技術(shù)特征：

1.一種GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)，所述材料結(jié)構(gòu)包括：襯底、薄勢(shì)壘Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述的薄勢(shì)壘Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)位于襯底之上，其特征在于，所述材料結(jié)構(gòu)還包括：鈍化層，所述的鈍化層的制備材料是n-GaN、SiO₂或SiN_x，其位于所述薄勢(shì)壘Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)之上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的鈍化層是具有極化特性的薄膜，或是能在Al(In，Ga)N表面產(chǎn)生n型摻雜效果的薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的鈍化層厚度介于1nm至200nm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄勢(shì)壘Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括GaN緩沖層、Al(In，Ga)N勢(shì)壘層，所述的GaN緩沖層位于襯底上，所述的Al(In，Ga)N勢(shì)壘層位于GaN緩沖層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的Al(In，Ga)N勢(shì)壘層厚度介于0nm至10nm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的Al(In，Ga)N勢(shì)壘層可以是Al_xGa_(1-x)N三元合金勢(shì)壘層，其中Al組分介于0至100％之間；所述的Al(In，Ga)N勢(shì)壘層還可以是Al_xIn_(1-x)N三元合金勢(shì)壘層，其中Al組分介于75％至90％之間；所述的Al(In，Ga)N勢(shì)壘層還可以是Al_xIn_yGa_(1-x-y)N四元合金勢(shì)壘層，其中Al和In組分介于0至100％之間。

7.一種GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)制備方法，包括：

S1、在襯底上制備薄勢(shì)壘Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)；

S2、在薄勢(shì)壘Al(In，Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)上制備鈍化層；

其特征在于，在所述的步驟S2中，采用n-GaN、SiO₂或SiN_x材料制備鈍化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GaN基增強(qiáng)型電子器件的材料結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，在所述的步驟S2中，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法、分子束外延法、原子層沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備鈍化層。