本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、電壓控制型功率器件是一種通過控制電壓來實現(xiàn)功率控制的電子器件，常用于電源供應(yīng)中的ac/dc（alternating?curren/?direct?current）轉(zhuǎn)換、dc/dc（direct?current/direct?current）轉(zhuǎn)換以及電壓調(diào)節(jié)中。

2、如何降低電壓控制型功率器件的導(dǎo)通電阻，是值得討論的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

3、提供基底；

4、形成多個第一柵極結(jié)構(gòu)，所述多個第一柵極結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置于所述基底；

5、在所述基底內(nèi)形成漂移區(qū)以及體區(qū)，所述漂移區(qū)與所述體區(qū)鄰接，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)位于所述體區(qū)內(nèi)；

6、在所述基底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)位于所述體區(qū)內(nèi)，所述漏區(qū)位于所述漂移區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。

7、可選地，形成多個第一柵極結(jié)構(gòu)之前，所述方法還包括：

8、在所述基底表面刻蝕形成第一溝槽；

9、形成多個第一柵極結(jié)構(gòu)，包括：

10、在所述第一溝槽的側(cè)壁表面以及底部表面覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵介質(zhì)層；

11、對所述第一溝槽進行填充形成所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極主體；

12、在所述第一柵極主體及所述第一柵介質(zhì)層表面覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極延長部。

13、可選地，在覆蓋所述第一柵極延長部之前，所述方法還包括：

14、對所述基底進行離子注入形成所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵介質(zhì)延長部；

15、其中，所述第一柵介質(zhì)延長部與所述第一柵介質(zhì)層鄰接，且位于所述第一柵介質(zhì)層鄰近所述漏區(qū)的一側(cè)，所述第一柵介質(zhì)延長部鄰近所述漏區(qū)的一端位于所述漂移區(qū)內(nèi)。

16、可選地，在覆蓋所述第一柵極延長部之前，所述方法還包括：

17、對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進行退火處理。

18、可選地，各個第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵介質(zhì)延長部與所述漏區(qū)之間均具有間距，其中，相鄰的第一柵極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的間距不同。

19、可選地，所述第一柵極延長部還覆蓋所述第一柵介質(zhì)延長部，所述第一柵極延長部鄰近所述漏區(qū)的端部位于所述漂移區(qū)上方。

20、可選地，相鄰第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極延長部與所述漏區(qū)的間距不同。

21、可選地，在所述基底表面刻蝕形成第一溝槽之前，所述方法還包括：

22、在所述基底表面刻蝕形成第二溝槽，所述第二溝槽位于所述源區(qū)遠離所述漏區(qū)的一側(cè)，且所述第二溝槽槽底的深度大于所述源區(qū)底面的深度，所述第二溝槽與所述源區(qū)鄰接。

23、可選地，在形成所述第一柵極結(jié)構(gòu)的過程中，所述方法還包括：

24、在所述第二溝槽側(cè)壁表面以及底部表面覆蓋第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵介質(zhì)層；

25、對所述第二溝槽進行填充形成所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵極主體，以得到所述第二柵極結(jié)構(gòu)。

26、可選地，在所述基底內(nèi)形成體區(qū)之前，所述方法還包括：

27、在所述基底內(nèi)形成深阱摻雜區(qū)，所述深阱摻雜區(qū)的摻雜類型與所述漂移區(qū)一致，且摻雜濃度大于所述漂移區(qū)，所述深阱摻雜區(qū)與所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述漂移區(qū)分別鄰接；

28、其中，所述體區(qū)與所述深阱摻雜區(qū)的摻雜類型不同，且所述體區(qū)覆蓋所述深阱摻雜區(qū)，所述源區(qū)與所述深阱摻雜區(qū)間隔設(shè)置。

29、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：

30、在所述源區(qū)內(nèi)形成抽取區(qū)，所述抽取區(qū)底面覆蓋所述體區(qū)，所述抽取區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)一致，且摻雜濃度大于所述體區(qū)。

31、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

32、基底；

33、多個第一柵極結(jié)構(gòu)，所述多個第一柵極結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置于所述基底；

34、漂移區(qū)，所述漂移區(qū)位于所述基底內(nèi)；

35、體區(qū)，所述體區(qū)位于所述漂移區(qū)內(nèi)，且與所述漂移區(qū)鄰接，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)位于所述體區(qū)內(nèi)；

36、源區(qū)，所述源區(qū)位于所述體區(qū)內(nèi)；

37、漏區(qū)，所述漏區(qū)位于所述漂移區(qū)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。

38、可選地，所述基底表面具有第一溝槽；

39、所述第一柵極結(jié)構(gòu)包含：

40、第一柵介質(zhì)層，所述第一柵介質(zhì)層覆蓋所述第一溝槽側(cè)壁表面以及底部表面；

41、第一柵極主體，所述第一柵極主體位于所述第一溝槽內(nèi)；

42、第一柵極延長部，所述第一柵極延長部覆蓋所述第一柵極主體及所述第一柵介質(zhì)層表面。

43、可選地，所述第一柵極結(jié)構(gòu)還包括：

44、第一柵介質(zhì)延長部，所述第一柵介質(zhì)延長部與所述第一柵介質(zhì)層鄰接，且位于所述第一柵介質(zhì)層鄰近所述漏區(qū)的一側(cè)，所述第一柵介質(zhì)延長部鄰近所述漏區(qū)的一端位于所述漂移區(qū)內(nèi)。

