本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和/或制造半導(dǎo)體晶片的方法。

背景技術(shù)：

由于關(guān)于半導(dǎo)體電路的微加工和復(fù)雜化，制造半導(dǎo)體器件的工藝可以在相對(duì)高的溫度下被執(zhí)行，這會(huì)導(dǎo)致在它的設(shè)計(jì)規(guī)則上的減少。當(dāng)工藝溫度增加時(shí)，大量的熱可以被施加到半導(dǎo)體晶片上，并且因此半導(dǎo)體晶片可以被損壞。

同時(shí)，凹口可以主要被用于指示具有300微米或更大的直徑的半導(dǎo)體晶片的晶向，并且凹口可以被用于在半導(dǎo)體制造工藝過程中對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式提供配置為在高溫工藝過程中減小(或替代地，消除)出現(xiàn)在凹口上的損壞的半導(dǎo)體晶片、包括半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及制造半導(dǎo)體晶片的方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例實(shí)施方式，此處提供制造半導(dǎo)體晶片的方法，該方法包括：準(zhǔn)備半導(dǎo)體晶片，半導(dǎo)體晶片包括彼此相對(duì)的第一和第二表面以及在半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半導(dǎo)體晶片的中心部分的在外周上的凹陷；通過處理半導(dǎo)體晶片的外周形成第一倒角區(qū)域，第一倒角區(qū)域包括連接第一和第二表面的第一斜坡，第一斜坡相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，第一點(diǎn)是第一表面和第一斜坡交匯的點(diǎn)，并且第二點(diǎn)是第二表面和第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及通過處理凹口形成第二倒角區(qū)域，第二倒角區(qū)域接觸凹陷，第二倒角區(qū)域包括連接第一和第二表面的第二斜坡，第二斜坡相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度，第三點(diǎn)是第一表面和第二斜坡交匯的點(diǎn)，并且第四點(diǎn)是第二表面和第二斜坡交匯的點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施方式，此處提供半導(dǎo)體晶片，包括：包含彼此相對(duì)的第一和第二表面的主體；在半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半導(dǎo)體晶片的中心部分的在外周上的凹陷；沿主體的外周的第一倒角區(qū)域，第一倒角區(qū)域包括連接第一和第二表面的第一斜坡，第一斜坡相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，第一點(diǎn)是第一表面和第一斜坡交匯的點(diǎn)，并且第二點(diǎn)是第二表面和第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及與凹陷接觸的第二倒角區(qū)域，第二倒角區(qū)域包括連接第一和第二表面的第二斜坡，第二倒角區(qū)域相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度，第三點(diǎn)是第一表面和第二斜坡交匯的點(diǎn)，第四點(diǎn)是第二表面和第二斜坡交匯的點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施方式，此處提供包括具有彼此相對(duì)的第一和第二表面的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體晶片包括：芯片形成區(qū)域，以及圍繞芯片形成區(qū)域的邊緣區(qū)域；布置在芯片形成區(qū)域中的半導(dǎo)體芯片；在半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半導(dǎo)體晶片的中心部分的在外周上的凹陷；沿半導(dǎo)體晶片的外周的第一倒角區(qū)域，第一倒角區(qū)域具有連接第一和第二表面的第一斜坡，并且第一倒角區(qū)域相對(duì)于從第一點(diǎn)到第二點(diǎn)延伸的直線具有第一高度，第一點(diǎn)是第一表面和第一斜坡交匯的點(diǎn)，第二點(diǎn)是第二表面和第一斜坡交匯的點(diǎn)；以及具有連接第一和第二表面的第二斜坡的第二倒角區(qū)域，并且第二倒角區(qū)域相對(duì)于從第三點(diǎn)到第四點(diǎn)延伸的直線具有不同于第一高度的第二高度，第三點(diǎn)是第一表面和第二斜坡交匯的點(diǎn)，并且第四點(diǎn)是第二表面和第二斜坡交匯的點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施方式，此處提供制造半導(dǎo)體晶片的方法，半導(dǎo)體晶片包括彼此相對(duì)的第一和第二表面以及在半導(dǎo)體晶片的外周上的凹口。該方法包括：對(duì)半導(dǎo)體晶片的外周進(jìn)行第一處理以形成第一倒角區(qū)域，第一倒角區(qū)域在第一和第二表面之間的第一斜坡處被凸出地倒角，第一倒角區(qū)域相對(duì)于第一倒角區(qū)域的起點(diǎn)在它的最高點(diǎn)處具有第一高度；以及對(duì)凹口進(jìn)行第二處理以形成第二倒角區(qū)域，第二倒角區(qū)域接觸凹陷，第二倒角區(qū)域在第一和第二表面之間具有第二斜坡，第二斜坡相對(duì)于第二倒角區(qū)域的起點(diǎn)在它的最高點(diǎn)處具有第二高度，第二高度不同于第一高度。

