本實(shí)用新型涉及LED照明領(lǐng)域，尤其涉及一種全光譜CSP封裝裝置。

背景技術(shù)：

從人類發(fā)展至今，照明光源經(jīng)歷了火光、油燈、白熾燈、熒光燈，直到目前的(LED)半導(dǎo)體照明。但這些照明光源，在照明的光譜方面均存在缺陷，這種存在缺陷的照明光不能滿足人類健康照明的需求；我們都知道，最好的照明光是自然光，因此，追求自然光照明一直是照明行業(yè)的愿景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、安全可靠且節(jié)能環(huán)保的全光譜CSP封裝裝置。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種全光譜CSP封裝裝置，包括承載基體、LED芯片和熒光膜，所述承載基體水平設(shè)置且兩端上表面分別設(shè)置有焊盤，所述LED芯片設(shè)置在所述承載基體上，所述熒光膜設(shè)置在所述承載基體上且覆蓋所述LED芯片，所述LED芯片包括一組第一LED芯片和兩組第二LED芯片，一組第一LED芯片水平設(shè)置在所述承載基體上表面中心位置，兩組第二LED芯片分別水平設(shè)置在所述承載基體上表面且位于一組第一LED芯片的兩側(cè)。

進(jìn)一步的，所述一組第一LED芯片包括多個(gè)水平均勻設(shè)置的第一LED芯片，所述兩組第二LED芯片中每組第二LED芯片均包括多個(gè)水平均勻的第二LED芯片。

進(jìn)一步的，多個(gè)所述第一LED芯片以及多個(gè)所述第二LED芯片的下表面均設(shè)置有芯片電極，所述芯片電極下表面設(shè)置有錫膏層，所述第一LED芯片和第二LED芯片均通過芯片電極以及錫膏層設(shè)置在所述承載基體上表面設(shè)置的電極焊點(diǎn)上。

進(jìn)一步的，所述第二LED芯片為LED藍(lán)光芯片，所述LED藍(lán)光芯片的主波長為450nm～480nm。

進(jìn)一步的，所述第一LED芯片的主波長大于620nm。

進(jìn)一步的，所述熒光膜由熒光粉和硅構(gòu)成。

進(jìn)一步的，所述熒光膜通過高溫壓合在所述承載基體上方。

進(jìn)一步的，所述承載基體由鋁、銅、陶瓷或玻纖板中的一種構(gòu)成，所述承載基體的形狀為正方形、矩形或圓形中的一種。

進(jìn)一步的，所述第一LED芯片的發(fā)光功率與所述第二LED芯片的發(fā)光功率的比例為1：(3～10)；當(dāng)單顆第一LED芯片和單顆第二LED芯片的功率相同時(shí)，所述第一LED芯片的數(shù)量和第二LED芯片的數(shù)量的比例為1：(3～10)。

本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果，本實(shí)用新型提供一種全光譜CSP封裝裝置，其可解決目前窄光譜照明的缺陷，尤其是保護(hù)人的視覺；該全光譜CSP封裝裝置的優(yōu)點(diǎn)在于：1)可降低視覺疲勞；2)可提高眼睛變色能力，降低色弱風(fēng)險(xiǎn)；3)藍(lán)光的光譜相對比例較低，可降低對視網(wǎng)膜黃斑區(qū)的傷害；4)可減少視網(wǎng)膜微循環(huán)短期障礙，血供障礙造成的眼睛干濕疲勞；這種接近自然光中可見光譜的照明，是最理想的健康照明之光。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的全光譜CSP封裝裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中A位置的放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的全光譜CSP封裝裝置的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3中B位置的放大結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的全光譜CSP封裝裝置的實(shí)測光譜曲線圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的全光譜CSP封裝裝置的實(shí)測光譜曲線圖與自然光光譜曲線圖的對比示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實(shí)用新型實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對在附圖中提供的本實(shí)用新型的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本實(shí)用新型的范圍，而是僅僅表示本實(shí)用新型的選定實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

