本發(fā)明涉及顯示設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種異方性導(dǎo)電膠膜的去除方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)顯示屏的應(yīng)用越來越廣泛。AMOLED顯示屏主要使用異方性導(dǎo)電膠膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)將覆晶薄膜(Chip On Flex/Chip On Film，COF)驅(qū)動(dòng)芯片粘合在顯示面板的芯片結(jié)合區(qū)上。由于現(xiàn)有的COF粘結(jié)制程良品率較低，不良品返工重做的情況也越來越多，介于COF芯片和顯示面板成本較高，提高返工的質(zhì)量顯得尤為重要。返工過程中，如何在不損壞芯片結(jié)合區(qū)的情況下去除已固化并粘結(jié)在芯片結(jié)合區(qū)上的異方性導(dǎo)電膠膜是提高返工成功率最關(guān)鍵的一環(huán)。

現(xiàn)有技術(shù)中，利用清洗溶液浸泡不良品的異方性導(dǎo)電膠膜后使用刮膠棒刮除異方性導(dǎo)電膠膜，由于異方性導(dǎo)電膠膜固化后較硬，較難刮除干凈，如果用力刮磨，容易刮傷芯片結(jié)合區(qū)的線路，無法用于返工重新粘結(jié)COF芯片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種異方性導(dǎo)電膠膜的去除方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中用力刮磨異方性導(dǎo)電膠膜，容易刮傷芯片結(jié)合區(qū)的線路，無法用于返工重新粘結(jié)COF芯片的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種異方性導(dǎo)電膠膜的去除方法，包括：

激光照射顯示面板的芯片結(jié)合區(qū)上的所述異方性導(dǎo)電膠膜，使所述異方性導(dǎo)電膠膜碳化；

在所述異方性導(dǎo)電膠膜上涂布清洗溶液；

使用刮膠棒刮除所述異方性導(dǎo)電膠膜。

進(jìn)一步，所述“激光照射顯示面板的芯片結(jié)合區(qū)上的所述異方性導(dǎo)電膠膜，使所述異方性導(dǎo)電膠膜碳化”步驟包括：所述激光以不大于200mm/s的速度沿直線掃描所述異方性導(dǎo)電膠膜。

進(jìn)一步，所述激光的功率不大于10W，以保證所述異方性導(dǎo)電膠膜被碳化而不至于損壞顯示面板。

進(jìn)一步，在所述激光掃描過程中，對所述異方性導(dǎo)電膠膜表面持續(xù)施加保護(hù)氣體，用于防止掃描過程中產(chǎn)生的煙霧阻礙所述激光照射于所述異方性導(dǎo)電膠膜上。

進(jìn)一步，所述保護(hù)氣體為氮?dú)狻?/p>

進(jìn)一步，所述激光照射于所述異方性導(dǎo)電膠膜上的光斑為圓形，以得到能量集中的所述激光。

進(jìn)一步，所述光斑的直徑為10um～308um。

進(jìn)一步，所述激光照射于所述異方性導(dǎo)電膠膜上的光斑為長條形，以提高所述激光的掃描效率。

進(jìn)一步，所述激光波長為355nm或532nm或1064nm，以提高所述異方性導(dǎo)電膠膜對所述激光的吸收率。

進(jìn)一步，所述清洗溶液為酒精或異丙醇溶液。

本發(fā)明的有益效果如下：激光照射不良品的異方性導(dǎo)電膠膜，利用激光能量密度高的特點(diǎn)使異方性導(dǎo)電膠膜碳化，降低異方性導(dǎo)電膠膜的附著力，再使用清潔溶液清洗及刮膠棒刮除異方性導(dǎo)電膠膜，在不刮傷芯片結(jié)合區(qū)的情況下較容易的去除異方性導(dǎo)電膠膜，對不良品的原材損壞小，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED顯示屏的生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的明顯變形方式。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的異方性導(dǎo)電膠膜的去除方法的流程圖。

圖2為激光照射異方性導(dǎo)電膠膜過程的側(cè)面示意圖。

圖3為激光照射異方性導(dǎo)電膠膜過程的正面示意圖。

圖4為涂布清洗溶液過程示意圖。

圖5為刮除異方性導(dǎo)電膠膜過程示意圖。

圖6為刮膠棒形狀的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的異方性導(dǎo)電膠膜的去除方法的流程圖，如圖所示，異方性導(dǎo)電膠膜的去除方法包括如下步驟：

