本申請(qǐng)是分案申請(qǐng)，其原申請(qǐng)的申請(qǐng)?zhí)枮?01510345061.6，申請(qǐng)日為2015年6月19日，發(fā)明名稱為“白色有機(jī)發(fā)光裝置”。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2014年6月23日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請(qǐng)2014-0076686號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過援引將其公開內(nèi)容并入本說明書中。本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置，更具體而言涉及一種能夠改善異常發(fā)光的白色有機(jī)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著世界進(jìn)入信息時(shí)代，用于可視地顯示電信息信號(hào)的顯示裝置領(lǐng)域已迅速發(fā)展。因此，各種平板顯示裝置已在諸如薄化、輕質(zhì)化和低能耗等方面得到發(fā)展。平板顯示裝置的具體實(shí)例包括液晶顯示(lcd)裝置、等離子顯示面板(pdp)裝置、場發(fā)射顯示(fed)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置。具體而言，oled裝置是一種自發(fā)光裝置，與其他平板顯示裝置相比，其具有高響應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、高亮度和廣視角。有機(jī)發(fā)光裝置包括位于兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。電子和空穴從兩個(gè)電極注入該有機(jī)發(fā)光層中，并通過電子和空穴的結(jié)合而形成激子。此外，有機(jī)發(fā)光裝置采用下述原理，其中當(dāng)激子進(jìn)行從激發(fā)態(tài)至基態(tài)的躍遷時(shí)發(fā)光。oled裝置不需要單獨(dú)光源，這不同于液晶顯示(lcd)裝置，因此oled裝置能被制造成輕質(zhì)且薄的形式。此外，oled裝置在能耗方面是有利的，因?yàn)槠溆玫碗妷候?qū)動(dòng)。此外，oled裝置具有優(yōu)異的色彩表現(xiàn)能力、高響應(yīng)時(shí)間、寬視角和高對(duì)比度(cr)。因此，oled裝置被認(rèn)為是下一代顯示裝置。隨著高分辨率顯示裝置的發(fā)展，對(duì)于單位面積更高的像素?cái)?shù)量和更高亮度的需求已經(jīng)增加。然而，在oled裝置的發(fā)光結(jié)構(gòu)中，在單位面積的亮度方面存在限制。此外，驅(qū)動(dòng)電壓的增大導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光裝置可靠性降低和能耗增加。因此，需要克服妨礙oled裝置質(zhì)量和生產(chǎn)率的有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光效率和壽命方面的限制。因此，已經(jīng)進(jìn)行了開發(fā)能夠提高發(fā)光效率和壽命的有機(jī)發(fā)光裝置的各種研究。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：常規(guī)有機(jī)發(fā)光裝置因有機(jī)發(fā)光層的材料和裝置的結(jié)構(gòu)而在發(fā)光性質(zhì)和壽命方面存在限制。因此，已經(jīng)提出提高白色有機(jī)發(fā)光裝置效率的各種方法。根據(jù)一個(gè)方法，在有機(jī)發(fā)光裝置中提供兩個(gè)發(fā)光單元來提高效率。發(fā)光單元可以包括空穴輸送層(htl)、發(fā)光層(lel)和電子輸送層(etl)。在這兩個(gè)發(fā)光單元之間提供電荷生成層(cgl)，以生成和轉(zhuǎn)移電荷。cgl可以由p型或n型形成?？昭ê碗娮釉趐型cgl(p-cgl)與htl之間的界面處生成。生成的電子通過泵送轉(zhuǎn)移至包含堿金屬的n型cgl(n-cgl)。n-cgl中的堿金屬或堿土金屬含量是轉(zhuǎn)移電子所必需的，其影響有機(jī)發(fā)光裝置的壽命和電壓。如果堿金屬或堿土金屬的含量低于預(yù)定水平，則有機(jī)發(fā)光顯示裝置不能發(fā)射正常白光，并且電壓增加。如果堿金屬或堿土金屬的含量等于或高于預(yù)定水平，則在制造有機(jī)發(fā)光裝置時(shí)，電壓增加，并且出現(xiàn)異常發(fā)光。即，有機(jī)發(fā)光裝置包括紅色、綠色和藍(lán)色子像素。有漏光出現(xiàn)，所述漏光在對(duì)紅色子像素施加電場時(shí)出現(xiàn)，并且一部分相鄰綠色子像素可能發(fā)射不合期望的光。或者當(dāng)對(duì)藍(lán)色子像素施加電場時(shí)，一部分相鄰相鄰綠色子像素可能發(fā)射不合期望的光。由此，本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識(shí)到上述問題，并進(jìn)行了各種實(shí)驗(yàn)，以通過調(diào)整電荷生成層中堿金屬或堿土金屬的含量來提高裝置的效率和可靠性。因此，本發(fā)明的發(fā)明人通過各種實(shí)驗(yàn)發(fā)明了一種白色發(fā)光裝置，其具有能夠提高裝置效率和可靠性的新型結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種白色發(fā)光裝置，其能夠防止裝置的異常發(fā)光，使驅(qū)動(dòng)電壓最小化。此外，一個(gè)目的是通過將電荷生成層中的金屬含量調(diào)整為等于或低于預(yù)定水平而提高裝置的效率和可靠性。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種白色有機(jī)發(fā)光裝置，其包括：位于第一電極與第二電極之間的第一發(fā)光單元；和在該第一發(fā)光單元上的第二發(fā)光單元。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式中，在第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元之間存在電荷生成層。該電荷生成層中的金屬處于電荷生成層總量的1.0％以下范圍內(nèi)，以便可以提供能夠防止裝置異常發(fā)光、降低驅(qū)動(dòng)電壓、延長壽命并提高裝置效率和可靠性的白色有機(jī)發(fā)光裝置。該金屬處于該電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)。該金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。該金屬的逸出功為2.2ev～4.1ev。該電荷生成層為n型電荷生成層。該電荷生成層還包括p型電荷生成層。該第一發(fā)光層為藍(lán)色發(fā)光層，并且該第二發(fā)光層為黃-綠色發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種白色有機(jī)發(fā)光裝置，其包括：位于第一電極與第二電極之間的第一發(fā)光單元；在該第一發(fā)光單元上的第二發(fā)光單元；和在該第二發(fā)光單元上的第三發(fā)光單元。