附圖說明

由以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式將更加容易理解，其中：

圖1是示出根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片的平面圖；

圖2是示出沿線ii-ii'截取的圖1的半導(dǎo)體晶片的截面圖；以及

圖3是示出沿線iii-iii'截取的圖1的半導(dǎo)體晶片的截面圖；

圖4是示出根據(jù)一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖；

圖5是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體晶片的方法的流程圖；

圖6是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體晶片的方法的流程圖；

圖7是示出根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體晶片的方法的流程圖；及

圖8是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

圖1是示出根據(jù)本公開的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片100的平面圖。圖2是示出沿線ii-ii'截取的圖1的半導(dǎo)體晶片100的截面圖。圖3是示出沿線iii-iii'截取的圖1的半導(dǎo)體晶片100的截面圖。

參考圖1到3，半導(dǎo)體晶片100可以包括主體100、凹口120以及第一和第二倒角(bevel)區(qū)域130和140。

半導(dǎo)體晶片100可以是硅晶片，或者可以包括諸如鍺(ge)的半導(dǎo)體元素或者諸如碳化硅(sic)、砷化鎵(gaas)、砷化銦(inas)以及磷化銦(inp)的化合物半導(dǎo)體。此外，半導(dǎo)體晶片100可以是絕緣體上硅。

主體110可以確定半導(dǎo)體晶片100的整體形狀。主體110可以包括無(wú)源器件、有源器件或集成電路在其中被形成的芯片形成區(qū)域111，以及圍繞芯片形成區(qū)域111的邊緣區(qū)域113。主體110可以包括彼此相對(duì)且基本彼此平行的第一和第二表面110a和110b。主體110可以具有某一厚度(例如在主體110的第一表面110a和第二表面110b之間的距離)。

凹口120可以被用于包括半導(dǎo)體晶片100的晶向并且可以被形成在主體110的邊緣區(qū)域113中。凹口120可以包括在從主體110的外周向主體110的中心部分的方向上形成至某一深度的凹陷或開口121。凹陷或開口121可以在半導(dǎo)體晶片100的厚度方向上延伸。

凹口120可以被形成在半導(dǎo)體晶片100中以在半導(dǎo)體制造工藝過程中對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片100。例如，在被安裝到可旋轉(zhuǎn)支撐裝置之后，半導(dǎo)體晶片100可以通過旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片100并且由諸如激光傳感器的探測(cè)傳感器探測(cè)凹口120而被對(duì)準(zhǔn)。

此外，如圖1所示，在垂直于主體110的第一表面110a的視圖中，凹口120可以包括具有彎曲形狀(例如“u”形)的一端。例如，凹陷或開口121與主體110的接觸部分可以在垂直于主體110的第一表面110a的方向上形成彎曲形狀。

然而，示例實(shí)施方式不限于此。例如，不同于圖1，在垂直于主體110的第一表面110a的視圖中，凹口120可以包括具有尖銳形狀，例如“v”形的一端。例如，凹陷或開口121與主體110的接觸部分可以在垂直于主體110的第一表面110a的方向上形成“v”形。