S101、激光照射顯示面板的芯片結(jié)合區(qū)上的異方性導(dǎo)電膠膜，使異方性導(dǎo)電膠膜碳化。

激光能夠?qū)O高的能量迅速地聚集在較小的作用區(qū)域上，即激光能量密度高，使被照射的異方性導(dǎo)電膠膜迅速升溫，進(jìn)而碳化。碳化后的異方性導(dǎo)電膠膜對顯示面板的附著力減小，便于后續(xù)刮除。

一并參閱圖2和圖3，顯示面板的基板20設(shè)有用于連接驅(qū)動(dòng)芯片的芯片結(jié)合區(qū)30，芯片結(jié)合區(qū)30沿直線排列成一排，異方性導(dǎo)電膠膜10鋪設(shè)于芯片結(jié)合區(qū)30上并覆蓋各芯片結(jié)合區(qū)30。具體的，各芯片結(jié)合區(qū)30之間間隔約26um。激光頭40發(fā)出激光照射異方性導(dǎo)電膠膜10，激光照射于異方性導(dǎo)電膠膜10表面上的位置形成光斑402，調(diào)節(jié)激光頭40與異方性導(dǎo)電膠膜10表面的距離可以改變光斑402的大小。激光頭40與異方性導(dǎo)電膠膜10表面的距離越接近焦距，則光斑402尺寸越小，光斑402上聚集的能量密度越高，當(dāng)光斑402處于焦點(diǎn)位置處時(shí)，光斑402最小，且能量密度最大。激光頭40通過使用不同的聚焦鏡片可以得到不同形狀的光斑402，一種實(shí)施方式中，光斑402的形狀為圓形，圓形光斑402易于得到，且能量分布均勻，對異方性導(dǎo)電膠膜10的碳化效果好，具體的，圓形光斑402采用直徑為10um～308um時(shí)效果最佳；其他實(shí)施方式中，光斑402也可以為長條形，由于芯片結(jié)合區(qū)30表面一般為矩形，長條形光斑402對芯片結(jié)合區(qū)30的覆蓋面積大，激光掃描效率高。

本實(shí)施例中，激光頭40沿直線方向水平勻速移動(dòng)，激光勻速掃描異方性導(dǎo)電膠膜10表面，即光斑402沿水平方向勻速移動(dòng)，使異方性導(dǎo)電膠膜10每個(gè)部分被激光照射的時(shí)間長度相同，故異方性導(dǎo)電膠膜10每個(gè)部分受熱情況相同，碳化程度均勻，利于后續(xù)被刮除。具體的，激光頭40移動(dòng)速度不大于200mm/s，激光功率不大于10W，該激光掃描速度與激光功率使異方性導(dǎo)電膠膜10可以接收到足夠的熱量而碳化，又不至于由于熱量過大損壞基板20，得到異方性導(dǎo)電膠膜10的最佳碳化效果。

優(yōu)選的，本實(shí)施例采用直徑為50um的圓形光斑402，激光掃描速度為200mm/s，激光功率設(shè)置為10W。進(jìn)一步的，激光掃描過程包括以下步驟：1、激光器輸出激光，激光以第一方向沿直線從異方性導(dǎo)電膠膜10表面的第一端102向第二端104掃描；2、激光器停止輸出激光，激光頭40以第二方向沿直線位移40um～50um；3、激光器輸出激光，激光以與第一方向相反的方向沿直線從異方性導(dǎo)電膠膜10表面的第二端104向第一端102掃描；4、激光器停止輸出激光，激光頭40以第二方向沿直線位移40um～50um；5、重復(fù)以上步驟，直至異方性導(dǎo)電膠膜10全部表面均被激光掃描完畢。激光沿以上軌跡均勻掃描異方性導(dǎo)電膠膜10，掃描面積覆蓋異方性導(dǎo)電膠膜10的全部表面，且異方性導(dǎo)電膠膜10各部分受熱均勻，碳化效果較佳。

本實(shí)施例中，激光掃描過程中，同時(shí)對異方性導(dǎo)電膠膜10表面持續(xù)施加保護(hù)氣體，用于防止掃描過程中產(chǎn)生的煙霧阻礙激光照射于異方性導(dǎo)電膠膜10上。激光照射于異方性導(dǎo)電膠膜10時(shí)，異方性導(dǎo)電膠膜10被碳化的同時(shí)表面會產(chǎn)生煙霧漂浮在異方性導(dǎo)電膠膜10與激光頭40之間，保護(hù)氣體將異方性導(dǎo)電膠膜10與激光頭40之間的煙霧吹走，防止激光光束穿過煙霧的過程中部分能量被煙霧吸收而導(dǎo)致異方性導(dǎo)電膠膜10得到的激光能量不足或不均勻，提高激光利用率，降低加工成本。進(jìn)一步的，保護(hù)氣體使用氮?dú)?，氮?dú)饣瘜W(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不易與異方性導(dǎo)電膠膜10發(fā)生反應(yīng)，不影響碳化異方性導(dǎo)電膠膜10，且氮?dú)獬杀镜停瑥亩档图庸み^程整體成本。