在本實(shí)用新型的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。

下面將參照附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。

如圖1至圖6所示：本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種全光譜CSP(Chip Scale Package，無封裝芯片)封裝裝置，包括承載基體100、LED芯片和熒光膜200，承載基體100水平設(shè)置且兩端上表面分別設(shè)置有焊盤103，LED芯片設(shè)置在承載基體100上，熒光膜200設(shè)置在承載基體100上且覆蓋LED芯片，LED芯片包括一組第一LED芯片和兩組第二LED芯片，一組第一LED芯片水平設(shè)置在承載基體100上表面中心位置，兩組第二LED芯片分別水平設(shè)置在承載基體上表面且位于一組第一LED芯片的兩側(cè)；一組第一LED芯片包括多個(gè)水平均勻設(shè)置的第一LED芯片101，兩組第二LED芯片中每組第二LED芯片均包括多個(gè)水平均勻的第二LED芯片102；多個(gè)第一LED芯片101以及多個(gè)第二LED芯片102的下表面均設(shè)置有芯片電極106，芯片電極106下表面設(shè)置有錫膏層105，第一LED芯片101和第二LED芯片102均通過芯片電極106以及錫膏層105設(shè)置在承載基體100上表面設(shè)置的電極焊點(diǎn)104上；具體為：第一LED芯片101為LED紅光芯片，第二LED芯片102為LED藍(lán)光芯片，同時(shí)，LED紅光芯片的規(guī)格0620，共有20個(gè)，為一組且均勻水平設(shè)置在承載基體100上表面的中心軸線位置，且20個(gè)LED紅光芯片的連接方式為4并5串，LED藍(lán)光芯片的規(guī)格為0620，共有80個(gè)，平均分為兩組，每組LED藍(lán)光芯片為40個(gè)，分別對稱設(shè)置在承載基體100上表面的且位于LED藍(lán)光芯片的兩側(cè)，每組LED藍(lán)光芯片均按4并10串的方式連接，同時(shí)承載基體上的LED藍(lán)光芯片和LED紅光芯片串接在一起，串接后的LED藍(lán)光芯片和LED紅光芯片的正負(fù)極通過承載基體100上的電路連接到承載基體100上表面兩端的焊盤103上；上述LED紅光芯片和LED藍(lán)光芯片的配置比例為：LED紅光芯片的總功率與LED藍(lán)光芯片的功率比為1：(3～10)，且當(dāng)單顆LED藍(lán)光芯片和單顆LED紅光芯片的功率相同時(shí)，LED紅光芯片的數(shù)量和LED藍(lán)光芯片的數(shù)量比例為1：(3～10)；上述LED紅光芯片和LED藍(lán)光芯片，當(dāng)其功率均為0.2W時(shí)，上述LED全光譜光源的功率可達(dá)到15～20W，如果需要制作更大功率的LED全光譜光源，可按上述LED紅光芯片和LED藍(lán)光芯片的配比增加芯片數(shù)量或加大單顆芯片的功率即可。

需要重點(diǎn)說明的是，承載基體上的電路設(shè)計(jì)屬于精密設(shè)計(jì)，所有LED芯片的電極，都是通過錫膏與承載基體電路上的電極焊點(diǎn)連接在一起。具體過程分為：全光譜CSP封裝裝置設(shè)計(jì)——>承載基體電路設(shè)計(jì)——>承載基體制作——>承載基體印錫膏——>(按要求)放置芯片——>烘烤——>測試——>熒光膜壓合——>模切——>測試。

作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，LED藍(lán)光芯片的主波長為450nm～480nm，LED紅光芯片的主波長分別為650nm～660nm(10個(gè))和680nm～700nm(10個(gè))。

作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，承載基體由鋁、銅、陶瓷或玻纖板中的一種構(gòu)成，承載基體的形狀為正方形、矩形或圓形中的一種。

根據(jù)上述的技術(shù)方案，設(shè)計(jì)承載基體上的電路，承載基體上表面兩側(cè)的電路設(shè)計(jì)為4并10串，中間的電路設(shè)計(jì)為4并5串，兩側(cè)的電路與中間的電路為串聯(lián)連接。選擇等同功率的LED藍(lán)光芯片(80顆)和LED紅光芯片(20顆)，LED藍(lán)光芯片設(shè)置在承載基體的兩側(cè)(如圖1)，LED紅光芯片設(shè)置在承載基體的中間(如圖1)。再通過熱壓工藝，將熒光膜壓合在承載基體上。這種CSP封裝光源，通電后可得到如圖5的光譜，這種連續(xù)光譜，接近自然光中(400～700nm)的可見光譜，如圖6所示，這種光譜圖接近自然光可見光部分的光譜，其光譜的具體特征如下：

(1)波長在460～480nm范圍的相對光譜比例大于0.30；

(2)波長在600～620nm范圍的相對光譜比例大于0.60；

(3)波長在650～680nm范圍的相對光譜比例大于0.65；

(4)波長在680～700nm范圍的相對光譜比例大于0.70。

最后應(yīng)說明的是：以上的各實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。