根據(jù)示例實(shí)施方式，凹陷或開口121的從主體110的外周向主體110的中心部分的深度h可以是約0.4微米到約1.0微米。凹陷或開口121的在垂直于第一表面110a的方向上的深度h可以表示從主體110的外周延伸到最接近主體110的中心部分的距離。凹陷或開口121的深度h可以是凹口120的深度。當(dāng)凹陷或開口121的深度h小于約0.4微米時(shí)，諸如激光傳感器的探測(cè)傳感器可能不精確地探測(cè)凹口120，并且因此半導(dǎo)體晶片100可能不被對(duì)準(zhǔn)。

此外，凹陷或開口121的深度h可以是約1.0微米或更小以便于減小對(duì)凹口120或鄰近于凹口120的區(qū)域的損壞。由于半導(dǎo)體電路的微制造和復(fù)雜化，在制造半導(dǎo)體器件的工藝中的溫度和/或壓力可以增加，其可以導(dǎo)致在它的設(shè)計(jì)規(guī)則上的減少以及在關(guān)于制造工藝的要求上的增加。

工藝的高溫度和/或高壓力可以損壞凹口120以及鄰近于凹口120的區(qū)域，并且結(jié)果半導(dǎo)體制造工藝的產(chǎn)量可以被減少。因此，需要凹口120具有小于某一水平的尺寸以減小對(duì)凹口120的損壞。根據(jù)一些示例實(shí)施方式，在半導(dǎo)體制造工藝過程中凹口120或鄰近于凹口120的區(qū)域的缺陷可以通過將凹陷或開口121的深度h減小到1.0微米或更小而被減少。

在主體110的邊緣區(qū)域113中的第一倒角區(qū)域130可以沿主體110的外周形成。第一倒角區(qū)域130可以包括連接主體110的第一和第二表面110a和110b的第一斜坡(slope)131。第一斜坡131可以具有凸形。

相對(duì)于從第一表面110a和第一斜坡131交匯的在圖2的截面圖中的第一點(diǎn)130a到第二表面110b和第一斜坡131交匯的在圖2的截面圖中的第二點(diǎn)130b延伸的直線，第一倒角區(qū)域130在半導(dǎo)體晶片100的徑向方向上可以具有第一高度l1。第一高度l1可以是倒角長(zhǎng)度。

換言之，半導(dǎo)體晶片100的厚度可以從第一點(diǎn)130a和第二點(diǎn)130b被減小，并且相對(duì)于連接第一點(diǎn)130a和第二點(diǎn)130b的直線作為參考，半導(dǎo)體晶片100的厚度可以在半導(dǎo)體晶片100的徑向方向上被減小。半導(dǎo)體晶片100的厚度可以隨著第一倒角區(qū)域130相對(duì)于連接第一點(diǎn)130a和第二點(diǎn)130b的直線的高度的增加而被減小。如圖2所示，芯片形成區(qū)域111和邊緣區(qū)域113的邊界可以與第一斜坡131開始的第一點(diǎn)130a或第二點(diǎn)130b間隔開。然而，不同于圖2，芯片形成區(qū)域111和邊緣區(qū)域113的邊界可以與第一點(diǎn)130a或第二點(diǎn)130b幾乎相同。

從半導(dǎo)體晶片100的中心到第一倒角區(qū)域130的高度是第一高度l1的點(diǎn)的距離可以是半導(dǎo)體晶片100的徑向長(zhǎng)度。

例如，通過執(zhí)行單晶錠切片工藝，半導(dǎo)體晶片100在第一倒角區(qū)域130中可以具有某一厚度，并且由于第一倒角區(qū)域130，半導(dǎo)體晶片100的拐角可以是倒圓的。此外，由于第一倒角區(qū)域130，半導(dǎo)體晶片100的尖銳邊緣可以是倒圓的，并且因此在以下制造半導(dǎo)體晶片100或半導(dǎo)體器件的工藝中，可以防止半導(dǎo)體晶片100被損壞。

同時(shí)，參考圖3，第二倒角區(qū)域140可以沿由凹陷或開口121提供的凹口120的一端形成在凹口120中。第二倒角區(qū)域140可以包括連接主體110的第一表面110a和第二表面110b的第二斜坡141，其中第二斜坡141可以具有凸形。第二斜坡141可以具有不同于第一倒角區(qū)域130中提供的第一斜坡131的輪廓。

相對(duì)于從第一表面110a和第二斜坡141交匯的在圖3的截面圖中的第三點(diǎn)140a到第二表面110b和第二斜坡141交匯的在圖3的截面圖中的第四點(diǎn)140b延伸的直線，第二倒角區(qū)域140從主體110在凹陷或開口121的方向上可以具有第二高度l2。第二高度l2可以是倒角長(zhǎng)度。第二倒角區(qū)域140的第二高度l2可以不同于第一倒角區(qū)域130的第一高度l1。

換言之，半導(dǎo)體晶片100的厚度可以從第三點(diǎn)140a和第四點(diǎn)140b被減小，并且以連接第三點(diǎn)140a和第四點(diǎn)140b的直線作為參考，半導(dǎo)體晶片100的厚度可以在從主體110向凹陷或開口121的方向上被減小。半導(dǎo)體晶片100的厚度可以隨著第二倒角區(qū)域140相對(duì)于連接第三點(diǎn)140a和第四點(diǎn)140b的直線作為參考的高度的增加而被減小。

如圖3所示，芯片形成區(qū)域111和邊緣區(qū)域113的邊界可以與第二斜坡132開始的第三點(diǎn)140a或第四點(diǎn)140b間隔開。然而，不同于圖3，芯片形成區(qū)域111和邊緣區(qū)域113的邊界可以與第三點(diǎn)140a或第四點(diǎn)140b幾乎相同。

例如，第二倒角區(qū)域140可以通過在凹口120上執(zhí)行磨削工藝和拋光工藝而形成。由于第二倒角區(qū)域140，由凹陷或開口121提供的凹口120的一端可以被倒圓，并且因此在半導(dǎo)體制造工藝過程中可以防止凹口120被損壞。

此外，在凹口120中形成的第二倒角區(qū)域140可以被連接到沿半導(dǎo)體晶片100的外周形成的第一倒角區(qū)域130。在第一和第二倒角區(qū)域130和140彼此相鄰的部分，第一倒角區(qū)域130的高度可以從第一高度l1變?yōu)榈诙叨萳2并且第二倒角區(qū)域140的高度可以從第二高度l2變?yōu)榈谝桓叨萳1。例如，在第一和第二倒角區(qū)域130和140彼此相鄰的部分，第一倒角區(qū)域130或第二倒角區(qū)域140的高度可以在第一高度l1和第二高度l2之間。

在一些示例實(shí)施方式中，第二倒角區(qū)域140的第二高度l2可以小于第一倒角區(qū)域130的第一高度l1。例如，第二倒角區(qū)域140的第二高度l2可以小于第一倒角區(qū)域130的第一高度l1的約90％。如圖2和3所示，關(guān)于垂直于主體110的第一表面110a的剖面比較第一倒角區(qū)域130和第二倒角區(qū)域140，第二倒角區(qū)域140的一端可以具有幾乎垂直于第一倒角區(qū)域130的輪廓。因此，在制造半導(dǎo)體晶片100或半導(dǎo)體器件的工藝過程中產(chǎn)生的在凹口120中的碎片可以被減少。

此外，在一些示例實(shí)施方式中，主體110的厚度t也就是第一和第二表面110a和110b之間的距離可以與第二倒角區(qū)域140的第二高度l2的三倍或更多倍一樣大。例如，直徑約300毫米的半導(dǎo)體晶片可以具有約775微米的厚度，并且第二倒角區(qū)域140的第二高度l2可以是250微米或更小。

圖4是根據(jù)本公開的一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的平面圖。

參考圖4，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200可以包括半導(dǎo)體晶片100、形成在半導(dǎo)體晶片100的邊緣上的凹口120、(圖2的)第一倒角區(qū)域130、(圖3的)第二倒角區(qū)域140以及形成在半導(dǎo)體晶片100的表面上的半導(dǎo)體芯片210。半導(dǎo)體晶片100、凹口120、第一倒角區(qū)域130以及第二倒角區(qū)域140與圖1至3中描述的基本相同，并且因此為了描述的方便，其詳細(xì)描述將不被給出。

