專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制造方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
該申請(qǐng)以1998年7月2日申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.98-26585為優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容全部在此引證。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法，該制造方法可允許超過分辨率限度的圖形和使用鑲嵌(damascene)技術(shù)的多級(jí)互連。
隨著集成電路器件的集成度增加，焦點(diǎn)集中在曝光技術(shù)上，以隨著高集成度化而獲得精細(xì)的圖形。近來的趨勢(shì)是曝光波長(zhǎng)變得越來越短，例如從g線(波長(zhǎng)436nm)，i線(波長(zhǎng)365nm)到KrF準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)248nm)。最近，有希望的選擇對(duì)象是ArF準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)193nm)。精細(xì)圖形器件的形成可改進(jìn)集成電路的性能并且還可通過提高生產(chǎn)率來降低制造成本。
可是，用于精細(xì)圖形形成的光刻分辨率與曝光的波長(zhǎng)和常數(shù)(K1)成正比，與數(shù)值孔徑(NA)成反比。常數(shù)K1與抗蝕劑質(zhì)量和分辨率技術(shù)有關(guān)。考慮近來的NA、抗蝕劑質(zhì)量和分辨率技術(shù)，認(rèn)為用i線時(shí)分辨率限度是0.3微米，用KrF時(shí)分辨率限度是0.15微米。在ArF的情況下，通常期望分辨率限度是0.10微米。
可是，上述計(jì)算的分辨率限度是在最佳條件下得到的。但在實(shí)際工藝中難以維持這樣的最佳條件。分辨率限度受工藝條件影響很大。例如，可變的襯底拓?fù)?、因拓?fù)浜蜆?gòu)圖材料的反射率引起的光刻膠層的變化。并且，在實(shí)際制造工藝中，還存在影響分辨率限度的一些事實(shí)。例如，對(duì)準(zhǔn)裕度，寬的工藝窗口(諸如極好的平面化和低的縱橫比等)。
為了克服上述在實(shí)際制造工藝中影響分辨率限度的事實(shí)，已使用例如鑲嵌技術(shù)。在金屬互連中廣泛地采用鑲嵌技術(shù)。這是由于金屬有高反射率，并且在絕緣層上淀積金屬、形成光刻膠層、構(gòu)圖光刻膠層和利用構(gòu)圖的光刻膠層腐蝕金屬層的常規(guī)金屬互連工藝中，難以進(jìn)行厚金屬層的腐蝕。
常規(guī)鑲嵌技術(shù)如下。首先，在絕緣層上形成用于互連的溝槽。用CVD(化學(xué)汽相淀積)技術(shù)或?yàn)R射/回流技術(shù)掩埋銅。進(jìn)行平面化以去除溝槽外的銅，從而形成鑲嵌互連。
可是，常規(guī)鑲嵌技術(shù)在對(duì)0.5微米或以下的金屬圖形或接觸孔的應(yīng)用中存在一些問題。特別是，在用鑲嵌技術(shù)形成溝槽期間會(huì)擴(kuò)大已經(jīng)形成的接觸孔?？朔搯栴}的一種選擇方案是形成小尺寸的接觸孔?？墒?，隨著集成度的增加，形成小尺寸的接觸孔正變得越來越因難。另一種選擇方案是在形成接觸孔前形成溝槽。它要求在已經(jīng)形成的溝槽中形成用于接觸孔的光刻膠圖形。可是，難以在深的并且小尺寸的溝槽中形成光刻膠圖形。
因此，需要一種鑲嵌技術(shù)來克服與鑲嵌工藝有關(guān)的問題。
鑒于以上的問題作出本發(fā)明，因此，本發(fā)明的目的是提供一種利用鑲嵌技術(shù)來制造半導(dǎo)體的方法。
按照本發(fā)明，通過在周邊區(qū)域中利用有低反射率的材料層圖形形成雙鑲嵌金屬互連和在單元陣列區(qū)域中利用相同的材料層圖形形成電容器，來提供這些和其它目的。
更具體地說，在有單元陣列區(qū)域和周邊區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣層。然后在第一絕緣層上形成材料層圖形。材料層圖形有開口部分，在單元陣列區(qū)域該開口部分限定用于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的接觸孔，在周邊區(qū)域該開口部分限定用于金屬互連的接觸孔。材料層圖形由相對(duì)于第一絕緣層和后來形成的第二絕緣層有腐蝕選擇性的材料構(gòu)成。例如，可由選自由未摻雜的多晶硅、氮化物材料、SiON和Al2O3構(gòu)成的組中的材料組成。
在材料層圖形上形成第二絕緣層。然后在第二絕緣層上形成溝槽光刻膠圖形并且它有在由材料層圖形限定的開口部分上對(duì)準(zhǔn)的開口部分。利用光刻膠圖形，將第二絕緣層腐蝕到材料層圖形處，形成第一開口。接著，選擇腐蝕由材料層圖形的開口部分的露出的第一絕緣層的部分，形成與第一開口自對(duì)準(zhǔn)的第二開口，由此在周邊區(qū)域中形成雙鑲嵌開口。
