本發(fā)明涉及硅片生產(chǎn)設備技術(shù)領域，尤其是涉及一種刻蝕硅片水膜去水裝置。

背景技術(shù)：

所謂刻蝕，實際上就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展；刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法，而濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除為被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。

在非擴散面加上水膜是防止硅片過刻的重要途徑，而在實際生產(chǎn)過程中，硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內(nèi)酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：為了解決硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內(nèi)酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產(chǎn)成本的問題，現(xiàn)提供了一種刻蝕硅片水膜去水裝置。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種刻蝕硅片水膜去水裝置，包括水槽，所述水槽內(nèi)轉(zhuǎn)動設有若干用于輸送硅片的輸送輥，所述水槽外設有用于驅(qū)動輸送輥轉(zhuǎn)動的第一電機，所述水槽上轉(zhuǎn)動設置有去水輥，所述去水輥位于所述輸送輥上方且一一對應，所述去水輥外周面開設有若干第一環(huán)形槽，所述水槽外設有用于驅(qū)動去水輥轉(zhuǎn)動的第二電機，所述輸送輥與所述去水輥旋轉(zhuǎn)方向相反，所述水槽上設有集水盒，所述集水盒上設有開口朝上的集水腔，所述集水盒與所述去水輥一一對應，所述集水盒位于所述去水輥靠近硅片輸入的一側(cè)，所述集水盒靠近相對應去水輥的一側(cè)為斜邊，所述斜邊沿硅片輸送方向向上傾斜設置，所述斜邊的上端與所述去水輥外周面接觸，所述水槽上設有將集水腔與所述水槽連通的通道。在對硅片蝕刻前，先對硅片表面多余的水膜進行去水處理，在硅片上設置好水膜后，通過將硅片放置在輸送輥上輸送，硅片在輸送輥和去水輥之間通過，去水輥能夠引導掉硅片表面的一些水，去水輥上的水由集水盒收集并引入到水槽內(nèi)，能夠有效保障硅片上多余的水及時的處理掉，保證水膜多余的水不會進入到蝕刻槽內(nèi)。

在硅片上進行水膜處理時，水膜過多會流至硅片的下表面，進一步地，所述輸送輥外周面開設有若干第二環(huán)形槽，所述水槽內(nèi)轉(zhuǎn)動設有與輸送輥相對應的輥軸，所述輥軸位于所述輸送輥下方，所述輥軸上設有凸環(huán)，所述凸環(huán)與所述第二環(huán)形槽相對應，所述凸環(huán)的外周面位于第二環(huán)形槽內(nèi)。位于硅片下表面的水由輸送輥去除，同時輸送輥的第二水槽內(nèi)的水由輥軸上的凸環(huán)引入到水槽內(nèi)，盡量減少硅片在蝕刻過程中硅片上的水掉入至蝕刻槽內(nèi)。

進一步地，所述第一環(huán)形槽傾斜設置。通過去水輥與硅片上的水膜接觸，使得第二環(huán)形槽能夠在水膜的一定范圍內(nèi)進行去水。

進一步地，所述水槽的底部設有用于水槽內(nèi)排水的排水管。通過水槽底部的排水管將水槽內(nèi)的水排出。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明刻蝕硅片水膜去水裝置在使用時，在對硅片蝕刻前，先對硅片表面多余的水膜進行去水處理，在硅片上設置好水膜后，通過將硅片放置在輸送輥上輸送，硅片在輸送輥和去水輥之間通過，第一環(huán)形槽和第二環(huán)形槽能夠引導掉硅片表面的一些水，輸送輥的第一水槽內(nèi)的水由輥軸上的凸環(huán)引入到水槽內(nèi)，而去水輥上的水由集水盒收集并引入到水槽內(nèi)，能夠有效保障硅片上多余的水及時的處理掉，保證水膜多余的水不會進入到蝕刻槽內(nèi)，本發(fā)明操作簡單方便，能夠有效去除硅片水膜多余的水，防止了硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內(nèi)酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產(chǎn)成本的問題。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1是本發(fā)明刻蝕硅片水膜去水裝置的主視圖；