除半導(dǎo)體晶片100的外部區(qū)域的一部分之外，半導(dǎo)體芯片210可以被布置在半導(dǎo)體晶片100的整個(gè)表面上。例如，半導(dǎo)體芯片210可以被形成在半導(dǎo)體晶片100的(圖1的)芯片形成區(qū)域111中。半導(dǎo)體芯片210中的每個(gè)可以包括集成電路。例如，集成電路可以包括存儲(chǔ)電路或邏輯電路。此外，半導(dǎo)體芯片210可以包括各種類型的單獨(dú)器件。單獨(dú)器件可以包括多種微電子元件，例如諸如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)晶體管的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)、諸如系統(tǒng)大規(guī)模集成(lsi)或cmos圖像傳感器(cis)的圖像傳感器、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)、有源器件以及無(wú)源器件。

圖5是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體晶片100的方法的流程圖。

結(jié)合圖1至3參考圖5，在操作s100中，可以提供半導(dǎo)體晶片100。半導(dǎo)體晶片100可以包括彼此相對(duì)的第一和第二表面110a和110b。包括從半導(dǎo)體晶片100的外周向半導(dǎo)體晶片100的中心部分形成的凹陷或開口121的凹口120可以被包括在半導(dǎo)體晶片100的外周中。

例如，半導(dǎo)體晶片100可以是硅晶片并且半導(dǎo)體晶片100可以通過形成單晶錠并且以某一厚度切片單晶錠而提供。詳細(xì)地，單晶錠可以通過融化高純度多晶硅，將單晶籽晶接觸到處于液態(tài)的多晶硅并且緩慢提起籽晶而形成。此后，通過切割單晶錠的兩端以及通過磨削單晶錠的側(cè)表面，凹口120可以沿單晶錠的長(zhǎng)度方向形成。此后，單晶錠可以通過切片被切割為某一厚度。

然后，在操作s200中，第一倒角區(qū)域130可以被形成在半導(dǎo)體晶片100的邊緣上。第一倒角區(qū)域130可以沿半導(dǎo)體晶片100的除凹口120外的外周形成。第一倒角區(qū)域130可以通過倒圓半導(dǎo)體晶片100的外周的拐角而形成。

第一倒角區(qū)域130可以包括連接半導(dǎo)體晶片100的第一表面110a和第二表面110b的凸形的第一斜坡131，并且因此可以防止半導(dǎo)體晶片100在半導(dǎo)體制造工藝過程中被損壞。第一倒角區(qū)域130可以具有在半導(dǎo)體晶片100的徑向方向上的第一高度l1，以從半導(dǎo)體晶片100的第一表面110a和第一斜坡131交匯的第一點(diǎn)130a到半導(dǎo)體晶片100的第二表面110b和第一斜坡131交匯的第二點(diǎn)130b延伸的直線作為參考。

在操作s300中，第二倒角區(qū)域140可以被形成在凹口120的凹陷或開口121與主體110的接觸部分上。例如，第二倒角區(qū)域140可以通過在凹口120上執(zhí)行磨削工藝和/或拋光工藝而形成。第二倒角區(qū)域140可以包括通過磨削工藝和拋光工藝連接半導(dǎo)體晶片100的第一表面100a和第二表面100b的凸形的第二斜坡141。第二倒角區(qū)域140可以具有在從主體110向凹陷或開口121的方向上的第二高度l2，以從半導(dǎo)體晶片100的第一表面110a和第二斜坡141交匯的第三位置140a到半導(dǎo)體晶片100的第二表面110b和第二斜坡141交匯的第四位置140b延伸的直線作為參考。第二倒角區(qū)域140的第二高度l2可以不同于第一倒角區(qū)域130的第一高度l1。然后，研磨(lapping)工藝和/或拋光工藝可以被執(zhí)行以平坦化半導(dǎo)體晶片100的表面并且去除缺陷。