45、可選地，各個第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵介質(zhì)延長部與所述漏區(qū)之間均具有間距，其中，相鄰的第一柵極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的間距不同。

46、可選地，所述第一柵極延長部還覆蓋所述第一柵介質(zhì)延長部，所述第一柵極延長部鄰近所述漏區(qū)的端部位于所述漂移區(qū)上方。

47、可選地，相鄰第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極延長部與所述漏區(qū)的間距不同。

48、可選地，所述基底表面具有第二溝槽，所述第二溝槽位于所述源區(qū)遠離所述漏區(qū)的一側(cè)，且所述第二溝槽槽底的深度大于所述源區(qū)底面的深度，所述第二溝槽與所述源區(qū)鄰接；

49、所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包含：

50、第二柵介質(zhì)層，所述第二柵介質(zhì)層位于所述第二溝槽側(cè)壁以及槽底表面；

51、第二柵極主體，所述第二柵極主體位于所述第二溝槽內(nèi)。

52、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

53、深阱摻雜區(qū)，所述深阱摻雜區(qū)位于所述基底內(nèi)；

54、所述深阱摻雜區(qū)的摻雜類型與所述漂移區(qū)一致，且摻雜濃度大于所述漂移區(qū)，所述深阱摻雜區(qū)與所述第二柵極結(jié)構(gòu)和所述漂移區(qū)分別鄰接；

55、所述體區(qū)與所述深阱摻雜區(qū)的摻雜類型不同，且所述體區(qū)覆蓋所述深阱摻雜區(qū)，所述源區(qū)與所述深阱摻雜區(qū)間隔設(shè)置。

56、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

57、抽取區(qū)，所述抽取區(qū)位于所述源區(qū)內(nèi)，所述抽取區(qū)底面覆蓋所述體區(qū)，所述抽取區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)一致，且摻雜濃度大于所述體區(qū)。

58、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

59、在基底形成多個第一柵極結(jié)構(gòu)，在基底內(nèi)形成漂移區(qū)以及體區(qū)，在體區(qū)形成源區(qū)，在漂移區(qū)形成漏區(qū)，通過間隔設(shè)置多個第一柵極結(jié)構(gòu)以及將第一柵極結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)設(shè)置于體區(qū)內(nèi)，能夠在相鄰第一柵極結(jié)構(gòu)之間的體區(qū)形成導(dǎo)通溝道，通過調(diào)整第一柵極結(jié)構(gòu)在所述體區(qū)內(nèi)的部分結(jié)構(gòu)的深度，能夠增加導(dǎo)通溝道的橫截面面積，從而能夠降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻。

60、進一步地，相鄰第一柵極結(jié)構(gòu)間的基底內(nèi)形成有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通溝道，將第一柵極主體設(shè)置于基底內(nèi)，能夠優(yōu)化第一柵極主體加壓時形成于第一柵極結(jié)構(gòu)表面上的導(dǎo)通溝道分布，提升第一柵極結(jié)構(gòu)表面上的導(dǎo)通溝道的厚度沿垂直于基底表面方向上的均一性，從而能夠提升導(dǎo)通溝道的橫截面面積，降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻。

61、進一步地，相鄰第一柵介質(zhì)延長部與漏區(qū)的間距不同，能夠增加相鄰第一柵介質(zhì)延長部的端部的間距，從而能夠降低第一柵介質(zhì)延長部的端部處電場尖峰疊加的強度，進而能夠降低在第一柵介質(zhì)延長部的端部處擊穿的幾率。

62、進一步地，相鄰第一柵極延長部與漏區(qū)的間距不同，能夠增加相鄰第一柵極延長部的端部的間距，從而能夠降低第一柵極延長部的端部下方漂移區(qū)對應(yīng)位置處電場尖峰疊加的強度，進而能夠降低在第一柵介質(zhì)延長部的端部處擊穿的幾率。

63、進一步地，源區(qū)位于第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間，且與第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)分別鄰接，源區(qū)底面的深度小于深阱摻雜區(qū)的深度，且源區(qū)與深阱摻雜區(qū)間隔設(shè)置。對第一柵極結(jié)構(gòu)施加的電壓，相鄰第一柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域內(nèi)形成由第一柵極結(jié)構(gòu)控制的導(dǎo)通溝道，導(dǎo)通溝道與漂移區(qū)共同連通源區(qū)和漏區(qū)；對第二柵極結(jié)構(gòu)施加的電壓，源區(qū)下方鄰接第二柵極結(jié)構(gòu)的體區(qū)表面形成垂直于基底表面方向的導(dǎo)通溝道，導(dǎo)通溝道連接源區(qū)和深阱摻雜區(qū)，也就意味著，上述設(shè)置能夠增加半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)導(dǎo)通溝道的數(shù)量，因而能夠進一步降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻。