本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)過程中，通常包括如圖1所示流程。在幾何信息提取前，需將版圖按照一定大小切割成若干格點(diǎn)。版圖切割起始點(diǎn)固定為版圖窗口左下角(固定起始點(diǎn)切割)，在切割過程中，那些處在格點(diǎn)交界處的圖形會(huì)被多個(gè)格點(diǎn)所切分。當(dāng)格點(diǎn)交界處圖形面積較小時(shí)，格點(diǎn)交界處圖形對(duì)所在格點(diǎn)工藝波動(dòng)的貢獻(xiàn)可以忽略不計(jì)，但是當(dāng)格點(diǎn)交界處圖形面積較大或格點(diǎn)內(nèi)圖形都分布在格點(diǎn)交界處時(shí)，格點(diǎn)交界處圖形對(duì)所在格點(diǎn)的工藝影響將不可被忽略。然而因?yàn)榍蟹謺?huì)對(duì)圖形自身幾何信息提取產(chǎn)生弱化，所以處在格點(diǎn)交界處的圖形自身幾何信息將不能被各切分格點(diǎn)正確提取，如圖2A所示:處于格點(diǎn)Grid(n,n+1)、Grid(n+1,n+1)、Grid(n,n)、Grid(n+1,n)交界處邊長(zhǎng)為2a的正方形圖形恰好被4個(gè)交界格點(diǎn)平均切分，假設(shè)格點(diǎn)大小為S并且大于正方形圖形邊長(zhǎng)的一半a，那么根據(jù)格點(diǎn)幾何信息提取公式可以得出交界處4個(gè)格點(diǎn)的提取幾何信息都為：

密度＝(a*a)/(S*S)

周長(zhǎng)＝a+a＝2a

權(quán)重線寬＝{a*(a*a)}/(a*a)＝a

而當(dāng)該圖形沒有被格點(diǎn)切分，即不處在格點(diǎn)交界處時(shí)(如圖2B所示)的提取幾何信息為：

密度＝(2a*2a)/(S*S)

周長(zhǎng)＝4*2a＝8a

權(quán)重線寬＝{2a*(2a*2a)}/(2a*2a)＝2a

通過比較可以看出，格點(diǎn)交界處的圖形由于圖形切分從而導(dǎo)致了自身圖形提取幾何信息弱化，對(duì)上述提取幾何信息進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝模擬預(yù)測(cè)時(shí)，格點(diǎn)交界處圖形對(duì)工藝波動(dòng)的影響將不能被正確預(yù)測(cè)，從而在熱點(diǎn)檢測(cè)過程中，容易漏報(bào)處在格點(diǎn)交界處圖形的熱點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法，包括：

第一步驟：執(zhí)行版圖載入；

第二步驟：選定格點(diǎn)大小，根據(jù)設(shè)置的起始點(diǎn)移動(dòng)步長(zhǎng)，并計(jì)算兩個(gè)垂直移動(dòng)方向上的單方向移動(dòng)次數(shù)；

第三步驟：將版圖切割起始點(diǎn)(X,Y)按照{(diào)(X-m*s),(Y-n*s)}進(jìn)行移動(dòng)，其中s為起始點(diǎn)移動(dòng)步長(zhǎng)，m和n為整數(shù)且初值均為所述單方向移動(dòng)次數(shù)；

第四步驟：執(zhí)行格點(diǎn)幾何信息提取；

第五步驟：執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝模擬預(yù)測(cè)；

第六步驟：執(zhí)行熱點(diǎn)檢測(cè)；

第七步驟：使得n遞增1，在遞增1之后的n小于單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)，重復(fù)步驟第三步驟到第六步驟，或使得m遞增1，在遞增1之后的m小于單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)，使得n遞增1，當(dāng)遞增1后的n也小于單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)，重復(fù)步驟第三步驟到第六步驟；

第八步驟：當(dāng)遞增1之后的m和遞增1之后的n都不小于各自單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)執(zhí)行熱點(diǎn)綜合和熱點(diǎn)修復(fù)。