在操作s400中，半導(dǎo)體晶片100可以被檢查以確定是否存在缺陷。半導(dǎo)體晶片100的檢查可以僅在由單晶錠形成的多個(gè)半導(dǎo)體晶片100中的一些上被執(zhí)行。檢查可以在關(guān)于半導(dǎo)體晶片100的后續(xù)工藝之前被執(zhí)行，并且在后續(xù)工藝過程中可以提前確定是否發(fā)生缺陷，并且因此可以防止有缺陷的半導(dǎo)體晶片100被應(yīng)用于后續(xù)工藝中。因此，半導(dǎo)體制造工藝的可靠性和產(chǎn)量可以被改善。

圖6是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體晶片100的方法的流程圖。

參考圖6，提供半導(dǎo)體晶片100的操作s100、形成第一倒角區(qū)域130的操作s200以及檢查半導(dǎo)體晶片100的操作s400與圖5中描述的基本相同，并且因此為了描述的方便，其詳細(xì)描述將不被給出。

在下文中，形成第二倒角區(qū)域140的操作s310和s320將參考圖1至3和6被詳細(xì)描述。

在操作s310中，可以對(duì)于凹口120執(zhí)行第一和第二磨削。

第一磨削可以通過使用具有第一網(wǎng)格的拋光表面的棘輪(notchwheel)執(zhí)行，例如其中棘輪可以通過使用用于拋光金剛石的800個(gè)網(wǎng)格(mesh)的顆粒(particle)來(lái)拋光凹口120。

然后，第二磨削可以通過使用具有比于第一網(wǎng)格更大的第二網(wǎng)格的拋光表面的棘輪執(zhí)行。例如，第二網(wǎng)格可以是2000個(gè)網(wǎng)格或更多，更詳細(xì)地，可以是約2000個(gè)網(wǎng)格到約10000個(gè)網(wǎng)格。在本公開的實(shí)施方式中，在凹口120上的損壞可以通過使用用于凹口120的第二磨削的細(xì)顆粒而減小，并且因此在高溫半導(dǎo)體制造工藝過程中凹口120可以不被損壞。

在操作s320中，第二倒角區(qū)域140可以通過執(zhí)行拋光工藝形成在凹口120中。凹口120的表面可以通過拋光工藝被平坦化并且凹口120中的缺陷可以通過磨削工藝被去除。

圖7是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體晶片100的方法的流程圖。

參考圖7，提供半導(dǎo)體晶片100的操作s100、形成第一倒角區(qū)域130的操作s200以及形成第二倒角區(qū)域140的操作s300可以與圖5和6中描述的基本相同，并且因此為了描述的方便，其詳細(xì)描述將不被給出。

在下文中，檢查半導(dǎo)體晶片100的操作s410至s440將參考圖1至3和7被詳細(xì)描述。

在操作s410中，外延層可以被形成在半導(dǎo)體晶片100上。例如，外延層可以具有約4微米的厚度并且可以通過在約1150℃的溫度下在反應(yīng)器中被氣相沉積來(lái)生長(zhǎng)。外延層可以是具有與半導(dǎo)體晶片100相同的晶體結(jié)構(gòu)的單晶層。外延層可以由與半導(dǎo)體晶片100相同的材料或不同的材料形成。外延層可以被形成以容易地檢查在半導(dǎo)體晶片100的表面上的晶體缺陷。

此后，在操作s420中，在第一溫度下進(jìn)行的第一熱處理工藝可以對(duì)于半導(dǎo)體晶片100執(zhí)行。第一熱處理工藝的第一溫度可以低于第二熱處理工藝的第二溫度并且第一熱處理工藝可以進(jìn)行例如約2到3小時(shí)。第一溫度可以是1000℃或更高并且小于1150℃。第一熱處理工藝可以在低于后續(xù)第二熱處理工藝的溫度的溫度下進(jìn)行，并且可以防止半導(dǎo)體晶片100由于快速溫度升高而被損壞。