在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式中，第一電荷生成層位于該第一發(fā)光單元與該第二發(fā)光單元之間，并且第二電荷生成層位于該第二發(fā)光單元與該第三發(fā)光單元之間。該第一電荷生成層和該第二電荷生成層中金屬處于該第一電荷生成層和該第二電荷生成層總量的0.8％以下范圍內(nèi)，以便可以提供能夠防止裝置異常發(fā)光、降低驅(qū)動(dòng)電壓、延長壽命并提高裝置效率和可靠性的白色有機(jī)發(fā)光裝置。該金屬處于該第一電荷生成層和該第二電荷生成層總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)。該金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。該金屬的逸出功為2.2ev～4.1ev。該第一電荷生成層和該第二電荷生成層包括n型電荷生成層。該第一電荷生成層和該第二電荷生成層還包括p型電荷生成層。該第一發(fā)光層為藍(lán)色發(fā)光層，該第二發(fā)光層為黃-綠色發(fā)光層；并且該第三發(fā)光層為藍(lán)色發(fā)光層。本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置包括：位于第一電極與第二電極之間的第一發(fā)光單元；和在該第一發(fā)光單元上的第二發(fā)光單元。在本發(fā)明的該示例性實(shí)施方式中，提供一種白色有機(jī)發(fā)光裝置，其包括位于該第一發(fā)光單元與該第二發(fā)光單元之間的電荷生成層?？紤]到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，通過將該第一電荷生成層中的金屬的量調(diào)整為該第一電荷生成層總量的1.0％以下，該白色有機(jī)發(fā)光裝置能夠防止裝置異常發(fā)光、降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。該金屬的量處于該第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)。在該第一電荷生成層中的金屬的量處于該第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)的該白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與該第一電荷生成層中的該金屬的量大于該第一電荷生成層總量的1.0％的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，不會(huì)發(fā)生異常發(fā)光。在該第一電荷生成層中的該金屬的量處于該第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)的白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與該第一電荷生成層中的該金屬的量大于該第一電荷生成層總量的1.0％的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，驅(qū)動(dòng)電壓降低。在該第一電荷生成層中的該金屬的量處于該第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)的白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與第一電荷生成層中的金屬的量大于第一電荷生成層總量的1.0％的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，壽命延長。該第一電荷生成層為n型電荷生成層，并且該金屬在該n型電荷生成層中。該金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。該金屬的逸出功為2.2ev～4.1ev。該n型電荷生成層的厚度為以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。該第一電荷生成層還包括p型電荷生成層。該p型電荷生成層的厚度為以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。還包括在該第二發(fā)光單元上的第三發(fā)光單元和位于該第二發(fā)光單元與該第三發(fā)光單元之間的第二電荷生成層。此外，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，該第一電荷生成層和該第二電荷生成層中的金屬的總量為第一電荷生成層和該第二電荷生成層總量的0.8％以下。該金屬的量處于該第一電荷生成層和該第二電荷生成層總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)。在該第一電荷生成層和該第二電荷生成層中的金屬總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)的該白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與該第一電荷生成層和該第二電荷生成層中金屬的總量為1.0％以上的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，不發(fā)生異常發(fā)光。在該第一電荷生成層和該第二電荷生成層中的金屬總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)的白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與第一電荷生成層和第二電荷生成層中金屬的總量為1.0％以上的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，驅(qū)動(dòng)電壓降低。在第一電荷生成層和第二電荷生成層中金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)的白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與第一電荷生成層和第二電荷生成層中金屬的總量為1.0％以上的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，壽命得到延長。該第一電荷生成層和該第二電荷生成層為n型電荷生成層，并且金屬包含在n型電荷生成層中。金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。該金屬的逸出功為2.2ev～4.1ev。該n型電荷生成層的厚度為以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。該第一電荷生成層和該第二電荷生成層還包括p型電荷生成層。該p型電荷生成層的厚度為以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置包括：位于第一電極與第二電極之間的第一發(fā)光單元；和在該第一發(fā)光單元上的第二發(fā)光單元。在本發(fā)明的該示例性實(shí)施方式中，提供一種白色有機(jī)發(fā)光裝置，其包括位于該第一發(fā)光單元與該第二發(fā)光單元之間的第一電荷生成層。此外，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，通過將包含在該第一電荷生成層中的金屬的逸出功設(shè)定為2.2ev～4.1ev，該白色有機(jī)發(fā)光裝置能夠防止裝置異常發(fā)光、降低驅(qū)動(dòng)電壓并延長壽命。在該白色有機(jī)發(fā)光裝置中，該金屬的量為該第一電荷生成層總量的1.0％以下。