion，簡稱cte)不匹配(mismatch)而與該封裝膠體10或底膠10’分離，即產(chǎn)生脫層(delaminating)問題，造成該硅中介板12無法有效電性連接該半導(dǎo)體芯片13或無法通過可靠度測試，致使產(chǎn)品的良率不佳。前述問題對于現(xiàn)今電子產(chǎn)品要求輕薄短小及芯片薄化趨勢下更顯嚴(yán)重。

因此，如何克服上述悉知技術(shù)的種種問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述悉知技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種電子封裝件及基板結(jié)構(gòu)，避免基板結(jié)構(gòu)發(fā)生破裂問題。

本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)，包括：一基板，于其表面形成有至少一第一倒角；以及多個導(dǎo)電體，其結(jié)合至該基板。

本發(fā)明還提供一種電子封裝件，包括：一承載件；至少一基板，其接置于該承載件上，且于該基板的表面形成有至少一第一倒角；多個導(dǎo)電體，其供電性連接該基板與該承載件；以及封裝體，其形成于該基板與該承載件之間。

前述的電子封裝件中，該封裝體覆蓋該基板。

前述的電子封裝件及其基板結(jié)構(gòu)中，該第一倒角設(shè)于該基板的角落位置。

前述的電子封裝件及其基板結(jié)構(gòu)中，該基板的表面上還具有未貫穿該基板的凹部。例如，該第一倒角與凹部相隔一距離，且該凹部設(shè)于該基板的角落位置，又該凹部的形式為開口寬度大而內(nèi)部空間寬度小、或該凹部的形式為開口寬度小而內(nèi)部空間寬度大。

前述的電子封裝件及其基板結(jié)構(gòu)中，該基板還形成有從該第一倒角延伸出的第二倒角。

前述的電子封裝件及其基板結(jié)構(gòu)中，該導(dǎo)電體為線路層、導(dǎo)電柱或?qū)щ娡箟K所組群組的其中一者。

由上可知，本發(fā)明的電子封裝件及基板結(jié)構(gòu)，主要通過該第一倒角的設(shè)計(jì)來分散該基板所受應(yīng)力，并通過該凹部的設(shè)計(jì)來增加該基板與該封裝層的結(jié)合力，故能避免該基板于封裝制程中發(fā)生破裂或脫層等問題，因而能提高產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為悉知半導(dǎo)體封裝件的剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖3及圖3’為圖2的另一實(shí)施例的剖面示意圖；

圖4為本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)的凹部的各種形狀的剖面示意圖；

圖5a至圖5f為本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)的各種不同實(shí)施例的上視示意圖；以及

圖6為本發(fā)明的電子封裝件的剖面示意圖。

符號說明

1半導(dǎo)體封裝件10,601封裝膠體

10’,600底膠11封裝基板

110導(dǎo)電元件12硅中介板

120導(dǎo)電硅穿孔121線路重布層

13半導(dǎo)體芯片130焊錫凸塊

2,3基板結(jié)構(gòu)21基板

21a表面21c側(cè)面

210第一倒角25導(dǎo)電體

25a金屬柱25b焊錫材料

31密封環(huán)310第二倒角

34,34’,34”凹部6電子封裝件

60封裝體61第一基板

62第二基板63承載件

a布線區(qū)k破裂處

l距離r開口寬度

d深度。

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。

須知，本說明書所附附圖所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、“第三”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。

圖2為本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)2的剖面示意圖。如圖2所示，該基板結(jié)構(gòu)2包括：于其表面形成有至少一第一倒角210的基板21、以及多個結(jié)合至該基板21的導(dǎo)電體25。

所述的基板21為半導(dǎo)體板材，且于其一表面21a的邊緣(如角落處)形成該第一倒角210。然而，該基板21的板材也可為陶瓷板材或有機(jī)材料，如玻纖樹脂或印刷電路板等，并不限于上述。

于本實(shí)施例中，該基板21為硅晶圓、硅芯片或硅中介板，且該基板21可為條狀(stripform)或已切單體(singulation)，并以梯形刀于該基板21上切割出該第一倒角210。

此外，該基板21可為各式幾何形狀的板體，如矩形、多邊形或圓形等，且可為對稱板體或不對稱板體，故該基板21的外觀形狀的種類繁多，并無特別限制。又，該第一倒角210的表面為平直斜面(如圖6所示)、內(nèi)凹圓弧狀(如圖2及圖3圖所示)、外凸圓弧狀(如圖3’所示)或其它形狀等。

所述的導(dǎo)電體25為線路層(圖未示)、導(dǎo)電柱或?qū)щ娡箟K(如圖2所示)所組群組的其中一者。

于本實(shí)施例中，各該導(dǎo)電體25包含有一金屬柱25a與一焊錫材料25b。

于另一實(shí)施例中，如圖3及圖3’所示，該基板結(jié)構(gòu)3還包括一設(shè)于該基板21的表面21a上的密封環(huán)31，該密封環(huán)31環(huán)繞該基板21的布線區(qū)a(用以布設(shè)該導(dǎo)電體25的區(qū)域)，且該基板21的表面21a上于該密封環(huán)31外具有至少一未貫穿該基板21的凹部34，并使該第一倒角210與該凹部34相隔一距離l，也就是該凹部34位于該第一倒角210與該密封環(huán)31之間，以避免切割刀具碰觸該導(dǎo)電體25而造成包刀(即金屬材料因受刀具切割而內(nèi)縮以包覆該刀具)的問題。

