技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種采用射頻磁控濺射錫（Sn）靶和硫化銅（CuS）靶制備銅錫硫（Cu2SnS3，CTS）薄膜的方法，其特征在于采用了金屬單質(zhì)錫靶和化合物硫化銅靶混合濺射制備銅錫硫薄膜預制層，然后對預制層進行軟退火及高溫硫化，得到銅錫硫薄膜；該方法與傳統(tǒng)的濺射金屬單質(zhì)銅靶和錫靶相比，能夠更好地控制薄膜體內(nèi)的載流子濃度；與濺射硫化銅靶和硫化錫靶相比，能夠解決高溫硫化，薄膜易從襯底脫落和產(chǎn)生孔洞的問題；濺射制備的預制層經(jīng)過軟退火及高溫硫化后，得到均勻致密、光電特性較優(yōu)的銅錫硫薄膜，嘗試將其用于制備銅錫硫薄膜電池，最終獲得了1.32%的光電轉(zhuǎn)換效率；為制作銅錫硫薄膜太陽電池提供了一種較佳的吸收層制備方案。

技術(shù)研發(fā)人員：王書榮;楊敏;蔣志;李志山;劉思佳;陸熠磊;郝瑞亭
受保護的技術(shù)使用者：云南師范大學
文檔號碼：201611002477
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.15
技術(shù)公布日：2017.02.22