技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種GaN外延結(jié)構(gòu)以及制備方法，特別涉及一種用于LED的GaN外延結(jié)構(gòu)以及制備方法。GaN外延結(jié)構(gòu)包括依次層疊生長的成核層、未摻雜GaN層、n型GaN層、n應(yīng)力釋放層、多量子阱結(jié)構(gòu)、p應(yīng)力釋放層、p型電子阻擋層及p型GaN空穴活化層，所述n應(yīng)力釋放層是由In組分含量遞增漸變的InGaN/GaN超晶格層形成，所述p應(yīng)力釋放層是由In組分含量遞增漸變的InN/GaN超晶格層形成。本發(fā)明能夠有效增加電子與空穴的濃度，提高量子阱發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王文慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營管理有限公司
文檔號碼：201610841964
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.22
技術(shù)公布日：2017.01.04