本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及硅鍺基MOS表面處理與柵介質(zhì)生長(zhǎng)技術(shù)。

背景技術(shù)：

金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件是集成電路的關(guān)鍵部件。MOS器件的性能影響整個(gè)MOSFET器件性能，MOS界面處理和介質(zhì)生長(zhǎng)技術(shù)一直都是MOSFET器件的核心技術(shù)，以硅鍺溝道的MOSFET器件被認(rèn)為是提到硅作為PMOS器件溝道材料的關(guān)鍵。硅鍺溝道MOS表面處理和介質(zhì)生長(zhǎng)技術(shù)研究具有重要意義，并具有重要的商業(yè)價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決硅鍺MOS表面處理和介質(zhì)生長(zhǎng)的技術(shù)難題，本發(fā)明提供了一種方法，其步驟如下：

(1)對(duì)硅鍺表面進(jìn)行常規(guī)的RCA清洗；

(2)然后采用稀氨水溶液對(duì)硅鍺表面進(jìn)行清洗2分鐘，去離子水清洗，采用含硫量為8％的硫化銨溶液對(duì)硅鍺表面進(jìn)行鈍化，鈍化時(shí)間為13分鐘；

(3)然后將硅鍺樣品片放入原子層沉積腔體生長(zhǎng)氧化硅2納米；

(4)將樣品片在快速退化爐內(nèi)，N₂O氣氛下進(jìn)行退火3分鐘；

(5)再次轉(zhuǎn)移到原子層沉積系統(tǒng)沉積HfO₂介質(zhì)3納米。

根據(jù)本方案所述的一種硅鍺MOS界面處理與介質(zhì)生長(zhǎng)方法，其特征在于硅鍺材料的硅的原子比大于0.8。

根據(jù)本方案所述的一種硅鍺MOS界面處理與介質(zhì)生長(zhǎng)方法，其特征在于稀氨水溶液中NH₃與H₂O的比例為1:20。

根據(jù)本方案所述的一種硅鍺MOS界面處理與介質(zhì)生長(zhǎng)方法，其特征在于在N₂O氣氛下，對(duì)樣品進(jìn)行退火的溫度為450-800度。

有益效果

本發(fā)明通過表面清洗和硫化銨鈍化清洗硅鍺表面，在原子層沉積之前保障了清潔的MOS表面，通過原子層沉積沉積氧化硅介質(zhì)和在N₂O氣氛下的退火，在硅鍺表面得到高質(zhì)量的MOS界面，最后采用氧化鉿作為高K介質(zhì)，達(dá)到了MOS器件低EOT的要求。為硅鍺半導(dǎo)體材料在10納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后的應(yīng)用提供了界面清洗和介質(zhì)生長(zhǎng)方案。

具體實(shí)施方式

下面詳盡論述個(gè)本實(shí)施例的制作方法，本發(fā)明涉及的原子層沉積是采用氬氣為載氣和清洗氣體，反應(yīng)溫度為250度。氧化硅和氧化鉿的生長(zhǎng)源都采用了臭氧和水。具體方法如下：

(1)對(duì)Si_0.8Ge_0.2表面進(jìn)行常規(guī)的RCA清洗；

(2)然后采用NH₃與H₂O的比例為1:20的稀氨水溶液對(duì)Si_0.8Ge_0.2表面進(jìn)行清洗2分鐘，去離子水清洗，采用含硫量為8％的硫化銨溶液對(duì)Si_0.8Ge_0.2表面進(jìn)行鈍化，鈍化時(shí)間為13分鐘；

(3)然后將Si_0.8Ge_0.2樣品片放入原子層沉積腔體生長(zhǎng)氧化硅2納米；

(4)將樣品片在快速退化爐內(nèi)，N₂O氣氛下進(jìn)行退火3分鐘，溫度為500度；

(5)再次轉(zhuǎn)移到原子層沉積系統(tǒng)沉積HfO₂介質(zhì)3納米。