激光照射異方性導(dǎo)電膠膜10，利用激光能量密度高的特點(diǎn)使異方性導(dǎo)電膠膜10碳化，降低異方性導(dǎo)電膠膜10的附著力，利于后續(xù)刮除異方性導(dǎo)電膠膜10。

本實(shí)施例中，使用固體激光器作為激光源，固體激光器體積小、使用方便、光束質(zhì)量好，固體激光器與數(shù)控機(jī)床裝配組成加工系統(tǒng)，數(shù)控機(jī)床的夾具固定顯示面板，設(shè)置顯示面板的移動(dòng)速度或激光頭的移動(dòng)速度使激光掃描異方性導(dǎo)電膠膜10以碳化異方性導(dǎo)電膠膜10。固體激光器作為掃描異方性導(dǎo)電膠膜10的激光源，可控性強(qiáng)，激光功率和激光光束質(zhì)量滿足碳化異方性導(dǎo)電膠膜10的要求，碳化效果好，且固體激光器體積小而方便組成加工系統(tǒng)，去除異方性導(dǎo)電膠膜10的步驟易于實(shí)現(xiàn)。

進(jìn)一步的，使用激光的波長為355nm或532nm或1064nm，異方性導(dǎo)電膠膜10對該波長的激光反射率小，吸收率大，故升溫快，能量利用率高，降低加工成本，且碳化效果好。

S102、在異方性導(dǎo)電膠膜10上涂布清洗溶液50。

結(jié)合圖4，將清洗溶液50均勻的涂布在碳化的異方性導(dǎo)電膠膜10上，清洗溶液50部分溶解碳化的異方性導(dǎo)電膠膜10，方便后續(xù)刮除異方性導(dǎo)電膠膜10。具體的，清洗溶液50使用酒精或異丙醇(IPA)溶液。酒精和IPA溶液對異方性導(dǎo)電膠膜10的溶解能力強(qiáng)，方便后續(xù)刮除異方性導(dǎo)電膠膜10。

激光照射后被碳化的異方性導(dǎo)電膠膜10附著力下降，再使用清潔溶液清洗溶解碳化的異方性導(dǎo)電膠膜10后，異方性導(dǎo)電膠膜10容易在不刮傷芯片結(jié)合區(qū)30的情況下被刮除干凈。

S103、使用刮膠棒60刮除異方性導(dǎo)電膠膜10。

結(jié)合圖5，刮膠棒60與基板20呈45度，刮膠棒60的頂端600插入異方性導(dǎo)電膠膜10與芯片結(jié)合區(qū)30之間，從異方性導(dǎo)電膠膜10的一端刮除異方性導(dǎo)電膠膜10。進(jìn)一步的，刮膠棒60的結(jié)構(gòu)如圖6，刮膠棒60包括相連的手持部分602與刮擦部分604，手持部分602為截面為圓形或方形的直桿，便于操作者手持；刮擦部分604為頂端600扁平且鋒利的錐形，利于將頂端600插入異方性導(dǎo)電膠膜10與芯片結(jié)合區(qū)30之間刮除異方性導(dǎo)電膠膜10。激光照射和清洗溶液50溶解后的異方性導(dǎo)電膠膜10在芯片結(jié)合區(qū)30上的附著力大大降低，刮膠棒60將異方性導(dǎo)電膠膜10徹底的刮除干凈，且不損壞芯片結(jié)合區(qū)30，被去除異方性導(dǎo)電膠膜10的顯示面板可直接用于再次涂覆新的異方性導(dǎo)電膠膜10進(jìn)行COF粘結(jié)制程，重新制作AMOLED顯示屏。

激光照射異方性導(dǎo)電膠膜10，利用激光能量密度高的特點(diǎn)使異方性導(dǎo)電膠膜10碳化，降低異方性導(dǎo)電膠膜10的附著力，再使用清潔溶液清洗及刮膠棒60刮除異方性導(dǎo)電膠膜10，在不刮傷芯片結(jié)合區(qū)30的情況下較容易的去除異方性導(dǎo)電膠膜10，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED顯示屏的生產(chǎn)成本。

以上所揭露的僅為本發(fā)明幾種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。