該金屬的量處于該電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)。該第一電荷生成層包括n型電荷生成層，并且該金屬在該n型電荷生成層中。該金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。還包括在該第二發(fā)光單元上的第三發(fā)光單元和位于該第二發(fā)光單元與該第三發(fā)光單元之間的第二電荷生成層。此外，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，包含于該第一電荷生成層和該第二電荷生成層中的該金屬的總量為該第一電荷生成層和該第二電荷生成層總量的0.8％以下。該金屬的量處于該第一電荷生成層和該第二電荷生成層總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)。該第一電荷生成層和該第二電荷生成層包括n型電荷生成層，并且該金屬在這些n型電荷生成層中。更具體而言，本發(fā)明第1方面提供一種白色有機(jī)發(fā)光裝置，其包括：位于第一電極與第二電極之間的第一發(fā)光單元；在所述第一發(fā)光單元上的第二發(fā)光單元；和位于所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元之間的第一電荷生成層，其中，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，所述第一電荷生成層中的金屬的量處于所述第一電荷生成層總量的1.0％以下范圍內(nèi)。本發(fā)明第2方面提供如第1方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的量處于所述第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)。本發(fā)明第3方面提供如第2方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在所述第一電荷生成層中的所述金屬的量處于所述第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與所述第一電荷生成層中的所述金屬的量大于所述第一電荷生成層總量的1.0％的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，不發(fā)生異常發(fā)光。本發(fā)明第4方面提供如第2方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在所述第一電荷生成層中的所述金屬的量處于所述第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與所述第一電荷生成層中的所述金屬的量大于所述第一電荷生成層總量的1.0％的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，驅(qū)動(dòng)電壓降低。本發(fā)明第5方面提供如第2方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在所述第一電荷生成層中的所述金屬的量處于所述第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與所述第一電荷生成層中的所述金屬的量大于所述第一電荷生成層總量的1.0％的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，壽命延長。本發(fā)明第6方面提供如第1方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一電荷生成層為n型電荷生成層，并且所述金屬在所述n型電荷生成層中。本發(fā)明第7方面提供如第6方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。本發(fā)明第8方面提供如第6方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的逸出功在2.2ev～4.1ev范圍內(nèi)。本發(fā)明第9方面提供如第6方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述n型電荷生成層的厚度為以降低所述驅(qū)動(dòng)電壓和延長所述壽命。本發(fā)明第10方面提供如第6方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一電荷生成層還包括p型電荷生成層。本發(fā)明第11方面提供如第10方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述p型電荷生成層的厚度為以降低所述驅(qū)動(dòng)電壓和延長所述壽命。本發(fā)明第12方面提供如第1方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其還包括：在所述第二發(fā)光單元上的第三發(fā)光單元；和位于所述第二發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元之間的第二電荷生成層，其中，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量為所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層總量的0.8％以下。本發(fā)明第13方面提供如第12方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的量處于所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)。本發(fā)明第14方面提供如第13方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量為1.0％以上的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，不發(fā)生異常發(fā)光。本發(fā)明第15方面提供如第13方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量為1.0％以上的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，驅(qū)動(dòng)電壓降低。本發(fā)明第16方面提供如第13方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，在所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)的所述白色有機(jī)發(fā)光裝置中，與所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量為1.0％以上的白色有機(jī)發(fā)光裝置相比，壽命延長。本發(fā)明第17方面提供如第10方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層為n型電荷生成層，并且所述金屬在所述n型電荷生成層中。本發(fā)明第18方面提供如第17方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬為鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)、銫(cs)、鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)和鐳(ra)之一，或其組合。