可以是靜電吸盤ESC。
[0035]在下文中，將作為代表性示例詳細(xì)描述第一輥Rl中的靜電吸盤ESC。
[0036]第一輥Rl包括諸如不銹鋼的基底金屬和薄介電層。在本示例性實(shí)施例中，靜電吸盤ESC包括每一個(gè)具有第一極性的多個(gè)第一磁體90以及每一個(gè)具有不同于第一極性的第二極性的多個(gè)第二磁體91。此外，第一和第二磁體90和91沿第一輥Rl的表面被交替并重復(fù)地布置。因此，供體膜53可由靜電吸盤ESC與纏繞在第一輥Rl周圍的供體膜53之間產(chǎn)生的靜電力吸附到第一輥R1。第一輥Rl的表面涂有薄介電膜95。
[0037]如上所述，當(dāng)?shù)谝缓偷诙丷l和R2卷繞供體膜53，并且供體膜53被由靜電吸盤ESC產(chǎn)生的靜電力吸附到第一和第二輥Rl和R2時(shí)，產(chǎn)生以下效果。
[0038]通常，隨著供體膜53被吸附到第一剝離輥SRl的吸附力變高，第一剝離輥SRl的旋轉(zhuǎn)力可以容易地被傳遞到供體膜53。其結(jié)果是，供體膜53可以被容易地從基底51剝落。但是，當(dāng)?shù)谝粍冸x輥SRl中的每一個(gè)均不包括靜電吸盤ESC時(shí)，需要第一輥Rl朝向基底51對(duì)供體膜53加壓，以保證吸附力。由于無意中設(shè)置在第一輥Rl的表面上的硬質(zhì)異物，高壓可能被部分地施加到供體膜53和基底51，因此從供體膜53轉(zhuǎn)印到基底51上的有機(jī)發(fā)光層的轉(zhuǎn)印質(zhì)量可能降低。
[0039]如果第一和第二輥Rl和R2中的至少一個(gè)包括靜電吸盤ESC，則由靜電吸盤ESC產(chǎn)生的靜電力可以充分地保證吸附力。因此，不要求供體膜53由第一輥Rl加壓到基底51來保證吸附力。因此，可以容易地進(jìn)行膜剝離工藝，并且轉(zhuǎn)印到基底的有機(jī)發(fā)光層的轉(zhuǎn)印質(zhì)量不會(huì)由于無意中設(shè)置在第一輥Rl的表面上的硬質(zhì)異物而降低。第二剝離輥SR2被設(shè)置在腔室Cl內(nèi)以面對(duì)第一剝離輥SRl，并且基底51被設(shè)置在第二剝離輥SR2和第一剝離輥SRl之間。第二剝離輥SR2卷繞密封膜52，以將密封膜52從基底51剝落。第二剝離輥SR2包括第三輥R3和第四輥R4。第三輥R3卷繞密封膜53的一個(gè)表面，并且第四輥R4與基底51隔開以卷繞密封膜53的另一表面。第三輥R3可以接觸基底的未轉(zhuǎn)印有機(jī)發(fā)光層的下表面。
[0040]第一夾持單兀Gl被設(shè)置在傳送線TL上方，以鄰近于第一剝離棍SR1。第一夾持單元Gl具有夾具來保持由第一剝離輥SRl剝落的供體膜53的端部。另外，第二夾持單元G2被設(shè)置在傳送線TL下方，以鄰近于第二剝離輥SR2。在本示例性實(shí)施例中，第二夾持單元G2具有夾具來保持由第二剝離輥SR2剝落的密封膜52的端部。
[0041]第一驅(qū)動(dòng)單元31被結(jié)合到第一夾持單元Gl，以沿第一傳送引導(dǎo)件32在第一方向Dl和與第一方向相反的第二方向D2上移動(dòng)第一夾持單元G1。另外，第二驅(qū)動(dòng)單元41被結(jié)合到第二夾持單元G2，以沿第二傳送引導(dǎo)件42在第一方向Dl和第二方向D2上移動(dòng)第二夾持單元G2。
[0042]因此，當(dāng)具有靜電吸盤ESC的第一和第二剝離輥SRl和SR2卷繞供體膜53和密封膜52并且夾持供體膜53和密封膜52的第一和第二夾持單元Gl和G2通過第一和第二驅(qū)動(dòng)單元31和41朝第二方向D2移動(dòng)時(shí)，可以更容易地進(jìn)行膜剝離工藝而不降低有機(jī)發(fā)光層的轉(zhuǎn)印質(zhì)量。
[0043]另外，由于第一和第二夾持單元G1和G2的移動(dòng)速度可以通過調(diào)節(jié)第一和第二驅(qū)動(dòng)單元31和41的驅(qū)動(dòng)力來控制，所以可以控制從基底51剝離供體膜53和密封膜52的速度，以防止轉(zhuǎn)印質(zhì)量降低。
[0044]在本示例性實(shí)施例中，密封膜52被附著到基底51的下表面，并且供體膜53被附著到基底51的上表面，但它們不應(yīng)當(dāng)限于此或由此限制。也就是說，密封膜52和供體膜53可以被分別附著到基底51的上表面和下表面。在這種情況下，第一剝離輥SRl被布置在基底51下方以卷繞供體膜53，并且第二剝離輥SR2被設(shè)置在基底51上方以卷繞密封膜52。
[0045]圖3是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖。在圖3中，相同的附圖標(biāo)記指代圖2中的相同元件，因此相同元件的詳細(xì)描述將被省略。
