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      基于多孔CuS架構(gòu)的硫化物納米復(fù)合對(duì)電極的制備方法與流程

      文檔序號(hào):12679336閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多孔CuS架構(gòu)的硫化物納米復(fù)合對(duì)電極的制備方法,具體按照以下步驟實(shí)施:制備CuS納米粉;將CuS納米粉制成CuS漿料;利用CuS漿料制備多孔CuS納米片對(duì)電極;利用多孔CuS對(duì)電極制備基于多孔CuS架構(gòu)的硫化物納米復(fù)合對(duì)電極。本發(fā)明的工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、大面積制備、重復(fù)性好,采用本發(fā)明制備的硫化物納米復(fù)合對(duì)電極的優(yōu)勢(shì)在于利用TiO2殼層快速傳輸電子與提高電極穩(wěn)定性,利用CuS納米片間的大孔結(jié)構(gòu)降低電解液中的電子傳輸阻力,利用復(fù)合硫化物的協(xié)同作用提高催化活性,該方法使電池性能得到了極大提高。

      技術(shù)研發(fā)人員:鄧建平;傅明星;張鵬超;呂海立
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:陜西理工學(xué)院
      文檔號(hào)碼:201611245171
      技術(shù)研發(fā)日:2016.12.29
      技術(shù)公布日:2017.06.13

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