1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一半導(dǎo)體層，位于襯底上方；
第一絕緣體層，位于所述第一半導(dǎo)體層上方；
第二半導(dǎo)體層，位于所述第一絕緣體層上方，其中，所述第一半導(dǎo)體層、所述第一絕緣體層和所述第二半導(dǎo)體層形成第一晶體管；
第二絕緣體層，位于所述第二半導(dǎo)體層上方；以及
第三半導(dǎo)體層，位于所述第二絕緣體層上方，其中，所述第二半導(dǎo)體層、所述第二絕緣體層和所述第三半導(dǎo)體層形成位于所述第一晶體管上方的第二晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：
柵極電介質(zhì)，位于所述第三半導(dǎo)體層上方；以及
柵電極，位于所述柵極電介質(zhì)上方，其中，所述柵極電介質(zhì)、所述柵電極和所述第三半導(dǎo)體層形成位于所述第二晶體管上方的第三晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一絕緣體層包括第一單晶材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二絕緣體層包括第二單晶材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體層是外延層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二絕緣體層是外延層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一絕緣體層包括氧化釓，并且所述第二絕緣體層包括砷化鎵。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一晶體管，形成在襯底上方，所述第一晶體管包括：
第一半導(dǎo)體層；
第一絕緣體層，其中，所述第一絕緣體層包括第一單晶材料；
第二半導(dǎo)體層，其中，所述第二半導(dǎo)體層包括第一外延材料；以及
第二晶體管，形成在所述襯底上方，其中，所述第二晶體管被定位為與所述第一晶體管相比更加遠(yuǎn)離所述襯底，其中，所述第二晶體管還包括：
所述第二半導(dǎo)體層；
第二絕緣體層，位于所述第二半導(dǎo)體層上方，其中，所述第二絕緣體層包括第二單晶材料；和
第三半導(dǎo)體層，位于所述第二絕緣體層上方，其中，所述第三半導(dǎo)體層包括第二外延材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述襯底上的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：
第四半導(dǎo)體層，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括第一材料且所述第四半導(dǎo)體層包括所述第一材料；以及
第五半導(dǎo)體層，與所述第四半導(dǎo)體物理接觸，其中，所述第五半導(dǎo)體層包括不同于所述第一材料的第三外延材料。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
在襯底上方形成第一半導(dǎo)體層；
從所述第一半導(dǎo)體層生長(zhǎng)單晶第一絕緣體層；
從所述單晶第一絕緣體層生長(zhǎng)第二半導(dǎo)體層；
從所述第二半導(dǎo)體層生長(zhǎng)單晶第二絕緣體層；
從所述單晶第二絕緣體層生長(zhǎng)第三半導(dǎo)體層；以及
將所述第一半導(dǎo)體層、所述單晶第一絕緣體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述單晶第二絕緣體層和所述第三半導(dǎo)體層圖案化為第一晶體管和第二晶體管，其中，所述第二半導(dǎo)體層是所述第一晶體管內(nèi)的柵電極和所述第二晶體管中的溝道區(qū)域。