本申請(qǐng)涉及顯示，具體涉及一種陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有顯示面板解決壓降問(wèn)題是重要技術(shù)難點(diǎn)之一，當(dāng)前工藝主要通過(guò)設(shè)置多層金屬層來(lái)降低走線(xiàn)阻抗，但陣列基板的不同走線(xiàn)在換線(xiàn)處的交疊位置容易產(chǎn)生靜電放電(electro-static?discharge；esd)擊傷高發(fā)區(qū)，亟待解決。

2、因此，現(xiàn)有陣列基板存在不同走線(xiàn)在交疊處?kù)o電放電嚴(yán)重的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示面板，可以緩解現(xiàn)有陣列基板存在不同走線(xiàn)在交疊處?kù)o電放電嚴(yán)重的技術(shù)問(wèn)題。

2、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：

3、襯底；

4、位于所述襯底上方的第一走線(xiàn)和第二走線(xiàn)，所述第一走線(xiàn)與所述第二走線(xiàn)在膜厚方向上存在交疊區(qū)域；

5、其中，在所述交疊區(qū)域，所述第一走線(xiàn)與所述第二走線(xiàn)之間的垂直距離大于3微米。

6、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，包括：

7、襯底；

8、第二金屬層，設(shè)置于所述襯底的一側(cè)，所述第二金屬層包括絕緣設(shè)置的第一極和第二極；

9、第二平坦層，設(shè)置于所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

10、第三金屬層，設(shè)置于所述第二平坦層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第三金屬層包括同層且絕緣設(shè)置的第三極、第四極，所述第三極通過(guò)一至少貫穿所述第二平坦層的第一過(guò)孔與所述第一極連接，所述第四極通過(guò)一至少貫穿所述第二平坦層的第二過(guò)孔與所述第二極連接

11、第三平坦層，設(shè)置于所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

12、第四金屬層，設(shè)置于所述第三平坦層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第四金屬層包括第五極，所述第五極通過(guò)一至少貫穿所述第三平坦層的第三過(guò)孔與所述第三極連接；

13、其中，所述第一極、所述第三極、所述第五極相互連接構(gòu)成第一走線(xiàn)，所述第二極、所述第四極相互連接構(gòu)成第二走線(xiàn)，所述第一走線(xiàn)與所述第二走線(xiàn)呈間隔設(shè)置，所述第五極與所述第二極在膜厚方向上設(shè)置有交疊區(qū)域。

14、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第一極與所述第四極在膜厚方向上錯(cuò)位設(shè)置，所述第二極與所述第三極在膜厚方向上錯(cuò)位設(shè)置。

15、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，包括：

16、第二金屬層，設(shè)置于所述襯底的一側(cè)，所述第二金屬層包括絕緣設(shè)置的第一極和第二極；

17、第二平坦層，設(shè)置于所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第二平坦層的厚度范圍為3微米至5微米；

18、第三金屬層，設(shè)置于所述第二平坦層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第三金屬層包括絕緣設(shè)置的第三極、第四極，所述第三極通過(guò)一至少貫穿所述第二平坦層的第一過(guò)孔與所述第一極連接，所述第四極通過(guò)一至少貫穿所述第二平坦層的第二過(guò)孔與所述第二極連接；

19、其中，所述第一極與所述第四極在膜厚方向上設(shè)置有所述交疊區(qū)域，或者，所述第二極與所述第三極在膜厚方向上設(shè)置有所述交疊區(qū)域。

20、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第二平坦層還包括呈連續(xù)設(shè)置的第一槽孔，所述第一槽孔貫穿所述第二平坦層設(shè)置，所述第一極與所述第三極通過(guò)所述第一槽孔連接，所述第一槽孔的截面形狀為方形、橢圓形中的任一種。

21、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第二平坦層還包括呈連續(xù)設(shè)置的第二槽孔，所述第二槽孔貫穿所述第二平坦層設(shè)置，所述第二極與所述第四極通過(guò)所述第二槽孔連接，所述第二槽孔的截面形狀為方形、橢圓形中的任一種。

