膜剝離裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及膜剝離裝置。更具體地說,本公開涉及能夠容易地剝落附著于基底的膜的膜剝離裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示裝置中,有機發(fā)光顯示裝置自發(fā)光來顯示圖像。有機發(fā)光顯示裝置具有諸如低功耗、快響應速度等優(yōu)點,因而有機發(fā)光顯示裝置逐漸取代液晶顯示器。有機發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在每個像素區(qū)域中的有機發(fā)光二極管,并且有機發(fā)光二極管包括陰極、陽極和插入在陰極與陽極之間的有機發(fā)光層。
[0003]同時,在制造有機發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光層時,廣泛使用沉積法或激光誘導熱成像法。根據(jù)激光誘導熱成像法,其上形成有機發(fā)光層的供體膜被附著到基底,并且激光束被照射到供體膜,從而使有機發(fā)光層從供體膜被轉(zhuǎn)印到基底。在有機發(fā)光層被轉(zhuǎn)印到基底之后,供體膜被從基底剝落。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本公開提供一種能夠容易地剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置。
[0005]發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,第一剝離輥的每一個均包括靜電吸盤,以吸附附著于基底的第一膜。第一剝離輥卷繞所吸附的第一膜,以從基底剝離第一膜。
[0006]發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,卷繞附著于基底的第一膜,以從基底剝離第一膜。第一剝離輥包括氣體噴射部件,以向第一膜噴射氣體。
[0007]發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種剝離附著于基底的膜的膜剝離裝置,包括腔室、傳送單元和第一剝離輥。傳送單元被設(shè)置在腔室中以傳送基底。第一剝離輥被設(shè)置在腔室中,并卷繞附著于基底的第一膜,以從基底剝離第一膜。第一剝離輥包括溫度控制件。
[0008]根據(jù)以上,用于剝離附著于基底的供體膜的輥包括靜電吸盤,因而供體膜與輥之間的吸附力由靜電吸盤所產(chǎn)生的靜電力充分地保證。因此,供體膜不被加壓到基底,并且即使輥在卷繞供體膜時與基底隔開,輥的旋轉(zhuǎn)力也容易被施加到供體膜,從而易于進行膜剝離工藝。另外,可以防止有機發(fā)光層的轉(zhuǎn)印質(zhì)量由于由輥部分地施加到供體膜和基底的壓力而降低。
【附圖說明】
[0009]當結(jié)合附圖考慮時,參照以下詳細描述本公開的以上和其它優(yōu)點將變得更顯而易見,附圖中:
[0010]圖1A是示出根據(jù)本公開的一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖;
[0011]圖1B是示出圖1A中所示的第一輥的剖視圖;
[0012]圖2是示出圖1A中所示的膜剝離裝置的操作的視圖;
[0013]圖3是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖;
[0014]圖4A是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖;
[0015]圖4B是示出圖4A中所示的第一輥的剖視圖;
[0016]圖5是示出圖4A中所示的膜剝離裝置的操作的視圖;
[0017]圖6A是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖;
[0018]圖6B是示出圖6A中所示的第一輥的剖視圖;
[0019]圖7是示出圖6A中所示的第一輥的操作的視圖;并且
[0020]圖8是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖。
【具體實施方式】
[0021]將理解的是,當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“被連接到”或“被結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r,其可以被直接形成在另一元件或?qū)由?,被直接連接到或結(jié)合到另一元件或?qū)?,或者形成有中間元件或中間層。相反,當元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“被直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r,不存在中間元件或中間層。相似的附圖標記自始至終指代相似的元件。如本文中所用,術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項目的一個或多個的任意和所有組合。