然后用金屬填充雙鑲嵌開口并使其平面化，形成到半導(dǎo)體襯底的鑲嵌金屬互連。
在單元陣列區(qū)域中材料層圖形還被用于形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。在周邊區(qū)域中形成鑲嵌金屬線之后，在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上形成第三絕緣層。在第三絕緣層上形成另一個(gè)光刻膠圖形在材料層圖形的開口部分上對(duì)準(zhǔn)，該光刻膠圖形有限定存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)的開口部分。利用該另一個(gè)光刻膠圖形，腐蝕第三和第二絕緣層至材料層圖形，形成第三開口。然后腐蝕由材料層圖形露出的第一絕緣層，形成露出半導(dǎo)體襯底的預(yù)定部分的第四開口。在第三和第四開口中淀積導(dǎo)電材料，從而在單元陣列區(qū)域中形成與半導(dǎo)體襯底的預(yù)定部分電連接的存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)。
另外，可顛倒工藝順序。即，在單元陣列區(qū)域中形成存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)之后，可在周邊區(qū)域中形成雙鑲嵌金屬線。
參照下述附圖，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可理解本發(fā)明并且其目的也將變得顯而易見。


圖1A-1E是按照本發(fā)明的沿字線方向截取的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的所選工藝步驟的半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖2A-2E是按照本發(fā)明的沿位線方向截取的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的所選工藝步驟的半導(dǎo)體襯底的剖面圖；圖3A-3E是按照本發(fā)明的沿字線方向截取的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的所選工藝步驟的半導(dǎo)體襯底周邊區(qū)域的剖面圖。
下面將參照表示本發(fā)明最佳實(shí)施例的附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明。當(dāng)然，本發(fā)明可以不同的方式實(shí)施，并且不受所提出的實(shí)施例的限制。更確切地說，提供這些實(shí)施例，以徹底和完全地進(jìn)行公開，并充分地對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員公開本發(fā)明的范圍。附圖中，為清楚起見放大表示了層的厚度和區(qū)域。還應(yīng)理解，當(dāng)層被認(rèn)為是“在另一層或襯底上”時(shí)，可以是直接在另一層或襯底上或者也可以有中間層存在。相反，當(dāng)元件被認(rèn)為是“直接在另一元件上”時(shí)，就不存在其中間的元件。并且，所描述和所展示的各實(shí)施例還包括其互補(bǔ)導(dǎo)電型的實(shí)施例。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制造方法。圖1A-1E表示在制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的所選工藝步驟中沿單元陣列區(qū)域中的字線方向截取的半導(dǎo)體襯底的剖面圖，圖2A-2E表示沿單元陣列區(qū)域中的位線方向截取的半導(dǎo)體襯底的剖面圖，圖3A-3E表示沿字線方向截取的半導(dǎo)體襯底周邊區(qū)域的剖面圖。在圖2A-2E和圖3A-3E中，功能與圖1A-1E中所示部件相同的部分被標(biāo)以相同的參考數(shù)字。因此，為了更好地理解本發(fā)明，圖1、圖2和圖3同時(shí)被引證。
參照?qǐng)D1A、圖2A和圖3A，制備半導(dǎo)體襯底10。圖1A和2A中的襯底示意地表示單元陣列區(qū)域，圖3A中的襯底示意地表示周邊區(qū)域。在半導(dǎo)體襯底10的預(yù)定位置上形成器件隔離層12，以限定有源和無源區(qū)。有源區(qū)是在襯底中要進(jìn)行電連接的區(qū)域。器件隔離層12包圍有源區(qū)并使各個(gè)有源區(qū)與相鄰的有源區(qū)電絕緣。用淺溝槽隔離技術(shù)或硅的局部氧化技術(shù)可形成器件隔離層12。在有源區(qū)上形成包括柵電極層13a、13b和13c，和源/漏區(qū)的晶體管。盡管未示出，在襯底的有源區(qū)與柵極層之間形成柵絕緣層，以在它們之間電絕緣。柵極層由導(dǎo)電層和其上覆蓋的保護(hù)層構(gòu)成。用于柵極的導(dǎo)電層由多晶硅和金屬硅化物層構(gòu)成。柵保護(hù)層可由氮化硅層構(gòu)成。