優(yōu)選地，所述單方向移動(dòng)次數(shù)為格點(diǎn)大小除以起始點(diǎn)移動(dòng)步長(zhǎng)之商取整。

優(yōu)選地，起始點(diǎn)移動(dòng)最大次數(shù)為單方向移動(dòng)次數(shù)的平方。

優(yōu)選地，所述移動(dòng)步長(zhǎng)大于零。

優(yōu)選地，所述移動(dòng)步長(zhǎng)小于所述格點(diǎn)大小。

優(yōu)選地，所述格點(diǎn)大小是大于零的整數(shù)值。

優(yōu)選地，所述降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法用于化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)。

優(yōu)選地，所述降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法用于集成電路制造。

本發(fā)明提出的移動(dòng)起始點(diǎn)版圖切割方法，可以避免固定版圖切割所產(chǎn)生的格點(diǎn)交界處圖形提取幾何信息弱化，從而可以正確預(yù)測(cè)出固定起始點(diǎn)切割格點(diǎn)交界處圖形的工藝波動(dòng)，進(jìn)而降低了固定起始點(diǎn)割切格點(diǎn)交界處熱點(diǎn)漏報(bào)的幾率。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的固定起始點(diǎn)版圖切割化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)流程。

圖2A和圖2B示意性地示出了固定起始點(diǎn)版圖切割格點(diǎn)交界處圖形提取幾何信息弱化示例。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法的流程圖。

圖4A至圖4D示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的具體示例。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明旨在提出一種移動(dòng)起始點(diǎn)版圖切割方法，從而避免因?yàn)楣潭ㄆ鹗键c(diǎn)切割所產(chǎn)生的格點(diǎn)交界處圖形幾何信息弱化，進(jìn)而使版圖各處特別是格點(diǎn)交界處的工藝波動(dòng)能夠被正確預(yù)測(cè)，降低固定起始點(diǎn)切割格點(diǎn)交界處圖形的化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)漏報(bào)的幾率。

與現(xiàn)有固定起始點(diǎn)版圖切割不同，本發(fā)明通過對(duì)切割起始點(diǎn)按照一定的移動(dòng)間隔進(jìn)行多次移動(dòng)，并以每次移動(dòng)后的起始點(diǎn)對(duì)版圖進(jìn)行切割、化學(xué)機(jī)械拋光工藝模擬預(yù)測(cè)以及熱點(diǎn)檢測(cè)。這樣之前處在固定起始點(diǎn)切割格點(diǎn)交界處的圖形會(huì)在移動(dòng)起始點(diǎn)版圖切割中移向新格點(diǎn)的中間，即遠(yuǎn)離新格點(diǎn)的交界處。當(dāng)移動(dòng)間隔足夠小且移動(dòng)總距離等于格點(diǎn)大小時(shí)，那些處在固定起始點(diǎn)版圖切割格點(diǎn)交界處的圖形在變化起始點(diǎn)切割過程中總會(huì)在某一次移動(dòng)中出現(xiàn)最小的幾何信息弱化，因而固定起始點(diǎn)切割格點(diǎn)交界處的圖形工藝波動(dòng)在該次切割中能夠被正確預(yù)測(cè)，對(duì)多次移動(dòng)起始點(diǎn)版圖切割化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)進(jìn)行綜合，從而可以降低因固定起始點(diǎn)版圖切割所產(chǎn)生的格點(diǎn)交界處圖形的化學(xué)機(jī)械拋光熱點(diǎn)漏報(bào)幾率。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法的流程圖。

如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法包括：

第一步驟S1：執(zhí)行版圖載入；

第二步驟S2：選定格點(diǎn)大小S，根據(jù)設(shè)置的起始點(diǎn)移動(dòng)步長(zhǎng)s，并計(jì)算兩個(gè)垂直移動(dòng)方向(x方向和y方向)上的單方向移動(dòng)次數(shù)N；

第三步驟S3：將版圖切割起始點(diǎn)(X,Y)按照{(diào)(X-m*s),(Y-n*s)}進(jìn)行移動(dòng)，其中m和n為整數(shù)且初值均為N；

第四步驟S4：執(zhí)行格點(diǎn)幾何信息提??；

第五步驟S5：執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝模擬預(yù)測(cè)；

第六步驟S6：執(zhí)行熱點(diǎn)檢測(cè)；

第七步驟S7：使得n遞增1，在遞增1之后的n小于單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)，重復(fù)步驟第三步S3驟到第六步驟S6，或使得m遞增1，在遞增1之后的m小于單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)，使得n遞增1，當(dāng)遞增1后的n也小于單方向移動(dòng)次數(shù)時(shí)，重復(fù)步驟第三步S3驟到第六步驟S6；