[0022]將理解的是,雖然術(shù)語第一、第二等可在本文中用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分,但是所描述的元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不受所使用的術(shù)語的限制。術(shù)語僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此,下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分,而不脫尚本公開的教導。
[0023]為了易于描述,在本文中可使用諸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空間相對術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關(guān)系。將理解的是,除了圖中描述的方位之外,空間相對術(shù)語旨在包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如,如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn),描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將于是被定向為在其它元件或特征“上方”。因此,術(shù)語“下方”可以包括上方和下方兩種方位。設(shè)備可被另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位),并且本文使用的空間相對描述符可以被相應地解釋。
[0024]本文使用的術(shù)語僅用于描述特定的實施例的目的,并不旨在限制發(fā)明構(gòu)思。如本文所用,單數(shù)形式的“一”、“某一”和“該”旨在也包括復數(shù)形式,除非上下文另有明確說明。將進一步理解的是,當在申請文件中使用時,術(shù)語“包括”和/或“包含”表明存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或部件,但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組。
[0025]除非另有定義,本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學術(shù)語)具有本公開所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。將進一步理解,例如那些在常用字典中定義的術(shù)語應該被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的含義一致的含義,并且不應以理想化或過于正式的意義來解釋,除非在本文中明確地如此定義。
[0026]下面將參考附圖詳細解釋本發(fā)明構(gòu)思。
[0027]圖1A是示出根據(jù)本公開的一示例性實施例的膜剝離裝置的視圖,圖1B是示出圖1A中所示的第一輥的剖視圖,并且圖2是示出圖1A中所示的膜剝離裝置的操作的視圖。
[0028]參考圖1A、圖1B和圖2,膜剝離裝置100被用于剝落在制造有機發(fā)光顯示裝置時附著于基底51的膜。詳細地說,其上形成有機發(fā)光層的供體膜53被附著到基底51的一個表面,密封膜52被附著到基底51的另一表面,以與供體膜53協(xié)作而將基底51密封。然后,當在供體膜53上進行激光誘導熱成像工藝時,有機發(fā)光層從供體膜53被轉(zhuǎn)印到基底51。之后,使用膜剝離裝置100進行膜剝離工藝,以從基底51剝落供體膜53和密封膜52。
[0029]膜剝離裝置100包括腔室Cl、設(shè)置在腔室Cl中的傳送單元20、第一剝離輥SR1、第二剝離輥SR2、第一夾持單元Gl、第二夾持單元G2、第一驅(qū)動單元31和第二驅(qū)動單元41。
[0030]腔室Cl的內(nèi)部被保持在例如真空的低壓中,入口 11被形成為貫穿腔室Cl的側(cè)壁,并且出口 12被形成為貫穿腔室Cl的面對該側(cè)壁的另一側(cè)壁。因此,附著有供體膜53和密封膜52的基底51通過入口 11被裝入腔室Cl內(nèi),使用膜剝離裝置100在基底51上進行膜剝離工藝,并且其上進行了膜剝離工藝的基底51通過出口 12被排出到腔室Cl的外部。
[0031]傳送單元20被設(shè)置在腔室Cl內(nèi)以傳送基底51。傳送單元20包括沿傳送線TL布置并彼此隔開的多個傳送輥。因此,傳送輥在相同的方向轉(zhuǎn)動,以沿傳送線TL在第一方向Dl上傳送基底51。傳送單元20可包括諸如傳送帶等的其它傳送設(shè)備。
[0032]第一剝離輥SRl卷繞供體膜53,以將供體膜53從基底51剝落。第一剝離輥SRl包括彼此面對的第一輥Rl和第二輥R2,第一輥Rl卷繞供體膜53的上表面SI,并且第二輥R2卷繞供體膜53的下表面S2。
[0033]第一和第二輥Rl和R2被設(shè)置成與基底51隔開。第一剝離輥SRl卷繞供體膜53,因此在進行膜剝離工藝的同時供體膜53不會被第一剝離輥SRl加壓到基底51上。
[0034]第一和第二輥Rl和R2中的至少一個可以包括靜電吸盤ESC。因此,當進行膜剝離工藝時,第一和第二輥Rl和R2在卷繞供體膜53的同時使用由靜電吸盤ESC產(chǎn)生的靜電力吸附供體膜53。第一和第二輥Rl和R2 二者都