[0046]參考圖3，膜剝離裝置101包括第一剝離輥SRl-1和第二剝離輥SR2。第一剝離輥SRl-1包括第一輥Rl-1和第二輥R2，并且第一和第二輥Rl-1和R2中的至少一個(gè)在其中包括靜電吸盤ESC (參考圖1B)。第一和第二輥Rl-1和R2 二者都可以包括靜電吸盤ESC。
[0047]參考圖1A，當(dāng)進(jìn)行膜剝離工藝時(shí)，膜剝離裝置100的第一剝離輥SRl被設(shè)置為在卷繞供體膜53的同時(shí)與基底51隔開。根據(jù)圖3所示的本示例性實(shí)施例，當(dāng)進(jìn)行膜剝離工藝時(shí)，第一剝離輥SRl-1的第一輥Rl-1在借助介于其間的供體膜53與基底51接觸的同時(shí)卷繞供體膜53。
[0048]由于第一和第二輥Rl-1和R2中的一個(gè)包括靜電吸盤，在膜剝離工藝期間，第一和第二輥Rl-1和R2可使用靜電吸盤吸附供體膜53。因此，供體膜53被吸附到第一剝離輥SR1-1，并且第一剝離輥SRl-1的旋轉(zhuǎn)力可以被容易地施加到供體膜53。因此，雖然當(dāng)?shù)谝惠丷l-1卷繞供體膜53時(shí)第一輥Rl-1借助介于其間的供體膜53與基底51接觸，可以消除或顯著減少第一輥Rl-1朝基底51施加到供體膜53的力。因此，可以防止轉(zhuǎn)印質(zhì)量因由第一棍Rl-1部分施加到供體膜53和基底51的壓力而降低。
[0049]圖4A是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖，圖4B是示出圖4A中所示的第一輥的剖視圖，并且圖5是示出圖4A中所示的膜剝離裝置的操作的視圖。在圖4A、圖4B和圖5中，相同的附圖標(biāo)記指代圖1A、圖1B和圖2中的相同兀件，因此相同元件的詳細(xì)描述將被省略。
[0050]參考圖4A、圖4B和圖5，膜剝離裝置102包括第一剝離輥SR1-2、第二剝離輥SR2、氣體供給單元70和氣體管71，并且第一剝離輥SR1-2被設(shè)置為與基底51隔開。
[0051]第一剝離輥SR1-2包括第一輥R1-2和第二輥R2。第一和第二輥R1-2和R2中的至少一個(gè)可包括靜電吸盤ESC。第一和第二輥R1-2和R2 二者都可以是靜電吸盤ESC。
[0052]第一輥R1-2可以進(jìn)一步包括氣體噴射部件200，該氣體噴射部件200由貫穿第一輥R1-2形成并延伸到第一輥R1-2的表面的多個(gè)氣體排出部分210限定。
[0053]氣體噴射部件200被連接到氣體供給單元70，以從氣體供給單元70接收氣體GS。例如，氣體通路215沿第一輥R1-2的縱向方向被形成在第一輥R1-2中，并被連接到氣體排出部分210。另外，氣體通路215通過位于第一輥R1-2的一側(cè)的氣體管71被連接到氣體供給單元70。因此，當(dāng)氣體供給單元70通過氣體管71向氣體通路215供給氣體GS時(shí)，氣體GS通過氣體排出部分210被排出到第一輥R1-2的外部。
[0054]如參考圖2所述，當(dāng)?shù)谝缓偷诙冸x輥SR1-2和SR2卷繞供體膜53和密封膜52來進(jìn)行膜剝離工藝同時(shí)第一和第二夾持單元Gl和G2夾持供體膜53和密封膜52時(shí)，第一輥R1-2卷繞供體膜53的上表面，并且基本上同時(shí)使用氣體噴射部件200向供體膜53噴射氣體GS。
[0055]因此，在膜剝離工藝期間，供體膜53可以由從氣體噴射部件200排出的氣體GS向基底51被均勻地加壓。因而從供體膜53轉(zhuǎn)印到基底51的有機(jī)發(fā)光層的轉(zhuǎn)印質(zhì)量可以不會(huì)由于附著到第一輥R1-2的表面的異物部分施加到基底51和供體膜53的壓力而降低。
[0056]圖6A是示出根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的膜剝離裝置的視圖，圖6B是圖6A中所示的第一輥的剖視圖，圖7是示出圖6A中所示的第一輥的操作的視圖。
[0057]參考圖6A、圖6B和圖7，膜剝離裝置103包括第一剝離輥SR1-3、第二剝離輥SR2、流體供給單元80和流體管81。
[0058]第一剝離輥SR1-3包括第一輥R1-3和第二輥R2。第一輥Rl_3可進(jìn)一步包括溫度控制件220。溫度控制件220被設(shè)置在第一輥R1-3中，并具有沿第一輥Rl_3的表面延伸的管形狀。
[0059]另外，流體通路216沿第一輥R1-3的縱向方向被形成在第一輥Rl_3中，并通過多個(gè)連接部分217被連接到溫度控制件220。流體通路216可通過位于第一輥R1-3的一側(cè)的流體管81被連接到流體供給單元80。因此，當(dāng)流體供給單元80通過流體管81向流體通路21