為了改善對(duì)準(zhǔn)裕度，形成觸點(diǎn)基層16a和16b。更具體地說，在形成晶體管之后，在所獲得的結(jié)構(gòu)上形成絕緣層14。腐蝕絕緣層14的所選部分，形成露出柵極之間的有源區(qū)的開口。用導(dǎo)電材料填充開口并進(jìn)行平面化，形成觸點(diǎn)基層16a和16b。更具體地說，觸點(diǎn)基層16a與后來形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電連接，觸點(diǎn)基層16b與后來形成的位線電連接。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1B、2B和3B，在包括觸點(diǎn)基層16a和16b的絕緣層14上常規(guī)形成另一絕緣層18、位線20，21和第一層間絕緣層22。盡管未示出，位線20和21通過形成在另一絕緣層18中的接觸栓塞與觸點(diǎn)基層16b電連接。第一層間絕緣層22被平面化以使其具有平的表面。
參照?qǐng)D1C、2C和3C，在第一層間絕緣層22上形成材料層圖形24。更具體地說，在第一層間絕緣層22上淀積材料層之后，實(shí)施光掩模和腐蝕工藝，形成有開口部分25a和25b的材料層圖形24，開口部分25a和25b在單元陣列區(qū)域中限定用于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的接觸孔區(qū)域(見25a)和在周邊區(qū)域中限定用于互連的接觸孔區(qū)域(見25b)。
材料層圖形24可由相對(duì)于絕緣層14和18，第一層間絕緣層22和后來形成的第二層間絕緣層26具有好的腐蝕選擇性，例如至少為1∶5或以上的材料構(gòu)成，并且與金屬相比有非常低的反射率。絕緣層14和18以及層間絕緣層22和26由氧化物層構(gòu)成，材料層圖形24由選自由未摻雜的多晶硅、氮化物材料、SiON和Al2O3構(gòu)成的組中之一組成。
現(xiàn)在參照?qǐng)D1D、2D和3D，在第一層間絕緣層22上形成厚的第二層間絕緣層26。第二層間絕緣層26的厚度至少約為0.4微米，例如約為0.5微米至0.6微米。第二層間絕緣層26的厚度可由后來形成的金屬線28b(見圖3E)的預(yù)定厚度來確定。
接下來的工藝是在周邊區(qū)域中形成金屬線。再次參照?qǐng)D3D，利用形成在第二層間絕緣層26上且有比材料層圖形大的開口部分的溝槽掩模(未示出)，腐蝕第二層間絕緣層26，形成露出材料層圖形24的第一開口，其中材料層圖形24有開口部分25b。用露出的材料層圖形24作腐蝕掩模，腐蝕露出的第一層間絕緣層22和絕緣層18和14，在周邊區(qū)域中形成露出半導(dǎo)體襯底10的有源區(qū)的第二開口，并由此形成雙鑲嵌開口27a。同時(shí)，還可使腐蝕停止在材料層圖形處，并由此形成另一個(gè)第一開口27b。
最后，在開口27a和27b中淀積金屬并使其平面化，形成掩埋在絕緣層26中的金屬線28a和28b。通過利用材料層圖形24的雙鑲嵌工藝可同時(shí)形成金屬線和用于金屬線與襯底之間的互連的接觸栓塞(見28a)。金屬可以由選自由鎢、氮化鈦、鋁、氮化鎢和銅構(gòu)成的組中之一形成。接著順序形成另一個(gè)金屬線31和絕緣層32。
然后，在所獲得的結(jié)構(gòu)上淀積第三層間絕緣層30。這樣形成第三層間絕緣層30，使得第二和第三層間絕緣層的總厚度約為1.0微米至1.2微米。在單元陣列區(qū)域中該總厚度決定存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度。
接著，在單元陣列區(qū)域中形成電容器并淀積絕緣層44。用相同的技術(shù)即鑲嵌技術(shù)形成電容器。更具體地說，利用有比材料層圖形大的開口部分并在材料層圖形24的開口部分25a上對(duì)準(zhǔn)的存儲(chǔ)形成掩模，腐蝕第三和第二層間絕緣層，形成第三開口，第三開口露出帶有其開口部分25a的材料層圖形。利用材料層圖形，腐蝕露出的絕緣層22和18，形成與第三開口自對(duì)準(zhǔn)的第四開口，并由此形成用于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的雙鑲嵌開口。在開口中淀積導(dǎo)電材料并使其平面化，形成與觸點(diǎn)基層16a連接的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40。去除存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)40外側(cè)的層間絕緣層30和26，并淀積電介質(zhì)層41和板極節(jié)點(diǎn)42，從而完成柱形電容器，如圖1E和2E所示。通過完全填充用于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的開口，還可構(gòu)成盒型電容器。
