技術總結
提供一種反向導通功率半導體。其包括多個二極管單元(312)和多個柵極換流晶閘管(GCT)單元(32)。每個GCT單元(32)包括第一陰極層(34)，其中每個GCT單元(32)的第一陰極層(34)包括至少三個陰極層區(qū)域(34a、34b)，其通過基層(35)相互分開，其中在平行于第一主側面(41)的平面上的正交投影中，陰極層區(qū)域(34a、34b)的每個為具有沿著其縱軸的方向上的長度和垂直于縱軸的方向上的寬度(w、w’)的條形，其中在至少一混合部分中二極管單元(312)在橫向方向上與GCT單元(32)交替布置，其中在每個GCT單元(32)中，貼近與該GCT單元(32)鄰近的二極管單元(312)的兩個外部陰極層區(qū)域(34b)的每個的寬度(w’)小于位于該GCT單元(32)中的兩個外部陰極層區(qū)域(34b)之間的任何中間陰極層區(qū)域(34a)的寬度(w)。

技術研發(fā)人員：N·洛普希蒂斯;F·尤德雷;U·維穆拉帕蒂;I·尼斯托;M·阿諾德;J·沃貝基;M·拉希莫
受保護的技術使用者：ABB技術有限公司
文檔號碼：201610442461
技術研發(fā)日：2016.03.23
技術公布日：2016.11.16