本發(fā)明第19方面提供如第17方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的逸出功在2.2ev～4.1ev范圍內(nèi)。本發(fā)明第20方面提供如第17方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述n型電荷生成層的厚度為以降低所述驅(qū)動(dòng)電壓和延長所述壽命。本發(fā)明第21方面提供如第17方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層還包括p型電荷生成層。本發(fā)明第22方面提供如第21方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述p型電荷生成層的厚度為以降低所述驅(qū)動(dòng)電壓和延長所述壽命。本發(fā)明第23方面提供一種白色有機(jī)發(fā)光裝置，其包括：位于第一電極與第二電極之間的第一發(fā)光單元；在所述第一發(fā)光單元上的第二發(fā)光單元；和位于所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元之間的第一電荷生成層，其中，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，將所述電荷生成層中的金屬的逸出功設(shè)定為2.2ev～4.1ev。本發(fā)明第24方面提供如第23方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的量為所述第一電荷生成層總量的1.0％以下。本發(fā)明第25方面提供如第24方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的量處于所述第一電荷生成層總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)。本發(fā)明第26方面提供如權(quán)利要求25所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一電荷生成層包括n型電荷生成層，并且所述金屬包括在所述n型電荷生成層中。本發(fā)明第27方面提供如第23方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其還包括：在所述第二發(fā)光單元上的第三發(fā)光單元；和位于所述第二發(fā)光單元與所述第三發(fā)光單元之間的第二電荷生成層，其中，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層中所述金屬的總量為所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層總量的0.8％以下。本發(fā)明第28方面提供如第27方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述金屬的量處于所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)。本發(fā)明第29方面提供如第27方面所述的白色有機(jī)發(fā)光裝置，其中，所述第一電荷生成層和所述第二電荷生成層包括n型電荷生成層，并且所述金屬在所述n型電荷生成層中。其他示例性實(shí)施方式的詳細(xì)情況將包括在具體實(shí)施方式和附圖中。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，存在通過將電荷生成層中的金屬調(diào)整至預(yù)定水平而防止裝置異常發(fā)光的效果。此外，存在通過將電荷生成層中的金屬調(diào)整至預(yù)定水平而延長裝置壽命的效果。此外，存在通過將電荷生成層中的金屬調(diào)整至預(yù)定水平而降低裝置驅(qū)動(dòng)電壓的效果。此外，存在提高裝置效率和可靠性的效果。本發(fā)明的效果不限于上述效果，通過以下描述，以上未提及的其他效果對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。上述本發(fā)明所要實(shí)現(xiàn)的目的，實(shí)現(xiàn)這些目的的手段和本發(fā)明的效果并沒有指定權(quán)利要求的必要特征，因此，權(quán)利要求的范圍不限于本發(fā)明的公開內(nèi)容。附圖說明通過與附圖一同提供的以下詳細(xì)描述，會(huì)更加清楚地理解本發(fā)明的上述和其它方面、特征及其他優(yōu)點(diǎn)，附圖中：圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置的截面示意圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置的截面示意圖；和圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。具體實(shí)施方式參照附圖，通過下述示例性實(shí)施方式，將更清楚地理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法。不過，本發(fā)明不限于以下示例性實(shí)施方式，而可以以各種不同方式實(shí)施。提供示例性實(shí)施方式僅是完全公開本發(fā)明和對(duì)本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員提供該類發(fā)明，而本發(fā)明將由所附權(quán)利要求限定。用于描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附圖中所示的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)量等僅僅是實(shí)例，本發(fā)明不限于此。在整個(gè)說明書中，類似的附圖標(biāo)記一般表示類似的元件。此外，在以下描述中，已知的
背景技術(shù)：
的詳細(xì)說明或被省略，以避免不必要地模糊了對(duì)本公開內(nèi)容的主題。本文中所用的如“包括”、“具有”和“由……構(gòu)成”等詞語通常意在允許添加其他組成部分，除非這些詞語與詞語“僅”一起使用。除非另外明確說明，否則對(duì)于單數(shù)的提及可以包括復(fù)數(shù)。即使沒有明確說明，組件也應(yīng)被解釋為包括普通誤差范圍。當(dāng)兩個(gè)部件之間的位置關(guān)系用如“在……上”、“在……上方”、“在……下”和“相鄰”等詞語描述時(shí)，除非這些詞語與“緊接”或“直接”一起使用，否則可以有一個(gè)或多個(gè)零部件位于這兩個(gè)零部件之間。當(dāng)使用如“之后”、“然后”、“接下來”和“之前”等詞語描述時(shí)間順序關(guān)系時(shí)，除非這些詞語與詞語“緊接”或“直接”一起使用，否則可以包括不連續(xù)的關(guān)系。雖然詞語“第一”和“第二”等用于描述不同組件，但這些組件不被這些詞語局限。這些詞語僅用于將一個(gè)組件與其他組件區(qū)分開來。因此，下面所提及的第一組件在本發(fā)明的技術(shù)思路中可以是第二組件。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所能充分理解的，本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式的特征可以部分或完全結(jié)合，或者相互組合，并可以在技術(shù)上以不同方式聯(lián)鎖和操作，而實(shí)施方式可以相互獨(dú)立或關(guān)聯(lián)地執(zhí)行。下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置的圖。