本申請(qǐng)涉及一種用于制造電子模塊的面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法。本申請(qǐng)還涉及一種用于形成所述電子模塊的電路層的方法。本申請(qǐng)還涉及在所述面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法中的一種生成裸片位置檢查(die?location?check,dlc)文件的方法，用于檢測(cè)半導(dǎo)體裸片在重構(gòu)面板中的真實(shí)位置。

背景技術(shù)：

1、當(dāng)前的面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，即在重構(gòu)面板中半導(dǎo)體裸片會(huì)偏移其設(shè)計(jì)位置。所述偏移可能在多個(gè)工藝中發(fā)生，例如在將半導(dǎo)體裸片鍵合到面板上時(shí)，以及形成將半導(dǎo)體裸片封裝在面板上的模塑層。這種偏移將使后續(xù)工藝變得困難，例如在重構(gòu)面板上形成電路層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、因此，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于形成電路層的方法、生成裸片位置檢查文件的方法及面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法，用于解決由于半導(dǎo)體裸片在重構(gòu)面板中偏移給后續(xù)工藝帶來(lái)的問(wèn)題。

2、作為本申請(qǐng)的第一方面，公開(kāi)了一種用于在電子模塊的多個(gè)半導(dǎo)體器件上形成電路層的方法。所述方法包括：生成裸片位置檢查(dlc)文件，包括在重構(gòu)面板中的半導(dǎo)體器件的真實(shí)位置；提取設(shè)計(jì)電路文件，具有所述半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)位置；通過(guò)所述dlc文件，將所述設(shè)計(jì)電路文件轉(zhuǎn)換為適配電路文件，其中，所述轉(zhuǎn)換包括將所述設(shè)計(jì)位置和所述真實(shí)位置對(duì)齊；以及根據(jù)所述適配電路文件，在所述真實(shí)位置上形成電路層。

3、作為本申請(qǐng)的第二方面，公開(kāi)了一種生成裸片位置檢查(dlc)文件的方法，用于確定用于電子模塊的重構(gòu)面板中的多個(gè)半導(dǎo)體器件的真實(shí)位置。所述方法包括：進(jìn)行鍵合后檢查，用于在形成所述重構(gòu)面板之前檢查鍵合在標(biāo)記載體上的半導(dǎo)體器件；形成一模塑層，用于封裝安裝在所述標(biāo)記載體上的半導(dǎo)體器件，從而形成所述重構(gòu)面板；以及確定所述重構(gòu)面板中的半導(dǎo)體器件的真實(shí)位置。

4、作為本申請(qǐng)的第三方面，公開(kāi)了一種用于制造多個(gè)電子模塊的面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法。所述方法包括：提供一標(biāo)記載體；將多個(gè)半導(dǎo)體器件對(duì)準(zhǔn)并鍵合到所述標(biāo)記載體上；形成一模塑層，用于形成重構(gòu)面板；將所述重構(gòu)面板從所述標(biāo)記載體上分離，然后將所述重構(gòu)面板轉(zhuǎn)移至一承載板；進(jìn)行本申請(qǐng)的第一方面所述的方法，用于在所述重構(gòu)面板中的半導(dǎo)體器件上形成電路層；在所述電路層上形成外部連接層；以及將所述重構(gòu)面板和外部連接層分割成單獨(dú)的電子模塊。

技術(shù)特征：

1.一種用于在電子模塊的多個(gè)半導(dǎo)體器件上形成電路層的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述設(shè)計(jì)電路文件轉(zhuǎn)換為所述適配電路文件包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將所述設(shè)計(jì)電路坐標(biāo)系和所述dlc坐標(biāo)系對(duì)齊包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述電子模塊包括多芯片模塊mcm，并且所述dlc原點(diǎn)被配置為所述mcm的一選定半導(dǎo)體裸片的裸片中心。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述電子模塊包括多芯片模塊mcm，并且所述dlc原點(diǎn)被配置為所述mcm的幾何中心。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述dlc參考點(diǎn)被配置為所述dlc坐標(biāo)系的x軸或y軸與所選定的半導(dǎo)體裸片的裸片輪廓的交點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述適配電路文件包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體裸片，并且通過(guò)以下方式進(jìn)行所述鍵合后檢查：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體裸片，并且通過(guò)以下方式進(jìn)行所述鍵合后檢查：

11.一種生成裸片位置檢查dlc文件的方法，用于確定用于電子模塊的重構(gòu)面板中的多個(gè)半導(dǎo)體器件的真實(shí)位置，所述方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一裸片參考點(diǎn)和所述第二裸片參考點(diǎn)如下確定：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述電子模塊是具有至少兩個(gè)半導(dǎo)體裸片的多芯片模塊mcm，并且確定所述半導(dǎo)體裸片的真實(shí)位置包括僅確定所述電子模塊的一選定半導(dǎo)體裸片的真實(shí)位置。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述電子模塊是具有至少兩個(gè)半導(dǎo)體裸片的多芯片模塊mcm，并且確定所述半導(dǎo)體裸片的真實(shí)位置包括確定所述電子模塊的所有半導(dǎo)體裸片的真實(shí)位置。

16.一種用于制造多個(gè)電子模塊的面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體裸片和無(wú)源封裝件。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述無(wú)源封裝件如下形成：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述半導(dǎo)體裸片對(duì)準(zhǔn)并鍵合到所述標(biāo)記載體上包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于形成電路層的方法、生成裸片位置檢查文件的方法及面板級(jí)半導(dǎo)體封裝方法，包括生成裸片位置檢查(DLC)文件，包括在重構(gòu)面板中的半導(dǎo)體器件的真實(shí)位置；提取設(shè)計(jì)電路文件，具有所述半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)位置；通過(guò)所述DLC文件，將所述設(shè)計(jì)電路文件轉(zhuǎn)換為適配電路文件，其中，所述轉(zhuǎn)換包括將所述設(shè)計(jì)位置和所述真實(shí)位置對(duì)齊；以及根據(jù)所述適配電路文件，在所述真實(shí)位置上形成電路層。本申請(qǐng)公開(kāi)的生成裸片位置檢查(DLC)文件的方法，用于確定重構(gòu)面板中的多個(gè)半導(dǎo)體器件的真實(shí)位置。

技術(shù)研發(fā)人員：周輝星,穆尼拉希南·森蒂爾·庫(kù)馬爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：PEP創(chuàng)新私人有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5