技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)功率模塊的小型化的技術(shù)。該功率模塊具有：1個(gè)控制IC(4)和多個(gè)RC?IGBT(Reverse?Conducting?Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐壓IC(High?Voltage?Integrated?Circuit)的功能和低耐壓IC(Low?Voltage?Integrated?Circuit)的功能。多個(gè)RC?IGBT(21)配置在控制IC(4)的四個(gè)方向中的三個(gè)方向，僅經(jīng)由導(dǎo)線(22)與控制IC(4)連接。

技術(shù)研發(fā)人員：池田直輝;小田壽志;長(zhǎng)谷川真紀(jì);川藤壽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2014.12.02
技術(shù)公布日：2017.08.11