圖1所示的白色有機(jī)發(fā)光裝置100包括基板101、第一電極102、第二電極104，和位于該第一和第二電極102和104之間的第一發(fā)光單元110和第二發(fā)光單元120。第一電極102是用于提供空穴的陽極，并可以由透明導(dǎo)電材料形成，如包括ito(氧化銦錫)、izo(氧化銦鋅)等的tco(透明導(dǎo)電氧化物)，但不必然限于此。第二電極104為用于提供電子的陰極，并可以由金屬材料形成，如金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉬(mo)、鎂(mg)等或其合金，但不必然限于此。第一電極102和第二電極104可以分別稱作陽極和陰極。第一電極102可以是透射電極，并且第二電極104可以是反射電極。另外，第一電極102可以是反射電極，并且第二電極104可以是半透射電極。第一發(fā)光單元110可以包括在第一電極102上的第一空穴輸送層(htl)112、第一發(fā)光層(eml)114和第一電子輸送層(etl)116。雖然附圖中未示出，但第一發(fā)光單元110中還可以包括空穴注入層(hil)。hil形成在第一電極102上，并促進(jìn)空穴從第一電極102注入。第一htl112從hil向第一eml114提供空穴。第一etl116從第一電荷生成層(cgl)140向第一eml114提供電子。hil可以由mtdata(4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺)、cupc(銅酞菁)、pedot/pss(聚(3,4-亞乙基二氧噻吩，聚苯乙烯磺酸鹽)等形成，但不必然限于此。在第一eml114中，通過第一hil112提供的空穴和通過etl116提供的電子再結(jié)合，由此產(chǎn)生光。第一htl112可以通過涂覆兩個(gè)以上層或兩種以上材料而形成。第一etl116可以通過涂覆兩個(gè)以上層或兩種以上材料而形成。第一eml114包括藍(lán)色發(fā)光層或紅-藍(lán)色發(fā)光層。藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的峰值波長可以處于440nm～480nm范圍內(nèi)。第一cgl140在第一發(fā)光單元110與第二發(fā)光單元120之間形成。第一cgl140調(diào)整第一發(fā)光單元110與第二發(fā)光單元120之間的電荷平衡。第一cgl140可以包括n型電荷生成層(n-cgl)和p型電荷生成層(p-cgl)。n-cgl被構(gòu)造為向第一發(fā)光單元110注入電子，p-cgl被構(gòu)造為向第二發(fā)光單元120中注入空穴。如果摻雜在n-cgl中的金屬具有過高或低的逸出功，則n-cgl與該金屬之間的隙態(tài)不能適當(dāng)形成。因此，轉(zhuǎn)移電子變得困難。因此，具有過高或低逸出功的摻雜金屬可能導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓的升高或壽命的縮短。因此，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，電荷生成層中金屬的逸出功可以處于2.2ev～4.1ev范圍內(nèi)。即，摻雜在作為電荷生成層的n-cgl中的金屬可以是逸出功處于2.2ev～4.1ev范圍內(nèi)的堿金屬或堿土金屬中的至少一種。例如，n-cgl可以由摻雜有如鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)或銫(cs)等堿金屬或者如鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)或鐳(ra)等堿土金屬或其組合的有機(jī)層形成。但并不必然限于此。p-cgl可以由包含p型摻雜劑或無機(jī)材料或其組合的有機(jī)層形成，但不必然限于此。p-cgl中的無機(jī)摻雜劑可以包括例如氟化鎂(mgf2)、氯化鎂(mgcl2)和氟化鋅(znf2)中的至少一種，但不必然限于此。p-cgl和n-cgl可以由相同材料形成，但不必然限于此。如果p-cgl和n-cgl由相同材料形成，則可以消除p-cgl與n-cgl之間的界面，由此裝置的壽命能夠得到延長。此外，p-cgl和n-cgl可以由不同材料形成，但不必然限于此。如果p-cgl和n-cgl由不同材料形成，則在轉(zhuǎn)移或移動(dòng)電子或空穴的載體的傳送效率方面具有優(yōu)點(diǎn)。此外，第一cgl140可以由單層形成。第二發(fā)光單元120可以包括第二空穴輸送層(htl)122、第二發(fā)光層(eml)124和第二電子輸送層(etl)126。雖然附圖中未示出，但在第二發(fā)光單元120中的第二etl126上，還可以提供電子注入層(eil)。此外，第二發(fā)光單元120可以還包括空穴注入層(hil)。第二htl122可以由與第一htl112相同的材料形成，但不必然限于此。第二htl122可以通過涂覆兩個(gè)以上層或兩種以上材料而形成。第二etl126可以由與第一etl116相同的材料形成，但不必然限于此。第二etl126可以通過涂覆兩個(gè)以上層或兩種以上材料而形成。第二發(fā)光單元120的第二發(fā)光層(eml)124由黃-綠色發(fā)光層形成。黃-綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的峰值波長可以處于510nm～580nm范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置為底部發(fā)射型，但其可適用于頂部發(fā)射型或雙重發(fā)射型。此外，在包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，柵線和數(shù)據(jù)線被構(gòu)造為限定基板上相互交叉的各個(gè)像素區(qū)。此外，電源線平行于其中任一種而延伸，并在各像素區(qū)中設(shè)置與該柵線和數(shù)據(jù)線連接的開關(guān)薄膜晶體管，和與該開關(guān)薄膜晶體管連接的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與第一電極102連接。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置中，調(diào)整在第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量。在n-cgl中的堿金屬或堿土金屬的含量不是隨機(jī)設(shè)定，而是需要考慮到裝置的結(jié)構(gòu)或特性而設(shè)定。即，需要調(diào)整堿金屬或堿土金屬的含量，以能夠調(diào)整異常發(fā)光而不影響裝置的性能。如上所述，如果n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量低于預(yù)定水平，則不能發(fā)射正常的白光，并且驅(qū)動(dòng)電壓可能增加。并且，如果n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量等于或高于預(yù)定水平，則驅(qū)動(dòng)電壓可能增加。于是，當(dāng)制造該有機(jī)發(fā)光裝置時(shí)，可能發(fā)生異常發(fā)光。這種異常發(fā)光導(dǎo)致泄露，其中，當(dāng)該白色有機(jī)發(fā)光裝置被接通時(shí)，相鄰像素被同時(shí)接通。此外，n-cgl具有比p-cgl高的導(dǎo)電性，因此在n-cgl中更常發(fā)生泄露。