在操作s430中，在第二溫度下進(jìn)行的第二熱處理工藝可以對(duì)于半導(dǎo)體晶片100執(zhí)行。第二熱處理工藝的第二溫度可以在1150℃或更高溫度下被執(zhí)行并且第二熱處理工藝可以進(jìn)行約1小時(shí)到2小時(shí)。第二熱處理工藝可以在比諸如半導(dǎo)體制造工藝的后續(xù)工藝中更嚴(yán)格的條件下在半導(dǎo)體晶片100上被執(zhí)行，并且可以提前測(cè)試半導(dǎo)體晶片100來(lái)看半導(dǎo)體晶片100是否能承受后續(xù)工藝。具體地，第二熱處理工藝可以提前測(cè)試容易引起晶體缺陷的凹口120和鄰近于凹口120的部分。

在操作s440中，第二熱處理工藝可以分析在半導(dǎo)體晶片100中是否存在晶體缺陷。x射線照相裝置可以被用于分析半導(dǎo)體晶片100的晶體缺陷。檢查半導(dǎo)體晶片100的操作可以對(duì)于單個(gè)單元的半導(dǎo)體晶片的被選擇的部分進(jìn)行。有缺陷的半導(dǎo)體晶片100可以通過檢查半導(dǎo)體晶片100被提前掃描，并且因?yàn)闄z查工序僅對(duì)于無(wú)缺陷的半導(dǎo)體晶片100被執(zhí)行，工藝可靠性可以被改善。

圖8是根據(jù)一示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

在操作s500中，可以提供半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體晶片可以是通過圖5的操作s100至s300形成的半導(dǎo)體晶片，或者可以是通過圖6的操作s100至s320形成的半導(dǎo)體晶片。

在操作s510中，半導(dǎo)體晶片可以被檢查。檢查半導(dǎo)體晶片的操作可以與圖7的操作s410至s440相同。

在操作s520中，可以基于檢查半導(dǎo)體晶片的結(jié)果來(lái)確定半導(dǎo)體晶片是有缺陷的還是無(wú)缺陷的。然后檢查半導(dǎo)體晶片的操作可以對(duì)于單個(gè)單元的多個(gè)半導(dǎo)體晶片中的一些進(jìn)行。

在操作s530中，當(dāng)根據(jù)檢查結(jié)果半導(dǎo)體晶片被確定為無(wú)缺陷的時(shí)，半導(dǎo)體制造工藝可以被進(jìn)行。

相反，當(dāng)半導(dǎo)體晶片被確定為有缺陷的時(shí)，在操作s540中，檢查半導(dǎo)體晶片的操作可以去除半導(dǎo)體晶片的缺陷或拋棄半導(dǎo)體晶片。

詳細(xì)地，半導(dǎo)體制造工藝可以如下文被進(jìn)行。半導(dǎo)體制造工藝可以包括形成薄膜的操作。薄膜可以由導(dǎo)電材料、絕緣材料或半導(dǎo)體材料形成。半導(dǎo)體制造工藝還可以包括在薄膜上形成掩模圖案的操作。掩模圖案可以是光致抗蝕劑圖案。此外，使用掩模圖案作為蝕刻掩模的半導(dǎo)體制造工藝還可以包括通過去除薄膜的一部分而形成圖案的操作。此外，使用掩模圖案作為蝕刻掩模的半導(dǎo)體制造工藝還可以包括通過去除薄膜的一部分而形成孔的操作?？卓梢园ɡ缃佑|孔或通路孔。

半導(dǎo)體制造工藝還可以包括清洗薄膜的操作。半導(dǎo)體制造工藝還可以包括平坦化薄膜的操作。平坦化薄膜的操作可以包括化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝或回蝕刻工藝。此外，即使描述中未提到，半導(dǎo)體制造工藝可以包括可以在半導(dǎo)體元件制造工藝中被執(zhí)行的其它操作。因此，半導(dǎo)體制造工藝還可以包括轉(zhuǎn)移或儲(chǔ)存半導(dǎo)體晶片的操作。

盡管本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式已經(jīng)參考其示例實(shí)施方式被具體示出和描述，但是將理解可以在此進(jìn)行在形式和細(xì)節(jié)上的各種改變而不背離所附權(quán)利要求的精神和范圍。

本申請(qǐng)要求享有2016年1月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0002779號(hào)的權(quán)益，其公開通過全文引用合并于此。