另外，可顛倒金屬互連的形成和電容器的形成。亦即，首先在單元陣列區(qū)域中形成電容器，然后在周邊區(qū)域中形成金屬互連。在用鑲嵌技術(shù)將電容器形成在單元陣列區(qū)域中之后，在其上淀積絕緣層44。然后，在周邊區(qū)域中，腐蝕層間絕緣層(見參考標(biāo)號(hào)26和22)和絕緣層(見參考標(biāo)號(hào)18和14)，形成雙鑲嵌開口(見參考標(biāo)號(hào)27a)和開口(見參考標(biāo)號(hào)27b)。用金屬填充開口(見參考標(biāo)號(hào)27a和27b)，形成雙鑲嵌金屬線(見參考標(biāo)號(hào)28a)和金屬線(見參考標(biāo)號(hào)28b)。金屬線(見參考標(biāo)號(hào)28b)可被用作啞元圖形。隨后，形成絕緣層(見參考標(biāo)號(hào)30)、另一個(gè)金屬線(見參考標(biāo)號(hào)31)和絕緣層(見參考標(biāo)號(hào)32)。
在鑲嵌工藝中金屬層圖形被用于電容器和金屬互連的形成。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括下列步驟在半導(dǎo)體襯底上形成器件隔離區(qū)以限定有源區(qū)，所述半導(dǎo)體襯底有單元陣列區(qū)域和周邊區(qū)域；在所述襯底上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成材料層圖形，所述材料層圖形有第一開口部分，第一開口部分分別在所述單元陣列區(qū)域限定用于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的接觸孔，在所述周邊區(qū)域限定用于金屬互連的接觸孔；在所述材料層圖形上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成溝槽掩模圖形，所述溝槽圖形在所述周邊區(qū)域有至少在所述材料層圖形的所述第一開口部分上對(duì)準(zhǔn)的第二開口部分，所述第二開口部分大于所述第一開口部分；用所述溝槽掩模作腐蝕掩模，腐蝕所述第二絕緣層并在所述材料層圖形處中止，形成第一觸點(diǎn)開口，并利用至少一個(gè)所述第一觸點(diǎn)開口腐蝕第一絕緣層的露出部分，在所述周邊區(qū)域形成與所述第一觸點(diǎn)開口的所述至少一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)的至少一個(gè)第二觸點(diǎn)開口；和用導(dǎo)電材料填充所述第一和第二觸點(diǎn)開口，分別形成形成于第一和第二觸點(diǎn)開口中的第一金屬互連，和形成于第一開口中的第二金屬互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述材料層圖形相對(duì)于所述第一和第二絕緣層有腐蝕選擇性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，所述材料層圖形相對(duì)于所述第一和第二絕緣層有至少1∶5的腐蝕選擇比。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述材料層圖形由選自由未摻雜的多晶硅、氮化物材料、SiON和Al2O3構(gòu)成的組中之一組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度至少為0.4微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料由選自由鎢、氮化鈦、鋁、氮化鎢和銅構(gòu)成的組中之一組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，還包括下列步驟在所述第一和第二金屬互連和第二絕緣層上形成第三絕緣層；在所述第三絕緣層上形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)掩模圖形，所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)掩模圖形在所述單元陣列區(qū)域有與所述第一開口部分對(duì)準(zhǔn)的第三開口部分，所述第三開口部分大于所述第一開口部分；利用所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)掩模圖形，腐蝕所述第三和第二絕緣層并在所述材料層處中止，于是形成第三觸點(diǎn)開口，并通過所述第三觸點(diǎn)開口腐蝕所述第一絕緣層的露出部分，形成與所述第三觸點(diǎn)開口對(duì)準(zhǔn)的第四開口。
8.一種制造半導(dǎo)體的方法，所述方法包括下列步驟在半導(dǎo)體襯底上形成器件隔離區(qū)以限定有源區(qū)，所述半導(dǎo)體襯底有單元陣列區(qū)域和周邊區(qū)域；在所述襯底上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成材料層圖形，所述材料層圖形有第一開口部分，第一開口部分分別在所述單元陣列區(qū)域限定用于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的接觸孔，在所述周邊區(qū)域限定用于金屬互連的接觸孔；在所述材料層圖形上形成第二絕緣層；在所述材料層圖形上形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)