由于n-cgl中的金屬含量會(huì)導(dǎo)致異常發(fā)光發(fā)生和驅(qū)動(dòng)電壓增加，因此本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行了評(píng)價(jià)異常發(fā)光和測量驅(qū)動(dòng)電壓和壽命的實(shí)驗(yàn)，以調(diào)整該金屬含量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖2所示并列在表1中。如圖2所示，有六個(gè)實(shí)驗(yàn)用面板，并評(píng)價(jià)了這些面板的異常發(fā)光。將圖1所示的有機(jī)發(fā)光裝置用于這六個(gè)面板。此外，測量了紅、綠、藍(lán)和白光的異常發(fā)射。在該實(shí)驗(yàn)中，對(duì)于厚度為的n-cgl測量了異常發(fā)光，但厚度并不限于此。驅(qū)動(dòng)電壓受n-cgl厚度和n-cgl中所包含的金屬的含量影響。因此，如果n-cgl的厚度處于范圍內(nèi)，則裝置可以獲得所期望的特性，如降低的驅(qū)動(dòng)電壓或延長的壽命。即，n-cgl的厚度可以處于范圍內(nèi)，以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。此外，如果p-cgl的厚度處于范圍內(nèi)，則裝置可以獲得所期望的特性，如降低的驅(qū)動(dòng)電壓或延長的壽命。即，p-cgl的厚度可以處于范圍內(nèi)，以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。圖2中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量被稱作金屬含量。面板1通過將第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量設(shè)定為該電荷生成層總量的2.0％而形成。面板2通過將該含量設(shè)定為1.5％而形成，并且面板3通過將該含量設(shè)定為1.0％而形成。面板4通過將該含量設(shè)定為0.8％而形成，面板5通過將該含量設(shè)定為0.4％而形成，并且面板6通過將該含量設(shè)定為0.3％而形成。根據(jù)面板1～面板6的測量結(jié)果，可以看出，在堿金屬或堿土金屬的含量低于1.0％的面板3～面板6中，未發(fā)生異常發(fā)光。此外，根據(jù)這些面板的前表面的測量結(jié)果，可以看出在該含量為1.0％的面板3中，與該含量為2.0％的面板1相比，未發(fā)生異常發(fā)光。因此，可以看出，如果將n-cgl中所包含的金屬的含量調(diào)整為n-cgl總量的1.0％以下，則不發(fā)生異常發(fā)光。即，可以看出，如果將n-cgl中所包含的金屬的含量設(shè)定在n-cgl總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)，則不發(fā)生異常發(fā)光。面板1～面板6的驅(qū)動(dòng)電壓和壽命的測量結(jié)果列在下表1中。驅(qū)動(dòng)電壓在10ma/cm2的電流密度下測量。[表1]分類面板1面板2面板3面板4面板5面板6電壓(10ma/cm2)8.78.18.17.57.89.0壽命(％)8586100979085如表1中所列，可以看出，隨著n-cgl中金屬含量的增加，驅(qū)動(dòng)電壓增加。同時(shí)，可以看出，在金屬含量為1.0％以下的面板3～面板5中，驅(qū)動(dòng)電壓低。此外，可以看出，在n-cgl中金屬含量為0.3％的面板6中，驅(qū)動(dòng)電壓高。因此，可以看出，通過降低n-cgl中所包含的金屬的含量不能降低驅(qū)動(dòng)電壓。如果將n-cgl中的金屬含量設(shè)定為0.3％，則不發(fā)生異常發(fā)光。因此，可將此應(yīng)用于裝置。此外，就壽命而言，可以看出，n-cgl中金屬含量為1.0％以下的面板3～面板6的壽命為85％～100％。同時(shí)，可以看出，金屬含量為2.0％的面板1和金屬含量為1.5％的面板2具有較短的壽命。因此，根據(jù)所期望的裝置特性而調(diào)整n-cgl中的含量是可能的，所以考慮到異常發(fā)光和如驅(qū)動(dòng)電壓和壽命等特性的改善，可以將n-cgl中的金屬含量設(shè)定在0.3％～1.0％范圍內(nèi)。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以看出，如果將包括兩個(gè)發(fā)光單元的有機(jī)發(fā)光裝置的n-cgl中的金屬含量調(diào)整為n-cgl總量的1.0％以下，則可以防止裝置異常發(fā)光。在裝置的驅(qū)動(dòng)電壓或壽命方面存在優(yōu)點(diǎn)。即，可以看出，當(dāng)n-cgl中所包含的金屬的含量在n-cgl總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)時(shí)，可以防止裝置異常發(fā)光。在裝置的驅(qū)動(dòng)電壓或壽命方面存在優(yōu)點(diǎn)。如上所述，可以看出，如果第一cgl中的金屬的量處于n-cgl總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)，則與第一cgl中的金屬的量大于1.0％的情況相比，不發(fā)生異常發(fā)光。此外，可以看出，如果第一cgl中所包含的金屬的量在n-cgl總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)，則與第一cgl中所包含的金屬的量大于1.0％的情況相比，驅(qū)動(dòng)電壓降低。此外，可以看出，如果第一cgl中所包含的金屬的量在n-cgl總量的0.3％～1.0％范圍內(nèi)，則與第一cgl中所包含的金屬的量大于1.0％的情況相比，壽命得到延長。因此，通過將n-cgl中的金屬含量調(diào)整至預(yù)定水平，可以提供下述裝置，所述裝置不產(chǎn)生異常發(fā)光，同時(shí)保持裝置的最大化驅(qū)動(dòng)電壓或壽命。在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式中，白色有機(jī)發(fā)光裝置200包括第一電極102、第二電極104、設(shè)置在該第一和第二電極102和104之間的第一發(fā)光單元110和第二發(fā)光單元120，和第三發(fā)光單元130。理論上，與由磷光材料形成的發(fā)光層相比，由熒光材料形成的藍(lán)色發(fā)光層具有約25％的量子效率。因此，與其他磷光材料相比，由熒光材料形成的藍(lán)色發(fā)光層具有亮度不充足的問題。因此，為通過改善藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光效率而延長壽命，本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式中還包括第三發(fā)光單元130，其包括第三發(fā)光層(eml)134。第一發(fā)光單元110的第一eml114由藍(lán)色發(fā)光層形成。該藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的峰值波長可以處于440nm～480nm范圍內(nèi)。第二發(fā)光單元120的第二eml124由黃-綠色發(fā)光層形成。該黃-綠色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的峰值波長可以處于510nm～580nm范圍內(nèi)。第三發(fā)光單元110->130的第三eml134由藍(lán)色發(fā)光層形成。該藍(lán)色發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域的峰值波長可以處于440nm～480nm范圍內(nèi)。