第八步驟S8：執(zhí)行熱點(diǎn)綜合和熱點(diǎn)修復(fù)。

優(yōu)選地，所述單方向移動(dòng)次數(shù)N為S/s取整。

優(yōu)選地，起始點(diǎn)移動(dòng)最大次數(shù)為N*N。

優(yōu)選地，所述移動(dòng)步長(zhǎng)s滿足條件0<s<S。

優(yōu)選地，所述格點(diǎn)大小S滿足條件0<S的整數(shù)值。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法可用于化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的降低化學(xué)機(jī)械拋光工藝熱點(diǎn)檢測(cè)漏報(bào)率的方法可用于集成電路制造。

舉例來說，如圖4A至圖4D所示，假設(shè)版圖左下角坐標(biāo)為(0,0)，格點(diǎn)大小X為20，選定移動(dòng)間隔為4，則單方向移動(dòng)次數(shù)＝20/4＝5，那么移動(dòng)總次數(shù)＝5*5＝25。

按照(0,0)，……，{(0-m*4),(0-n*4)}對(duì)起始點(diǎn)進(jìn)行移動(dòng)，其中m,n為整數(shù)且m,n<＝5。

1)當(dāng)m,n＝0時(shí)，如圖4A所示。

4個(gè)格點(diǎn)的幾何提取信息均為；

密度＝(8*4)/(20*20)＝0.08

周長(zhǎng)＝8+4＝12

權(quán)重線寬＝{4*(4*8)}/(4*8)＝4

2)當(dāng)m＝1,n＝0時(shí)，如圖4B所示。

左下與左上兩個(gè)格點(diǎn)的幾何提取信息均為0.

右下與右上兩個(gè)格點(diǎn)的提取幾何信息均為：

密度＝(8*8)/(20*20)＝0.16

周長(zhǎng)＝8+8*2＝24

權(quán)重線寬＝{8*(8*8)}/(8*8)＝8

3)當(dāng)m＝0,n＝1時(shí)，如圖4C所示。

左下與右上兩個(gè)格點(diǎn)的幾何提取信息均為0.

左上與右上兩個(gè)格點(diǎn)的提取幾何信息均為：

密度＝(16*4)/(20*20)＝0.08

周長(zhǎng)＝16+4*2＝24

權(quán)重線寬＝{4*(4*16)}/(4*16)＝4

4)當(dāng)m＝1,n＝1時(shí)，如圖4D所示。

左下、左上與右下三個(gè)格點(diǎn)的幾何提取信息均為0.

右上格點(diǎn)提取幾何信息為：

密度＝(16*8)/(20*20)＝0.32

周長(zhǎng)＝(16+8)*2＝48

權(quán)重線寬＝{8*(8*16)}/(8*16)＝8

從以上各移動(dòng)格點(diǎn)提取幾何信息可以看出，當(dāng)m＝1,n＝1時(shí)，圖形的幾何信息可以被完全提取即幾何信息弱化最小。所以在該次移動(dòng)起始點(diǎn)版圖切割中，該圖形的幾何信息能夠被正確提取，從而在化學(xué)機(jī)械拋光工藝模擬預(yù)測(cè)中能夠正確反映其工藝波動(dòng)，降低其熱點(diǎn)漏報(bào)的幾率。

本發(fā)明通過設(shè)定一定的移動(dòng)間隔，將版圖切割起始點(diǎn)按所設(shè)移動(dòng)間隔進(jìn)行移動(dòng)，然后對(duì)版圖進(jìn)行幾何信息提取并據(jù)此進(jìn)行模擬預(yù)測(cè)以及熱點(diǎn)檢測(cè)，最后將不同切割起始點(diǎn)的熱點(diǎn)檢測(cè)結(jié)果綜合，從而避免了因固定起始點(diǎn)版圖切割產(chǎn)生的提取幾何信息弱化所導(dǎo)致的預(yù)測(cè)結(jié)果弱化，進(jìn)而降低了化學(xué)機(jī)械拋光熱點(diǎn)檢測(cè)的漏報(bào)率。

需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。