技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包含第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)、第一多晶硅區(qū)、第二多晶硅區(qū)、第三多晶硅區(qū)、第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。第一有源區(qū)、第二有源區(qū)和第三有源區(qū)互相分離且平行。第一多晶硅區(qū)布置在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)上方。第二多晶硅區(qū)布置在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)上方。第三多晶硅區(qū)布置在第二有源區(qū)和第三有源區(qū)上方。第一摻雜區(qū)在第二有源區(qū)內(nèi)且在第一多晶硅區(qū)和第二多晶硅區(qū)之間。第二摻雜區(qū)在第二有源區(qū)內(nèi)且在第二多晶硅區(qū)和第三多晶硅區(qū)之間。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種非易失性存儲器陣列。

技術(shù)研發(fā)人員：盧皓彥;陳世憲;柯鈞耀;徐英杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.23
技術(shù)公布日：2017.08.08