1.一種砷化鎵襯底材料制備方法，其特征在于包括如下步驟：
S1：超高純鎵制備：在含鎵的電解原液中加入氫氧化鈉，對電解原液進行電解提純，其中金屬鎵在陰極富集，從而得到提純鎵溶液，然后利用結(jié)晶法對提純鎵溶液進行結(jié)晶，利用雜質(zhì)在液態(tài)鎵和固態(tài)鎵的溶解度不同，借助晶種或降溫作用，使液態(tài)鎵結(jié)晶析出，得到純度較高的晶體鎵，將晶體鎵在鎵單晶爐內(nèi)加熱熔化形成熔體鎵，爐內(nèi)放入籽晶，使籽晶的端部浸入溶體鎵并使其略有熔化，然后控制溫度，緩慢地將籽晶垂直提升，拉出的液體固化為單晶，得到純度較高的單晶鎵，可以將4N鎵提純至6N-8N超高純鎵；
S2：超高純砷制備：采用西門子法將工業(yè)級砷通過氯化、精餾、還原生產(chǎn)工藝提純至6N-8N超高純砷，將工業(yè)級砷裝入氯化柱中，通入干燥氯氣并升溫至20-200℃，兩者反應(yīng)生成三氯化砷，將三氯化砷通入以砷作填料的精餾塔，升溫使得三氯化砷蒸發(fā)，控制精餾條件，獲得提純?nèi)然?，將提純?nèi)然橥ㄈ脒€原爐中，通入氫氣，加熱升溫至800-1000℃，使三氯化砷與氫氣進行反應(yīng)，獲得還原砷；
S3：砷化鎵多晶料的制備：將S1中獲得的單晶鎵和S2中獲得的還原砷按照一定的比例裝入PBN坩堝內(nèi)，將PBN坩堝送入合成爐中，加入三氧化二硼作為覆蓋劑進行砷化鎵多晶料的合成；
S4:砷化鎵單晶棒制備：采用垂直布里奇曼法工藝單晶加熱爐制備砷化鎵單晶棒，將S3中獲得的砷化鎵多晶料置于圓柱型的坩堝中，緩慢地下降，并通過一個具有一定溫度梯度的加熱爐，將爐溫控制在略高于砷化鎵多晶料的熔點附近，在通過加熱區(qū)域時，坩堝中的材料被熔融，當(dāng)坩堝持續(xù)下降時，坩堝底部的溫度先下降到熔點以下，并開始結(jié)晶，晶體隨坩堝下降而持續(xù)長大，溶體已全部凝固后，斷電降溫，待溫度降到90℃以下后，將坩堝從單晶爐中取出，獲得砷化鎵單晶棒；
S5:超薄砷化鎵晶片制備：利用S4制備的砷化鎵單晶棒采用多線切割機制備超薄砷化鎵晶片；
S6:砷化鎵襯底材料的制備：將S5中制備的超薄砷化鎵晶片放入承載片中，利用磨盤研磨邊緣，再利用超聲波研磨拋光機，對超薄砷化鎵晶片進行研磨和拋光，利用上蠟機對超薄砷化鎵晶片進行上蠟、下蠟、化蠟，再利用超聲波清洗機對超薄砷化鎵晶片進行清洗，制得砷化鎵襯底材料，最后在潔凈室中對超薄砷化鎵襯底材料進行真空包裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種砷化鎵襯底材料制備方法，S4中所述的加熱爐溫度區(qū)間為1100℃-1260℃，所述溫度梯度為20℃。