具體地，該凹部34的制作方式繁多，例如，制作該凹部34的方式可為超聲波研磨、化學(xué)機(jī)械研磨(chemical-mechanicalpolishing，簡稱cmp)、激光、水刀、等向/非等向性蝕刻、干/濕蝕刻或上述加工法的搭配組合等。

此外，如圖4所示，該凹部34,34’,34”的尺寸可依后述圖6所示的封裝體60的膠材種類而變化，即該凹部34的深寬比可允許膠材的顆粒進(jìn)出而不會造成膠材流動堵塞。若以目前封裝體60的膠材中所含的填充物(filler)顆粒的最大尺寸為3μm為例，該凹部34,34’,34”的開口寬度r大于3μm(如10μm)及深度d約為3至6μm，但不此為限。因此，凹部34,34’,34”的開口寬度r需大于該封裝體60的填充物的顆粒尺寸。

又，該凹部34的外觀形狀的種類繁多，如圖4所示，該凹部34,34’,34”的側(cè)面可為具有多個側(cè)壁的洞穴狀，且如圖5a至圖5f所示，該凹部34的上視形狀可為各式幾何形狀(弧形、多邊形、圓形等)。具體地，如圖4所示，若該凹部34的形式為開口寬度大而內(nèi)部空間寬度小時(shí)，可增加該封裝體60于該凹部34中的流動性；若該凹部34’的形式為開口寬度小而內(nèi)部空間寬度大時(shí)，可增加封裝體60與該凹部34(即該封裝體60與該基板21)的結(jié)合力；應(yīng)可理解地，該凹部34”的形式可為其開口與其內(nèi)部空間的寬度一致。

另外，該凹部34的形成位置可依需求設(shè)計(jì)，例如針對該基板結(jié)構(gòu)3加工時(shí)，該基板21容易產(chǎn)生應(yīng)力集中的區(qū)域進(jìn)行設(shè)置，以達(dá)到減少基板21破裂(crack)與避免膠層(如后述的底膠600或封裝膠體601)脫層的目的。具體地，如圖5a至圖5e所示，若該基板21的表面21a具有角落，于封裝制程中，該基板21會因應(yīng)力集中而在各角落處形成較大的角落應(yīng)力(cornerstress)，使其與該封裝體60之間會產(chǎn)生強(qiáng)大的應(yīng)力，故該凹部34可設(shè)于該角落位置。

于另一實(shí)施例中，如圖3及圖3’所示，該基板21具有從該第一倒角210延伸出的第二倒角310。具體地，該第二倒角310沿該基板21的側(cè)面21c延伸，且該第二倒角310的表面為平直斜面、圓弧狀或其它形狀等。

本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)2,3通過該第一倒角210的設(shè)計(jì)，以分散該基板結(jié)構(gòu)2,3于后續(xù)封裝制程中所產(chǎn)生的應(yīng)力，使該基板結(jié)構(gòu)2,3消除應(yīng)力集中于角落的問題，故能避免該基板結(jié)構(gòu)2,3于封裝后發(fā)生破裂或脫層的問題，因而能提高產(chǎn)品良率。

此外，該基板結(jié)構(gòu)3通過該第二倒角310的設(shè)計(jì)，以產(chǎn)生更好的消除應(yīng)力的效果。

圖6為本發(fā)明的電子封裝件6的剖面示意圖。如圖6所示，該電子封裝件6包括：承載件63、接置于該承載件63上的第一基板61與第二基板62、以及一封裝體60。

所述的承載件63為陶瓷板材或有機(jī)板材，以作為封裝基板，且該第一基板61及第二基板62為半導(dǎo)體板材，以令該第二基板62作為中介板而接置于該承載件63上，該第一基板61作為電子元件而接置于該第二基板62上。

于本實(shí)施例中，該第一基板61(如電子元件)為主動元件、被動元件或其二者組合等，其中，該主動元件為例如半導(dǎo)體芯片，且該被動元件為例如電阻、電容及電感。

另外，于一實(shí)施例中(未圖示)，該第一基板61(如電子元件)可直接接置于該承載件63(如封裝基板)上，而毋需間隔該第二基板62(如硅中介板)。

此外，該第一倒角210選擇形成于該第一基板61及/或該第二基板62上，且該第一基板61及第二基板62上也可選擇性地形成如圖3及圖3’所示的該密封環(huán)31、凹部34及/或第二倒角310。

所述的導(dǎo)電體25結(jié)合于該第一基板61及第二基板62，用以電性連接該第一基板61、第二基板62及承載件63。

所述的封裝體60形成于該承載件63上以包覆該第一基板61及第二基板62。

于本實(shí)施例中，該封裝體60包含底膠600與封裝膠體601，該底膠600形成于該第一基板61與第二基板62之間及該第二基板62與承載件63之間，且該封裝膠體601形成于該承載件63上以包覆該底膠600、第一基板61及第二基板62。

本發(fā)明的電子封裝件6通過該第一倒角210的設(shè)計(jì)，以供形成該封裝體60時(shí)，能分散該第一基板61與第二基板62所產(chǎn)生的應(yīng)力，使該第一基板61與第二基板62能消除應(yīng)力集中于角落的問題，故能避免該第一基板61與第二基板62于封裝制程中發(fā)生破裂或脫層的問題，因而能提高產(chǎn)品良率。

綜上所述，本發(fā)明的電子封裝件及基板結(jié)構(gòu)，通過該倒角的設(shè)計(jì)消除應(yīng)力集中的問題，以提升產(chǎn)品良率。

上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。