第一發(fā)光單元110和第二發(fā)光單元120為與上述示例性實(shí)施方式中相同或相對(duì)應(yīng)的組件，因此將略去對(duì)它們的描述。第三發(fā)光單元130可以包括在第二電極104下的第三電子輸送層(etl)136、第三發(fā)光層(eml)134和第三空穴輸送層(htl)132。雖然附圖中未示出，但在第三發(fā)光單元130中的第三etl136上，還可以包括電子注入層(eil)。此外，第三發(fā)光單元130可以還包括空穴注入層(hil)。第三htl132可以由tpd(n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-雙-苯基-4,4'-二胺)或npb(n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺)形成，但不必然限于此。第三htl132可以通過涂覆兩個(gè)以上層或兩種以上材料而形成。第三etl136可以由噁二唑、三唑、菲咯啉、苯并噁唑或苯并噻唑等形成，但不必然限于此。第三etl136可以通過涂覆兩個(gè)以上層或兩種以上材料而形成。在第二發(fā)光單元120與第三發(fā)光單元130之間形成第二電荷生成層(cgl)150。第二cgl150調(diào)整第二與第三發(fā)光單元120與130之間的電荷平衡。第二cgl150可以包括n型電荷生成層(n-cgl)和p型電荷生成層(p-cgl)。n-cgl被構(gòu)造為向第二發(fā)光單元120注入電子，p-cgl被構(gòu)造為向第三發(fā)光單元130中注入空穴。如果摻雜第一cgl140和第二cgl150中所包括的n-cgl的金屬具有過高或低的逸出功，則n-cgl與該金屬之間的隙態(tài)不能適當(dāng)形成。因此，轉(zhuǎn)移電子變得困難。因此，具有過高或低逸出功的摻雜金屬可能導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓的升高或壽命的縮短。因此，考慮到異常發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓或壽命，該電荷生成層中包含的該金屬的逸出功可以設(shè)定在2.2ev～4.1ev范圍內(nèi)。即，摻雜第一cgl140和第二cgl150中所包括的n-cgl的金屬可以是逸出功處于2.2ev～4.1ev范圍內(nèi)的堿金屬或堿土金屬中的至少一種。例如，n-cgl可以由摻雜有如鋰(li)、鈉(na)、鉀(k)或銫(cs)等堿金屬或者如鎂(mg)、鍶(sr)、鋇(ba)或鐳(ra)等堿土金屬或其組合的有機(jī)層形成。但并不必然限于此。p-cgl可以由包含p型摻雜劑或無機(jī)材料或其組合的有機(jī)層形成，但不必然限于此。p-cgl可以由包含p型摻雜劑或無機(jī)材料或其組合的有機(jī)層形成，但不必然限于此。p-cgl中的無機(jī)摻雜劑可以包括例如氟化鎂(mgf2)、氯化鎂(mgcl2)和氟化鋅(znf2)之一，但不必然限于此。p-cgl和n-cgl可以由相同材料形成，但不必然限于此。如果p-cgl和n-cgl由相同材料形成，則可以消除p-cgl與n-cgl之間的界面，由此能夠延長裝置的壽命。此外，p-cgl和n-cgl可以由不同材料形成，但不必然限于此。如果p-cgl和n-cgl由不同材料形成，則在轉(zhuǎn)移或移動(dòng)電子或空穴的載體的傳送效率方面具有優(yōu)點(diǎn)。第一cgl140可以由與第二cgl150的n-cgl和p-cgl相同的材料形成，但不必然限于此。第二cgl150可以由與第一cgl140相同的材料形成，但不必然限于此。此外，第一cgl140可以由單層形成。此外，第二cgl150可以由單層形成。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置為底部發(fā)射型，但其可適用于頂部發(fā)射型或雙重發(fā)射型。此外，在包括根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，柵線和數(shù)據(jù)線被構(gòu)造為限定基板上相互交叉的各個(gè)像素區(qū)。電源線平行于它們中的任一種延伸，并且在各像素區(qū)中，開關(guān)薄膜晶體管與該柵線和該數(shù)據(jù)線連接。此外，在各像素區(qū)中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與該開關(guān)薄膜晶體管連接。該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與第一電極102連接。在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的白色有機(jī)發(fā)光裝置中，調(diào)整在第一cgl140和第二cgl150中的堿金屬或堿土金屬含量。在第一cgl140和第二cgl150的n-cgl中的堿金屬或堿土金屬含量不是隨機(jī)設(shè)定，而是需要考慮到裝置的結(jié)構(gòu)或特性而設(shè)定。此外，由于n-cgl是兩層，因此調(diào)整該含量需要特定注意。即，需要調(diào)整堿金屬或堿土金屬的含量，以能夠調(diào)整異常發(fā)光而不影響裝置的性能。如上所述，如果n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量低于預(yù)定水平，則不能發(fā)射正常的白光，并且驅(qū)動(dòng)電壓可能增加。如果在n-cgl中的堿金屬或堿土金屬含量等于或高于預(yù)定水平，則在制造該有機(jī)發(fā)光裝置時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓可能增加，并且可能出現(xiàn)異常發(fā)光。這種異常發(fā)光導(dǎo)致泄露，其中，當(dāng)該白色有機(jī)發(fā)光裝置被接通時(shí)，相鄰像素被同時(shí)接通。此外，n-cgl具有比p-cgl高的導(dǎo)電性，因此在n-cgl中更常發(fā)生泄露。由于根據(jù)兩個(gè)n-cgl中所包含的金屬含量而發(fā)生異常發(fā)光和驅(qū)動(dòng)電壓增加，因此本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行了根據(jù)金屬含量評(píng)價(jià)異常發(fā)光和測量驅(qū)動(dòng)電壓和壽命的實(shí)驗(yàn)，以調(diào)整該金屬含量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖4所示并列在表2中。如圖4所示，有五個(gè)實(shí)驗(yàn)用面板，并評(píng)價(jià)了這些面板的異常發(fā)光。將圖3所示的有機(jī)發(fā)光裝置用于這五個(gè)面板。此外，測量了紅、綠、藍(lán)和白光的異常發(fā)射。在該實(shí)驗(yàn)中，對(duì)于厚度為的n-cgl測量了異常發(fā)光，但厚度并不限于此。驅(qū)動(dòng)電壓受n-cgl厚度和n-cgl中的金屬含量影響。因此，如果n-cgl的厚度處于范圍內(nèi)，則裝置可以獲得所期望的特性，如降低的驅(qū)動(dòng)電壓或延長的壽命。即，n-cgl的厚度可以處于范圍內(nèi)，以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。此外，如果p-cgl的厚度處于范圍內(nèi)，則裝置可以獲得所期望的特性，如降低的驅(qū)動(dòng)電壓或延長的壽命。即，p-cgl的厚度可以處于范圍內(nèi)，以降低驅(qū)動(dòng)電壓和延長壽命。