圖2是本發(fā)明刻蝕硅片水膜去水裝置的左視圖。

圖中：1、水槽，2、輸送輥，201、第二環(huán)形槽，3、第一電機，4、輥軸，401、凸環(huán)，5、去水輥，501、第一環(huán)形槽，6、集水盒，601、集水腔，602、斜邊，7、硅片，8、第二電機。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構(gòu)成。

實施例

如圖1和2所示，一種刻蝕硅片水膜去水裝置，包括水槽1，所述水槽1內(nèi)轉(zhuǎn)動設有若干用于輸送硅片7的輸送輥2，所述水槽1外設有用于驅(qū)動輸送輥2轉(zhuǎn)動的第一電機3，第一電機3和第二電機8由外接電源接入，并通過外部控制器控制第一電機3和第二電機8的啟閉，第一電機3和輸送輥2通過鏈輪鏈條傳動，第二電機8和去水輥5也是通過鏈輪鏈條傳動，所述水槽1上轉(zhuǎn)動設置有去水輥5，所述去水輥5位于所述輸送輥2上方且一一對應，所述去水輥5外周面開設有若干第一環(huán)形槽501，所述水槽1外設有用于驅(qū)動去水輥5轉(zhuǎn)動的第二電機8，所述輸送輥2與所述去水輥5旋轉(zhuǎn)方向相反，所述水槽1上設有集水盒6，所述集水盒6上設有開口朝上的集水腔601，所述集水盒6與所述去水輥5一一對應，所述集水盒6位于所述去水輥5靠近硅片7輸入的一側(cè)，所述集水盒6靠近相對應去水輥5的一側(cè)為斜邊602，所述斜邊602沿硅片7輸送方向向上傾斜設置，所述斜邊602的上端與所述去水輥5外周面接觸，所述水槽1上設有將集水腔601與所述水槽1連通的通道。

所述集水盒6內(nèi)的集水腔601沿輸送輥2的軸線方向呈兩端低中間高。

所述輸送輥2外周面開設有若干第二環(huán)形槽201，所述水槽1內(nèi)轉(zhuǎn)動設有與輸送輥2相對應的輥軸4，所述輥軸4位于所述輸送輥2下方，所述輥軸4上設有凸環(huán)401，所述凸環(huán)401與所述第二環(huán)形槽201相對應，所述凸環(huán)401的外周面位于第二環(huán)形槽201內(nèi)。

所述第一環(huán)形槽501傾斜設置。

所述水槽1的底部設有用于水槽1內(nèi)排水的排水管。

上述刻蝕硅片水膜去水裝置在使用時，在硅片7設置好水膜后，在硅片7進行蝕刻前，先對硅片7表面進行水膜多余的水去除，首先啟動第一電機3和第二電機8，第一電機3帶動輸送輥2轉(zhuǎn)動，第二電機8帶動去水輥5轉(zhuǎn)動，將表面具有水膜的硅片7放置在輸送輥2上，輸送輥2帶動硅片7并與去水輥5 接觸，輸送輥2和去水輥5上的第一環(huán)形槽501和第二環(huán)形槽201，將硅片7上表面及下表面的多余水吸入，同時去水輥5將水膜上多余的水吸附在去水輥5的外周面，輸送輥2上第二環(huán)形槽201內(nèi)的水由下方的輥軸4上的凸環(huán)401引入到水槽1內(nèi)，去水輥5上內(nèi)的水由集水盒6的斜邊602引入到集水腔601內(nèi)，由于集水腔601呈中間高兩端低，水向兩端流到最后流入到水槽1內(nèi)，實現(xiàn)對硅片7表面水膜多余的水的收集，最后通過水槽1底部的排水管排出。

上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。