22、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第一槽孔、所述第二槽孔的截面形狀為矩形、圓形中的任一種。

23、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第二金屬層還包括第一接觸電極，所述第一極、所述第二極與所述第一接觸電極同層且絕緣設(shè)置，所述第三金屬層還包括第二接觸電極，所述第三極、所述第四極與所述第二接觸電極同層且絕緣設(shè)置，所述第四金屬層還包括第三接觸電極，所述第五極與所述第三接觸電極同層且絕緣設(shè)置，其中，所述第一接觸電極與所述第二接觸電極通過(guò)一貫穿所述第二平坦層的第四過(guò)孔呈連接設(shè)置，所述第二接觸電極與所述第三接觸電極通過(guò)一貫穿所述第三平坦層的第五過(guò)孔呈連接設(shè)置。

24、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，

25、有源層，設(shè)置于所述襯底上；

26、第一柵絕緣層，設(shè)置于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

27、第一柵極，設(shè)置于所述第一柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

28、第二柵絕緣層，設(shè)置于所述第一柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

29、第二柵極，設(shè)置于所述第二柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

30、層間絕緣層，設(shè)置于所述第二柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

31、第一金屬層，設(shè)置于所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一金屬層包括間隔設(shè)置的源極和漏極，所述源極和漏極分別連接于所述有源層。

32、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第一金屬層與所述第二金屬層同層設(shè)置；或者

33、所述陣列基板包括第一平坦層，所述第一平坦層設(shè)置于所述第一金屬層背離所述襯底的一側(cè)，所述第二金屬層設(shè)置于所述第一平坦層背離所述襯底的一側(cè)。

34、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種顯示面板，包括如上述任一實(shí)施例所述的陣列基板。

35、有益效果：增大了第一走線(xiàn)與第二走線(xiàn)在交疊區(qū)域的垂直距離，使該垂直距離大于3微米，從而緩解了現(xiàn)有陣列基板存在不同走線(xiàn)在交疊處?kù)o電放電嚴(yán)重的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括：

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一極與所述第四極在膜厚方向上錯(cuò)位設(shè)置，所述第二極與所述第三極在膜厚方向上錯(cuò)位設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括：

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二平坦層還包括呈連續(xù)設(shè)置的第一槽孔，所述第一槽孔貫穿所述第二平坦層設(shè)置，所述第一極與所述第三極通過(guò)所述第一槽孔連接，所述第一槽孔的截面形狀為方形、橢圓形中的任一種。

6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二平坦層還包括呈連續(xù)設(shè)置的第二槽孔，所述第二槽孔貫穿所述第二平坦層設(shè)置，所述第二極與所述第四極通過(guò)所述第二槽孔連接，所述第二槽孔的截面形狀為方形、橢圓形中的任一種。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層還包括第一接觸電極，所述第一極、所述第二極與所述第一接觸電極同層且絕緣設(shè)置，所述第三金屬層還包括第二接觸電極，所述第三極、所述第四極與所述第二接觸電極同層且絕緣設(shè)置，所述第四金屬層還包括第三接觸電極，所述第五極與所述第三接觸電極同層且絕緣設(shè)置，其中，所述第一接觸電極與所述第二接觸電極通過(guò)一貫穿所述第二平坦層的第四過(guò)孔電連接，所述第二接觸電極與所述第三接觸電極通過(guò)一貫穿所述第三平坦層的第五過(guò)孔電連接。

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層與所述第二金屬層同層設(shè)置；或者

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)的實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板、顯示面板，該陣列基板包括襯底、位于襯底上方的第一走線(xiàn)和第二走線(xiàn)，第一走線(xiàn)與第二走線(xiàn)在膜厚方向上存在交疊區(qū)域；其中，在交疊區(qū)域，第一走線(xiàn)與第二走線(xiàn)之間的垂直距離大于3微米；通過(guò)增大了第一走線(xiàn)與第二走線(xiàn)在交疊區(qū)域內(nèi)的垂直間距，改善了因靜電放電擊穿導(dǎo)致的良率損失。

技術(shù)研發(fā)人員：黃燦,許勇,查國(guó)偉,尹偉紅,王超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5