技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種硅的中紅外抗反射微結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：首先通過繪圖軟件設(shè)計所需的刻蝕圖案，然后在清洗過后的硅表面均勻涂覆一層紫外光刻膠，經(jīng)過紫外曝光，通過顯影液顯影將繪圖軟件設(shè)計出來的圖案轉(zhuǎn)移到覆有光刻膠的硅片上，此時通過電子束蒸發(fā)的方法在此硅片上蒸鍍一層金的薄膜，基于濕法刻蝕的原理，通過調(diào)節(jié)刻蝕時間和刻蝕液體的組份進行刻蝕深度的控制，得到高度可控的高深寬比的硅微米陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的制備方法具有成本低，加工方便，刻蝕深度大且可控等優(yōu)點，在硅的中紅外抗反射領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：呂春雨;邊捷
受保護的技術(shù)使用者：南京大學(xué)
文檔號碼：201710035968
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.17
技術(shù)公布日：2017.05.10