掩模圖形，所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)掩模圖形在所述單元陣列區(qū)域有在所述第一開口部分上對(duì)準(zhǔn)的第二開口部分；利用所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)掩模圖形，腐蝕所述第二絕緣層并在所述材料層圖形處中止，于是形成第一觸點(diǎn)開口，并且通過所述第一觸點(diǎn)開口腐蝕所述第一絕緣層的露出部分，形成與所述第一觸點(diǎn)開口自對(duì)準(zhǔn)的第二觸點(diǎn)開口；在所述第一和第二觸點(diǎn)開口中形成用作存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第一導(dǎo)電層，電介質(zhì)層和用作板極節(jié)點(diǎn)的第二導(dǎo)電層，構(gòu)成電容器；在所述半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面上形成第三絕緣層；在所述第三絕緣層上形成溝槽掩模圖形，所述溝槽圖形在所述周邊區(qū)域有至少在所述第一開口部分上對(duì)準(zhǔn)的第三開口部分；用所述溝槽掩模作腐蝕掩模，腐蝕所述第三絕緣層并在所述材料層圖形處中止，形成第三觸點(diǎn)開口，并利用至少一個(gè)所述第三觸點(diǎn)開口腐蝕第一絕緣層的露出部分，在所述周邊區(qū)域形成與所述第三觸點(diǎn)開口的所述至少一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)的至少一個(gè)第四觸點(diǎn)開口；和用導(dǎo)電材料填充所述第三和第四觸點(diǎn)開口，分別形成形成于第三和第四觸點(diǎn)開口中的第一金屬互連，和形成于第三開口中的第二金屬互連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，所述材料層圖形相對(duì)于所述第一、第二和第三絕緣層有腐蝕選擇性。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于，所述材料層圖形相對(duì)于所述第一、第二和第三絕緣層有至少1∶5的腐蝕選擇比。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，所述材料層圖形由選自由未摻雜的多晶硅、氮化物材料、SiON和Al2O3構(gòu)成的組中之一組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，所述第三絕緣層的厚度至少為0.4微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料由選自由鎢、氮化鈦、鋁、氮化鎢和銅構(gòu)成的組中之一組成。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括形成在有單元陣列區(qū)域和周邊區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上的第一絕緣層；形成在所述第一絕緣層上的材料層圖形，所述材料層圖形有開口部分；形成在所述材料層圖形上的第二絕緣層；分別在所述單元陣列區(qū)域和所述周邊區(qū)域處，形成在所述第二絕緣層中且通過由所述材料層圖形露出的所述第一絕緣層與所述半導(dǎo)體襯底電連接的電容器和金屬互連。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述材料層圖形相對(duì)于所述第一和第二絕緣層有腐蝕選擇性。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述材料層圖形由選自由未摻雜的多晶硅、氮化物材料、SiON和Al2O3構(gòu)成的組中之一組成。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料由選自由鎢、氮化鈦、鋁、氮化鎢和銅構(gòu)成的組中之一組成。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體器件的方法。在絕緣層上形成材料層圖形。在材料層圖形上淀積另一個(gè)絕緣層。在另一個(gè)絕緣層上形成溝槽掩模圖形。利用該掩模,在另一個(gè)絕緣層處進(jìn)行腐蝕并中止在材料層,從而形成第一開口。利用材料層圖形,腐蝕絕緣層的露出部分,形成與第一開口對(duì)準(zhǔn)的第二開口,并由此形成用于金屬線的雙鑲嵌開口。在第一和第二開口中淀積金屬,形成雙鑲嵌金屬線。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1241031SQ9910941
公開日2000年1月12日 申請(qǐng)日期1999年6月29日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月2日
發(fā)明者梁元碩 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社