圖4中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量被稱作“金屬含量1”。此外，第二cgl150的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量被稱作“金屬含量2”。如圖4所示的面板7中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為1.0％，并且第二cgl150的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為1.0％。因此，第一cgl140和第二cgl150中所包含的堿金屬或堿土金屬的含量為2.0％。如面板8中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.7％，并且第二cgl150的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.7％。因此，第一cgl140和第二cgl150中堿金屬或堿土金屬的含量為1.4％。如面板9中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.5％，并且第二cgl150的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.5％。因此，第一cgl140和第二cgl150中堿金屬或堿土金屬的含量為1.0％。如面板10中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.4％，并且第二cgl150的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.4％。因此，第一cgl140和第二cgl150中堿金屬或堿土金屬的含量為0.8％。如面板11中，第一cgl140的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.3％，并且第二cgl150的n-cgl中堿金屬或堿土金屬的含量為0.3％。因此，第一cgl140和第二cgl150中堿金屬或堿土金屬的含量為0.6％。根據(jù)面板7～面板11的測量結(jié)果，可以看出，在第一cgl140和第二cgl150中堿金屬或堿土金屬的含量為0.8％以下的面板10～面板11中，未發(fā)生異常發(fā)光。此外，根據(jù)這些面板的前表面的測量結(jié)果，可以看出，在n-cgl中堿金屬或堿土金屬含量為0.8％的面板10中，與該含量為2.0％的面板7相比，未發(fā)生異常發(fā)光。因此，可以看出，如果將第一cgl140和第二cgl150的n-cgl中的金屬含量調(diào)整為n-cgl總量的0.8％以下，則不發(fā)生異常發(fā)光。即，可以看出，如果將n-cgl中的金屬含量設(shè)定在n-cgl總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)，則不發(fā)生異常發(fā)光。面板7～面板11的驅(qū)動(dòng)電壓和壽命的測量結(jié)果列在下表2中。驅(qū)動(dòng)電壓在10ma/cm2的電流密度下測量。[表2]分類面板7面板8面板9面板10面板11電壓(10ma/cm2)14.211.711.610.915.5壽命(％)798410010098如表2中所列，可以看出，隨著n-cgl中金屬含量的增加，驅(qū)動(dòng)電壓增加。此外，可以看出，在n-cgl中金屬含量為0.6％的面板11中，驅(qū)動(dòng)電壓高。因此，可以看出，通過降低n-cgl中的金屬含量不能降低驅(qū)動(dòng)電壓。如果將金屬含量設(shè)定為0.6％，則不發(fā)生異常發(fā)光。因此，可將此應(yīng)用于裝置。此外，就壽命而言，可以看出，n-cgl中金屬含量為0.8％以下的面板10和面板11的壽命為100％～98％。同時(shí)，可以看出，金屬含量為2.0％的面板7和金屬含量為1.4％的面板8具有較短的壽命。因此，根據(jù)所期望的裝置特性而調(diào)整n-cgl中所包含的金屬的含量是可能的，因而考慮到異常發(fā)光和如驅(qū)動(dòng)電壓和壽命等特性的改善，可以將n-cgl中的金屬含量設(shè)定為0.6％～0.8％。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以看出，如果將包括三個(gè)發(fā)光單元的有機(jī)發(fā)光裝置的n-cgls中的金屬含量調(diào)整為n-cgl總量的0.8％以下，則可以防止裝置異常發(fā)光。在裝置的驅(qū)動(dòng)電壓或壽命方面存在優(yōu)點(diǎn)。即，可以看出，當(dāng)n-cgl中的金屬含量處于n-cgl總量的0.6％～0.8％范圍內(nèi)時(shí)，可以防止裝置異常發(fā)光。在裝置的驅(qū)動(dòng)電壓或壽命方面存在優(yōu)點(diǎn)。如上所述，可以看出，如果第一cgl中和第二cgl中該金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)，則與第一cgl和第二cgl中該金屬的總量為1.0％以上的情況相比，不發(fā)生異常發(fā)光。此外，可以看出，如果第一cgl中和第二cgl中該金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)，則與第一cgl和第二cgl中該金屬的總量為1.0％以上的情況相比，驅(qū)動(dòng)電壓降低。此外，可以看出，如果第一cgl中和第二cgl中該金屬的總量處于0.6％～0.8％范圍內(nèi)，則與第一cgl和第二cgl中該金屬的總量為1.0％以上的情況相比，壽命延長。因此，通過將n-cgl中的金屬含量調(diào)整至預(yù)定水平，可以提供下述裝置，所述裝置不產(chǎn)生異常發(fā)光，同時(shí)保持裝置的最大驅(qū)動(dòng)電壓或壽命。如上所述，在調(diào)整電荷生成層中金屬含量的情況下，當(dāng)金屬含量被設(shè)定高時(shí)，調(diào)整該含量變得容易，并且在驅(qū)動(dòng)電壓方面存在優(yōu)點(diǎn)。然而，如果金屬含量被設(shè)定高于預(yù)定水平，則發(fā)生異常發(fā)光。如果金屬含量被設(shè)定低于預(yù)定水平，則驅(qū)動(dòng)電壓可能升高，或者壽命可能縮短。因此，在本發(fā)明中，考慮到異常發(fā)光和如驅(qū)動(dòng)電壓或壽命等特性的改善，提供了一種裝置，所述裝置不產(chǎn)生異常發(fā)光，同時(shí)保持了最大化驅(qū)動(dòng)電壓或壽命。雖然已參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于此，并且可以以不同方式實(shí)施，而不脫離本發(fā)明的技術(shù)思路。因此，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的提供僅出于說明性目的，而不意在限制本發(fā)明的技術(shù)思路。本發(fā)明的技術(shù)思路的范圍不限于此。因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述示例性實(shí)施方式在所有方面都是說明性的，并不限制本發(fā)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)基于以下權(quán)利要求理解，其等效范圍內(nèi)的所有技術(shù)思路應(yīng)被認(rèn)為落在本發(fā)明范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁12